CN114122217A - 发光器件和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及光学技术领域，公开了一种发光器件，包括：发光层和光转换层；发光层至少包括两个发光单元，光转换层至少包括一像素单元，两个发光单元设置有共用电极；共用电极的部分电极结构设置于发光层、部分电极结构设置于光转换层中像素单元的至少一侧。本申请提供的发光器件可以实现电极的复用。本申请还公开了一种显示装置。

Description

发光器件和显示装置

技术领域

本申请涉及光学技术领域，例如涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术

目前，显示器的各个像素点之间通常设置有挡墙，以区分不同像素点实现色彩显示。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种发光器件和显示装置。

在一些实施例中，发光器件包括：发光层和光转换层；发光层至少包括两个发光单元，光转换层至少包括一像素单元，两个发光单元设置有共用电极；

共用电极的部分电极结构设置于发光层、部分电极结构设置于光转换层中像素单元的至少一侧。

在一些实施例中，显示装置包括：上述发光器件。

本公开实施例提供的发光器件和显示装置，可以实现以下技术效果：

发光层的电极延伸至光转换层实现电极复用。

在一些实施例中，共用电极的设置于光转换层中的电极结构可以包括光隔离材料。

在一些实施例中，像素单元在发光器件的出光方向上可以与两个发光单元中的一个对应设置。

在一些实施例中，两个发光单元可以相邻。

在一些实施例中，共用电极的部分电极结构设置于光转换层中像素单元的至少一侧，可以包括：共用电极的部分电极结构设置于光转换层中像素单元的垂直于出光面的至少一侧。

在一些实施例中，光转换层还可以包括与像素单元相邻的另一像素单元，共用电极的部分电极结构设置于光转换层中像素单元的至少一侧，可以包括：共用电极的部分电极结构设置于光转换层中两个像素单元之间。

在一些实施例中，共用电极的设置于光转换层中的电极结构的截面形状可以为预设形状。

在一些实施例中，预设形状可以为正梯形或倒梯形。

在一些实施例中，两个发光单元中至少之一还可以包括非共用电极，非共用电极的部分或全部电极结构可以设置于发光层。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构可以至少部分设置于相应发光单元的内部，或者，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构可以全部设置于相应发光单元的外表。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构可以覆盖以下位置至少之一：

发光单元的背光侧；发光单元的侧面；发光单元的出光侧。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构可以包括光隔离材料。

在一些实施例中，光隔离材料可以包括以下至少之一：

光反射材料；光吸收材料。

在一些实施例中，至少一个发光单元可以包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层被构造为引出第一电极，第二半导体层被构造为引出第二电极。

在一些实施例中，共用电极可以包括第一电极或第二电极。

在一些实施例中，以下位置至少之一可以设置有绝缘材料：

第一电极与第一半导体层之间；

第二电极与第二半导体层之间；

第一电极与第二半导体层之间；

第二电极与第一半导体层之间；

第一电极与第二电极之间。

在一些实施例中，至少一个发光单元还可以包括：由第一半导体层下陷到第二半导体层的下陷结构。

在一些实施例中，下陷结构可以包括以下形状至少之一：

斜面形状；台阶形状；凹陷形状。

在一些实施例中，包括下陷结构的发光单元的至少一个电极还可以覆盖下陷结构的斜面或至少一个侧面。

在一些实施例中，至少一个像素单元内可以设置有光转换材料或光散射材料。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1示出了本公开实施例中发光器件的结构示意图；

图2示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图；

图3示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图；

图4示出了本公开实施例中发光器件N电极共用的结构示意图；

图5示出了本公开实施例中发光器件N电极共用的另一结构示意图；

图6示出了本公开实施例中发光器件P电极共用的结构示意图；

图7示出了本公开实施例中发光器件P电极共用的另一结构示意图；

图8示出了本公开实施例中共用N电极且背光侧遮光的结构示意图；

图9示出了本公开实施例中共用N电极且背光侧遮光的另一结构示意图；

图10示出了本公开实施例中共用P电极且背光侧遮光的结构示意图；

图11示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图。

附图标记：

1、发光层；2、光转换层；3、电极；11、发光单元；21、像素单元；101、第一半导体层；102、有源层；103、第二半导体层。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

图1示出了本公开实施例中发光器件的结构示意图。

本公开实施例提供了一种发光器件，包括：发光层1和光转换层2；发光层1至少包括两个发光单元11，光转换层2至少包括一像素单元21，两个发光单元11设置有共用电极3；

