CN109887950A - 显示基板、led器件、显示面板、显示装置及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板、LED器件、显示面板、显示装置及制作方法，属于显示设备领域。该显示基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个膜层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，多个膜层中具有通孔，第一电极位于通孔中，用于与LED器件的第一焊盘连接，第二电极位于通孔周边，第二电极用于与LED器件的第二焊盘连接。由于第一电极设置在通孔中，第二电极设置在通孔周边，由于仅需在显示基板上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与显示基板的对应电极之间的电连接，因此，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、LED器件、显示面板、显示装置及制作方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管或微发光二极管)显示基板由于亮度高，发光效率好，功耗低、寿命长等特点，适合运用在电视、手机、平板等设备上，受到越来越多的关注。
在Micro LED显示基板中，LED器件制作完成后，需要转移到显示基板上，并与显示基板电连接，从而通过显示基板控制LED器件发光显示。相关技术中，通常都是在显示基板的多个膜层上开多个通孔，LED器件的第一焊盘、第二焊盘分别通过至少一个通孔与显示基板上对应电极电连接。由于在显示基板上的膜层开孔工艺复杂，制作难度较大，开孔数量多容易导致良品率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种本发明实施例提供了一种显示基板、LED器件、显示面板、显示装置及制作方法，能够减少膜层上开孔的数量，提高良品率。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个膜层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，多个膜层中具有通孔，第一电极位于通孔中，第一电极用于与LED器件的第一焊盘连接，第二电极位于通孔周边，第二电极用于与LED器件的第二焊盘连接。
可选地，第二电极呈环形，第二电极围绕通孔，或者第二电极为块状电极。
可选地，第一电极的中部具有用于容置第一焊盘的凹槽。
可选地，多个膜层包括依次位于衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层，第一电极与第一金属层同层，第二电极与第二金属层同层，第一金属层包括用于提供第一电压的第一电压走线，第二金属层包括用于提供第二电压的第二电压走线。
另一方面，本发明实施例还提供了一种LED器件，包括发光主体、第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘位于发光主体的同一侧面且相互绝缘，第一焊盘和第二焊盘的高度不相等。
可选地，第二焊盘呈环形，第二焊盘围绕第一焊盘。
又一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述的显示基板和前述的LED器件。
又一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示面板。
再一方面，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括：
提供衬底基板；
在衬底基板上形成多个膜层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，多个膜层中具有通孔，第一电极位于通孔中，第一电极用于与LED器件的第一焊盘连接，第二电极位于通孔周边，第二电极用于与LED器件的第二焊盘连接。
另一方面，本发明实施例还提供了一种LED器件的制作方法，所述制作方法包括：
提供发光主体；
在发光主体的同一侧面制作第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘相互绝缘，且第一焊盘和第二焊盘的高度不相等。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
将前述LED器件放置在前述显示基板上，使得LED器件的第一焊盘与显示基板的第一电极相对，LED器件的第二焊盘与显示基板的第二电极相对；
将第一焊盘与第一电极电连接，并且将第二焊盘与第二电极电连接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
