CN109148652B - 无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置。该制作方法包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有第一结构的第二结构，其中，第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于膜层远离生长基板的一侧；通过在第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。通过本发明，能够提升无机发光二极管显示面板的良率。

Description

无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
传统的无机发光二极管(Inorganic Light Emitting Diode，ILED)通常作为背光源用于液晶显示器的背光模组中，随着显示技术和无机发光二极管的发展，无机发光二极管作为像素应用于高分辨率显示面板中，实现了一种无机发光二极管显示面板。
但是，目前的无机发光二极管显示面板的良率较低，因而，如何提高无机发光二极管显示面板的良率，成为现有技术需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，以提高无机发光二极管显示面板的良率。
为了达到上述目的，一方面，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板的制作方法。
该无机发光二极管显示面板的制作方法包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，所述第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。
为了达到上述目的，第二方面，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板。
该无机发光二极管显示面板包括：阵列基板；位于所述阵列基板一侧的无机发光二极管的多个膜层，其中，所述膜层包括若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，所述第一结构用于形成无机发光二极管；位于所述阵列基板与所述第二结构之间的封装材料。
为了达到上述目的，第三方面，本发明提供了一种显示装置。
该显示装置包括本发明提供的任意一种无机发光二极管显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层，对多个膜层进行图形化处理后，得到用于形成无机发光二极管的若干第一结构，以及包围所有第一结构的第二结构，然后将第二结构和被第二结构包围的所有第一结构共同转移在阵列基板，与现有技术制作方法中分别拾取和转移各个无机发光二极管相比，能够降低损坏无机发光二极管的概率，提高无机发光二极管显示面板的良率，并且在第二结构与阵列基板之间设置封装材料实现对第一结构的封装，在封装之后进行的制程不会影响到第一结构的稳定性和可靠性，进一步提高无机发光二极管显示面板的良率。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术中提供的一种无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图2是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图；
图3是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图4是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的第一结构和第二结构的俯视图；
图5是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图；
图6是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图7是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图；
图8是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图9是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图；
图10是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图11是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图；
图12是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图；
图13是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的膜层结构示意图；
图14是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的俯视图；
图15是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的膜层结构示意图；
图16为本发明实施例的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了提高无机发光二极管显示面板的良率，发明人对现有技术中的无机发光二极管显示面板的制作方法进行了研究，图1是现有技术中提供的一种无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，在现有技术中，如图1所示，无机发光二极管显示面板的制作方法包括如下的步骤：
步骤S101'：在生长基板10'上生长无机发光二极管的外延层21'，进行金属沉积，然后图形化形成无机发光二极管的部分结构及其底部P电极22'；
