TWI775441B - 發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器 - Google Patents

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Abstract

本申請涉及光學技術領域，公開了一種發光模組，包括：電連接層、發光單元層、光轉換層；其中，發光單元層未設置有外延生長基底，或設置有至少部分覆蓋發光單元層的外延生長基底。該發光模組，透過在形成的發光模組中不設置用於形成發光單元層的外延生長基底，或設置至少部分覆蓋發光單元層的外延生長基底，儘量避免外延生長基底對支援顯示的光造成影響，有利於改善顯示效果。本申請還公開了一種顯示模組、顯示螢幕及顯示器。

Description

發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器
本申請要求在2020年05月22日提交中國智慧財產權局、申請號為202010440072.3、發明名稱為“發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器”的中國專利申請的優先權，其全部內容透過引用結合在本申請中。本申請涉及光學技術領域，例如涉及一種發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器。
目前，能夠用於顯示的發光單元層可以在基底上以外延生長的方式形成。
在實現本公開實施例的過程中，發現相關技術中至少存在如下問題： 用於形成發光單元層的外延生長基底容易對支援顯示的光造成影響，進而影響顯示效果。
為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護範圍，而是作為後面的詳細說明的序言。
本公開實施例提供了一種發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器，以解決用於形成發光單元層的外延生長基底容易對支援顯示的光造成影響，進而影響顯示效果的技術問題。
本公開實施例提供的發光模組，包括：電連接層、發光單元層、光轉換層；其中，發光單元層未設置有外延生長基底，或設置有至少部分覆蓋發光單元層的外延生長基底。
在一些實施例中，發光單元層未設置有外延生長基底，光轉換層可以直接設置於發光單元層。
在一些實施例中，光轉換層與發光單元層之間還可以設置有不屬於外延生長基底的中間層結構。
在一些實施例中，中間層結構可以與發光單元層直接接觸，或不與發光單元層直接接觸。
在一些實施例中，發光單元層可以設置有外延生長基底，其中： 外延生長基底可以覆蓋發光單元層的非透光區域的部分或全部；或 外延生長基底可以部分覆蓋發光單元層的透光區域；或 外延生長基底可以覆蓋發光單元層的非透光區域的部分或全部，以及部分覆蓋發光單元層的透光區域。
在一些實施例中，光轉換層與發光單元層之間還可以設置有不屬於外延生長基底的中間層結構。
在一些實施例中，在未被外延生長基底覆蓋的發光單元層的區域，中間層結構可以與發光單元層直接接觸，或不與發光單元層直接接觸。可選地，在被外延生長基底覆蓋的發光單元層的區域，中間層結構可以與外延生長基底直接接觸，或不與外延生長基底直接接觸。
在一些實施例中，發光模組設置有外延生長基底的情況下，外延生長基底的部分或全部可以被減薄。
在一些實施例中，中間層結構可以獨立於發光單元層與光轉換層設置。可選地，中間層結構可以包括發光單元層與光轉換層中至少之一的部分結構。
在一些實施例中，中間層結構可以包括光轉換層中用於承載光轉換材料的底層。
在一些實施例中，中間層結構可以包括透光材料。
在一些實施例中，發光單元層可以設置於電連接層與光轉換層之間。
在一些實施例中，光轉換層可以設置於發光單元層的出光面。
在一些實施例中，光轉換層可以包括多個畫素單元。
在一些實施例中，多個畫素單元，可以包括：畫素、次畫素中至少之一。
在一些實施例中，多個畫素單元中的至少兩個畫素單元，可以包含相同或不同的光轉換材料。
在一些實施例中，電連接層可以設置於發光單元層的背光面。
在一些實施例中，電連接層可以設置有多個導電孔，電連接層可以透過多個導電孔與發光單元層電連接。
在一些實施例中，電連接層可以至少包括第一電連接層、第二電連接層；第一電連接層、第二電連接層可以透過多個導電孔與發光單元層電連接。
在一些實施例中，發光單元層可以設置有多個發光單元，多個發光單元中的至少一個可以設置有至少一個第一電極、至少一個第二電極。可選地，多個導電孔可以包括至少多個第一導電孔、多個第二導電孔。可選地，至少一個第一電極可以透過多個第一導電孔中的至少一個與第一電連接層電連接，至少一個第二電極可以透過多個第二導電孔中的至少一個與第二電連接層電連接。
在一些實施例中，多個發光單元中的每個發光單元可以設置有第一電極、第二電極。可選地，多個導電孔可以包括多個第一導電孔、多個第二導電孔。可選地，多個發光單元中不同發光單元的第一電極可以透過不同的第一導電孔與第一電連接層電連接，多個發光單元中不同發光單元的第二電極可以透過不同的第二導電孔與第二電連接層電連接。
在一些實施例中，第一電連接層和第二電連接層中至少之一，可以以如下方式設置： 第一電連接層包括至少一層的第一導電走線； 第二電連接層包括至少一層的第二導電走線。
在一些實施例中，第一導電走線和第二導電走線中至少之一可以呈陣列排列。
在一些實施例中，第一導電走線和第二導電走線中至少之一可以以行或列的形式呈陣列排列。
在一些實施例中，多個發光單元可以呈陣列排列。
在一些實施例中，多個發光單元可以以行或列的形式呈陣列排列。
在一些實施例中，至少一列的多個發光單元的第一電極可以與同一條第一導電走線電連接，至少一行的多個發光單元的第二電極可以與同一條第二導電走線電連接。
在一些實施例中，多個發光單元可以包括：發光二極體（LED）、迷你（Mini）LED、微（Micro）LED中至少之一。
本公開實施例提供的顯示模組，包括上述的發光模組。
本公開實施例提供的顯示螢幕，包括上述的顯示模組。
本公開實施例提供的顯示器，包括上述的顯示螢幕。
