CN102709421B - 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：一反射结构形成于所述P电极与所述外延层之间，由环状反射层和金属反射层构成，其几何中心在垂直方向上与P电极对应，其中所述环状反射层形成于电流扩展层与P型层之间；所述金属反射层形成于电流扩展层与P电极之间；所述环状反射层与金属反射层之间设有一预定距离。本发明通过在LED的外延层与P电极之间增设环状反射层和金属反射层，可以有效地取出发光层发出的光线，减少P电极的吸光现象，从而增加出光效率。

Description

一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
技术领域
本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，尤其是涉及一种具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管。
背景技术
目前，蓝绿光LED使用的都是基于GaN的III-V族化合物半导体材料；由于GaN基LED外延片的P-GaN层空穴浓度小，且P型层厚度很薄，绝大部分发光从P型层透出，而P型层不可避免地对光有吸收作用，导致LED芯片外量子效率不高，大大降低了LED的发光效率。采用ITO层作为电流扩展层虽可提高透射率，但导致LED电压要高一些，寿命也受到影响。另外，在外加电压下，由于存在电流扩散不均匀，一些区域电流密度很大，影响LED寿命。总之，在外部量子效率方面，现有的GaN基LED还是显得不足，一方面与电流非均匀分布有关，另一方面则是与当光发射至电极会被电极本身所吸收有关。
为此，改善LED发光效率的研究较为活跃，主要技术有采用图形衬底技术、分布电流阻隔层（也称电流阻挡层）、分布布拉格反射层（英文为Distributed Bragg Reflector，简称DBR）结构、透明衬底、表面粗化、光子晶体技术等。
参见图1，在已知的正装发光二极管结构中，包括衬底100，由下往上堆叠的N型层101、发光区102、P型层103、金属反射层104、电流扩展层105、P电极106以及设置在N型层101裸露表面上的N电极107。由于金属反射层104（通常为Al或Ag材料）对光有反射作用，使得发光层发出的光线发射出来，并从侧面出光，如光线1a所示；但是仍然有部分光线无法或很难从侧面或上面出射，如光线1b所示，因而造成光损失，无法使得发光层发出的光线有效取出，影响了芯片的发光效率。
发明内容
本发明提供了一种具有双反射层的GaN基高亮度LED，其通过在LED的外延层与P电极之间增设环状反射层和金属反射层，形成双反射层结构，可以有效地取出发光层发出的光线，减少P电极的吸光现象，从而增加出光效率。
本发明公开的一种具有双层反射层的GaN基高亮度LED，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成于所述电流扩展层之上；其特征在于：一反射结构形成于所述P电极与所述外延层之间，由环状反射层和金属反射层构成，其几何中心在垂直方向上与P电极的中心对应，其中所述环状反射层形成于电流扩展层与P型层之间；所述金属反射层形成于电流扩展层与P电极之间；所述环状反射层与金属反射层之间设有一预定距离。
上述环状反射层位于部分P型层之上，由一个环状结构组成，其外边缘形状与P电极的外边缘形状一致。
上述环状反射层的环宽为5~50微米。
上述环状反射层的内环直径为30~200微米。
上述环状反射层的外环直径为50~300微米。
上述金属反射层的直径为50~200微米。
上述环状反射层与金属反射层之间的预定距离为2~10微米。 
上述环状反射层的厚度为0.5~5微米。
上述环状反射层为分布布拉格反射层或全方位反射层。
上述环状反射层由交替的高折射率和低折射率材料层组成，高折射率层材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2或前述的任意组合之一，低折射率层材料选自SiO2、SiNx、Al2O3或前述的任意组合之一。
上述金属反射层材料可选用铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni）等。
上述衬底材料可选用蓝宝石（Al2O3）或者是碳化硅（SiC）或者是硅片（Si）等。
上述电流扩展层材料可选用镍/金合金（Ni/Au）或镍/氧化铟锡合金（Ni/ITO）或氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或In掺杂ZnO或Al掺杂ZnO或Ga掺杂ZnO中的一种或其组合。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
（1）本发明通过在LED的外延层与P电极之间增设环状反射层和金属反射层，形成双反射层结构，使得发光层发出的一部分的光线经过环状反射层的一次反射便从侧面出射，还可以使得另一部分原本要射向P电极的光线经过双反射层的双层反射后向上出射，进而提升芯片的光取出效率；
（2）环状反射层又兼具电流阻挡的作用，减少芯片电极下方的电流积聚，进一步提高了芯片的发光效率；
（3）视芯片的尺寸大小和电极分布情况，通过控制环状反射层的截面积大小，使其与P电极面积大小相适应，可以调整发光层发出的光线向上和侧面出射的比例，从而改善芯片的发光分布均匀性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 
虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1是已知的正装发光二极管结构示意图。
图2是本发明实施例1公开的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管的剖面示意图。
图3是本发明实施例1公开的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管的俯视示意图。
图4是本发明实施例2公开的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管的剖面示意图。
图5是本发明实施例2公开的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管的俯视示意图。
图6是本发明实施例3公开的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管的俯视示意图。