第一电极设置在通孔中，第二电极设置在通孔周边，通过将LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与第一电极和第二电极电连接即可实现为LED器件提供驱动电压。因此，仅需在显示基板上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与显示基板的对应电极之间的电连接，由于一个LED器件只需要通过一个通孔即可实现LED器件的驱动，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中的一种显示面板的局部结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种第一电极和第二电极在衬底基板上的投影示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种第一电极和第二电极在衬底基板上的投影示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种LED器件的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种LED器件的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种LED器件的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的另一种LED器件的俯视图；
图13是图12中LED器件的A截面结构示意图；
图14是本发明实施例提供的另一种LED器件的俯视图；
图15是图14中LED器件的B截面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图；
图22是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图；
图23是本发明实施例提供的一种LED器件的制作方法流程图；
图24是本发明实施例提供的一种LED器件的制作方法流程图；
图25～图36是图13中LED器件的制作过程示意图；
图37是本发明实施例提供的另一种LED器件的制作方法流程图；
图38～图53是图15中LED器件的制作过程示意图；
图54是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是相关技术中的一种显示面板的局部结构示意图。如图1所示，显示面板包括LED器件200a和显示基板100a。LED器件200a包括发光主体210a及位于发光主体210a同一侧面的第一焊盘220a和第二焊盘230a。显示基板100a包括衬底基板110a及依次层叠在衬底基板110a上的第一金属层120a、第一绝缘层130a、第二金属层140a和第二绝缘层150a。第二绝缘层150a表面上设置有与第一焊盘220a对应的第一电极151a以及与第二焊盘230a对应的第二电极153a，第一电极151a通过过孔152a和141a与第一金属层120a电连接，第二电极153a通过过孔154a与第二金属层140a连接。显示基板100a通过第一电极151a和第二电极153a分别为LED器件提供工作电压VDD和公共电压VSS，以驱动LED器件发光。
由于第一电极151a通过过孔152a和141a与第一金属层120a电连接，第二电极153a通过过孔154a与第二金属层140a连接，因此，显示基板100a上过孔较多，制作工艺难度较大，导致良品率较低。
此外，从图1可以看出，过孔152a、141a和154a在衬底基板110a上的投影和LED器件在衬底基板110a上的投影互不重叠，即过孔设置在LED器件的投影以外的区域，占用了显示面板的发光面积。
图2是本发明实施例提供的一种显示基板100的结构示意图，如图2所示，显示基板100包括衬底基板110以及位于衬底基板110上的多个膜层120、第一电极130和第二电极140。第一电极130和第二电极140相互绝缘。多个膜层120中具有通孔150，第一电极130位于通孔150中，第一电极130用于与LED器件的第一焊盘连接，第二电极140位于通孔150周边，第二电极140用于与LED器件的第二焊盘连接。
由于第一电极130设置在通孔150中，第二电极140设置在通孔150周边，通过将LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与第一电极130和第二电极140电连接即可实现为LED器件提供驱动电压。因此，仅需在显示基板100上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与显示基板100的对应电极之间的电连接，由于一个LED器件只需要通过一个通孔即可实现LED器件的驱动，减少了膜层120上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
在图2所示显示基板100中，多个膜层120包括依次位于衬底基板110上的第一金属层121、第一绝缘层122、第二金属层123。第一电极130与第一金属层121同层，第二电极140与第二金属层123同层。第一电极130与第一金属层121同层是指，第一电极130与第一金属层121采用一次构图工艺形成或者设在衬底基板110的同一表面上。第二电极140与第二金属层123同层是指第二电极140与第二金属层123采用一次构图工艺形成或者设在第一绝缘层122的同一表面上。第一电极130与第一金属层121同层，第二电极140与第二金属层123同层可以简化工艺流程，缩短生产时间，提高生产效率。