本公開實施例提供的發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器，可以實現以下技術效果： 透過在形成的發光模組中不設置用於形成發光單元層的外延生長基底，或設置至少部分覆蓋發光單元層的外延生長基底，儘量避免外延生長基底對支援顯示的光造成影響，有利於改善顯示效果。
以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用於限制本申請。
為了能夠更加詳盡地瞭解本公開實施例的特點與技術內容，下面結合附圖對本公開實施例的實現進行詳細闡述，所附附圖僅供參考說明之用，並非用來限定本公開實施例。在以下的技術描述中，為方便解釋起見，透過多個細節以提供對所披露實施例的充分理解。然而，在沒有這些細節的情況下，一個或多個實施例仍然可以實施。在其它情況下，為簡化附圖，熟知的結構和裝置可以簡化展示。
參見圖1A、圖1B，本公開實施例提供了一種發光模組100，包括：電連接層130、發光單元層150、光轉換層170；其中，發光單元層150未設置有外延生長基底190，或設置有至少部分覆蓋發光單元層150的外延生長基底190。
這樣，透過在形成的發光模組100中不設置用於形成發光單元層150的外延生長基底190，或設置至少部分覆蓋發光單元層150的外延生長基底190，儘量避免外延生長基底190對支援顯示的光造成影響，有利於改善顯示效果。
在一些實施例中，如圖1A中所示，發光單元層150未設置有外延生長基底190。
在一些實施例中，如圖1B中所示，發光單元層150設置有至少部分覆蓋發光單元層150的外延生長基底190。可選地，外延生長基底190可以部分覆蓋發光單元層150，或完全覆蓋發光單元層150。
在一些實施例中，無論所形成的發光模組100中的發光單元層150是否設置有外延生長基底190，均可在形成發光模組100的過程中在外延生長基底190上以外延生長等方式形成發光單元層150，之後將外延生長基底190從發光單元層150部分或全部去除。可選地，可以根據工藝需求等實際情況考慮去除外延生長基底190的方式，例如：以化學、物理等方式將外延生長基底190從發光單元層150部分或全部剝離。
在一些實施例中，如圖1A中所示，發光單元層150未設置有外延生長基底190，光轉換層170可以直接設置於發光單元層150。
參見圖2，在一些實施例中，光轉換層170與發光單元層150之間還可以設置有不屬於外延生長基底190的中間層結構210。
參見圖3A、圖3B，並結合圖2，在一些實施例中，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸，或不與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，如圖2中所示，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸。可選地，中間層結構210面向發光單元層150的面的全部區域可以與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，如圖3A中所示，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸。可選地，中間層結構210面向發光單元層150的面的部分區域可以與發光單元層150直接接觸。可選地，中間層結構210不與發光單元層150直接接觸的區域中，可以存在其他介質或設置有其他結構。
在一些實施例中，如圖3B中所示，中間層結構210可以不與發光單元層150直接接觸。可選地，中間層結構210不與發光單元層150直接接觸的區域中，可以存在其他介質或設置有其他結構。
參見圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H，在一些實施例中，發光單元層150可以設置有外延生長基底190，其中： 外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的部分或全部；或 外延生長基底190可以部分覆蓋發光單元層150的透光區域250；或 外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的部分或全部，以及部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。
在一些實施例中，參見圖4A、圖4B、圖4C、圖4D，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的部分或全部。
在一些實施例中，如圖4A中所示，在發光單元層150的所有非透光區域230中，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的一部分。可選地，針對發光單元層150的至少一個非透光區域230，外延生長基底190可以覆蓋該非透光區域230的全部。可選地，發光單元層150的有些非透光區域230（例如：至少一個非透光區域230）可以未被外延生長基底190覆蓋。可選地，在外延生長基底190覆蓋發光單元層150的至少一個非透光區域230的全部的情況下，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的至少一個非透光區域230的一部分（如圖4B中所示）。
在一些實施例中，如圖4B中所示，在發光單元層150的所有非透光區域230中，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的一部分。可選地，針對發光單元層150的至少一個非透光區域230，外延生長基底190可以覆蓋該非透光區域230的一部分。可選地，發光單元層150的有些非透光區域230（例如：至少一個非透光區域230）可以未被外延生長基底190覆蓋。可選地，在外延生長基底190覆蓋發光單元層150的至少一個非透光區域230的一部分的情況下，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的至少一個非透光區域230的全部（如圖4A中所示）。