图中部件符号说明：
100：衬底
101：N型层
102：发光区
103：P型层
104：金属反射层
105：电流扩展层
106：P电极
107：N电极
200：衬底
201：N型层
202：发光区
203：P型层
204：环状反射层
205：电流扩展层
206：金属反射层
207：P电极
208：N电极
209：P扩展电极
210：长条状环形结构。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。在具体的器件设计和制造中，本发明提出的LED结构将根据应用领域和工艺制程实施的需要，对其部分结构和尺寸在一定范围内作出修改，对材料的选取进行变通。
下列各实施例公开的一种具有双层反射层的GaN基高亮度LED，包括：衬底，外延层，电流扩展层，反射结构及P、N电极。
具体来说，衬底可选用材料可选用蓝宝石（Al2O3）或者是碳化硅（SiC）或者是硅片（Si）等。对于水平结构的LED器件，选用绝缘性材料；而对于垂直结构的LED器件，则选用导电性材料。
外延层可通过外延生长形成于衬底的表面上，至下而上至少包括N型层，发光层和P型层，还可包括缓冲层、电子阻挡层等，材料可为氮化镓基半导体材料。
电流扩展层位于P型层上，可选用镍/金合金（Ni/Au）或镍/氧化铟锡合金（Ni/ITO）或氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或In掺杂ZnO或Al掺杂ZnO或Ga掺杂ZnO中的一种或其组合。
P电极形成于电极扩展层上，用于为发光层提供电流注入。对于水平结构的LED器件，可蚀刻部分的P型层及发光层，露出N型层，N电极形成于裸露的N型层表面上。对于垂直结构的LED器件，N电极则制作在导电衬底的背面。
反射结构位于P电极与P型层之间，由环状反射层和金属反射层构成，根据P电极的形状和位置设置反射结构的位置及大小，其几何中心在垂直方向上与P电极的中心对应。环状反射层形成于电流扩展层与P型层之间，可位于电流扩展层底层层内或外延层的顶部表层，至少一个环状结构组成，形状可为圆形、方形、三角形、正多边形等。关于环状反射层的环状结构的各个参数，可依据芯片尺寸的小以及具体光学路径进行调整设计。在某些实施例中，环状反射层的环宽可为5~50微米，内环直径为30~200微米，外环直径为50~300微米，厚度为0.5~5微米。在一些优选实施例中，选用分布布拉格反射层（DBR）或全方位反射层（ODR）作为环状反射层，其兼具电流阻挡的作用，减少芯片电极下方的电流积聚，进一步提高了芯片的发光效率。金属反射层形成于电流扩展层上，位于电流扩展层与P电极之间，可含在电流扩展层，也可在电流扩展层上面，与环状反射层之间的垂直距离为2~10微米，材料可选用铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni）等。
下面结合实施例1、2、3及附图2~6对本发明具体实施的更多细节作说明。
实施例1
如图2和图3所示的一种具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管，包括：蓝宝石衬底200、N型层201、发光区202、P型层203、圆环状的分布布拉格反射层204、电流扩展层205、金属反射层206、P电极207 和N电极208。
具体来说，上述发光二极管结构中最底层为蓝宝石衬底200；N型层201，形成于蓝宝石衬底200上；发光区202，形成于N型层201上；P型层203，形成于发光区202上；圆环状的分布布拉格反射层204，形成于P型层203上；ITO电流扩展层205，形成于圆环状的分布布拉格反射层204及P型层203表面上；Al金属反射层206，形成于ITO电流扩展层205的表层上；P电极207，形成于Al金属反射层206上；N电极208，形成于裸露的N型层201上；其中分布布拉格反射层204由交替的高折射率TiO2材料和低折射率的SiO2材料组成，圆环状的分布布拉格反射层204的内环直径为80微米，圆环状的分布布拉格反射层204的外环直径为130微米；金属反射层206的直径为85微米。
在本实施例中的反射结构具有以下特点：（1）金属反射层在垂直方向上与圆环状的分布布拉格反射层的环心对应；（2）圆环状的分布布拉格反射层204的内环直径小于金属反射层206的直径且圆环状的分布布拉格反射层204的外环直径大于金属反射层206的直径；（3）金属反射层206的直径等同于P电极207直径。通过在LED的P型层203与P电极207之间增设圆环状的分布布拉格反射层204和Al金属反射层206，形成双反射层结构，使得发光层发出的一部分的光线，如光线2a路径所示，经过圆环状的分布布拉格反射层204的一次反射便从侧面直接出射；还可以使得另一部分原本要射向P电极207的光线经过双反射层的双层反射后向上出射，如光线2b路径所示，进而提升芯片的光取出效率。
上述具有双反射层结构的氮化镓基发光二极管，其制作方法包括步骤：
第一步：在蓝宝石衬底200上外延生长氮化镓基发光外延层，包括；N型层201、发光区202、P型层203；
第二步：在P型层203上，通过蒸镀方式，形成圆环状的分布布拉格反射层204；
第三步：在圆环状的分布布拉格反射层204及P型层203表面上，通过蒸镀方式，形成
ITO电流扩展层205；
第四步：在ITO电流扩展层205上，通过溅镀方式，形成Al金属反射层206；
第五步：通过光罩、剥离工艺，分别在Al金属反射层206正上方和裸露的N型层201
上制作P电极207和N电极208。
上述制作方法的第二步使得Al金属反射层206在垂直方向上与圆环状的分布布拉格反射层204的环心对应；第五步使得金属反射层位于P电极207的正下方，Al金属反射层206的直径等同于P电极207直径。
实施例2
与实施例1相比，本实施例公开了一种垂直结构的具有双反射层的氮化镓基高亮度发光二极管。在本实施例，采用Si作为衬底200，N电极208形成于衬底的背面，构成了垂直结构的LED器件结构。
实施例3
与实施例1相比，本实施例公开的氮化镓基LED器件的电极结构还包括扩展电极209，其宽度为10微米，可在扩展电极209正下方设置金属反射层和环状反射层，进一步地提高出光效率。金属反射层可与扩展电极等大，环状反射层由P电极207下方的圆环形结构204和扩展电极209下方的长条状环形结构210构成。圆环形结构204与实施例1不同的是：圆环状的分布布拉格反射层204的内环直径为80微米，等同于P电极207直径，长条状环形结构210的内环直径为10微米，外环直径为20微米。