多个膜层120还可以包括第二绝缘层124，第二绝缘层124设置在第二金属层123上，以便于隔离外部环境对第二金属层123的干扰。
示例性地，第一金属层121和第二金属层123可以由金属制成，可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。第一绝缘层122可以采用树脂材料制成，例如硅基树脂材料。第二绝缘层124可以是钝化层，由绝缘材料制成，例如可以采用SiO2、SiNx中的至少一种制成。以上材料仅为举例，并不用以限制本发明。
示例性地，第一绝缘层122可以是平坦层，第二绝缘层124可以是钝化层。图2中所示的膜层结构仅为示例，显示基板100也可以包括更多的膜层。
示例性地，在本发明实施例中，第一金属层121包括用于提供第一电压的第一电压走线，第二金属层123包括用于提供第二电压的第二电压走线，第一电压可以是驱动LED器件200发光所需的工作电压VDD或公共电压VSS。第二电压可以是与第一电压对应的驱动LED器件200发光所需的工作电压VDD或公共电压VSS。例如，第一电压为工作电压VDD，第二电压为公共电压VSS,或者第一电压为公共电压VSS，第二电压为工作电压VDD。
第一电压走线与第二电压走线设置在不同层，便于增大电压走线的面积，从而减小电压走线的电阻，进而减少由于IR压降(IR Drop)导致的显示不均匀的现象。
可选地，衬底基板110可以为集成了TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)开关的衬底基板110，工作电压VDD的电压走线通过衬底基板110中的TFT开关与第一电极130或第二电极140相连，从而通过TFT开关实现LED器件200发光的控制。在实现时，衬底基板110也可以为未集成了TFT开关的衬底基板，例如为玻璃基板，工作电压VDD的电压走线直接与第一电极130或第二电极140相连。
可选地，在一些实施例中，第二电极呈环形，第二电极可以围绕通孔设置，或者，第二电极为块状电极。
可选地，在一些实施例中，第一电极130可以是单独的块状电极，每个LED器件对应一个第一电极130。第一电极130也可以是整块的电极(例如沿LED器件的排列方向延伸的条状电极)，多个LED器件共用一个第一电极130。
图3是本发明实施例提供的一种第一电极130和第二电极140在衬底基板110上的投影示意图。如图3所示，第二电极140呈环形，第二电极140围绕通孔150设置。这样可以便于第二电极140与第二焊盘230在周向上均匀接触，从而保证连接的稳定性。
需要说明的是，在图3中，第二电极140为圆环形电极，即内轮廓和外轮廓均为圆形。在其他实施例中，第二电极140也可以为非圆环形电极，例如，外轮廓和内轮廓中的至少一个是其他封闭图形，比如多边形，且环形的外轮廓和内轮廓的中心重叠。例如，该环形的外轮廓为圆形，内轮廓为多边形或该环形的外轮廓为多边形，内轮廓为圆形，也是可以实现的，本发明不对外轮廓和内轮廓的形状进行限制。
第一电极130设置在通孔150中，可以是第一电极130在衬底基板110上的投影在通孔150在衬底基板110上的投影范围内。例如，第一电极130与通孔150同心布置，第一电极130的半径小于通孔150的半径。
图4是本发明实施例提供的另一种第一电极130和第二电极140在衬底基板110上的投影示意图。如图2和图4所示，第二电极140围绕通孔150设置。第一电极130在衬底基板110上的投影与第二电极140在衬底基板110上的投影部分重叠。例如，第一电极130与通孔150同心布置，第一电极130的半径大于通孔150的半径。
可选地，第一电极130和第二电极140可以由金属制成，可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。以上材料仅为举例，并不用以限制本发明。
可选地，在一些实施例中，第一电极的中部可以设置用于容置第一焊盘的凹槽。例如，参见图2，第一电极130的中部具有用于容置第一焊盘的凹槽131。该凹槽131的厚度小于第一焊盘的厚度。可选地，凹槽131的形状与第一焊盘的截面形状相同。例如，第一焊盘的截面形状为圆形，则凹槽131的截面形状可以为圆孔；或者，第一焊盘的截面形状为矩形，则凹槽131的截面形状可以为矩形槽。这样可以进一步增大第一电极130和第一焊盘的接触面积，从而保证两者连接的稳定性。
图5是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，如图5所示，可替代地，第一电极130的凹槽131也可以是通槽，即凹槽131的厚度等于第一电极130的厚度，以暴露出部分衬底基板110。其中，厚度为在垂直于衬底基板110方向上的尺寸。
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图6所示，第一电极130也可以不设置凹槽131，以简化制作工艺。
参见图2，在垂直于衬底基板110的方向上，第一电极130和第二电极140依次位于衬底基板110上。第一电极130的第一表面132到衬底基板110的第二表面111之间的距离h1小于第二电极140的第三表面141到衬底基板110的第二表面111之间的距离h2，第一表面132为第一电极130与第一焊盘220的端面接触的表面，第二表面111为衬底基板110上设有多个膜层120的表面，第三表面141为第二电极140与第二焊盘230的端面接触的表面。
