CN114122215A

CN114122215A - 发光单元及发光器件

Info

Publication number: CN114122215A
Application number: CN202210084603.9A
Authority: CN
Inventors: 不公告发明人
Original assignee: Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd
Current assignee: Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd
Priority date: 2022-01-25
Filing date: 2022-01-25
Publication date: 2022-03-01

Abstract

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种发光单元，所述发光单元包括第一半导体结构和第一电极，所述第一电极从所述第一半导体结构的侧面引出，所述第一电极，被配置为与另一发光单元的第二电极共用，以形成共用电极。本申请提供的发光单元通过将发光单元的电极配置为可以与其他发光单元的电极共用，可实现至少两个发光单元的电极的共用，以节省电极材料。另外，在至少两个发光单元进行电极共用时，可以使用一根引线将共用电极引出，以实现节省引线材料。本申请还公开了一种发光器件。

Description

发光单元及发光器件

技术领域

本申请涉及光学技术领域，例如涉及发光单元及发光器件。

背景技术

目前，显示器件包括很多发光单元，每一个发光单元均需要设置电极和将每一个发光单元的电极使用引线将其引出，使得发光单元通过引线与其他部件实现电气连接。

在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

在发光单元数量众多时，造成电极材料的浪费和引线材料的浪费。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种发光单元及发光器件，以解决在发光单元数量众多时，造成电极材料的浪费和引线材料的浪费的技术问题。

在一些实施例中，一种发光单元，上述发光单元可以包括第一半导体结构和第一电极，上述第一电极可以从上述第一半导体结构的侧面引出，上述第一电极，可以被配置为与另一发光单元的第二电极共用，以形成共用电极。

在一些实施例中，一种发光器件，可以包括多个如上上述的发光单元和上述另一发光单元。

在一些实施例中，上述另一发光单元可以包括第二半导体结构和第二电极，上述第二电极可以从上述第二半导体结构的侧面、顶面或底面引出。

在一些实施例中，上述第一半导体结构可以包括第一N型层和第一P型层；上述第一电极可以包括第一N电极和第一P电极；上述第一N电极可以从上述第一N型层的侧面引出，上述第一P电极可以从上述第一P型层的侧面引出；

上述第二半导体结构可以包括第二N型层和第二P型层；上述第二电极可以包括第二N电极和第二P电极；上述第二N电极可以从上述第二N型层的侧面或底面引出；上述第二P电极可以从上述第二P型层的侧面或顶面引出。

在一些实施例中，从上述第一N型层的侧面引出的第一N电极可以与从第二N型层的侧面引出的第二N电极共用。

在一些实施例中，从上述第一P型层的侧面引出的第一P电极可以与从第二P型层的侧面引出的第二P电极共用。

在一些实施例中，从上述第一N型层的侧面引出的第一N电极可以与从第二N型层的底面引出的第二N电极共用。

在一些实施例中，从上述第一P型层的侧面引出的第一P电极可以与从第二P型层的顶面引出的第二P电极共用。

在一些实施例中，上述发光单元可以包括第一下陷结构；上述另一发光单元可以包括第二下陷结构。

在一些实施例中，上述第一下陷结构的朝向可以与上述第二下陷结构的朝向相同，朝向相对或朝向相反。

在一些实施例中，上述共用电极可以复用为上述发光单元和上述另一发光单元之间的光隔离结构。

本公开实施例提供的发光单元及发光器件，可以实现以下技术效果：

通过将发光单元的电极配置为可以与其他发光单元的电极共用，可实现至少两个发光单元的电极的共用，以节省电极材料。另外，在至少两个发光单元进行电极共用时，可以使用一根引线将共用电极引出，以实现节省引线材料。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是本公开实施例提供的发光单元和另一发光单元的结构示意图；

图2是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的侧面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图3是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的侧面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图；

图4是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的侧面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图；

图5是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的侧面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图6是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的侧面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图；

图7是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的侧面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图8是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的底面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图9是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的顶面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图；

图10是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的底面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图11是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的顶面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图；

图12是本公开实施例提供的从第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的底面引出第二N电极形成共用电极的结构示意图；

图13是本公开实施例提供的从第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的顶面引出第二P电极形成共用电极的结构示意图。

