CN112713228B - 发光单元、发光器件及显示器件 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及显示技术领域，公开了一种发光单元，包括：发光半导体，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层，还包括凹陷结构，其中，所述凹陷结构包括凹陷顶部和凹陷底部，所述凹陷底部或所述凹陷顶部位于所述第一半导体层；第一电极，包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一半导体层；所述第二部分设置于所述发光单元的侧面，所述第二部分包括光隔离材料。本申请提供的显示器件，尽量避免发光单元发出的光向彼此传导，尽量防止发光单元之间的光串扰，有利于改善显示效果，而且还简化了显示器件的结构。本申请还公开了发光器件及显示器件。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，例如涉及一种发光单元、发光器件及显示器件。
背景技术
目前，在显示领域通常使用到发光单元，例如在Micro LED产品中通过发光单元进行显示。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
发光单元发出的一部分光会向其他发光单元传导，导致发光单元之间发生光串扰，影响显示效果。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种发光单元、发光器件及显示器件，以解决发光单元发出的光中的一部分会向相邻的另一发光单元传导，导致发光单元之间发生光串扰，影响显示效果的技术问题。
本公开实施例提供了一种发光单元，包括：
发光半导体，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层，还包括凹陷结构，其中，所述凹陷结构包括凹陷顶部和凹陷底部，所述凹陷底部或所述凹陷顶部位于所述第一半导体层；
第一电极，包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一半导体层；所述第二部分设置于所述发光单元的侧面，所述第二部分包括光隔离材料。
在一些实施例中，所述凹陷结构还包括凹陷侧面；
所述发光单元的侧面包括：发光单元的外侧面和所述凹陷侧面至少之一。
在一些实施例中，所述第二部分设置于所述发光单元的外侧面中的至少一面。
在一些实施例中，所述第二部分还包括第一交叠部和第一超出部，所述第一交叠部在所述发光单元的外侧面上的正投影与所述发光单元的外侧面交叠，并且所述发光单元的外侧面在所述第二部分的正投影不与所述第一超出部交叠。
在一些实施例中，所述第一超出部在所述发光单元的外侧面朝相邻的发光单元延伸。
在一些实施例中，所述第一交叠部的背离所述发光单元的外侧面的表面与所述第一超出部的背离所述发光单元的外侧面的表面共面或不共面。
在一些实施例中，所述第一半导体层位于所述发光单元的出光侧或背光侧。
在一些实施例中，所述第一半导体层位于所述发光单元的出光侧；
所述第一部分设置有透光区域。
在一些实施例中，所述第一半导体层位于所述凹陷底部；
所述第一电极还包括第三部分，所述第三部分设置于所述第二半导体层。
在一些实施例中，所述第三部分包括光隔离材料。
在一些实施例中，所述第一半导体层位于所述凹陷顶部；
所述第一部分包括第二交叠部和第二超出部，所述第二交叠部在所述第一半导体层上的正投影与所述第一半导体层交叠，并且所述第一半导体层在所述第一部分的正投影不与所述第二超出部交叠。
在一些实施例中，所述第二交叠部的背离所述第一半导体层的表面与所述第二超出部的背离所述第一半导体层的表面共面。
在一些实施例中，所述第二交叠部与所述第一半导体层直接接触。
在一些实施例中，所述第二超出部在所述凹陷底部的正投影不完全覆盖所述凹陷底部。
在一些实施例中，所述第一部分覆盖所述第一半导体层的部分或全部区域。
在一些实施例中，所述第二部分覆盖所述发光单元的侧面的部分或全部区域。
在一些实施例中，在所述第二部分与所述发光单元的侧面之间部分或全部地设置有绝缘结构。
在一些实施例中，还包括：
与所述第一电极的电极性相反的第二电极，所述第二电极设置于所述第二半导体层的部分或全部区域。
在一些实施例中，所述第二电极，还设置于：
所述第一半导体层的部分或全部区域。
在一些实施例中，所述第一半导体层位于所述凹陷顶部；
所述第二电极覆盖所述凹陷底部的部分或全部区域。
在一些实施例中，所述第二电极的截面形状包括T字型。
在一些实施例中，所述第二电极包括光隔离材料。
本公开实施例还提供了一种发光器件，包括多个上述的发光单元。
在一些实施例中，多个所述发光单元包括：发光二极管LED、迷你发光二极管MiniLED、微发光二极管Micro LED中至少之一。
本公开实施例还提供了一种显示器件，包括上述的发光器件。