步骤S102'：将生长基板10'及生长基板10'的无机发光二极管结构转运至转移基板30'，剥离生长基板10'，透明电极23'沉积并图形化，形成无机发光二极管20'；
步骤S103'：提供阵列基板40'并在阵列基板40'的一侧设置堤坝层50'，堤坝层50'形成多个开口，从转移基板30'上分别拾取各个无机发光二极管20'，并置于每个开口内。
从上述方法步骤可以看出，将无机发光二极管20'转移到阵列基板40'上时，需要先从转移基板30'上将各个无机发光二极管20'分别拾取，然后再转运至阵列基板40'上，在分别拾取和转运的过程中，极容易对无机发光二极管20'造成损坏，从而造成无机发光二极管显示面板的良率较低。
基于以上研究，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，无需分别拾取和转运无机发光二极管，降低损坏无机发光二极管的概率，提高无机发光二极管显示面板的良率。关于本发明提供的无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，详细说明如下。
图2是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图，图3是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，图4是本发明实施例提供的一种无机发光二极管显示面板的第一结构和第二结构的俯视图。
在本发明的一种实施例中，如图2和图3所示，该制作方法包括如下的步骤S101至步骤S104：
步骤S101：在生长基板10上生长无机发光二极管的多个膜层20。
由于晶格匹配的原因，无机发光二极管需要先在生长基板10上生长出来。其中，生长基板10可以为硅(silicon)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)以及蓝宝石(Al2O3)等，其中，蓝宝石和碳化硅可为透明层。
在该步骤S101中，进行多个膜层20的生长时，可利用许多生长技术来生长，例如分子束外延生长技术、金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition，MOCVD)技术等。
步骤S102：对多个膜层20进行图案化处理，以得到若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22。
其中，在该步骤S102中，可以通过刻蚀技术实现对多个膜层的图案化处理，形成的第一结构21和第二结构22的俯视图如图3所示，各个第一结构21为相互独立的岛状结构，用于形成无机发光二极管，第二结构22为环绕所有第一结构21的坝状结构，用于进行封装。
具体地，在一种实施例中，如图3所示，在上述步骤S101中，也即生多个膜层20时，具体包括在生长基板10上依次生长N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层20，其中，量子阱层202可以为单量子阱层或多量子阱层。1。在该步骤S102中，图形化后得到的第一结构21相应包括上述N型扩展层、量子阱层和P型扩展层构成的p-n二极管。无机发光二极管包括P电极、N电极和连接在P电极与N电极之间的该p-n二极管，在P电极和N电极施加电压时，N型扩展层产生的电子和P型扩展层产生的空穴在量子阱层复合时，能够激发出光子，使得无机发光二极管发光。
其中，p-n二极管可以基于二六族材料或三五族氮化物材料。二六族材料例如硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)等，三五族氮化物材料例如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、铝砷化镓(AlGaAs)或其合金。
步骤S103：将显示面板的阵列基板30设置于膜层20远离生长基板10的一侧。
在该步骤S103中，首先提供一显示面板的阵列基板30，其中，阵列基板30包括衬底基板和位于衬底基板一侧的若干薄膜晶体管和信号线，通过若干薄膜晶体管和信号线形成控制无机发光二极管发光的像素电路。在该步骤S103中，将阵列基板30上设置薄膜晶体管的一侧与生长基板10上设置的第一结构21和第二结构22一侧相对。
步骤S104：通过在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装。
在该步骤S104中，在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40，通过封装材料40将第二结构22与阵列基板30固定，使第二结构22形成对所有第一结构21的封装。其中，在一种实施例中，封装完成之后，可去除生长基板10，进而在第一结构21远离阵列基板30的一侧继续进行其他工艺制程，以完成显示面板的制作。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层，对多个膜层进行图形化处理后，得到用于形成无机发光二极管的若干第一结构，以及包围所有第一结构的第二结构，然后将第二结构和被第二结构包围的所有第一结构共同转移在阵列基板，与现有技术制作方法中分别拾取和转移各个无机发光二极管相比，能够降低损坏无机发光二极管的概率，提高无机发光二极管显示面板的良率，并且在第二结构与阵列基板之间设置封装材料实现对第一结构的封装，在封装之后进行的制程不会影响到第一结构的稳定性和可靠性，进一步提高无机发光二极管显示面板的良率。
在一种实施例中，如图3所示，通过在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装的步骤具体包括：在阵列基板30的封装区域设置封装材料40，采用激光熔融封装材料40进行封装。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，将封装材料设置于阵列基板一侧，方便第一结构和第二结构的转移，同时，采用激光熔融的方式进行封装时，只需要激光作用于封装材料的位置，对靠近第二结构位置处的第一结构的影响小，从而避免在封装过程中对第一结构产生影响而使无机发光二极管不能正常发光。