图7是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，如图7所示，第一电极130的第一表面132到衬底基板110的第二表面111的距离h1大于第二电极140的第三表面141到衬底基板110的第二表面111之间的距离h2，第一表面132为第一电极130与第一焊盘220接触的表面，第二表面111为衬底基板110上设有多个膜层120的表面，第三表面141为第二电极140与第二焊盘230接触的表面。
图8是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，如图8所示，第一电极130的第一表面132到衬底基板110的第二表面111的距离h1等于第二电极140的第三表面141到衬底基板110的第二表面111之间的距离h2，第一表面132为第一电极130与第一焊盘220接触的表面，第二表面111为衬底基板110上设有多个膜层120的表面，第三表面141为第二电极140与第二焊盘230接触的表面。
本发明实施例还提供了一种LED器件，图9是本发明实施例提供的一种LED器件的结构示意图，如图9所示，LED器件200包括：发光主体210、第一焊盘220和第二焊盘230，第一焊盘220和第二焊盘230位于发光主体210的同一侧面且相互绝缘，第一焊盘220和第二焊盘230的高度不相等。
第一焊盘220用于与第一电极130电连接，第二焊盘230用于与第二电极140电连接，显示基板100通过第一电极130和第二电极140分别为LED器件200提供驱动LED器件200发光所需的工作电压VDD和公共电压VSS。
由于第一电极130设置在通孔150中，第二电极140设置在通孔150周边，通过将LED器件的第一焊盘220和第二焊盘230分别与第一电极130和第二电极140电连接即可实现为LED器件200提供驱动电压。因此，仅需在显示基板100上开一个通孔，即可实现LED器件200的第一焊盘220和第二焊盘230分别与显示基板100的对应电极之间的电连接，由于一个LED器件200只需要通过一个通孔即可实现LED器件200的驱动，减少了膜层120上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
发光主体210可以是LED芯片，例如，micro LED芯片。示例性地，发光主体210可以包括基板、位于基板上的外延结构以及位于外延结构上的阴极和阳极。其中，外延结构包括依次层叠的N型半导体层、有源层及P型半导体层，外延结构上的阴极设置在N型半导体层上，外延结构上的阳极设置在P型半导体层，外延结构上的阴极和阳极远离基板的表面在同一水平面上。第一焊盘220和第二焊盘230分别与外延结构上的阴极和阳极连接。
第一焊盘220和第二焊盘230的高度不相等，可以是垂直于发光主体210的方向，第一焊盘220的第四表面221到发光主体210的第五表面211的距离大于第二焊盘230的第六表面231到发光主体210的第五表面211的距离，第四表面221为第一焊盘220远离发光主体210的端面，第五表面211为发光主体210的阴极和阳极远离发光主体210的表面所在的水平面，第六表面231为第二焊盘远离发光主体210的端面。图9中所示的LED器件200可以与图2至6所示的显示基板100装配。
图10是本发明实施例提供的另一种LED器件的结构示意图，如图10所示，第一焊盘220和第二焊盘230的高度不相等，可以是垂直于发光主体210的方向，第一焊盘220的第四表面221到发光主体210的第五表面211的距离小于第二焊盘230的第六表面231到发光主体210的第五表面211的距离，第四表面221为第一焊盘220远离发光主体210的端面，第五表面211为发光主体210的阴极和阳极远离发光主体210的表面所在的水平面，第六表面231为第二焊盘远离发光主体210的端面。图10中所示的LED器件200可以与图7所示的显示基板100装配。
图11是本发明实施例提供的另一种LED器件的结构示意图，如图11所示，第一焊盘220和第二焊盘230的高度也可以相等，即在垂直于发光主体210的方向，第一焊盘220的第四表面221到发光主体210的第五表面211的距离等于第二焊盘230的第六表面231到发光主体210的第五表面211的距离，第四表面221为第一焊盘220远离发光主体210的端面，第五表面211为发光主体210的阴极和阳极远离发光主体210的表面所在的水平面，第六表面231为第二焊盘远离发光主体210的端面。图11中所示的LED器件200可以与图8所示的显示基板100装配。
图9至图11中，第一焊盘220可以与第二焊盘230间隔设置，在其他实施例中，第一焊盘220可以围绕第二焊盘230，例如图12至图15所示实施例。
图12是本发明实施例提供的另一种LED器件的俯视图，如图12所示，第二焊盘230呈环形，围绕第一焊盘220设置。该环形的外轮廓和内轮廓均可以是圆形，也可以是其他封闭图形，比如多边形，且环形的外轮廓和内轮廓的中心重叠。例如，该环形的外轮廓为圆形，内轮廓为多边形或该环形的外轮廓为多边形，内轮廓为圆形，也是可以实现的，本发明不对外轮廓和内轮廓的形状进行限制。