本公开实施例提供的一种发光单元、发光器件及显示器件，可以实现以下技术效果：
通过将电极的一部分延长到发光单元的侧面，可以尽量避免发光单元侧面发出的光向其他发光单元传导，尽量防止发光单元之间的光串扰，有利于改善显示效果，同时也简化了显示器件的结构。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的一种凹陷结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种凹陷结构示意图；
图3是本公开实施例提供的第一电极的剖面结构示意图；
图4是本公开实施例提供的第一电极的另一剖面结构示意图；
图5是本公开实施例提供的第一电极的另一剖面结构示意图；
图6是本公开实施例提供的第一电极的另一剖面结构示意图；
图7是本公开实施例提供的第一电极的另一剖面结构示意图；
图8是本公开实施例提供的发光单元的第一电极的第二部分的俯视图；
图9A是本公开实施例提供的发光单元的第一电极的第二部分的另一俯视图；
图9B是本公开实施例提供的发光单元的第一电极的第二部分的另一俯视图；
图10是本公开实施例提供的发光单元的第一电极的另一剖面结构示意图；
图11是本公开实施例提供的发光单元的第二电极的剖面结构示意图；
图12是本公开实施例提供的第二电极和第一电极的剖面结构示意图；
图13是本公开实施例提供的第二电极和第一电极的另一剖面结构示意图；
图14是本公开实施例提供的第二电极和第一电极的另一剖面结构示意图；
图15是本公开实施例提供的第一电极的剖面结构示意图；
图16是本公开实施例提供的发光器件的剖面结构示意图；
图17是本公开实施例提供的显示器件的剖面结构示意图。
附图标记：
100：发光单元；
10：发光半导体；101：第一半导体层；102：有源层；103：第二半导体层；104：凹陷结构；
1041：凹陷顶部；1042：凹陷底部；1043：凹陷侧面；
20：第一电极；201：第一部分；2011：第二交叠部；2012：第二超出部；202：第二部分；2021：第一交叠部；2022：第一超出部；203：第三部分；
30：第二电极；
40：绝缘结构；
501：光吸收层；502：中间层；503：欧姆接触层；
200：发光器件；300：显示器件；
B：背光面；S：出光面；L：光。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7所示，本公开实施例提供了一种发光单元100，可以包括：
发光半导体10，包括依次层叠的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103，还包括凹陷结构104，其中，凹陷结构104包括凹陷顶部1041和凹陷底部1042，凹陷底部1042或凹陷顶部1041位于第一半导体层101；
第一电极20，包括第一部分201和第二部分202；其中，第一部分201设置于第一半导体层101；第二部分202设置于发光单元100的侧面，该第二部分202包括光隔离材料。
上述实施例提供的一种发光单元可以通过将电极的一部分设置在发光单元100的侧面，尽量避免发光单元100的侧面的部分光向相邻的另一发光单元传导，尽量防止发光单元之间的光串扰，有利于改善显示效果，同时也简化了显示器件的结构。
在一些实施例中，上述第一部分201与第二部分202可以部分或全部地相接。
在一些实施例中，如图1所示，发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103可以沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置。如图2所示，发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103还可以沿着发光单元100的从背光面B向出光面S的方向依次层叠设置。
在一些实施例中，如图1和图2所示，凹陷结构104可以为图中虚线区域所示的形状，该凹陷结构104还包括凹陷顶部1041和凹陷底部1042。
可选地，如图1所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，该凹陷底部1042位于该第一半导体层101。可选地，如图2所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从背光面B向出光面S的方向依次层叠设置时，该凹陷顶部1041位于该第一半导体层101。
在一些实施例中，第二半导体层103与第一半导体层101的载流子电极性相反，一个半导体层可以是带负电的自由电子，另一个半导体层可以是带正电的自由空穴。可选地，第一半导体层101可以为N型半导体层或P型半导体层，相对应的，第二半导体层103可以包括P型半导体层或N型半导体层。可选地，有源层102可以包括多量子阱（Multi QuantumWell，MQW）层。