图5是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图，图6是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，在一种实施例中，如图5和图6所示，该制作方法包括如下的步骤S201至步骤S205，需要说明的是，在该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法中，部分步骤与上文中描述的实施例的步骤相同，可相互参考。
步骤S201：在生长基板10上依次生长N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201。
步骤S202：对N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201进行图案化处理，以得到若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22。
步骤S203：在P型扩展层201远离生长基板10的一侧制作无机发光二极管的P电极50。
其中，可仅在第一结构21上制作P电极50，也可在第一结构21和第二结构22上均制作P电极50。
步骤S204：将显示面板的阵列基板30设置于P电极50远离生长基板10的一侧。
步骤S205：通过在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，在封装之前完成P电极的制作，从而在第二结构与阵列基板之间进行封装时，能够将P电极封装起来，避免显示面板的后续制程对P电极产生影响而影响到无机发光二极管的正常发光。
在一种实施例中，本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，如图6所示，在上述步骤S203之后，也即制作无机发光二极管的P电极50之后，还包括在P电极50上制作导电触点60；阵列基板30上对应设置有第一电极31，其中，第一电极31与阵列基板30内的薄膜晶体管连接，在上述步骤S204之后，也即将显示面板的阵列基板30设置于P电极50远离生长基板10的一侧之后，还包括将阵列基板30上的第一电极31与导电触点60一一对应电连接。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，既实现了第一结构与阵列基板的固定，也实现了第一结构与阵列基板的电连接，能够实现通过阵列基板内的薄膜晶体管和信号线对无机发光二极管的控制。
具体地，在一种实施例中，继续参考图6，通过热压的方式，将阵列基板30上的第一电极31与导电触点60一一对应电连接。其中，导电触点60的材料包括铟和锡中的至少一种，在将导电触点60与第一电极31固定连接时，先将导电触点60设置于对应的第一电极31位置，然后将导电触点60与第一电极31相接触，进行加温，以使导电触点60融化，融化后的导电触点60与第一电极31固定的同时，实现P电极50与阵列基板30上第一电极31的电连接。
图7是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图，图8是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，在一种实施例中，如图7和图8所示，该制作方法包括如下的步骤S301至步骤S308，需要说明的是，在该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法中，部分步骤与上文中描述的实施例的步骤相同，可相互参考。
步骤S301：在生长基板10上依次生长N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201。
步骤S302：对N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201进行图案化处理，以得到若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22。
步骤S303：在P型扩展层201远离生长基板10的一侧制作P电极层，对P电极层进行图案化处理，以在第一结构21的P型扩展层201表面形成P电极50，且P电极50相对第一结构21的P型扩展层201形成台阶结构T。
步骤S304：在P电极50远离生长基板10的一侧制作保护层70，对保护层70进行图案化处理，以至少暴露部分P电极50。
步骤S305：在P电极50的暴露部分制作导电触点60。
步骤S306：将显示面板的阵列基板30设置于P电极50远离生长基板10的一侧。
步骤S307：将阵列基板30上的第一电极31与导电触点60一一对应电连接。
步骤S308：通过在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，通过保护层将第一结构和第二结构的侧面进行封装，实现单个第一结构的封装，使得各个第一结构的量子肼层更稳定，从而使生长基板上生长的各个无机发光二极管整体发光更加稳定，其中，在形成P电极时，相对第一结构的P型扩展层形成台阶结构，作为保护层的封装台面，使得封装效果更好。
图9是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图，图10是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，在一种实施例中，如图9和图10所示，该制作方法包括如下的步骤S401至步骤S407，需要说明的是，在该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法中，部分步骤与上文中描述的实施例的步骤相同，可相互参考。
