CN112736170B - 发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及显示技术领域，公开了一种发光器件，包括：堆叠结构，堆叠结构包括堆叠设置的至少两层半导体发光层；其中，至少两层半导体发光层中至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位。本申请提供的方案，半导体发光层堆叠设置，可以提高发光器件的使用寿命。本申请还公开了一种显示装置。

Description

发光器件和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，例如涉及一种发光器件和显示装置。
背景技术
目前，发光二极管LED显示屏上的所有像素平铺在同一平面。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种发光器件和显示装置。
在一些实施例中，发光器件，包括：堆叠结构；
堆叠结构包括堆叠设置的至少两层半导体发光层；
其中，至少两层半导体发光层中至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位。
在一些实施例中，显示装置，包括如上所述的发光器件。
本公开实施例提供的发光器件和显示装置，可以实现以下技术效果：
半导体发光层堆叠设置，可以提高发光器件的使用寿命。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的示意图；
图2示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的另一示意图；
图3示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的另一示意图；
图4示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的另一示意图；
图5示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的另一示意图；
图6示出了本公开实施例中发光器件台阶状堆叠的示意图；
图7示出了本公开实施例中发光器件重叠区的示意图；
图8示出了本公开实施例中发光器件反射层的示意图；
图9示出了本公开实施例中红绿蓝堆叠的示意图；
图10示出了本公开实施例中红绿蓝堆叠的另一示意图；
图11示出了本公开实施例中红绿蓝堆叠的另一示意图；
图12示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图；
图13示出了本公开实施例中堆叠和非堆叠结合的结构示意图；
图14示出了本公开实施例中堆叠和非堆叠结合的另一结构示意图；
图15示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图；
图16示出了本公开实施例中两个发光器件间的结构示意图；
图17示出了本公开实施例中显示装置的另一结构示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例提供了一种发光器件，可以包括：堆叠结构；
堆叠结构包括堆叠设置的至少两层半导体发光层102；
其中，该至少两层半导体发光层102堆叠设置；至少两层半导体发光层102中至少一层半导体发光层102在发光器件的出光面W的正投影与另一层半导体发光层102在发光器件的出光面W的正投影错位。
图1示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的示意图。
如图所示，发光器件包括两层半导体发光层102，两层半导体发光层102堆叠设置，一层半导体发光层102在出光面W的正投影方向P上与另一层半导体发光层102在出光面W的正投影方向P上错位。其中，出光面W可以为用于发光器件出射光的一面，出光方向与出光面W垂直。
图2示出了本公开实施例中发光器件错位堆叠的另一示意图。
如图所示，从发光器件的出光面W视角或背光面视角来看发光器件，假设出光方向为垂直于纸面方向，出光面W则为纸面所在平面，则出光面W的正投影方向P为垂直于纸面的方向，半导体发光层102错位堆叠设置。
在一些实施例中，至少两层半导体发光层102，可以包括两层半导体发光层102、三层半导体发光层102或更多层半导体发光层102，这些半导体发光层102可以堆叠设置。
在一些实施例中，半导体发光层102，可以构成以下至少之一：
发光二极管LED、迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定每层半导体发光层102构成的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
本公开实施例所提供的发光器件，半导体发光层堆叠设置，使得发光器件厚度增加，不易折损，可以在一定程度上提高发光器件的使用寿命。
在一些实施例中，至少两层半导体发光层102包括第一半导体发光层1021和第二半导体发光层1022，至少一半导体发光层102在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层102在发光器件的出光面的正投影错位，包括：