在一些实施例中，第一电极20可以为N电极或P电极。可选地，第一半导体层101与第一电极20相对应；例如，当第一半导体层101为N型半导体层时，第一电极20可以为N电极；当第一半导体层101为P型半导体层时，第一电极20可以为P电极。
在一些实施例中，如图1、图2所示，上述凹陷结构104还包括凹陷侧面1043。凹陷侧面1043是位于该凹陷结构104内侧的至少一个面。可选地，该凹陷结构104的凹陷顶部1041、凹陷底部1042与凹陷侧面1043之间夹角角度没有限定，图1、图2只是示例性地示出了凹陷侧面1043与凹陷顶部1041垂直，且凹陷侧面1043与凹陷底部1042垂直的情况，凹陷顶部1041、凹陷底部1042和凹陷侧面1043的夹角还可以是其他角度，凹陷顶部1041、凹陷底部1042、凹陷侧面1043可以是平面，也可以为曲面或其他形状。
在一些实施例中，发光单元100的侧面包括：发光单元100的外侧面和凹陷侧面1043至少之一。其中，发光单元的外侧面可以是发光单元外部的、与发光单元底面垂直的部分或全部侧面。例如，当发光单元俯视图为矩形或正方形时，发光单元的外侧可以包括四个面，则上述第二部分202可以覆盖这四个面中的至少一个面。
在一些实施例中，如图8所示，第二部分202可以设置于发光单元100的外侧面中的至少一面，图8中分别示例性地示出了，第二部分202可以设置于发光单元100的外侧面中的一个面、两个面、三个面以及四个面的情况。
在一些实施例中，如图9A所示，第二部分202还包括第一交叠部2021和第一超出部2022，第一交叠部2021在发光单元100的外侧面上的正投影与发光单元100的外侧面交叠，并且发光单元100的外侧面在第二部分202的正投影不与第一超出部2022交叠。
在一些实施例中，第一超出部2022可以在所述发光单元100的外侧面朝任意方向延伸。可选地，第一超出部2022可以在所述发光单元100的外侧面朝向相邻的发光单元100延伸。
在一些实施例中，如图9A和9B所示，第一交叠部2021的背离发光单元100的外侧面的表面与第一超出部2022的背离发光单元100的外侧面的表面共面或不共面。图9A中示例性的示出了第一交叠部2021的背离发光单元100的外侧面的表面与第一超出部2022的背离发光单元100的外侧面的表面不共面的情况。如9B所示，第二部分202的第一超出部2022可以延伸到相邻的发光单元100之间，从而可以在第二部分202未覆盖发光单元100的全部外侧面时，通过该第一超出部2022阻挡其他发光单元100暴露的部分发出的光L。
在一些实施例中，相邻的发光单元100的第二部分202可以相连或间隔，当相邻的发光单元100的第二部分202间隔设置时，相邻的发光单元100的第二部分202之间可以设置绝缘结构。
在一些实施例中，第一半导体层101可以位于发光单元100的出光侧或背光侧。
第一电极20设置方式可以包括但不限于如图3、图4、图5、图6、图7所示的一种或多种方式，其中：
在一些实施例中，第一半导体层101位于发光单元100的背光侧。如图3所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从背光面B向出光面S的方向依次层叠设置时，第一电极20的第一部分201位于凹陷顶部1041所在的第一半导体层101，第二部分202可以覆盖发光单元100的外侧面。可选地，第二部分202与发光单元100的外侧面之间设置有绝缘结构40。
在一些实施例中，第一半导体层101位于发光单元100的背光侧。当第一半导体层101位于凹陷底部1042，如图4所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，第一电极20的第一部分201位于凹陷底部1042所在的第一半导体层101。该第一电极20还可以包括第三部分203，第三部分203设置于第二半导体层103。可选地，第三部分203与第二半导体层103之间设置有绝缘结构40。可选地，第三部分203与该绝缘结构40可以相接或间隔。可选地，第三部分203包括光隔离材料。第一部分201从凹陷底部1042延伸到凹陷顶部1041，第一部分201通过设置在第二半导体层103上的第三部分203，连接设置在发光单元100外侧面的第二部分202。可选地，第二部分202与发光单元100的外侧面之间设置有绝缘结构40。可选地，第三部分203可以设置于第二半导体层103的部分或全部区域。
在一些实施例中，如图10所示，当第一半导体层101位于凹陷顶部1041时；第一部分201可以包括第二交叠部2011和第二超出部2012，第二交叠部2011在第一半导体层101上的正投影与第一半导体层101交叠，并且第一半导体层101在第一部分201的正投影不与第二超出部2012交叠。可选地，第二超出部2012可以在第一半导体层101的背光侧朝任意方向延伸。可选地，第二超出部2012可以在第一半导体层101的背光侧朝凹陷结构104延伸。