在一些實施例中，如圖4C中所示，在發光單元層150的所有非透光區域230中，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的一部分。可選地，針對發光單元層150的每個非透光區域230，外延生長基底190可以覆蓋每個非透光區域230的一部分。
在一些實施例中，如圖4D中所示，在發光單元層150的所有非透光區域230中，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的全部。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況將外延生長基底190覆蓋發光單元層150的非透光區域230的部分或全部。可選地，在外延生長基底190覆蓋發光單元層150的非透光區域230的一部分的情況下，可以根據工藝需求等實際情況考慮上述的不同覆蓋方式，或其他可能的覆蓋方式。
在一些實施例中，參見圖4E、圖4F，無論外延生長基底190覆蓋發光單元層150的非透光區域230的部分還是全部，外延生長基底190可以部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。可選地，圖中所示的箭頭圖形示例性地表示發光單元層150的一部分光的走向。可選地，為方便識別，將發光單元層150的透光區域250用虛線包圍。
在一些實施例中，如圖4E中所示，外延生長基底190可以部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。可選地，針對發光單元層150的每個透光區域250，外延生長基底190可以覆蓋每個透光區域250的一部分。可選地，在外延生長基底190覆蓋發光單元層150的至少一個透光區域250的一部分的情況下，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的至少一個透光區域250的全部。
在一些實施例中，如圖4F中所示，外延生長基底190可以部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。可選地，針對發光單元層150的至少一個透光區域250，外延生長基底190可以覆蓋該透光區域250的一部分。可選地，發光單元層150的有些透光區域250（例如：至少一個透光區域250）可以未被外延生長基底190覆蓋。可選地，在外延生長基底190覆蓋發光單元層150的至少一個透光區域250的一部分的情況下，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的至少一個透光區域250的全部。
在一些實施例中，如圖4G中所示，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的一部分，以及部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。
在一些實施例中，如圖4H中所示，外延生長基底190可以覆蓋發光單元層150的非透光區域230的全部，以及部分覆蓋發光單元層150的透光區域250。
圖4G、圖4H僅示例性地示出了外延生長基底190對發光單元層150的透光區域250、非透光區域230進行覆蓋的部分情況。在一些實施例中，可以將圖4A、圖4B、圖4C、圖4D中示出的外延生長基底190對發光單元層150的非透光區域230進行覆蓋的不同情況（以及與附圖相關的描述）與圖4E、圖4F中示出的外延生長基底190對發光單元層150的透光區域250進行覆蓋的不同情況（以及與附圖相關的描述）進行結合，以得到外延生長基底190對發光單元層150的透光區域250、非透光區域230進行覆蓋的不同情況。可選地，還可以根據工藝需求等實際情況得到外延生長基底190對發光單元層150的透光區域250、非透光區域230進行覆蓋的其他可能情況。
參見圖5，在一些實施例中，光轉換層170與發光單元層150之間還可以設置有不屬於外延生長基底190的中間層結構210。
參見圖6A、圖6B、圖6C、圖6D，在一些實施例中，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸，或不與發光單元層150直接接觸。可選地，在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與外延生長基底190直接接觸，或不與外延生長基底190直接接觸。
參見圖6A、圖6B，並結合圖5，在一些實施例中，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸，或不與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，結合圖5，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的全部，中間層結構210可以不與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，如圖6A中所示，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸。可選地，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的一部分，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸；在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的另一部分，中間層結構210可以不與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，如圖6B中所示，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸。可選地，在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的全部，中間層結構210可以與發光單元層150直接接觸。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況確定在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210與發光單元層150之間的接觸情況。