图13是图12中LED器件的A截面结构示意图，如图13所示，第二焊盘230在第一焊盘220周围，这样便于第二电极140与第二焊盘230在周向均匀接触，从而保证连接的稳定性。第一焊盘220和第二焊盘230的高度可以相等，也可以不相等。第一焊盘220和第二焊盘230相同高度和不同高度的具体设置方式与图9～图11的方式相同，不再赘述。
图14是本发明实施例提供的另一种LED器件的俯视图，如图14所示，第一焊盘220和第二焊盘230之间设有绝缘层240，图15是图12中LED器件的B截面结构示意图，如图15所示，绝缘层240在第一焊盘220和第二焊盘230，以便于第一焊盘220和第二焊盘230之间更好的绝缘。
可选地，绝缘层240的高度大于第二焊盘230的高度，绝缘层240的高度可以小于或者等于第一焊盘230的高度，以便于更好的绝缘第一焊盘220和第二焊盘230。其中，高度为在垂直于发光主体210方向上的尺寸，绝缘层240材料可以是绝缘材料，例如SiOx、SiNx、HfOx、SiON或AlOx制成，以提供良好的绝缘性。
本发明实施例还提供了一种显示面板。显示面板包括如上所述的显示基板100和如上所述的LED器件200。
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图16所示，在一些实施例中，该显示面板包括图9所示的一种LED器件及图2-图6所示的其中一种显示基板。
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图17所示，在一些实施例中，该显示面板包括图10所示的一种LED器件及图7所示的一种显示基板。
图18是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图18所示，在一些实施例中，该显示面板包括图11所示的一种LED器件及图8所示的一种显示基板。
图19是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图19所示，在一些实施例中，该显示面板包括图13所示的一种LED器件及图2-图6所示的其中一种显示基板。
图20是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图20所示，在一些实施例中，该显示面板包括图15所示的一种LED器件及图2-图6所示的其中一种显示基板。
由于第一电极130设置在通孔150中，第二电极140设置在通孔150周边，通过将LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与第一电极130和第二电极140电连接即可实现为LED器件提供驱动电压。因此，仅需在显示基板100上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与显示基板100的对应电极之间的电连接，由于一个LED器件只需要通过一个通孔即可实现LED器件的驱动，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
同时，由于相关技术中过孔设置在LED器件的投影以外的区域，占用了显示面板的表面面积。本发明实施例中第一电极130设置在通孔150中，第二电极140设置在通孔150周边，由于第一电极130和第二电极140均在LED器件200在衬底基板110上的投影范围内，因此，与现有技术相比，减小焊接区域面积，增加显示基板100上单位面积的LED器件数量，即PPI(Pixels Per Inch，像素密度)增大，从而增加显示效果的精细程度。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如图16～图20中任一幅所示的显示面板。
图21是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图，该方法用于制作如图1～8所示的显示基板。如图21所示，该制作方法包括：
S11：提供衬底基板；
S12:在衬底基板上形成多个膜层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘，多个膜层中具有通孔，第一电极位于通孔中，第一电极用于与LED器件的第一焊盘连接，第二电极位于通孔周边，第二电极用于与LED器件的第二焊盘连接。
可选地，多个膜层可以包括依次层叠在衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层。
可选地，第一电极、第二电极、第一金属层和第二金属层由金属制成，可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。第一绝缘层可以是平坦层，可以采用树脂材料制成，例如硅基树脂材料。第二绝缘层可以是钝化层，可以采用SiNx制成。
需要说明的是，第一电极、第二电极、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层也可以采用现有技术中的材料，本发明并不以此为限。