在一些实施例中，如图10所示，第二交叠部2011的背离第一半导体层101的表面可以与第二超出部2012的背离第一半导体层101的表面共面。
可选地，第二交叠部2011可以与第一半导体层101直接接触。
可选地，第二超出部2012可以在凹陷底部1042的正投影不完全覆盖凹陷底部1042，从而可以使第二半导体层202有部分结构暴露于该第一电极20的第一部分201。
在一些实施例中，第一半导体层101位于发光单元100的背光侧。如图5所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，第一电极20的第一部分201位于凹陷底部1042所在的第一半导体层1011，第二部分202覆盖凹陷侧面1043的部分或全部区域。可选地，第二部分202与凹陷侧面1043之间设置有绝缘结构40。
在一些实施例中，第一半导体层101位于发光单元100的背光侧。如图6所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，第一电极20的第一部分201位于凹陷顶部1041所在的第一半导体层101，第二部分202覆盖发光单元100的外侧面和凹陷侧面1043。可选地，第二部分202与发光单元100的外侧面、凹陷侧面1043之间设置有绝缘结构40。
在一些实施例中，第一半导体层101位于发光单元101的出光侧，第一部分201设置在出光面S，则第一部分201可以设置有透光区域。可选地，该透光区域可以是部分透光也可以是全部透光。如图7所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，第一电极20的第一部分201位于出光面S所在的第一半导体层101，第二部分202覆盖发光单元100的外侧面。可选地，第二部分202与发光单元100的外侧面之间设置有绝缘结构40。可选地，第二部分202与第二半导体层103之间可以设置有绝缘结构40。
在一些实施例中，第一部分201可以覆盖第一半导体层101的部分或全部区域。
在一些实施例中，第二部分202可以覆盖发光单元100的侧面的部分或全部区域。可选地，在第二部分202与发光单元100的侧面之间部分或全部地设置有绝缘结构40。
在一些实施例中，发光单元100还包括与第一电极20的电极性相反的第二电极30。可选地，当第一电极20为P电极时，第二电极30可以为N电极；当第一电极20为N电极时，第二电极30可以为P电极。
在一些实施例中，第二电极30设置于第二半导体层103的部分或全部区域。如图11所示，当发光半导体10中的第一半导体层101、有源层102、第二半导体层103沿着发光单元100的从出光面S向背光面B的方向依次层叠设置时，第二电极30设置于第二半导体层103。第一电极20的第一部分201位于凹陷底部1042所在的第一半导体层101，第二部分202覆盖凹陷侧面1043和发光单元100的外侧面，第三部分203覆盖第二半导体层103的部分区域。
在一些实施例中，第二电极30还设置于第一半导体层101的部分或全部区域，第一半导体层101和第二电极30之间设置有绝缘结构40。可选地，第一电极20和第二电极30之间设置有绝缘结构40，以避免第一电极20和第二电极30之间短路。
可选地，第二电极30可以设置在第一半导体层101上的未设置第一电极20的部分或全部区域，且与第一电极20不重叠，如图12所示，第二电极30设置于凹陷侧面1043的部分区域，且第二电极30未与第一电极20重叠。
可选地，第二电极30还可以设置在第一半导体层101上的部分或全部区域，且第二电极30部分或全部地与第一电极20重叠，如图13所示，第二电极30设置于凹陷侧面1043的部分区域，且第二电极30与第一电极20的第二部分202部分地重叠。
在一些实施例中，当第一半导体层101位于凹陷顶部1041时，第二半导体层103则位于凹陷底部1042，第二电极30可以覆盖凹陷底部1042的部分或全部区域。可选地，第二电极30可以与该第二半导体层103部分或全部接触。
在一些实施例中，如图14所示，第二电极30的截面形状包括T字型。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定第二电极30的截面形状，只要第二电极30可以阻挡暴露于第一部分201的发光单元100在背光面B上的发出的光L即可。
在一些实施例中，第二电极30可以包括光隔离材料。可选地，第二电极30可以部分或全部地设置有光隔离材料。
在一些实施例中，第一部分201可以包括光隔离材料。可选地，第一部分201可以部分或全部地包括光隔离材料。
在一些实施例中，上述光隔离材料的组成成分可以根据工艺需求等实际情况确定。无论光隔离材料的成分是什么，只要光隔离材料能够隔离相邻的发光单元发出的光，以尽量避免发光单元发出的光向彼此传导即可。例如，避免某一个发光单元发出的光进入相邻的另一发光单元，引起光串扰。