共用电极3的部分电极结构设置于发光层1、部分电极结构设置于光转换层2中像素单元21的至少一侧。

在一些实施例中，LED发光结构可以包括微LED（Micro LED）发光器件。发光二极管(英文：Light Emitting Diode；简称：LED)芯片实质通常为一个PN结(英语：PN junction)，其可以将电能转化为光能。根据PN结材料的不同，LED芯片发出的光的波长也会不同(即颜色也会不同)。

在一些实施例中，电极可以包括例如Ag、Au、Al、Cr、Ni或其合金。

本公开实施例提供的发光器件，发光层的电极延伸至光转换层实现了电极复用。

在一些实施例中，共用电极3的设置于光转换层2中的电极结构可以包括光隔离材料。

本公开实施例提供的发光器件，发光层的电极延伸至光转换层，将发光层的电极复用为光转换层的光隔离结构。

在一些实施例中，像素单元21在发光器件的出光方向（图中箭头所示）上可以与两个发光单元11中的一个对应设置。

在一些实施例中，两个发光单元11可以相邻。

在一些实施例中，共用电极3的部分电极结构设置于光转换层2中像素单元21的至少一侧，可以包括：共用电极3的部分电极结构设置于光转换层2中像素单元21的垂直于出光面（或平行于出光方向）的至少一侧。

可选地，在实施时，像素单元的侧面可能并不是严格的垂直于出光面，本公开实施例中垂直于出光面的一侧可以是相对于在出光面的一侧具有一定角度的一侧，该角度可以大于0小于等于90°。

图2示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图。

在一些实施例中，光转换层2还可以包括与像素单元21相邻的另一像素单元21，共用电极3的部分电极结构设置于光转换层2中像素单元21的至少一侧，可以包括：共用电极3的部分电极结构设置于光转换层2中两个像素单元21之间。

在一些实施例中，共用电极3的设置于光转换层2中的电极结构的截面形状可以为预设形状。

在一些实施例中，预设形状可以为正梯形或倒梯形。可选地，设置于光转换层2中的电极结构的截面形状还可以是其他形状，例如正方形、长方形、三角形等。

图3示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图。

在一些实施例中，两个发光单元11中至少之一还可以包括非共用电极4，非共用电极4的部分或全部电极结构可以设置于发光层1。

可选地，每个发光单元11还可以包括一非共用电极4，非共用电极4可以全部电极结构设置于发光层1，也可以部分电极结构设置于发光层1、部分电极结构设置于其他层。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层1中的电极结构至少部分可以设置于相应发光单元11的内部，或者，至少一个电极的设置于发光层1中的电极结构全部可以设置于相应发光单元11的外表。

可选地，发光单元11的电极可以穿过发光单元内部延伸至光转换层，也可以在发光单元外表延伸至光转换层。其中，在发光单元外表延伸至光转换层，包括：沿发光单元外表面延伸至光转换层，或者，沿发光单元外表面设置的绝缘层延伸至光转换层。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层1中的电极结构可以覆盖以下位置至少之一：

发光单元11的背光侧；发光单元11的侧面；发光单元11的出光侧。

在一些实施例中，共用电极3的设置于发光层1中的电极结构可以覆盖发光单元11的背光侧、侧面或出光侧，非共用电极4的设置于发光层1中的电极结构也可以覆盖发光单元11的背光侧、侧面或出光侧，共用电极3和非共用电极4还可以相互配合实现覆盖发光单元11的背光侧、侧面或出光侧等，覆盖发光单元11的背光侧或侧面，可以减少背光侧、侧面的光的射出，达到提高出光效率的目的。

在一些实施例中，覆盖发光单元的侧面、背光侧、或出光侧可以包括：覆盖发光单元的侧面、背光侧、或出光侧的全部区域；或者，覆盖发光单元的侧面、背光侧、或出光侧的部分区域。

本公开实施例中任一电极还可以通过覆盖发光单元的不同位置来隔离不同发光单元之间的光。例如：假设一发光单元包括两个电极，共用电极延伸至光转换层，非共用电极未延伸至光转换层，共用电极的位于发光层电极结构可以覆盖发光单元的侧面全部区域或背光侧全部区域；或者，非共用电极的位于发光层电极结构可以覆盖发光单元的侧面全部区域或背光侧全部区域；或者，共用电极与非共用电极相互配合实现覆盖发光单元的侧面全部区域或背光侧全部区域等。

在一些实施例中，至少一个电极的设置于发光层1中的电极结构可以包括光隔离材料。

可选地，延伸至光转换层2的电极的设置于发光层1的电极结构可以不包括光隔离材料也可以包括光隔离材料，未延伸至光转换层2的电极的设置于发光层1的电极结构可以不包括光隔离材料也可以包括光隔离材料。