由于第一电极设置在通孔中，第二电极设置在通孔周边，通过将LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与第一电极和第二电极电连接即可实现为LED器件提供驱动电压。因此，仅需在显示基板上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘和第二焊盘分别与显示基板的对应电极之间的电连接，由于一个LED器件只需要通过一个通孔即可实现LED器件的驱动，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
图22是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图，该方法用于制作如图2、图5和图6所示的显示基板。如图22所示，S12在衬底基板上形成多个膜层、第一电极和第二电极，包括：
S121：在衬底基板上形成第一金属覆盖层。
可选地，可以采用溅射、蒸镀或电镀工艺在衬底基板上形成第一金属覆盖层。第一金属覆盖层的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S122：对第一金属覆盖层进行图形化处理，得到第一金属层和第一电极。
可选地，采用光刻工艺对第一金属覆盖层进行图形化处理。
S123：在第一金属层、第一电极、以及衬底基板上形成第一绝缘层。
可选地，可以采用旋涂、刮涂或打印等方式涂覆绝缘材料形成第一绝缘层。绝缘材料可以是SiOx、SiNx、HfOx、SiON或AlOx，以提供良好的绝缘性。
S124：在第一绝缘层上制作通孔的第一部分。
可选地，可以采用光刻工艺形成在第一绝缘层上形成通孔的第一部分。
当第一绝缘层采用有机绝缘材料制成时，也可以利用曝光显影工艺在第一绝缘层上形成通孔的第一部分。
S125：在第一绝缘层上形成第二金属覆盖层；
可选地，可以采用溅射、蒸镀或电镀工艺在第一绝缘层上形成第二金属覆盖层。第二金属覆盖层的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S126：对第二金属覆盖层进行图形化处理，形成第二金属层、第二电极以及通孔的第二部分。
可选地，采用光刻工艺对第二金属覆盖层进行图形化处理。
S127：在第二金属层、第一电极以及第二电极上形成第二绝缘层。
可选地，可以采用旋涂、刮涂或打印等方式涂覆绝缘材料形成第二绝缘层。绝缘材料可以是SiOx、SiNx、HfOx、SiON或AlOx，以提供良好的绝缘性。
S128：在第二绝缘层上制作通孔的第三部分，通孔的第一部分、第二部分和第三部分组成通孔。
可选地，可以采用光刻工艺形成在第二绝缘层上形成通孔的第一部分。
当第二绝缘层采用有机绝缘材料制成时，也可以利用曝光显影工艺在第二绝缘层上形成通孔的第一部分。
需要说明的是，在上述过程中，第一电极和第一金属层采用一次构图工艺形成，第二电极和第二金属层采用一次构图工艺形成，制作过程简单。在一些实施例中，例如图7和图8的显示基板中，第一电极也可以不与第一金属层采用一次构图工艺制作，而是在S128之后单独制作。
图23是本发明实施例提供的一种LED器件的制作方法流程图，该方法用于制作如图9～15所示的LED器件。如图23所示，该制作方法包括：
S21:提供发光主体。
S22:在发光主体的同一侧面制作第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘相互绝缘，且第一焊盘和第二焊盘的高度不相等。
第一焊盘与第一电极在通孔中电连接，第二焊盘与第二电极在通孔周边电连接，因此，仅需在显示基板上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘220和第二焊盘230分别与显示基板的对应电极之间的电连接，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
图24是本发明实施例提供的一种LED器件的制作方法流程图，适用于制作图12、13所示的LED器件，如图24所示，该制作方法包括：
S31：提供发光主体。
发光主体210可以包括基板、位于基板上的外延结构以及位于外延结构上的阴极和阳极。其中，外延结构包括依次层叠的N型半导体层、有源层及P型半导体层，外延结构上的阴极设置在N型半导体层上，外延结构上的阳极设置在P型半导体层，外延结构上的阴极和阳极远离基板的表面在同一水平面上。
S32：在发光主体的一侧面形成第一金属材料层。
如图25、26所示，具体可以采用溅射、蒸镀或电镀工艺在发光主体210的一侧面沉积金属形成第一金属材料层11。第一金属材料层11的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S33：在第一金属材料层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层。
如图25、26所示，在第一金属材料层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层11a。
S34：在发光主体上形成第二焊盘和第一预制焊盘。