第一半导体发光层1021的至少一端在第一方向V1超出第二半导体发光层1022、第二半导体发光层1022的至少一端在第二方向V2超出第一半导体发光层1021；其中，第一方向和所述第二方向均平行于发光器件的出光面W。
图3、4、5示出了本公开实施例中错位堆叠的另一示意图。
如图所示，第一方向V1和第二方向V2均平行于出光面W，且第一方向V1和第二方向V2相反，在第一方向V1上，第一半导体发光层1021超出第二半导体发光层1022，而在第二方向V2上，第二半导体发光层1022超出第一半导体发光层1021。
在一些实施例中，第一方向V1和第二方向V2可以为平行于出光面W的任意方向（如图4所示）。可选地，第一方向V1和第二方向V2相反（如图3、5所示）。
图6示出了本公开实施例中发光器件台阶状堆叠的示意图。
如图所示，在一些实施例中，第二半导体发光层1022的至少一端在第一方向V1与第一半导体发光层1021呈台阶状、第一半导体发光层1021的至少一端在第二方向V2与第二半导体发光层1022呈台阶状。
在一些实施例中，每层半导体发光层102至少包括邻接面；堆叠设置，包括：
相邻的两层半导体发光层102中一半导体发光层102的邻接面和另一半导体发光层102的邻接面部分或全部重叠形成重叠区C。
图7示出了本公开实施例中发光器件重叠区的示意图。
如图所示，粗黑线标识的部分为重叠区C，相邻的两层半导体发光层102中一层半导体发光层102朝向相邻的另一层半导体发光层102的一面为邻接面，两层半导体发光层102的邻接面可以部分或全部重叠，重叠后的区域为重叠区C。
在一些实施例中，从出光视角或背光视角看，重叠区C的形状可以为规则形状或不规则形状。
在一些实施例中，重叠区C可以为相邻的两层半导体发光层102中一层半导体发光层102的邻接面的部分区域、以及另一层半导体发光层102的邻接面的部分区域。
在一些实施例中，至少一半导体发光层102的重叠区C可以全部或部分出射半导体发光层102发出的光，或者，至少一半导体发光层102的重叠区C可以不出射半导体发光层102发出的光。
可选地，半导体发光层102的重叠区C可以全部出射半导体发光层102发出的光，也可以部分出射半导体发光层102发出的光，也可以不出射半导体发光层102发出的光。在部分出射半导体发光层102发出的光时，重叠区C可以包括至少一个透光区和至少一个非透光区，透光区可以和非透光区交错设置，例如：透光区1、非透光区1、透光区2、非透光区2、...等顺次设置。
在一些实施例中，靠近发光器件的出光侧的半导体发光层102可以被构造为透射从远离发光器件的出光侧的半导体发光层102发出的光。
图8示出了本公开实施例中发光器件反射层的示意图。
如图所示，在一些实施例中，至少一半导体发光层102在远离发光器件的出光侧的一侧可以设置有反射层F，反射层F可以被构造为反射半导体发光层102发出的光。
可选地，每层半导体发光层102均可以在远离发光器件的出光侧的一侧设置反射层F，每层半导体发光层102的反射层F可以反射所在半导体发光层102发出的光，从而有助于将该半导体发光层102发出的光向发光器件的出光侧发出。
在一些实施例中，反射层F可以包括下述至少之一：
分布式布拉格反射DBR层；金属反射层。
可选地，金属反射层可以采用铜、铝、银等金属材料，或者，两种或两种以上金属材料的组合。
在一些实施例中，至少两层半导体发光层102，可以包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层102，分别发出不同波长的颜色光。
在一些实施例中，朝靠近出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层102发出的光的波长依次减小。
在一些实施例中，至少两层半导体发光层102，可以包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的三层半导体发光层102，分别发出红光、绿光和蓝光。
图9、10、11示出了本公开实施例中红绿蓝堆叠的示意图。
如图所示，三层半导体发光层102堆叠设置，每层半导体发光层102可以发出不同波长的颜色光，例如红色、绿色、蓝色等。
其中，图9为红色半导体发光层R、绿色半导体发光层G、蓝色半导体发光层B依次朝一个方向错放，每层半导体发光层的两端均不对齐；或者，还可以将红色半导体发光层R与绿色半导体发光层G错放（两端均不对齐）、绿色半导体发光层G的两端和蓝色半导体发光层B的两端对齐，如图10所示；或者，还可以为红色半导体发光层R与绿色半导体发光层G错放（两端均不对齐），而绿色半导体发光层G的一端与蓝色半导体发光层B的一端对齐、另一端不对齐，如图11所示。
在一些实施例中，还可以是四个半导体发光层堆叠设置，每层半导体发光层可以分别发出红色、绿色、蓝色、黄色等，本公开实施例不再示出。
在一些实施例中，半导体发光层102的两侧还对应设置有第一半导体层101和第二半导体层103。
可选地，第一半导体层可以为P型半导体层或N型半导体层，第二半导体层可以为N型半导体层或P型半导体层。半导体发光层102可以为有源层或多量子阱层。
图12示出了本公开实施例中发光器件的另一结构示意图。
如图所示，堆叠结构包括的两层半导体发光层，每层半导体发光层的两侧都可以设置有第一半导体层101和第二半导体层103。
