CN106449931B - 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN、量子阱和P型GaN，完成芯片结构；在芯片结构上形成电极；将减薄后的芯片电极向上置于载膜上；对芯片进行切割、裂片，形成一个个分立的芯片；在室温的条件下，通过原子层沉积工艺的区域选择性，在芯片结构的正面及侧面沉积形成钝化层；本发明采用原子层沉积技术在芯片切割、裂片后沉积钝化层，无需损伤芯片发光面积，无需增加光刻工序，节约了制作成本，芯片制作更简便，且原子层沉积技术制备的钝化层薄膜的致密性和阶梯覆盖性良好。
Description
技术领域
本发明涉及一种钝化沉积方法，尤其是一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，属于LED芯片加工技术领域。
背景技术
随着以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点的第三代半导体材料的兴起，伴随着以Ⅲ族氮化物为基础的高亮度发光二极管（Light Emitting Diode，LED）的技术突破，用于新一代绿色环保固体照明光源的氮化物LED正在成为新的研究热点。目前，LED应用的不断升级以及市场对于LED的需求，使得LED正朝着大功率和高亮度的方向发展。其中研究热点之一是LED倒装芯片技术。
LED倒装芯片使用时将芯片朝下，通过锡膏回流焊接到下层基板或支架上。倒装芯片焊接时，锡膏极易溢出爬坡至芯片侧面，造成芯片漏电失效。因此倒装芯片的侧壁必须进行钝化保护，避免锡膏接触芯片侧面。
目前已知常用的LED倒装芯片的钝化方法是：芯片制作时将芯片周围的GaN通过ICP干法刻蚀到蓝宝石衬底，将芯片与芯片间隔离开，然后用PECVD在芯片侧壁沉积一层SiO2。
具体的钝化方法如下所述：
如图1所示，步骤一. 在蓝宝石衬底1上依次设置N型GaN、量子阱和P型GaN，按照正常倒装芯片的工艺完成芯片结构2，最后设置芯片的电极3；
如图2所示，步骤二. 使用光刻胶或SiO2作为掩膜，通过光刻定义图形，在芯片的间隔区用ICP干法刻蚀到蓝宝石衬底1，至此芯片结构2的外延结构（包括N型GaN、量子阱和P型GaN）完全分离，这一步通常称为深沟刻蚀；
如图3所示，步骤三. 使用PECVD沉积钝化层4，通过光刻套刻图形，去除电极3上的钝化材料，保留芯片正面及侧面的钝化材料。至此芯片的钝化层4形成；
如图4所示，步骤四. 对蓝宝石衬底1进行减薄，减薄后置于载膜5上进行切割裂片。
需要指出的是，在芯片制作中可以将步骤二中深沟刻蚀步骤置于芯片的电极3制作之前。不管哪种方案都不影响此钝化的实际效果和作用。
这种钝化方法有如下缺点：
1） 钝化沉积必须在芯片研磨切割前完成，因为它使用的ICP刻蚀和PECVD沉积这两道工序，必须使用光刻来进行套刻、定义图形。这种光刻套刻工艺是在芯片切割扩膜后无法实现的；
2） 芯片制程中增加了2道光刻，大大增加了芯片制作的复杂性；
3） ICP干法刻蚀要从P型GaN刻穿整个外延结构直到蓝宝石衬底完全暴露，刻蚀反应工艺时间长达2个多小时；
4） 为了留出足够ICP刻蚀的芯片周围空间，芯片的发光面积被大大缩小，降低了芯片单位面积的发光量；
5） 由于PECVD沉积SiO2的阶梯覆盖性一般，为确保芯片侧壁的SiO2覆盖厚度，不得不增加PECVD的沉积厚度，也延长了工艺时间。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种更简便更快速的LED倒装芯片的钝化沉积方法，通过原子层沉积技术（ALD：Atomic layer deposition）在芯片切割扩膜后沉积钝化层，无需损伤芯片发光面积，无需增加光刻工序，具有简便、阶梯覆盖性好等优点。
为实现以上技术目的，本发明采用的技术方案是，一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，包括如下步骤：
步骤一. 提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN、量子阱和P型GaN，按照正常LED倒装芯片的工艺完成芯片结构；