步骤S401：在生长基板10上依次生长N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201。
在一种实施例中，还可以在生长N型扩展层203之前生长第一电流扩展层204，在生长P型扩展层201之后生长第二电流扩展层205，该第一电流扩展层204和第二电流扩展层205均可采用半导体材料制成，能够使N型扩展层203的电子和P型扩展层201空穴分布更均匀，进而使得无极发光二极管产生的光更均匀。
步骤S402：对N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201进行图案化处理，以得到若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22。
步骤S403：在P型扩展层201远离生长基板10的一侧制作无机发光二极管的P电极50。
步骤S404：将显示面板的阵列基板30设置于P电极50远离生长基板10的一侧。
步骤S405：通过在第二结构22与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装。
步骤S406：去除生长基板10。
步骤S407：在N型扩展层203远离阵列基板10的一侧制作无机发光二极管的N电极80。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，首先在生长基板上依次进行N型扩展层、量子阱层和P型扩展层的生长，并在生长后图形化为第一结构和第二结构，整体转运至阵列基板，通过第二结构与阵列基板进行封装，封装完成后将生长基板去除，在N型扩展层上制作N电极，不仅实现了整体转运，而且中间不需要转运至转移基板进行电极制作，也即无需二次转运，进一步降低转运过程中对无机发光二极管相应结构的损坏，进一步提高显示面板的良率。并且，在进行封装之前，制作P电极，将P电极封装起来，在封装之后进行N电极的制作，避免P电极与N电极发生短路而使无机发光二极管不能正常发光，进一步提高显示面板的良率。同时，采用该实施例提供的方法形成的无机发光二极管为垂直性结构，相对水平型结构的无机发光二极管，占用面积小，在同等面积的显示面板上，可制作更多的无机发光二极管，提高显示面板的分辨率。
在一种实施例中，上述步骤S402中，在对N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201进行图案化处理时，在膜层厚度方向上，刻蚀部分厚度的N型扩展层203，以使各第一结构21的N型扩展层203相互连接；上述步骤S407中，在制作无机发光二极管的N电极80时，制作一层透明薄膜导电材料，以使各无机发光二极管具有公共N电极80。其中，在N型扩展层203远离阵列基板10的一侧制作无机发光二极管的N电极80
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，N电极采用透明薄膜导电材料形成，无机发光二极管能够经由N电极出光，并且各无机发光二极管设置公共N电极，工艺简单，无需针对每个无机发光二极管的N电极设置施加电信号的线路，因而，显示面板中向N电极传输信号的线路也相应简单。
在一种实施例中，请继续参考图10，本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，在步骤S407之后，也即制作N电极80之后，还包括步骤S408，该步骤S408具体为：在无机发光二极管的N电极80远离阵列基板10的一侧，制作波长转换层90。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，在无机发光二极管的N电极远离阵列基板的一侧，制作波长转换层，通过波长转换层来调节无机发光二极管产生的光的波长，从而，即使显示面板上所有无机发光二极管产生的光的波长相同，也即所有无机发光二极管发光颜色相同，也能够通过波长转换层的调节实现彩色显示，相对现有技术中，通过在显示面板上设置不同发光颜色的无机发光二极管实现彩色显示，不需要分批转运不同颜色的无机发光二极管，而分批转运不同颜色的无机发光二极管时，每次转运都可能造成无机发光二极管的损坏，因此，采用该实施例提提供的无机发光二极管显示面板的制作方法制作彩色显示面板，能够提高彩色显示面板的良率。
在一种实施例中，波长转换层采用不同颜色的纳米半导体材料制作，例如不同颜色的量子点，实现显示面板的彩色显示，相比通过荧光粉实现无机发光二极管产生不同颜色的光，来实现显示面板的彩色显示，发光效率更高，使得显示面板的显示效果更好。
在一种实施例中，请继续参考图10，步骤S408，也即制作波长转换层90的步骤具体包括：制作若干波长转换单元，其中，波长转换层90包括第一波长转换单元91、第二波长转换单元92和第三波长转换单元93，不同的波长转换单元将无机发光二极管产生的光的波长转换为不同波长，也即，不同的波长转换单元将无机发光二极管产生的相同颜色的光转换为不同颜色的光，例如，第一波长转换单元91将无机发光二极管产生的白光转换为红光，第二波长转换单元92将无机发光二极管产生的白光转换为绿光，第三波长转换单元93将无机发光二极管产生的白光转换为蓝光。每个波长转换单元在阵列基板10上的正投影至少覆盖一个无机发光二极管在阵列基板10上的正投影，并且，在相邻的波长转换单元之间制作有遮光单元100。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法，波长转换层包括三种不同的波长转换单元，能够实现显示面板的彩色显示，并且，在相邻的波长转换单元之间设置遮光单元，能够避免相邻无机发光二极管产生的光相互影响，提高显示面板的显示效果。
在一种实施例中，每个波长转换单元在阵列基板10上的正投影也可以覆盖多个无机发光二极管在阵列基板10上的正投影。
在一种实施例中，制作波长转换层的步骤具体包括：制作一层遮光层，对遮光层进行图案化，得到多个开口和位于相邻开口之间的遮光单元，在开口内制作若干波长转换单元，其中，若干波长转换单元包括上述第一波长转换单元91、第二波长转换单元92和第三波长转换单元93，每个波长转换单元在阵列基板10上的正投影至少覆盖一个无机发光二极管在阵列基板10上的正投影。