设置于发光层1的电极结构包括光隔离材料，可在一定程度上提高发光单元11的出光效率。

在一些实施例中，延伸至光转换层的电极的设置于发光层1的电极结构可以包括光隔离材料，设置于光转换层2的电极结构也可以包括光隔离材料，这种情况下，该电极既作为发光层1的光隔离结构又作为光转换层2的光隔离结构，即，既隔离发光单元11出射的光又隔离像素单元21出射的光。

在一些实施例中，光隔离材料可以包括以下至少之一：

光反射材料；光吸收材料。

在一些实施例中，至少一个发光单元11可以包括：依次层叠设置的第一半导体层101、有源层102和第二半导体层103，第一半导体层101被构造为引出第一电极，第二半导体层103被构造为引出第二电极。

在一些实施例中，共用电极3可以包括第一电极或第二电极。

可选地，第一半导体层可以为P型半导体层，第二半导体层可以为N型半导体层，第一电极可以为P电极，第二电极可以为N电极。

图4、5示出了本公开实施例中发光器件N电极共用的结构示意图。

如图所示，一发光单元的N型半导体层与相邻的另一发光单元的N型半导体层之间设置有共用的N电极，该共用的N电极的一端可以从发光层1延伸至光转换层2。

可选地，两个发光单元还可以分别包括从P型半导体层引出的P电极。

可选地，两个发光单元的N型半导体层共用电极，可以两个发光单元的截面形状或朝向等一致，也可以两个发光单元相对设置等。

图6、7示出了本公开实施例中发光器件P电极共用的结构示意图。

如图所示，一发光单元的P型半导体层与相邻的另一发光单元的P型半导体层之间设置有共用的P电极，该共用的P电极的一端可以从发光层1延伸至光转换层2。

可选地，两个发光单元还可以分别包括从N型半导体层引出的N电极。

在共用的P电极与N型半导体层之间可以设置有绝缘材料。

可选地，绝缘材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。

可选地，两个发光单元的P型半导体层共用电极，可以两个发光单元的截面形状或朝向等一致，也可以两个发光单元相对设置等。

在一些实施例中，发光层1的发光单元11可以采用正装结构、倒装结构或垂直结构。图4~6示出的是采用倒装结构的示意图，图7示出的是采用垂直结构的示意图。

在一些实施例中，以下位置至少之一可以设置有绝缘材料：

第一电极与第一半导体层之间；

第二电极与第二半导体层之间；

第一电极与第二半导体层之间；

第二电极与第一半导体层之间；

第一电极与第二电极之间。

在一些实施例中，至少一个发光单元11还可以包括：由第一半导体层101下陷到第二半导体层103的下陷结构。

在一些实施例中，下陷结构可以包括以下形状至少之一：

斜面形状；台阶形状；凹陷形状。

可选地，下陷结构可以为斜面、台阶、或凹陷等形状，也可以为斜面、台阶、或凹陷等形状的组合。在实施中下陷结构还可以是其他形状。

在一些实施例中，包括下陷结构的发光单元11的至少一个电极还可以覆盖下陷结构的斜面或至少一个侧面。

图8示出了本公开实施例中共用N电极且背光侧遮光的结构示意图。

如图所示，该图示出的是台阶形状的下陷结构。

在一些实施例中，共用的N电极可以和每个发光单元的N型半导体层之间设置有绝缘材料，每个发光单元的P电极也可以和相应发光单元的P型半导体层之间设置有绝缘材料，每个发光单元的P电极均向共用的N电极延伸，共用的N电极分别向每个发光单元的P电极延伸，P电极和共用的N电极不在同一水平面，彼此交错，以遮挡P电极和N电极之间的光。

图9示出了本公开实施例中共用N电极且背光侧遮光的另一结构示意图。

如图所示，该图示出的是凹陷形状的下陷结构。

在一些实施例中，每个发光单元的P型半导体层下陷到N型半导体层形成凹陷，N型半导体层引出N电极并与相邻的N电极接触实现共用，每个发光单元的P型半导体层引出P电极。

可选地，每个发光单元的P电极均向共用的N电极延伸，共用的N电极分别向每个发光单元的P电极延伸，P电极和共用的N电极不在同一水平面，彼此交错，以遮挡P电极和N电极之间的光。

图10示出了本公开实施例中共用P电极且背光侧遮光的结构示意图。

如图所示，该图示出的斜面形状的下陷结构。

在一些实施例中，每个发光单元的P型半导体层下陷到N型半导体层形成斜面，P型半导体层引出P电极共用，共用的P电极一端延伸至光转换层2中、另一端可以沿着斜面向有源层延伸。N型半导体层引出N电极，N电极可以沿着斜面向有源层延伸，也可以在N电极和有源层、P型半导体层之间设置绝缘材料，N电极延伸至P型半导体层后水平向P型半导体层延伸，与P电极交错。