可选地，每层半导体发光层的第一半导体层101可以在每层半导体发光层的相同一侧，也可以在相应半导体发光层的不同侧。例如：图中第一半导体层101均为半导体发光层102的上侧。
在一些实施例中，第一半导体层101可以被构造为引出第一电极，第二半导体层103可以被构造为引出第二电极。
可选地，第一电极可以为P电极或N电极，第二电极可以为N电极或P电极。
图13示出了本公开实施例中堆叠和非堆叠结合的结构示意图。
如图所示，发光器件还可以包括：
非堆叠结构UP，非堆叠结构UP包括至少一层半导体发光层102，非堆叠结构UP设置于堆叠结构P的与堆叠方向不同的方向。
在一些实施例中，非堆叠结构UP设置于堆叠结构P的与堆叠方向垂直的方向。
如图所示，堆叠方向可以为x轴方向，与堆叠方向垂直的方向可以为y轴方向。可选地，堆叠方向可以为x轴正向，也可以为x轴负向，与堆叠方向垂直的方向可以为y轴正向，也可以为y轴负向。
在一些实施例中，至少一个堆叠结构P和至少一个非堆叠结构UP的出光方向可以相同或相反。
堆叠结构P和非堆叠结构UP的出光方向均可以在x轴方向，或者堆叠方向。可选地，堆叠结构P和非堆叠结构UP的出光方向可以均为x轴正向、或者均为x轴负向；或者，堆叠结构P和非堆叠结构UP的出光方向中其中一个为x轴正向、另一个为x轴负向。
在一些实施例中，在堆叠结构的出光方向上非堆叠结构的位置可以为以下任意一种：
靠近所述堆叠结构的出光侧；
靠近所述堆叠结构的背光侧；
位于堆叠结构的出光侧和背光侧之间。
可选地，由于堆叠结构P具有一定的厚度，非堆叠结构UP的在堆叠方向上的至少一面可以靠近堆叠结构P的出光面或与出光面共面，或者，可以靠近堆叠结构P的背光面或与背光面共面，或者，位于堆叠结构P的出光面和背光面之间的区域。
在一些实施例中，堆叠结构和非堆叠结构可以间隔设置。
可选地，在与堆叠方向垂直的方向上，堆叠结构P和非堆叠结构UP可以依次间隔排布，例如：堆叠结构P1、非堆叠结构UP1、堆叠结构P2、非堆叠结构UP2、...等。
在一些实施例中，以下位置中至少之一可以设置有光隔离结构：
两个相邻的堆叠结构之间；
两个相邻的非堆叠结构之间；
相邻的堆叠结构和非堆叠结构之间。
图14示出了本公开实施例中堆叠和非堆叠结合的另一结构示意图。
如图所示，堆叠结构P和非堆叠结构UP之间，可以设置有光隔离结构22。
可选地，在任意两个相邻的堆叠结构P之间、或相邻的非堆叠结构UP之间、或相邻的堆叠结构P和非堆叠结构UP之间均设置光隔离结构，图中仅示出了堆叠结构P和非堆叠结构UP之间设置光隔离结构的示意图。
光隔离结构22能够尽量避免相邻的发光器件发出的光向不希望的方向传导，有利于改善显示效果。
在一些实施例中，光隔离结构22可以设置于相邻的两个发光器件之间的部分或全部区域。
在一些实施例中，光隔离结构22可以包括光吸收材料、光反射材料中至少之一。
在一些实施例中，光隔离结构22沿出光方向的截面形状中的部分或全部形状可以包括直角四边形、三角形、梯形、圆形中至少之一。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定相邻的两个发光器件之间的光隔离结构22的位置、形状、尺寸等。
图15示出了本公开实施例中显示装置的结构示意图。
如图所示，本公开实施例提供了一种显示装置，包括：如上所述的发光器件。
在一些实施例中，显示装置可以包括一个、两个或两个以上该发光器件。
图16示出了本公开实施例中两个发光器件间的结构示意图。
如图所示，在一些实施例中，至少两个发光器件之间可以设置有光隔离结构22。
光隔离结构22能够尽量避免相邻的发光器件发出的光向不希望的方向传导，有利于改善显示效果。
在一些实施例中，光隔离结构22可以设置于相邻的两个发光器件之间的部分或全部区域。
在一些实施例中，光隔离结构22可以为单一整体封闭结构，也可以包括隔离主体以及置于隔离主体与发光器件之间的间隔结构。
在一些实施例中，光隔离结构22可以包括光吸收材料、光反射材料中至少之一。
在一些实施例中，光隔离结构22沿出光方向的截面形状中的部分或全部形状可以包括直角四边形、三角形、梯形、圆形中至少之一。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定相邻的两个发光器件之间的光隔离结构22的位置、形状、尺寸等。
在一些实施例中，显示装置还可以包括用于支持显示装置正常运转的其他构件，例如：显示屏幕、通信接口、框架、控制电路等构件中的至少之一。
图17示出了本公开实施例中显示装置的另一结构示意图。
如图所示，显示装置可以包括显示屏幕和控制芯片，显示屏幕上可以包括多个像素、每个像素可以包括发光器件，发光器件包括R、G、B三色半导体发光层、发光器件的R、G、B半导体发光层对应的P型半导体层分别引出P电极到控制芯片、N型半导体层引出N电极到控制芯片，控制芯片包括控制电路，分别控制每个发光器件中的R、G、B的点亮情况。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，上述模块、程序段或代码的一部分包含至少一个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中，不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生，有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如，两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