在一些實施例中，參見圖6C、圖6D，無論在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210是否與發光單元層150直接接觸；在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與外延生長基底190直接接觸，或不與外延生長基底190直接接觸。
在一些實施例中，如圖6C中所示，在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210可以與外延生長基底190直接接觸。可選地，在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的一部分，中間層結構210可以與外延生長基底190直接接觸；在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的另一部分，中間層結構210可以不與外延生長基底190直接接觸。
在一些實施例中，如圖6D中所示，在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域中的全部，中間層結構210可以不與外延生長基底190直接接觸。
在一些實施例中，中間層結構210不與發光單元層150直接接觸的區域中，可以存在其他介質或設置有其他結構。
在一些實施例中，中間層結構210不與外延生長基底190直接接觸的區域中，可以存在其他介質或設置有其他結構。
圖6C、圖6D僅示例性地示出了在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210與外延生長基底190之間的接觸情況。在一些實施例中，可以將圖5、圖6A、圖6B中示出的在未被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210與發光單元層150之間的不同接觸情況（以及與附圖相關的描述）與圖6C、圖6D中示出的在被外延生長基底190覆蓋的發光單元層150的區域，中間層結構210與外延生長基底190之間的不同接觸情況（以及與附圖相關的描述）進行結合，以得到中間層結構210與發光單元層150、外延生長基底190之間的不同接觸情況。可選地，還可以根據工藝需求等實際情況得到中間層結構210與發光單元層150、外延生長基底190之間的其他可能接觸情況。
參見圖7A、圖7B、圖7C，在一些實施例中，發光模組100設置有外延生長基底190的情況下，外延生長基底190的部分或全部被減薄。
在一些實施例中，如圖7A中所示，發光模組100設置有外延生長基底190的情況下，外延生長基底190的部分被減薄。可選地，外延生長基底190被減薄的部分與未被減薄的部分可以交替設置。
在一些實施例中，如圖7B中所示，發光模組100設置有外延生長基底190的情況下，外延生長基底190的部分被減薄。可選地，外延生長基底190的被減薄部分中的至少一部分或全部可以與未減薄部分中的至少一部分或全部分區域設置，例如：外延生長基底190的被減薄部分的全部可以設置於外延生長基底190中的一個區域，外延生長基底190的未被減薄部分的全部可以設置於外延生長基底190中的另一個區域。可選地，上述的區域可以是連續區域，或分散區域。
在一些實施例中，如圖7C中所示，發光模組100設置有外延生長基底190的情況下，外延生長基底190的全部被減薄。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況確定是否將外延生長基底190減薄。可選地，可以根據工藝需求等實際情況確定減薄外延生長基底190的部分或全部。可選地，在對外延生長基底190進行減薄的情況下，可以減小所形成的發光模組100的厚度，有利於改善顯示效果。
參見圖8A、圖8B、圖8C，結合圖1A、圖2，在一些實施例中，無論是否設置有外延生長基底190，中間層結構210可以獨立於發光單元層150與光轉換層170設置。可選地，無論是否設置有外延生長基底190，中間層結構210可以包括發光單元層150與光轉換層170中至少之一的部分結構。
為了描述的方便和簡潔，圖8A、圖8B、圖8C中未示出外延生長基底190。在一些實施例中，圖8A、圖8B、圖8C中所示的中間層結構210與發光單元層150、光轉換層170之間的設置關係可以與前述的外延生長基底190的相關描述和附圖相結合，得到更多可能的中間層結構210與外延生長基底190、發光單元層150、光轉換層170之間的設置關係。
在一些實施例中，如圖1A、圖2中所示，在未設置外延生長基底190以及設置有外延生長基底190的情況下，中間層結構210可以獨立於發光單元層150與光轉換層170設置。
在一些實施例中，如圖8A中所示，中間層結構210可以包括發光單元層150的部分結構，例如：中間層結構210中的部分結構可以作為發光單元層150的一部分。
在一些實施例中，如圖8B中所示，中間層結構210可以包括光轉換層170的部分結構，例如：中間層結構210中的部分結構可以作為光轉換層170的一部分。
在一些實施例中，如圖8C中所示，中間層結構210可以包括發光單元層150的部分結構，還可以包括光轉換層170的部分結構，例如：中間層結構210中的部分結構可以作為發光單元層150的一部分，以及中間層結構210中的部分結構可以作為光轉換層170的一部分。
參見圖9，在一些實施例中，中間層結構210可以包括光轉換層170中用於承載光轉換材料的底層270，例如：中間層結構210中的部分結構可以作為光轉換層170中用於承載光轉換材料的底層270。