图11是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的步骤流程图，图12是本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作流程示意图，在一种实施例中，如图11和图12所示，该制作方法包括如下的步骤S501至步骤S，需要说明的是，在该实施例提供的无机发光二极管显示面板的制作方法中，部分步骤与上文中描述的实施例的步骤相同，可相互参考。
步骤S501：在生长基板10上依次生长第一电流扩展层204、N型扩展层203、量子阱层202、P型扩展层201和第二电流扩展层205。
步骤S502：对第二电流扩展层205、P型扩展层201、量子阱层202和部分N型扩展层203进行图案化处理，以得到若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22。
步骤S503：在第二电流扩展层205远离生长基板10的一侧制作P电极层，对P电极层进行图案化处理，以在第一结构21的第二电流扩展层205表面形成P电极50，且P电极50相对第一结构21的第二电流扩展层205形成台阶结构。
步骤S504：在P电极50远离生长基板10的一侧制作保护层70，对保护层70进行图案化处理，以至少暴露部分P电极50。
步骤S505：在P电极50的暴露部分制作导电触点60。
步骤S506：将显示面板的阵列基板30设置于导电触点60远离生长基板10的一侧。
步骤S507：将阵列基板30上的第一电极31与导电触点60一一对应电连接。
步骤S508：通过在第二结构22处保护层70与阵列基板30之间设置封装材料40进行封装。
步骤S509：去除生长基板10。
步骤S510：在第一电流扩展层204远离阵列基板10的一侧制作无机发光二极管的N电极80。
步骤S511：在盖板110上制作一层遮光层，对遮光层进行图案化，得到多个开口和位于相邻开口之间的遮光单元100。
步骤S512：在遮光层的开口内制作第一波长转换单元91、第二波长转换单元92和第三波长转换单元93。
步骤S513：在各波长转换单元与N电极之间设置透明导电胶120，通过透明导电胶120，将阵列基板30与盖板110粘接。
以上为本发明提供的无机发光二极管显示面板的制作方法的实施例，本发明还提供了无机发光二极管显示面板，本发明提供的无机发光二极管显示面板可采用包括并不限于上述无机发光二极管显示面板的制作方法制成，具体描述如下。
图13是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的膜层结构示意图，图14是本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的俯视图，在一种实施例中，如图13和图14所示，该无机发光二极管显示面板包括阵列基板10和盖板110，以及位于阵列基板10和盖板110之间的无机发光二极管L，其中，位于阵列基板10一侧多个膜层20包括若干第一结构21和包围所有第一结构21的第二结构22，其中，各个第一结构21为相互独立的岛状结构，作为无机发光二极管L的部分和全部，用于形成无机发光二极管，第二结构22为环绕所有第一结构21的坝状结构，用于进行封装，具体地，在阵列基板10与第二结构22之间，设置有封装材料，以使第二结构22形成对第一结构21的封装。
需要说明的是，图13仅是示意性的给出无机发光二极管显示面板膜层结构图，第一结构21与阵列基板10之间，与盖板110之间，还可设置其他膜层结构
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，无机发光二极管的第一结构和用于封装的第二结构采用相同的膜层一体化形成，因而从生长基板上转移至阵列基板时能够整体转移，与分别拾取和转移各个无机发光二极管相比，能够降低损坏无机发光二极管的概率，提高无机发光二极管显示面板的良率，并且在第二结构与阵列基板之间设置封装材料实现对第一结构的封装，能够提高第一结构的稳定性和可靠性，进一步提高无机发光二极管显示面板的良率。
在一种实施例中，图15是本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的膜层结构示意图，如图15所示，无机发光二极管L包括P电极50、N电极80和连接在P电极50与N电极80之间的p-n二极管，多个膜层20依次包括N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201，其中，P型扩展层201位于量子阱层202与阵列基板10之间，N型扩展层203、量子阱层202和P型扩展层201用于构成上述p-n二极管，P电极50位于第一结构21靠近阵列基板10的一侧，N电极80位于N型扩展层203远离阵列基板10的一侧，在P电极50和N电极80施加电压时，N型扩展层203产生的电子和P型扩展层201产生的空穴在量子阱层202复合时，能够激发出光子，使得无机发光二极管L发光。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，P电极位于第一结构靠近阵列基板的一侧，在封装时，能够将P电极封装起来，避免显示面板的后续制程对P电极产生影响而影响到无机发光二极管的正常发光。N电极位于N型扩展层远离阵列基板的一侧，也即位于封装结构之外，避免P电极与N电极发生短路而使无机发光二极管不能正常发光，进一步提高显示面板的良率。同时，该实施例中的无机发光二极管为垂直性结构，占用面积小，在同等面积的显示面板上，可制作更多的无机发光二极管，显示面板的分辨率高。
在一种实施例中，请继续参考图15，无机发光二极管L的N电极80为通过透明薄膜导电材料形成的公共N电极。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，N电极采用透明薄膜导电材料形成，无机发光二极管能够经由N电极出光，并且各无机发光二极管设置公共N电极，工艺简单，无需针对每个无机发光二极管的N电极设置施加电信号的线路，因而，显示面板中向N电极传输信号的线路也相应简单。