Claims (17)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：堆叠结构；
所述堆叠结构包括堆叠设置的至少两层半导体发光层；每层半导体发光层的两侧分别设置有P型半导体层和N型半导体层；
其中，所述至少两层半导体发光层中至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位；
所述至少两层半导体发光层包括第一半导体发光层和第二半导体发光层；
所述至少一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影与另一半导体发光层在发光器件的出光面的正投影错位，包括：
所述第一半导体发光层的至少一端在第一方向超出所述第二半导体发光层、所述第二半导体发光层的至少一端在第二方向超出所述第一半导体发光层；其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述发光器件的出光面；
每层半导体发光层至少包括邻接面；所述堆叠设置，包括：
相邻的两层半导体发光层中一半导体发光层的邻接面和另一半导体发光层的邻接面部分或全部重叠形成重叠区。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体发光层的至少一端在第一方向与所述第一半导体发光层呈台阶状、所述第一半导体发光层的至少一端在第二方向与所述第二半导体发光层呈台阶状。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述重叠区为相邻的两层半导体发光层中一半导体发光层的邻接面的部分区域、以及另一半导体发光层的邻接面的部分区域。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，至少一半导体发光层的重叠区出射所述半导体发光层发出的光，或者，至少一半导体发光层的重叠区不出射所述半导体发光层发出的光。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，靠近发光器件的出光面的半导体发光层被构造为透射从远离发光器件的出光面的半导体发光层发出的光。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，至少一半导体发光层在远离发光器件的出光面的一侧设置有反射层，所述反射层被构造为反射所述半导体发光层发出的光。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述反射层包括下述至少之一：
分布式布拉格反射DBR层；金属反射层。
8.根据权利要求1至7任一所述的发光器件，其特征在于，所述至少两层半导体发光层，包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层，分别发出不同波长的颜色光。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，朝靠近出光侧的方向顺次堆叠的多层半导体发光层发出的光的波长依次减小。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述至少两层半导体发光层，包括：
朝靠近发光器件的出光侧的方向顺次堆叠的三层半导体发光层，分别发出红光、绿光和蓝光。
11.根据权利要求1至7任一所述的发光器件，其特征在于，还包括：
非堆叠结构，所述非堆叠结构包括至少一层半导体发光层，所述非堆叠结构设置于所述堆叠结构的与堆叠方向不同的方向。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述非堆叠结构设置于所述堆叠结构的与堆叠方向垂直的方向。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，在所述堆叠结构的出光方向上所述非堆叠结构的位置为以下任意一种：
靠近所述堆叠结构的出光侧；
靠近所述堆叠结构的背光侧；
位于所述堆叠结构的出光侧和背光侧之间。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述堆叠结构和所述非堆叠结构间隔设置。
15.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，以下位置中至少之一设置有光隔离结构：
两个相邻的堆叠结构之间；
两个相邻的非堆叠结构之间；
相邻的堆叠结构和非堆叠结构之间。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至15任一所述的发光器件。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，至少两个所述发光器件之间设置有光隔离结构。
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