在一些實施例中，在未設置有外延生長基底190的情況下，可以根據工藝需求等實際情況考慮中間層結構210與發光單元層150、光轉換層170之間的設置關係；中間層結構210可以獨立於發光單元層150與光轉換層170設置，或可以包括發光單元層150與光轉換層170中至少之一的部分結構。可選地，在設置有外延生長基底190的情況下，可以根據工藝需求等實際情況考慮中間層結構210與外延生長基底190、發光單元層150、光轉換層170之間的設置關係；中間層結構210可以獨立於外延生長基底190、發光單元層150、光轉換層170設置，或可以包括外延生長基底190、發光單元層150、光轉換層170中至少之一的部分結構。
參見圖10，在一些實施例中，中間層結構210可以包括透光材料290。可選地，透光材料290可以設置於中間層結構210中的部分或全部區域。可選地，透光材料290在中間層結構210中的設置區域可以對應於發光單元層150的部分或全部透光區域250，使得發光單元層150發出的部分或全部光能夠透過中間層結構210。可選地，透光材料290在中間層結構210中的設置區域可以對應於發光單元層150的部分或全部非透光區域230。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況考慮透光材料290在中間層結構210中的設置區域。
在一些實施例中，中間層結構210可以對兩側的結構起到保護作用，例如：中間層結構210可以儘量避免因光轉換層170中的光轉換材料（或其他雜質）等進入發光單元層150而對發光單元層150造成影響。
在一些實施例中，在中間層結構210絕緣的情況下，也可以將中間層結構210作為絕緣層。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況設置中間層結構210的折射率，使得中間層結構210可以針對兩側的結構作為折射率梯度層，以緩解可能出現的中間層結構210兩側的結構折射率差異過大的問題，這樣可以減少發光單元層150的光反射損失，例如：將中間層結構210的折射率設置為在中間層結構210兩側的結構的折射率之間。
在一些實施例中，發光單元層150可以設置於電連接層130與光轉換層170之間。
參見圖11，在一些實施例中，光轉換層170可以設置於發光單元層150的出光面S。
參見圖12，在一些實施例中，光轉換層170可以包括多個畫素單元171。
在一些實施例中，多個畫素單元171，可以包括：畫素、次畫素中至少之一。
在一些實施例中，多個畫素單元171可以包括至少一個畫素。可選地，多個畫素單元171可以包括至少一個次畫素。可選地，多個畫素單元171可以包括至少一個畫素、以及至少一個次畫素。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況對畫素單元171進行設置，使多個畫素單元171包括畫素、次畫素中至少之一。可選地，無論是否包括畫素、次畫素，畫素單元171中可以包括畫素、次畫素以外的其它顯示（例如：光轉換）結構。
在一些實施例中，多個畫素單元171中的至少兩個畫素單元171，可以包含相同或不同的光轉換材料。可選地，光轉換材料中的主要或全部成分可以包括螢光粉、量子點等材料中至少之一。
參見圖13，在一些實施例中，電連接層130可以設置於發光單元層150的背光面P。
參見圖14，在一些實施例中，電連接層130可以設置有多個導電孔131，電連接層130可以透過多個導電孔131與發光單元層150電連接。
參見圖15，在一些實施例中，電連接層130可以至少包括第一電連接層133、第二電連接層135。可選地，第一電連接層133、第二電連接層135可以透過多個導電孔131與發光單元層150電連接。
參見圖16，在一些實施例中，發光單元層150可以設置有多個發光單元151，多個發光單元151中的至少一個可以設置有至少一個第一電極153、至少一個第二電極155。可選地，多個導電孔131可以包括至少多個第一導電孔137、多個第二導電孔139。可選地，至少一個第一電極153可以透過多個第一導電孔137中的至少一個與第一電連接層133電連接，至少一個第二電極155可以透過多個第二導電孔139中的至少一個與第二電連接層135電連接。
參見圖17，在一些實施例中，多個發光單元151中的每個發光單元151可以設置有第一電極153、第二電極155。可選地，多個導電孔131可以包括多個第一導電孔137、多個第二導電孔139。可選地，多個發光單元151中不同發光單元151的第一電極153可以透過不同的第一導電孔137與第一電連接層133電連接，多個發光單元151中不同發光單元151的第二電極155可以透過不同的第二導電孔139與第二電連接層135電連接。
參見圖18A、圖18B，在一些實施例中，第一電連接層133和第二電連接層135中至少之一，可以以如下方式設置： 第一電連接層133包括至少一層的第一導電走線141； 第二電連接層135包括至少一層的第二導電走線143。
在一些實施例中，如圖18A中所示，在第一電連接層133中從上向下例舉了不同層的第一導電走線141。可選地，第一電連接層133中的每條線段代表一層第一導電走線141。
在一些實施例中，如圖18B中所示，在第二電連接層135中從上向下例舉了不同層的第二導電走線143。可選地，第二電連接層135中的每條線段代表一層第二導電走線143。
參見圖19A、圖19B、圖19C、圖19D，在一些實施例中，第一導電走線141和第二導電走線143中至少之一可以呈陣列排列。
在一些實施例中，第一導電走線141和第二導電走線143中至少之一可以以行或列的形式呈陣列排列。
在一些實施例中，如圖19A、圖19C中所示，第一導電走線141可以以列的形式呈陣列排列，第二導電走線143可以以行的形式呈陣列排列。可選地，如圖19B、圖19D中所示，第一導電走線141可以以行的形式呈陣列排列，第二導電走線143可以以列的形式呈陣列排列。