在一些实施例中，至少一个像素单元21内可以设置有光转换材料或光散射材料。

可选地，像素单元21可以包括胶，胶中可以混合有光转换材料或光散射材料。

其中，光转换材料可以吸收LED芯片发出的光，并发出与吸收光颜色不同的光。与每个microLED对应的光转换材料可以发射单色光。光转换材料可以为荧光粉或量子点。

荧光像素包含红像素R，绿像素G、蓝像素B。R中含有将蓝光转换为红光的荧光转换材料，G中含有将蓝光转换为绿光的荧光转换材料，B中含有对蓝光的散射材料。

在一些实施例中，多个发光单元可以来自同一个晶圆的同一个连续区域，例如：在同一个晶圆的同一个连续区域以薄膜生长、光刻和刻蚀等方式设置的多个发光单元。

在一些实施例中，针对多个发光单元而言，无论它们是设置于晶圆还是设置于发光器件等设备，上述的多个发光单元之间的相互关系（例如：多个发光单元之间的位置关系、姿态关系等）可以是不变的。可选地，上述的多个发光单元与晶圆之间的相互关系（例如：多个发光单元与晶圆之间的位置关系、姿态关系等）可以是不变的。可选地，可以将设置于晶圆的多个发光单元与该晶圆作为一个整体，在不改变多个发光单元之间的相互关系以及不改变多个发光单元与晶圆之间的相互关系的情况下，将上述多个发光单元与晶圆所形成的整体设置于发光器件等设备。

在一些实施例中，多个发光单元的设置方式可以是非巨量转移方式，例如：设置于晶圆或发光器件等设备的多个发光单元是未经过巨量转移的。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述发光器件。

图11示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图。

可选地，发光层还可以有其他多个发光单元，光转换层可以对应设置其他多个像素单元。

在一些实施例中，显示器件还可以包括用于支持显示器正常运转的其他构件，例如：通信接口、框架、控制电路等构件中的至少之一。

显示装置可以为LED显示面板，LED显示面板可以应用于电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。又例如，本实施例的显示装置还可以应用于景观装饰、室外显示屏、广告演示牌、标识指示或照明等。

以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。

本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。

Claims (21)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：发光层和光转换层；所述发光层至少包括两个发光单元，所述光转换层至少包括一像素单元，所述两个发光单元设置有共用电极；

所述共用电极的部分电极结构设置于所述发光层、部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述共用电极的设置于光转换层中的电极结构包括光隔离材料。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述像素单元在所述发光器件的出光方向上与所述两个发光单元中的一个对应设置。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述两个发光单元相邻。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧，包括：所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中像素单元的垂直于出光面的至少一侧。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层还包括与所述像素单元相邻的另一像素单元，所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中所述像素单元的至少一侧，包括：所述共用电极的部分电极结构设置于所述光转换层中两个像素单元之间。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述共用电极的设置于光转换层中的电极结构的截面形状为预设形状。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述预设形状为正梯形或倒梯形。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述两个发光单元中至少之一还包括非共用电极，所述非共用电极的部分或全部电极结构设置于所述发光层。

10.根据权利要求1至9任一所述的发光器件，其特征在于，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构至少部分设置于相应发光单元的内部，或者，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构全部设置于相应发光单元的外表。

11.根据权利要求1至9任一所述的发光器件，其特征在于，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构覆盖以下位置至少之一：

发光单元的背光侧；发光单元的侧面；发光单元的出光侧。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，至少一个电极的设置于发光层中的电极结构包括光隔离材料。

13.根据权利要求2或12所述的发光器件，其特征在于，所述光隔离材料包括以下至少之一：

光反射材料；光吸收材料。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，至少一个发光单元包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层被构造为引出第一电极，所述第二半导体层被构造为引出第二电极。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述共用电极包括所述第一电极或所述第二电极。

16.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，以下位置至少之一设置有绝缘材料：

所述第一电极与所述第一半导体层之间；

所述第二电极与所述第二半导体层之间；

所述第一电极与所述第二半导体层之间；

所述第二电极与所述第一半导体层之间；

所述第一电极与所述第二电极之间。

17.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，至少一个发光单元还包括：由所述第一半导体层下陷到所述第二半导体层的下陷结构。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述下陷结构包括以下形状至少之一：

斜面形状；台阶形状；凹陷形状。

19.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，包括下陷结构的发光单元的至少一个电极还覆盖所述下陷结构的斜面或至少一个侧面。

20.根据权利要求1至9任一所述的发光器件，其特征在于，至少一个像素单元内设置有光转换材料或光散射材料。

21.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至20任一所述的发光器件。

Images