附图标记：

100：发光单元；101：第一半导体结构；102：第一电极；103：第一半导体结构的侧面；104：第一N型层；105：第一P型层；106：第一有源层；200：另一发光单元；201：第二半导体结构；202：第二电极；203：第二半导体结构的侧面；204：第二N型层；205：第二P型层；206：第二有源层；207：第二半导体结构的顶面；208：第二半导体结构的底面；300：共用电极；400：绝缘部。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

在一些实施例中，如图1所示，本公开实施例提供了一种发光单元100，发光单元100包括第一半导体结构101和第一电极102，第一电极102从第一半导体结构101的侧面103引出，第一电极102，被配置为与另一发光单元200的第二电极202共用，以形成共用电极300。

在一些实施例中，第一电极102包括第一N电极和第一P电极，第二电极202包括第二N电极和第二P电极，第一N电极可以与第二N电极共用，以形成共用电极300；或，第一P电极可以与第二P电极共用，以形成共用电极300。

在一些实施例中，第一半导体结构的侧面103包括第一N型层的侧面。可选地，第一半导体结构的侧面103包括第一P型层的侧面。可选地，第一半导体结构的侧面103包括第一N型层的侧面和第一P型层的侧面。

在一些实施例中，第二半导体结构的侧面203包括第二N型层的侧面。可选地，第二半导体结构的侧面203包括第二P型层的侧面。可选地，第二半导体结构的侧面203包括第二N型层的侧面和第二P型层的侧面。

通过将发光单元的电极配置为可以与其他发光单元的电极共用，可实现至少两个发光单元的电极的共用，以节省电极材料。另外，在至少两个发光单元进行电极共用时，可以使用一根引线将共用电极引出，以实现节省引线材料。这是由于，例如，两个发光单元未进行电极共用时，将两个发光单元的电极分别引出需要4根引线，若将两个发光单元的N极共用，则只需要一根引线将共用电极引出，即，将两个进行电极共用的发光单元的电极引出需要3根引线，因此，节省了引线材料。并且，由于是在共用电极的表面进行引线，相较于在电极的表面进行引线而言，降低了对准工艺的精度。

在一些实施例中，如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13所示，一种发光器件，包括多个如上的发光单元100和另一发光单元200。

在一些实施例中，发光单元100以下可以称为第一发光单元；另一发光单元200以下可以称为第二发光单元。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13所示，在一些实施例中，另一发光单元200包括第二半导体结构201和第二电极202，第二电极202从第二半导体结构的侧面203、顶面207或底面208引出。

在一些实施例中，第二半导体结构的顶面207包括第二P型层的顶面。

在一些实施例中，第二半导体结构的底面208包括第二N型层的底面。

在一些实施例中，第二半导体结构201包括第二N型层204和第二P型层205，第二半导体结构201还包括第二有源层206。可选地，第二电极202包括第二N电极和第二P电极。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图10和图12所示，在一些实施例中，当第一半导体结构101的第一电极102与第二半导体结构201的第二N电极共用时，第二N电极从第二半导体结构201的侧面203或底面208引出。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图9、图11和图13所示，在一些实施例中，当第一半导体结构101的第一电极102与第二半导体结构201的第二P电极共用时，第二P电极从第二半导体结构201的侧面203或顶面207引出。

在一些实施例中，第一半导体结构101包括第一N型层104和第一P型层105；第一电极102包括第一N电极和第一P电极；第一N电极从第一N型层104的侧面引出，第一P电极从第一P型层105的侧面引出；

第二半导体结构201包括第二N型层204和第二P型层205；第二电极202包括第二N电极和第二P电极；第二N电极从第二N型层204的侧面或底面引出；第二P电极从第二P型层205的侧面或顶面引出。

在一些实施例中，第一半导体结构101还包括第一有源层106。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图10和图12所示，在一些实施例中，从第二N型层204的侧面或底面引出的第二N电极，与从第一N型层104侧面引出的第一N电极共用，以形成共用电极300。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图9、图11和图13所示，在一些实施例中，从第二P型层205的侧面或顶面引出的第二P电极，与从第一P型层105侧面引出的第一P电极共用，以形成共用电极300。