在一些实施例中，光隔离材料可以以反射或吸收等方式完全或有比例地隔离发光单元发出的光，例如：以100%、90%、80%等比例隔离发光单元发出的光。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定隔离发光单元发出的光的比例。
参见图15，图15是本公开实施例提供的第一电极20的剖面图，在一些实施例中，沿着发光单元100的背光面B的方向，第一电极20中的第一部分201，可以依次设置有光吸收层501、中间层502和欧姆接触层503。
可选地，光吸收层501可以包含光吸收材料，光吸收层501可以吸收来自发光单元100的背光面B的反射光，阻止反射光经多次反射后重新进入发光单元100，实现对发光单元100的光隔离功能。可选地，光吸收材料可以是金属材料，例如，可以包括：Mo、Cr等材料。可选地，光吸收材料还可以是金属氧化物材料，例如，可以包括：AgO、CrO等材料。
可选地，中间层502可以包括阻挡层，阻挡层可以用于阻挡光吸收层501的金属材料或金属氧化物材料扩散。可选地，中间层502还可以包括电流传导层，电流传导层可以用于进行电流传导。
可选地，欧姆接触层503可以与第一半导体层101形成欧姆接触。可选地，欧姆接触层503可以是多层金属结构，例如，可以包括：NiAu、NiAg等材料。可选地，欧姆接触层503还可以是包含氧化铟锡（Indium tin oxide，ITO）和多层金属的复合结构。可选地，欧姆接触层503可以包括：ITO和CrPt的复合结构、ITO和CrAl的复合结构等。
在一些实施例中，上述第一部分201、第二部分202以及第三部分203可以部分或全部地相接。
在一些实施例中，针对上述实施例中涉及的绝缘结构40，该绝缘结构40中的部分或全部区域可以设置有绝缘材料。可选地，绝缘结构40中的全部区域可以设置有绝缘材料。可选地，绝缘结构40中的部分区域可以设置有绝缘材料。可选地，在绝缘结构40的上部、下部、中部中至少之一的位置可以设置有绝缘材料。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定在绝缘结构40中设置绝缘材料的区域。
可选地，各个绝缘结构40中设置的绝缘材料可以相同或不同。
可选地，每个绝缘结构40中可以包含至少一种绝缘材料。可选地，每个绝缘结构40中可以包含多种相同的绝缘材料40。可选地，每个绝缘结构40中可以包含多种不同的绝缘材料。
可选地，绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中至少之一。
参见图16，图16是本公开实施例提供的发光器件的剖面图。本公开实施例提供一种发光器件200，包括多个上述的发光单元100。
在一些实施例中，多个发光单元100可以来自于同一个晶圆的同一个连续区域，多个发光单元100在发光器件200上的相对位置与多个发光单元100在晶圆上的相对位置可以是一致的。可选地，多个发光单元100是未经过巨量转移的。
在一些实施例中，多个发光单元100呈阵列排布。
在一些实施例中，多个发光单元100可以包括：LED、Mini LED、Micro LED中至少之一。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、以及至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Mini LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、至少一个Mini LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括除了LED、MiniLED、Micro LED以外的其他发光器件。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定发光单元100的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
在一些实施例中，发光器件200还可以包括用于支持发光器件200正常运转的其他构件，例如：通信接口、框架、控制电路等构件中的至少之一。
参见图17，图17是本公开实施例提供的显示器件的剖面图，本公开实施例还提供了一种显示器件300，包括上述的发光器件200。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
Claims (26)
1.一种发光单元，其特征在于，包括：
发光半导体，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层，还包括呈凹字形的凹陷结构，其中，所述凹陷结构包括凹陷顶部和凹陷底部，所述凹陷底部或所述凹陷顶部位于所述第一半导体层；