在一种实施例中，请继续参考图15，显示面板还包括位于P电极50靠近阵列基板10一侧的保护层70，其中，保护层70暴露P电极50，封装材料40位于保护层70与阵列基板10之间。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，保护层将第一结构和第二结构的侧面进行封装，实现单个第一结构的封装，使得各个第一结构的量子肼层更稳定，也即显示面板上各个无机发光二极管整体发光更加稳定，其中，P电极相对第一结构的P型扩展层形成台阶结构，作为保护层的封装台面，使得封装效果更好。
在一种实施例中，请继续参考图15，显示面板还包括位于P电极50靠近阵列基板10一侧的导电触点60和位于阵列基板10靠近P电极50一侧的第一电极31，其中，第一电极21与导电触点60一一对应电连接。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，既实现了无机发光二极管与阵列基板的固定，也实现了无机发光二极管与阵列基板的电连接，其中，阵列基板内可设置包括薄膜晶体管和信号线的像素电路，该像素电路经由第一电极与无机发光二极管电连接，以实现对对无机发光二极管的控制。
在一种实施例中，请继续参考图15，显示面板还包括位于N电极80远离阵列基板10的一侧的波长转换层90。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，在无机发光二极管的N电极远离阵列基板的一侧，制作波长转换层，通过波长转换层来调节无机发光二极管产生的光的波长，从而，即使显示面板上所有无机发光二极管产生的光的波长相同，也即所有无机发光二极管发光颜色相同，也能够通过波长转换层的调节实现彩色显示，相对现有技术中，通过在显示面板上设置不同发光颜色的无机发光二极管实现彩色显示，不需要分批转运不同颜色的无机发光二极管，而分批转运不同颜色的无机发光二极管时，每次转运都可能造成无机发光二极管的损坏，因此，采用该实施例提提供的无机发光二极管显示面板能够提高彩色显示面板的良率。
在一种实施例中，波长转换层采用不同颜色的纳米半导体材料制作，例如不同颜色的量子点，实现显示面板的彩色显示，相比通过荧光粉实现无机发光二极管产生不同颜色的光来实现显示面板的彩色显示，发光效率更高，使得显示面板的显示效果更好。
在一种实施例中，请继续参考图15，波长转换层90包括第一波长转换单元91、第二波长转换单元92、第三波长转换单元93和遮光单元100，不同的波长转换单元将无机发光二极管L产生的光的波长转换为不同波长，也即，不同的波长转换单元将无机发光二极管产生的相同颜色的光转换为不同颜色的光，例如，第一波长转换单元91将无机发光二极管产生的白光转换为红光，第二波长转换单元92将无机发光二极管产生的白光转换为绿光，第三波长转换单元93将无机发光二极管产生的白光转换为蓝光。每个波长转换单元在阵列基板10上的正投影至少覆盖一个无机发光二极管L在阵列基板上的正投影，遮光单元100位于相邻的波长转换单元之间。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，波长转换层包括三种不同的波长转换单元，能够实现显示面板的彩色显示，并且，在相邻的波长转换单元之间设置遮光单元，能够避免相邻无机发光二极管产生的光相互影响，提高显示面板的显示效果。
以上为本发明提供的无机发光二极管显示面板的实施例，本发明还提供了一种显示装置，图16为本发明实施例的显示装置的结构示意图，如图16所示，该显示装置包括壳体和包裹于壳体之内的显示面板，该显示面板为上述任意一种实施例提供的无机发光二极管显示面板，具有相应的技术特征和技术效果，在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层，对多个膜层进行图形化处理后，得到用于形成无机发光二极管的若干第一结构，以及包围所有第一结构的第二结构，然后将第二结构和被第二结构包围的所有第一结构共同转移在阵列基板，与现有技术制作方法中分别拾取和转移各个无机发光二极管相比，能够降低损坏无机发光二极管的概率，提高无机发光二极管显示面板的良率，并且在第二结构与阵列基板之间设置封装材料实现对第一结构的封装，在封装之后进行的制程不会影响到第一结构的稳定性和可靠性，进一步提高无机发光二极管显示面板的良率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (19)

1.一种无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；
对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，各个所述第一结构为相互独立的岛状结构，所述第二结构为环绕所有所述第一结构的坝状结构，所述第二结构用于进行封装，所述第一结构用于形成无机发光二极管；
将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；其中，所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的薄膜晶体管和信号线；
通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。
2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层的步骤包括：
在所述生长基板上依次生长N型扩展层、量子阱层和P型扩展层。
3.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装的步骤之后，所述方法还包括：
去除所述生长基板；
在所述N型扩展层远离所述阵列基板的一侧制作所述无机发光二极管的N电极。