如图2、图5和图7所示，在一些实施例中，从第一N型层104的侧面引出的第一N电极与从第二N型层204的侧面引出的第二N电极共用，以形成共用电极300。

如图3、图4和图6所示，在一些实施例中，从第一P型层105的侧面引出的第一P电极与从第二P型层205的侧面引出的第二P电极共用，以形成共用电极300。

如图8、图10和图12所示，在一些实施例中，从第一N型层104的侧面引出的第一N电极与从第二N型层204的底面引出的第二N电极共用，以形成共用电极300。

如图9、图11和图13所示，在一些实施例中，从第一P型层105的侧面引出的第一P电极与从第二P型层205的顶面引出的第二P电极共用，以形成共用电极300。

如图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13所示，在一些实施例中，发光单元100包括第一下陷结构；另一发光单元200包括第二下陷结构。可选地，第一下陷结构可以为台阶形状。可选地，第二下陷结构可以为台阶形状。

在一些实施例中，第一下陷结构的朝向与第二下陷结构的朝向相同，朝向相对或朝向相反。

如图2、图3、图8、图9所示，在一些实施例中，第一下陷结构的朝向与第二下陷结构的朝向相同。

如图5、图6、图10、图11所示，在一些实施例中，第一下陷结构的朝向与第二下陷结构的朝向相对。

如图4、图7、图12、图13所示，在一些实施例中，第一下陷结构的朝向与第二下陷结构的朝向相反。

在一些实施例中，共用电极300复用为发光单元100和另一发光单元200之间的光隔离结构。

在一些实施例中，共用电极300可以通过绝缘部400复用为发光单元100与另一发光单元200之间的光隔离结构。

在一些实施例中，如图4所示，共用电极300可以通过绝缘部400向下延伸，以使得共用电极300复用为发光单元100与另一发光单元200之间的光隔离结构。

在一些实施例中，如图7所示，共用电极300可以通过绝缘部400向上延伸，以使得共用电极300复用为发光单元100与另一发光单元200之间的光隔离结构。

在一些实施例中，图2、图3、图5、图6、图8、图9、图10、图11、图12和图13所示的共用电极300均可以通过绝缘部400向上或向下延伸，以使得共用电极300复用为发光单元100与另一发光单元200之间的光隔离结构。

本公开实施例提供的发光单元及发光器件，通过将发光单元的电极配置为可以与其他发光单元的电极共用，可实现至少两个发光单元的电极的共用，以节省电极材料。另外，在至少两个发光单元进行电极共用时，可以使用一根引线将共用电极引出，以实现节省引线材料。

以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。

本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。

Claims

1.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括第一半导体结构和第一电极，所述第一电极从所述第一半导体结构的侧面引出，所述第一电极，被配置为与另一发光单元的第二电极共用，以形成共用电极。

2.一种发光器件，其特征在于，包括多个如权利要求1所述的发光单元和所述另一发光单元。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述另一发光单元包括第二半导体结构和第二电极，所述第二电极从所述第二半导体结构的侧面、顶面或底面引出。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体结构包括第一N型层和第一P型层；所述第一电极包括第一N电极和第一P电极；所述第一N电极从所述第一N型层的侧面引出，所述第一P电极从所述第一P型层的侧面引出；

所述第二半导体结构包括第二N型层和第二P型层；所述第二电极包括第二N电极和第二P电极；所述第二N电极从所述第二N型层的侧面或底面引出；所述第二P电极从所述第二P型层的侧面或顶面引出。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，从所述第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的侧面引出的第二N电极共用。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，从所述第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的侧面引出的第二P电极共用。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，从所述第一N型层的侧面引出的第一N电极与从第二N型层的底面引出的第二N电极共用。

8.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，从所述第一P型层的侧面引出的第一P电极与从第二P型层的顶面引出的第二P电极共用。

9.根据权利要求2至8任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元包括第一下陷结构；所述另一发光单元包括第二下陷结构。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一下陷结构的朝向与所述第二下陷结构的朝向相同，朝向相对或朝向相反。

11.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述共用电极复用为所述发光单元和所述另一发光单元之间的光隔离结构。