第一电极，包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一半导体层；所述第二部分设置于所述发光单元的侧面，所述第二部分包括光隔离材料；
所述第一部分包括第二交叠部和第二超出部，所述第二交叠部在所述第一半导体层上的正投影与所述第一半导体层交叠，并且所述第一半导体层在所述第一部分的正投影不与所述第二超出部交叠。
2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述凹陷结构还包括凹陷侧面；
所述发光单元的侧面包括：发光单元的外侧面和所述凹陷侧面至少之一。
3.根据权利要求2所述的发光单元，其特征在于，
所述第二部分设置于所述发光单元的外侧面中的至少一面。
4.根据权利要求3所述的发光单元，其特征在于，
所述第二部分还包括第一交叠部和第一超出部，所述第一交叠部在所述发光单元的外侧面上的正投影与所述发光单元的外侧面交叠，并且所述发光单元的外侧面在所述第二部分的正投影不与所述第一超出部交叠。
5.根据权利要求4所述的发光单元，其特征在于，
所述第一超出部在所述发光单元的外侧面朝相邻的发光单元延伸。
6.根据权利要求4所述的发光单元，其特征在于，所述第一交叠部的背离所述发光单元的外侧面的表面与所述第一超出部的背离所述发光单元的外侧面的表面共面或不共面。
7.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层位于所述发光单元的出光侧或背光侧。
8.根据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层位于所述发光单元的出光侧；
所述第一部分设置有透光区域。
9.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层位于所述凹陷底部；
所述第一电极还包括第三部分，所述第三部分设置于所述第二半导体层。
10.根据权利要求9所述的发光单元，其特征在于，
所述第三部分包括光隔离材料。
11.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层位于所述凹陷顶部。
12.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于，所述第二交叠部的背离所述第一半导体层的表面与所述第二超出部的背离所述第一半导体层的表面共面。
13.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于，所述第二交叠部与所述第一半导体层直接接触。
14.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于，所述第二超出部在所述凹陷底部的正投影不完全覆盖所述凹陷底部。
15.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一部分覆盖所述第一半导体层的部分或全部区域。
16.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第二部分覆盖所述发光单元的侧面的部分或全部区域。
17.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
在所述第二部分与所述发光单元的侧面之间部分或全部地设置有绝缘结构。
18.根据权利要求1至17任一项所述的发光单元，其特征在于，还包括：
与所述第一电极的电极性相反的第二电极，所述第二电极设置于所述第二半导体层的部分或全部区域。
19.根据权利要求18所述的发光单元，其特征在于，所述第二电极，还设置于：
所述第一半导体层的部分或全部区域。
20.根据权利要求18所述的发光单元，其特征在于，所述第一半导体层位于所述凹陷顶部；
所述第二电极覆盖所述凹陷底部的部分或全部区域。
21.根据权利要求20所述的发光单元，其特征在于，所述第二电极的截面形状包括T字型。
22.根据权利要求18所述的发光单元，其特征在于，
所述第二电极包括光隔离材料。
23.一种发光器件，其特征在于，包括多个如权利要求1至22任一项所述的发光单元。
24.根据权利要求23所述的发光器件，其特征在于，多个所述发光单元，包括：
发光二极管LED。
25.根据权利要求24所述的发光器件，其特征在于，所述LED，包括：
迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED中至少之一。
26.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求23至25任一项所述的发光器件。
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