步骤二. 通过光刻，在芯片结构上形成电极孔，在所述电极孔内填充金属，形成用于引出N、P电极的电极；
步骤三. 对蓝宝石衬底进行减薄，将减薄后的芯片电极向上置于载膜上；
步骤四. 将置于载膜上的芯片进行切割、裂片，形成一个个分立的芯片；
步骤五. 将载有芯片的载膜置于原子层沉积设备中，在室温的条件下，通过原子层沉积工艺的区域选择性，在芯片结构的正面及侧面沉积形成钝化层，化学性稳定的电极上不沉积钝化层。
进一步地，所述步骤四中的切割、裂片的过程是，将载有芯片的载膜放置在切割、裂片设备上进行切割及裂片，在芯片的间隔区从上到下依次裂开P型GaN、量子阱、N型GaN、蓝宝石衬底，直至载膜完全暴露。
进一步地，所述原子层沉积工艺的区域选择性是指电极表面具有化学钝性，无法与钝化层沉积物反应，芯片结构和载膜的表面具有悬键，易于吸附钝化层的沉积物参与反应，形成钝化层。
进一步地，所述电极的表面材料为金，所述金具有化学钝性。
进一步地，所述钝化层的材料为AlXOY、SiOX、SiXNY、SiOxNy、TiOX、ZrOX或HfOX。
进一步地，所述载膜为具有粘性和延展性的LED蓝膜或LED白膜，所述LED蓝膜或LED白膜的材料为PVC聚氯乙烯。
从以上描述可以看出，本发明的有益效果在于：
1）采用原子层沉积技术沉积钝化层，由于原子层沉积技术具有区域选择性，在芯片结构表面形成钝化层，电极表面不沉积钝化层，无需增加一道光刻使电极露出，节约了成本，且使芯片制作更简便；
2）与PECVD沉积钝化层相比，原子层沉积技术形成厚度均匀的钝化层，且致密性和阶梯覆盖性好，适用于倒装LED芯片；
3）本发明的钝化层是在芯片切割裂片后形成的，不损伤芯片的发光面积，无需增加ICP干法刻蚀，节约了芯片制作成本，芯片制作更简便。
附图说明
图1为现有技术步骤一和本发明步骤二完成后的剖面结构示意图。
图2为现有技术步骤二完成后的剖面结构示意图。
图3为现有技术步骤三完成后的剖面结构示意图。
图4为现有技术步骤四完成后的剖面结构示意图。
图5为本发明步骤四完成后的剖面结构示意图。
图6为本发明步骤五完成后的剖面结构示意图。
附图说明：1-蓝宝石衬底、2-芯片结构、3-电极、4-钝化层、5-载膜。
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，包括如下步骤：
如图1所示，步骤一. 提供一蓝宝石衬底1，在蓝宝石衬底1上依次生长N型GaN、量子阱和P型GaN，按照正常LED倒装芯片的工艺完成芯片结构2；
步骤二. 通过光刻，在芯片结构2上形成电极孔，在所述电极孔内填充金属，形成用于引出N、P电极的电极3；所述电极3的表面材料为金，且金具有化学钝性；
如图5所示，步骤三. 对蓝宝石衬底1进行减薄，将减薄后的芯片电极3向上置于载膜5上，所述载膜5为具有粘性和延展性的LED蓝膜或LED白膜，所述LED蓝膜或LED白膜的材料为PVC聚氯乙烯；
步骤四. 将置于载膜5上的芯片进行切割、裂片，形成一个个分立的芯片；
芯片切割、裂片的过程是，将载有芯片的载膜5放置在切割、裂片设备上进行切割及裂片，在芯片的间隔区从上到下依次裂开P型GaN、量子阱、N型GaN、蓝宝石衬底1，直至载膜5完全暴露；P型GaN、量子阱、N型GaN组成芯片的外延结构；
如图6所示，步骤五. 将载有芯片的载膜5置于原子层沉积设备中，在室温的条件下，沉积1h~2h，通过原子层沉积工艺的区域选择性，在芯片结构2的正面及侧面沉积形成钝化层4，化学性稳定的电极3上不沉积钝化层4，所述钝化层4的厚度为200nm~500nm；
所述原子层沉积工艺的区域选择性是指电极3表面具有化学钝性，无法与钝化层4沉积物反应，芯片结构2和载膜5的表面具有悬键，易于吸附钝化层4的沉积物参与反应，形成钝化层4；原子层沉积的温度很低，通常在室温就能进行，不会对载膜5造成任何影响。
所述钝化层4的材料为AlXOY、SiOX、SiXNY、SiOxNy、TiOX、ZrOX或HfOX。
原子层沉积技术(ALD)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积的表面反应具有自限制性，实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。原子层沉积的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀。