4.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在制作所述无机发光二极管的N电极的步骤之后，所述方法还包括：
在所述无机发光二极管的N电极远离所述阵列基板的一侧，制作波长转换层。
5.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作波长转换层的步骤包括：
制作若干波长转换单元，其中，所述波长转换层包括第一波长转换单元、第二波长转换单元和第三波长转换单元，不同的所述波长转换单元将所述无机发光二极管产生的光的波长转换为不同波长，每个所述波长转换单元在所述阵列基板上的正投影至少覆盖一个所述无机发光二极管在所述阵列基板上的正投影；
在相邻的所述波长转换单元之间制作遮光单元。
6.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述无机发光二极管的N电极的步骤包括：
制作一层透明薄膜导电材料，以使各所述无机发光二极管具有公共N电极。
7.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在对所述多个膜层进行图案化处理的步骤之后，所述方法还包括：
在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极。
8.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤包括：
在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作P电极层；
对所述P电极层进行图案化处理，以在所述第一结构的P型扩展层表面形成所述P电极，且所述P电极相对所述第一结构的P型扩展层形成台阶结构；
所述方法还包括：在所述P电极远离所述生长基板的一侧制作保护层,对所述保护层进行图案化处理，以至少暴露部分所述P电极。
9.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，
在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤之后，所述方法还包括：在所述P电极上制作导电触点；
将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧的步骤之后，所述方法还包括：将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接。
10.根据权利要求9所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接的步骤包括：
通过热压的方式，将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接。
11.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装的步骤包括：
在所述阵列基板的封装区域设置所述封装材料；
采用激光熔融所述封装材料进行封装。
12.一种无机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
位于所述阵列基板一侧的无机发光二极管的多个膜层，其中，所述膜层包括若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，各个所述第一结构为相互独立的岛状结构，所述第二结构为环绕所有所述第一结构的坝状结构，所述第二结构用于进行封装，所述第一结构用于形成无机发光二极管；
所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的薄膜晶体管和信号线；
位于所述阵列基板与所述第二结构之间的封装材料。
13.根据权利要求12所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
多个所述膜层依次包括N型扩展层、量子阱层和P型扩展层，其中，所述P型扩展层位于所述量子阱层与所述阵列基板之间；
所述显示面板还包括：位于所述第一结构靠近所述阵列基板一侧的所述无机发光二极管的P电极；以及位于所述N型扩展层远离所述阵列基板的一侧的所述无机发光二极管的N电极。
14.根据权利要求13所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述N电极远离所述阵列基板的一侧的波长转换层。
15.根据权利要求14所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述波长转换层包括第一波长转换单元、第二波长转换单元、第三波长转换单元和遮光单元，不同的波长转换单元将所述无机发光二极管产生的光的波长转换为不同波长，每个所述波长转换单元在所述阵列基板上的正投影至少覆盖一个所述无机发光二极管在所述阵列基板上的正投影，所述遮光单元位于相邻的所述波长转换单元之间。
16.根据权利要求13所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述无机发光二极管N电极为通过透明薄膜导电材料形成的公共N电极。
17.根据权利要求13所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述P电极靠近所述阵列基板一侧的保护层，其中，所述保护层暴露所述P电极，所述封装材料位于所述保护层与所述阵列基板之间。
18.根据权利要求13所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述P电极靠近所述阵列基板一侧的导电触点和位于所述阵列基板靠近所述P电极一侧的第一电极，其中，所述第一电极与所述导电触点一一对应电连接。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12至18中任一项所述的无机发光二极管显示面板。
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