Claims (9)

1.一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底之上，从上至下依次包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成于所述电流扩展层之上；其特征在于：一反射结构形成于所述P电极与所述外延层之间且位于P电极的正下方，由环状反射层和金属反射层构成，其几何中心在垂直方向上与P电极的中心对应，其中所述环状反射层形成于电流扩展层与P型层之间；
所述金属反射层形成于电流扩展层与P电极之间；
所述环状反射层与金属反射层之间设有一预定距离，且所述环状反射层位于所述金属反射层的正下方，其内环直径小于或者等于金属反射层的直径，外环直径大于金属反射层的直径。
2.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层位于部分P型层之上，由环状结构组成，其外边缘形状与P电极的外边缘形状一致。
3.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层为分布布拉格反射层或全方位反射层。
4.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层的环宽为5~50微米。
5.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层的内环直径为30~200微米。
6.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层的外环直径为50~300微米。
7.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述金属反射层的直径为50~200微米。
8.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层与金属反射层之间的预定距离为2~10微米。
9.根据权利要求1所述的具有双反射层的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述环状反射层的厚度为0.5~5微米。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709420B (zh) * 2012-06-21 2014-07-30 安徽三安光电有限公司 一种氮化镓基发光二极管
CN104064633A (zh) * 2013-03-22 2014-09-24 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管的制造方法
JPWO2015146069A1 (ja) * 2014-03-28 2017-04-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光ダイオード素子
JP6299540B2 (ja) * 2014-09-16 2018-03-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
KR102443694B1 (ko) 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
CN109638131B (zh) * 2018-11-30 2020-05-19 广东德力光电有限公司 一种dbr倒装芯片的制作方法
CN111164770B (zh) * 2019-12-31 2021-09-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微型发光二极管芯片及其制作方法和显示装置
CN111697114B (zh) * 2020-07-29 2021-01-12 东南大学苏州研究院 一种垂直结构led芯片及其制备方法
CN113555485A (zh) * 2021-06-15 2021-10-26 江西乾照光电有限公司 一种led芯片及其制备方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204026A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Daido Steel Co Ltd 面発光デバイス
JP4084620B2 (ja) * 2001-09-27 2008-04-30 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2004158558A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード装置
CN100459189C (zh) * 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
KR100576870B1 (ko) * 2004-08-11 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR100590775B1 (ko) * 2004-12-08 2006-06-19 한국전자통신연구원 실리콘 발광 소자
JP4839478B2 (ja) * 2005-10-03 2011-12-21 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 垂直共振器型発光ダイオード及びその製造方法
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
KR101393353B1 (ko) * 2007-10-29 2014-05-13 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
CN101740677A (zh) * 2008-11-20 2010-06-16 深圳世纪晶源华芯有限公司 图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法
CN101777607B (zh) * 2009-01-09 2012-05-23 晶元光电股份有限公司 发光半导体装置
TW201027811A (en) * 2009-01-12 2010-07-16 Ubilux Optoelectronics Corp LED and its manufacturing method
TWI380481B (en) * 2009-01-13 2012-12-21 Huga Optotech Inc Light-emitting diode with high light-emitting efficiency
KR100999726B1 (ko) * 2009-05-04 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TW201101537A (en) * 2009-06-19 2011-01-01 Ubilux Optoelectronics Corp Light emitting diode with passivation layer and its manufacturing method
KR20110055110A (ko) * 2009-11-19 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5381822B2 (ja) * 2010-03-10 2014-01-08 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101054984B1 (ko) * 2010-03-26 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN101859860B (zh) * 2010-05-04 2013-04-10 厦门市三安光电科技有限公司 具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法
KR20120042500A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US20140008660A1 (en) * 2012-03-14 2014-01-09 Lightwave Photonics, Inc. Materials, structures, and methods for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2011-187842A 2011.09.22 *

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