本发明的特点在于，采用原子层沉积技术（ALD）在芯片切割裂片后沉积钝化层4，这样不损伤芯片的发光面积，且无需增加光刻工序，既节约成本又简化制作工艺；具体来说，现有技术的倒装芯片钝化方法中包括一次ICP深沟刻蚀，约1-2小时，PECVD生长钝化层，约1-2小时，使用两次光刻套刻及清洗腐蚀工艺，约3-4小时，整个流程需5-8小时。本发明的钝化方法，仅使用一次原子层沉积工艺，时间为1-2小时，比现有技术方案节省4-6小时；同时原子层沉积技术制备的钝化层4为厚度均匀的薄膜，且薄膜的致密性和阶梯覆盖性良好。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，包括如下步骤：
步骤一. 提供一蓝宝石衬底（1），在蓝宝石衬底（1）上依次生长N型GaN、量子阱和P型GaN，按照正常LED倒装芯片的工艺完成芯片结构（2）；
步骤二. 通过光刻，在芯片结构（2）上形成电极孔，在所述电极孔内填充金属，形成用于引出N、P电极的电极（3）；
步骤三. 对蓝宝石衬底（1）进行减薄，将减薄后芯片的电极（3）向上置于载膜（5）上；
步骤四. 将置于载膜（5）上的芯片进行切割、裂片，形成一个个分立的芯片；
步骤五. 将载有芯片的载膜（5）置于原子层沉积设备中，在室温的条件下，通过原子层沉积工艺的区域选择性，在芯片结构（2）的正面及侧面沉积形成钝化层（4），化学性稳定的电极（3）上不沉积钝化层（4）。
2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，其特征在于：所述步骤四中芯片的切割、裂片的过程是，将载有芯片的载膜（5）放置在切割、裂片设备上进行切割及裂片，在芯片的间隔区从上到下依次裂开P型GaN、量子阱、N型GaN、蓝宝石衬底（1），直至载膜（5）完全暴露。
3.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，其特征在于：所述原子层沉积工艺的区域选择性是指电极（3）表面具有化学钝性，无法与钝化层（4）沉积物反应，芯片结构（2）和载膜（5）的表面具有悬键，易于吸附钝化层（4）的沉积物参与反应，形成钝化层（4）。
4.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，其特征在于：所述电极（3）的表面材料为金，所述金具有化学钝性。
5.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，其特征在于：所述钝化层（4）的材料为AlXOY、SiOX、SiXNY、SiOxNy、TiOX、ZrOX或HfOX。
6.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，其特征在于：所述载膜（5）为具有粘性和延展性的LED蓝膜或LED白膜，所述LED蓝膜或LED白膜的材料为聚氯乙烯。
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| GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20181011 Address after: 214192 18 Xishan North Road, Xishan Economic Development Zone, Wuxi, Jiangsu Co-patentee after: Jiangsu Xinguanglian Semiconductors Co., Ltd. Patentee after: Jiangsu Xinguanglian Technology Co., Ltd. Address before: 214192 18 Xishan North Road, Xishan Economic Development Zone, Wuxi, Jiangsu Patentee before: Jiangsu Xinguanglian Technology Co., Ltd. |