如圖19A、圖19B、圖19C、圖19D中所示，第一導電走線141和第二導電走線143的陣列排列方式可以是行列式的。可選地，第一導電走線141和第二導電走線143的陣列排列方式可以不同於圖19A、圖19B、圖19C、圖19D中所示，而是呈其他陣列形狀的排列方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排列方式。
參見圖20A、圖20B、圖20C，在一些實施例中，多個發光單元151可以呈陣列排列。
在一些實施例中，多個發光單元151可以以行或列的形式呈陣列排列。
在一些實施例中，如圖20A中所示，多個發光單元151可以以列的形式呈陣列排列。可選地，可設置至少一列的發光單元151，例如：一列、兩列、三列或更多列的發光單元151。
在一些實施例中，如圖20B中所示，多個發光單元151可以以行的形式呈陣列排列。可選地，可設置至少一行的發光單元151，例如：一行、兩行、三行或更多行的發光單元151。
在一些實施例中，如圖20C中所示，多個發光單元151可以以行列的形式呈陣列排列。可選地，可設置多行多列的發光單元151。
如圖20A、圖20B、圖20C中所示，多個發光單元151的陣列排列方式可以是行列式的。可選地，多個發光單元151的陣列排列方式可以不同於圖20A、圖20B、圖20C中所示，而是呈其他陣列形狀的排列方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排列方式。
參見圖21A、圖21B、圖21C、圖21D，在一些實施例中，至少一列的多個發光單元151的第一電極153可以與同一條第一導電走線141電連接，至少一行的多個發光單元151的第二電極155可以與同一條第二導電走線143電連接。
在一些實施例中，如圖21A中所示，一列的多個發光單元151的第一電極153與同一條第一導電走線141電連接。
在一些實施例中，如圖21B中所示，至少兩列的多個發光單元151的第一電極153與同一條第一導電走線141電連接，例如：兩列、三列或更多列的多個發光單元151的第一電極153與同一條第一導電走線141電連接。
在一些實施例中，如圖21C中所示，一行的多個發光單元151的第二電極155與同一條第二導電走線143電連接。
在一些實施例中，如圖21D中所示，至少兩行的多個發光單元151的第二電極155與同一條第二導電走線143電連接，例如：兩行、三行或更多行的多個發光單元151的第二電極155與同一條第二導電走線143電連接。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況確定與同一條導電走線電連接的電極的行數、列數。可選地，可以根據工藝需求等實際情況確定與同一條第一導電走線141電連接的第一電極153的列數，可以根據工藝需求等實際情況確定與同一條第二導電走線143電連接的第二電極155的行數。
在一些實施例中，多個發光單元151可以包括：LED、Mini LED、Micro LED中至少之一。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個Mini LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個Micro LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個LED、以及至少一個Mini LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個LED、以及至少一個Micro LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個Mini LED、以及至少一個Micro LED。可選地，多個發光單元151可以包括至少一個LED、至少一個Mini LED、以及至少一個Micro LED。可選地，多個發光單元151可以包括除了LED、Mini LED、Micro LED以外的其他發光元件。
在一些實施例中，可以根據工藝需求等實際情況確定發光單元151的元件類型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他發光元件。
參見圖22，本公開實施例提供了一種顯示模組500，包括上述的發光模組100。在一些實施例中，顯示模組500可以支援3D顯示。
參見圖23，本公開實施例提供了一種顯示螢幕700，包括上述的顯示模組500。在一些實施例中，顯示螢幕700可以進行3D顯示。
參見圖24，本公開實施例提供了一種顯示器900，包括上述的顯示螢幕700。在一些實施例中，顯示器900可以進行3D顯示。在一些實施例中，顯示器900還可以包括用於支援顯示器900正常運轉的其他構件，例如：通信接口、框架、控制電路等構件中的至少之一。
本公開實施例提供的發光模組、顯示模組、顯示螢幕及顯示器，透過在形成的發光模組中不設置用於形成發光單元層的外延生長基底，或設置至少部分覆蓋發光單元層的外延生長基底，儘量避免外延生長基底對支援顯示的光造成影響，有利於改善顯示效果。
以上描述和附圖充分地示出了本公開的實施例，以使本領域技術人員能夠實踐它們。其他實施例可以包括結構的、邏輯的、電氣的、過程的以及其他的改變。實施例僅代表可能的變化。除非明確要求，否則單獨的部件和功能是可選的，並且操作的順序可以變化。一些實施例的部分和特徵可以被包括在或替換其他實施例的部分和特徵。本公開實施例的範圍包括發明申請專利範圍中的整個範圍，以及發明申請專利範圍的所有可獲得的等同物。當用於本申請中時，雖然術語“第一”、“第二”等可能會在本申請中使用以描述各元件，但這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區別開。比如，在不改變描述的含義的情況下，第一元件可以叫做第二元件，並且同樣地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出現的“第一元件”一致重命名並且所有出現的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申請中使用的用詞僅用於描述實施例並且不用於限制發明申請專利範圍。