如图27、28所示，采用光刻工艺在发光主体210上形成第二焊盘230和第一预制焊盘222，第二焊盘230和第一预制焊盘222分别与发光主体210的阴极和阳极相连。
S35：剥离剩余的第一光刻胶。
S36：在发光主体的一侧面涂覆绝缘材料形成绝缘材料层；
如图29、30所示，具体可以采用旋涂、刮涂或打印等方式涂覆绝缘材料形成绝缘材料层22。绝缘材料可以是SiOx、SiNx、HfOx、SiON或AlOx，以提供良好的绝缘性。
S37：去除第一预制焊盘上的绝缘材料层；
如图31、32所示，第一预制焊盘222上的绝缘材料层22被去除，露出第一预制焊盘222的顶面。可选地，可以采用光刻工艺去除第一预制焊盘上的绝缘材料层。可替代地，当绝缘材料采用有机材料制成时，该步骤可以采用曝光工艺去除第一预制焊盘上的绝缘材料层。
S38：在绝缘材料层及第一预制焊盘上沉积金属形成第二金属材料层；
如图33、34所示，具体可以采用溅射、在绝缘材料层22及第一预制焊盘222上沉积金属形成第二金属材料层33。第二金属材料层33的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S39：在第二金属材料层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；
如图33、34所示，在第二金属材料层33上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层33a。
S310：采用光刻工艺在发光主体上形成第一焊盘；
如图35、36所示，采用光刻工艺在发光主体210上形成第一焊盘220(参见图12或13)，第一预制焊盘222和第二预制焊盘223层叠形成第一焊盘220。
S311：剥离剩余的第二光刻胶；
S312：将绝缘材料层去除。
通过反应离子束将绝缘材料层22灰化去除，获得图12和图13所示的LED器件。
第一焊盘220与第一电极130在通孔150中电连接，第二焊盘230与第二电极140在通孔150周边电连接，因此，仅需在显示基板100上开一个通孔150，即可实现LED器件的第一焊盘220和第二焊盘230分别与显示基板100的对应电极之间的电连接，减少了膜层120上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
图37是本发明实施例提供的一种LED器件的制作方法流程图，该方法用于制作如图14～15所示的LED器件。如图37所示，该制作方法包括：
S41：提供发光主体；
发光主体的描述可以参见S31。
S42：在发光主体的一侧面形成第一金属材料层；
如图38、39所示，具体可以采用溅射、蒸镀或电镀工艺在发光主体210一侧面沉积金属形成第一金属材料层11。第一金属材料层11的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S43：在第一金属材料层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；
如图38、39所示，在第一金属材料层11上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层11a。
S44：对第二金属材料层进行图形化处理，形成第一预制焊盘；
如图40、41所示，采用光刻工艺在发光主体210上形成第一预制焊盘222，第一预制焊盘222与发光主体210的阴极或阳极相连。
S45：剥离剩余的第一光刻胶；
如图42、43所示，图40和如41中剩余的第一光刻胶层11a已经被剥离。
S46：在发光主体的一侧面涂覆绝缘材料形成绝缘材料层；
如图44、45所示，在发光主体210的具有第一预制焊盘222的一侧面涂覆绝缘材料形成绝缘材料层22。具体可以采用旋涂、刮涂或打印等方式涂覆绝缘材料形成绝缘材料层22。绝缘材料可以是SiOx、SiNx、HfOx、SiON或AlOx，以提供良好的绝缘性。
S47：去除第一区域的绝缘材料层。
如图46、47所示，去除第一区域的绝缘材料层22，第一区域为发光主体210一侧面除第一预制焊盘222上部及周围以外的区域。
可选地，可以采用光刻工艺去除第一区域的绝缘材料层。可替代地，当绝缘材料采用有机材料制成时，该步骤可以采用曝光工艺去除第一区域的绝缘材料层。
S48：去除第一预制焊盘上的绝缘材料层，使得第一预制焊盘暴露出。
如图48、49所示，去除第一预制焊盘222上的绝缘材料层，使得第一预制焊盘222暴露出。示例性地，可以采用打磨的方式去除第一预制焊盘222上的绝缘材料层。
S49：在发光主体的一侧面形成第二金属材料层；
如图50、51所示，具体可以采用溅射、蒸镀或电镀工艺在发光主体210的一侧面沉积金属形成第二金属材料层33。第二金属材料层33的材料可以包括金、锡、铱等金属中的至少一种。
S410：在第二金属材料层上形成第二光刻胶层；
如图50、51所示，在第二金属材料层33上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层33a。
S411：对第二金属材料层进行图形化处理，形成第二焊盘和第一焊盘；
如图52、53所示，采用光刻工艺在发光主体210上形成第二焊盘230和第一焊盘220，第一焊盘220由第一预制焊盘222和第二预制焊盘223层叠形成。