如在實施例以及發明申請專利範圍的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否則單數形式的“一個”（a）、“一個”（an）和“所述”（the）旨在同樣包括複數形式。類似地，如在本申請中所使用的術語“和/或”是指包含一個或一個以上相關聯的列出的任何以及所有可能的組合。另外，當用於本申請中時，術語“包括”（comprise）及其變型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陳述的特徵、整體、步驟、操作、元素，和/或元件的存在，但不排除一個或一個以上其它特徵、整體、步驟、操作、元素、元件和/或這些的分組的存在或添加。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個…”限定的要素，並不排除在包括該要素的過程、方法或者設備中還存在另外的相同要素。本文中，每個實施例重點說明的可以是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分可以互相參見。對於實施例公開的方法、產品等而言，如果其與實施例公開的方法部分相對應，那麼相關之處可以參見方法部分的描述。
本領域技術人員可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及演算法步驟，能夠以電子硬體、或者電腦軟體和電子硬體的結合來實現。這些功能究竟以硬體還是軟體方式來執行，可以取決於技術方案的特定應用和設計約束條件。本領域技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法以實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本公開實施例的範圍。本領域技術人員可以清楚地瞭解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統、裝置和單元的工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。
本文所披露的實施例中，所揭露的方法、產品（包括但不限於裝置、設備等），可以透過其它的方式實現。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，單元的劃分，可以僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或元件可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特徵可以忽略，或不執行。另外，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是透過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位於一個地方，或者也可以分佈到多個網路單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例。另外，在本公開實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。
在附圖中，考慮到清楚性和描述性，可以誇大元件或層等結構的寬度、長度、厚度等。當元件或層等結構被稱為“設置在”（或“安裝在”、“鋪設在”、“貼合在”、“塗布在”等類似描述）另一元件或層“上方”或“上”時，該元件或層等結構可以直接“設置在”上述的另一元件或層“上方”或“上”，或者可以存在與上述的另一元件或層之間的中間元件或層等結構，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或層。
100:發光模組 130:電連接層 131:導電孔 133:第一電連接層 135:第二電連接層 137:第一導電孔 139:第二導電孔 141:第一導電走線 143:第二導電走線 150:發光單元層 151:發光單元 153:第一電極 155:第二電極 170:光轉換層 171:畫素單元 190:外延生長基底 210:中間層結構 230:非透光區域 250:透光區域 270:底層 290:透光材料 S:出光面 P:背光面 500:顯示模組 700:顯示螢幕 900:顯示器
一個或多個實施例透過與之對應的附圖進行示例性說明，這些示例性說明和附圖並不構成對實施例的限定，附圖中具有相同參考數位標號的元件示為類似的元件，附圖不構成比例限制，並且其中：
圖1A、圖1B是本公開實施例提供的發光模組的結構示意圖； 圖2是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖3A、圖3B是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖5是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖6A、圖6B、圖6C、圖6D是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖7A、圖7B、圖7C是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖8A、圖8B、圖8C是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖9是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖10是本公開實施例提供的中間層結構的結構示意圖； 圖11是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖12是本公開實施例提供的光轉換層的結構示意圖； 圖13是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖14是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖15是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖16是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖17是本公開實施例提供的發光模組的另一結構示意圖； 圖18A、圖18B是本公開實施例提供的電連接層的結構示意圖； 圖19A、圖19B、圖19C、圖19D是本公開實施例提供的導電走線的排列示意圖； 圖20A、圖20B、圖20C是本公開實施例提供的發光單元的排列示意圖； 圖21A、圖21B、圖21C、圖21D是本公開實施例提供的電極與導電走線的連接關係示意圖； 圖22是本公開實施例提供的顯示模組的結構示意圖； 圖23是本公開實施例提供的顯示螢幕的結構示意圖； 圖24是本公開實施例提供的顯示器的結構示意圖。
100:發光模組
130:電連接層
150:發光單元層
170:光轉換層

Claims (30)

  1. 一種發光模組，包括：電連接層、發光單元層、光轉換層；其中，所述發光單元層未設置有外延生長基底，或設置有至少部分覆蓋所述發光單元層的外延生長基底，所述光轉換層與所述發光單元層之間還設置有不屬於所述外延生長基底的中間層結構，所述中間層結構針對兩側的結構作為折射率梯度層。
  2. 如請求項1的發光模組，其中，所述發光單元層未設置有所述外延生長基底，所述光轉換層直接設置於所述發光單元層。
  3. 如請求項2的發光模組，其中，所述光轉換層與所述發光單元層之間還設置有不屬於所述外延生長基底的中間層結構。
  4. 如請求項3的發光模組，其中，所述中間層結構與所述發光單元層直接接觸，或不與所述發光單元層直接接觸。
  5. 如請求項1的發光模組，其中，所述發光單元層設置有所述外延生長基底，其中：所述外延生長基底覆蓋所述發光單元層的非透光區域的部分或全部；或所述外延生長基底部分覆蓋所述發光單元層的透光區域；或所述外延生長基底覆蓋所述發光單元層的非透光區域的部分或全部，以及部分覆蓋所述發光單元層的透光區域。
  6. 如請求項1的發光模組，其中，在未被所述外延生長基底覆蓋的所述發光單元層的區域，所述中間層結構與所述發光單元層直接接觸，或不與所述發光單元層直接接觸；或在被所述外延生長基底覆蓋的所述發光單元層的區域，所述中間層結構與所述外延生長基底直接接觸，或不與所述外延生長基底直接接觸。
  7. 如請求項1、5至6中任一項的發光模組，其中，所述發光模組設置有所述外延生長基底的情況下，所述外延生長基底的部分或全部被減薄。
  8. 如請求項1、3、4或6的發光模組，其中，所述中間層結構獨立於所述發光單元層與所述光轉換層設置；或所述中間層結構包括所述發光單元層與所述光轉換層中至少之一的部分結構。
  9. 如請求項8的發光模組，其中，所述中間層結構包括光轉換層中用於承載光轉換材料的底層。
  10. 如請求項1、3、4或6的發光模組，其中，所述中間層結構包括透光材料。
  11. 如請求項1的發光模組，其中，所述發光單元層設置於所述電連接層與所述光轉換層之間。
  12. 如請求項11的發光模組，其中，所述光轉換層設置於所述發光單元層的出光面。
  13. 如請求項12的發光模組，其中，所述光轉換層包括多個畫素單元。
  14. 如請求項13的發光模組，其中，所述多個畫素單元，包括：畫素、次畫素中至少之一。
  15. 如請求項14的發光模組，其中，所述多個畫素單元中的至少兩個畫素單元，包含相同或不同的光轉換材料。
  16. 如請求項1的發光模組，其中，所述電連接層設置於所述發光單元層的背光面。
  17. 如請求項16的發光模組，其中，所述電連接層設置有多個導電孔，所述電連接層透過所述多個導電孔與所述發光單元層電連接。
  18. 如請求項17的發光模組，其中，所述電連接層至少包括第一電連接層、第二電連接層；所述第一電連接層、第二電連接層透過所述多個導電孔與所述發光單元層電連接。
  19. 如請求項18的發光模組，其中，所述發光單元層設置有多個發光單元，所述多個發光單元中的至少一個設置有至少一個第一電極、至少一個第二電極；所述多個導電孔包括至少多個第一導電孔、多個第二導電孔；所述至少一個第一電極透過所述多個第一導電孔中的至少一個與所述第一電連接層電連接，所述至少一個第二電極透過所述多個第二導電孔中的至少一個與所述第二電連接層電連接。
  20. 如請求項19的發光模組，其中，所述多個發光單元中的每個發光單元設置有第一電極、第二電極；所述多個導電孔包括多個第一導電孔、多個第二導電孔；所述多個發光單元中不同發光單元的第一電極透過不同的第一導電孔與所述第一電連接層電連接，所述多個發光單元中不同發光單元的第二電極透過不同的第二導電孔與所述第二電連接層電連接。
  21. 如請求項19的發光模組，其中，所述第一電連接層和所述第二電連接層中至少之一，以如下方式設置：所述第一電連接層包括至少一層的第一導電走線；所述第二電連接層包括至少一層的第二導電走線。
  22. 如請求項21的發光模組，其中，所述第一導電走線和所述第二導電走線中至少之一呈陣列排列。
  23. 如請求項22的發光模組，其中，所述第一導電走線和所述第二導電走線中至少之一以行或列的形式呈陣列排列。
  24. 如請求項21的發光模組，其中，所述多個發光單元呈陣列排列。
  25. 如請求項24的發光模組，其中，所述多個發光單元以行或列的形式呈陣列排列。
  26. 如請求項25的發光模組，其中，至少一列所述多個發光單元的第一電極與同一條所述第一導電走線電連接，至少一行所述多個發光單元的第二電極與同一條所述第二導電走線電連接。
  27. 如請求項19的發光模組，其中，所述多個發光單元包括：發光二極體LED、迷你Mini LED、微Micro LED中至少之一。
  28. 一種顯示模組，包括如請求項1至27中任一項的發光模組。
  29. 一種顯示螢幕，包括如請求項28的顯示模組。
  30. 一種顯示器，包括如請求項29的顯示螢幕。
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