S412：剥离剩余的第二光刻胶层。
剥离剩余的第二光刻胶层33a，获得图14和图15所示的LED器件。
第一焊盘220与第一电极130在通孔150中电连接，第二焊盘230与第二电极140在通孔150周边电连接，因此，仅需在显示基板100上开一个通孔150，即可实现LED器件的第一焊盘220和第二焊盘230分别与显示基板100的对应电极之间的电连接，减少了膜层120上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
图54是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图，该方法用于制作上述的显示面板。如图54所示，该制作方法包括：
S51：将上述的LED器件放置在上述显示基板上，使得LED器件的第一焊盘与显示基板的第一电极相对，LED器件的第二焊盘与显示基板的第二电极相对；
S52：将第一焊盘与第一电极电连接，并且将第二焊盘与第二电极电连接。
焊盘和电极的电连接可以通过第一焊盘与第一电极、第二焊盘与第二电极对位后加压焊接实现，也可以通过导电胶粘合实现。第一焊盘与第一电极在通孔中电连接，第二焊盘与第二电极在通孔周边电连接，因此，仅需在显示基板上开一个通孔，即可实现LED器件的第一焊盘220和第二焊盘230分别与显示基板的对应电极之间的电连接，减少了膜层上开孔的数量，进而降低工艺难度，提高良品率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种显示基板(100)，包括：
衬底基板(110)以及位于所述衬底基板(110)上的多个膜层(120)、第一电极(130)和第二电极(140)，所述第一电极(130)和所述第二电极(140)相互绝缘，所述多个膜层(120)中具有通孔(150)，所述第一电极(130)位于通孔(150)中，所述第一电极(130)用于与LED器件(200)的第一焊盘(220)连接，所述第二电极(140)位于所述通孔(150)周边，所述第二电极(140)用于与LED器件(200)的第二焊盘(230)连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板(100)，其特征在于，所述第二电极(140)呈环形，所述第二电极(140)围绕所述通孔(150)；或者所述第二电极(140)为块状电极。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极(130)的中部具有用于容置所述第一焊盘(220)的凹槽(131)。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板(100)，其特征在于，所述多个膜层(120)包括依次位于所述衬底基板(110)上的第一金属层(121)、第一绝缘层(122)和第二金属层(123)，所述第一电极(130)与所述第一金属层(121)同层，所述第二电极(140)与所述第二金属层(123)同层，所述第一金属层(121)包括用于提供第一电压的第一电压走线，所述第二金属层(123)包括用于提供第二电压的第二电压走线。
5.一种LED器件(200)，包括：
发光主体(210)、第一焊盘(220)和第二焊盘(230)，所述第一焊盘(220)和所述第二焊盘(230)位于所述发光主体(210)的同一侧面且相互绝缘，所述第一焊盘(220)和所述第二焊盘(230)的高度不相等。
6.根据权利要求5所述的LED器件(200)，其特征在于，所述第二焊盘(230)呈环形，所述第二焊盘(230)围绕所述第一焊盘(220)。
7.一种显示面板，所述显示面板包括如权利要求1至4任一项所述的显示基板(100)和如权利要求5或6所述的LED器件(200)。
8.一种显示装置，包括权7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在衬底基板上形成多个膜层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘，所述多个膜层中具有通孔，所述第一电极位于通孔中，所述第一电极用于与LED器件的第一焊盘连接，所述第二电极位于所述通孔周边，所述第二电极用于与LED器件的第二焊盘连接。
10.一种LED器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供发光主体；
在发光主体的同一侧面制作第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘相互绝缘，且所述第一焊盘和所述第二焊盘的高度不相等。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
将如权利要求4或5所述的LED器件放置在如权利要求1至4任一项所述的显示基板上，使得所述LED器件的第一焊盘与所述显示基板的第一电极相对，所述LED器件的第二焊盘与所述显示基板的第二电极相对；
将所述第一焊盘与 所述第一电极电连接 ，并且将所述第二焊盘与所述第二电极电连接。
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