JP2008047860A - 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】表面凹凸の形成方法は、ＧａＮ基板１１０を備えるステップと、前記ＧａＮ基板の一面上に表面凹凸１５０の形成領域を画定するマスク２００を形成するステップと、前記マスクをエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板の表面の一部をウェットエッチングするものの、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点まで行うステップと、を含む。また、前記表面凹凸の形成方法を利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する
【選択図】 図５

Description

本発明は、表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系（ＧａＮ）発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；以下、「ＬＥＤ」とする）素子の製造方法に関し、さらに詳細には、ＧａＮ基板を利用した垂直型窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の光抽出効率を向上させることができる表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法に関する。

一般に、窒化ガリウム系ＬＥＤはサファイア基板上に成長するが、このようなサファイア基板は、堅固で電気的に不導体であり、熱伝導特性がよくないから、窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の大きさを減らして製造原価を低減するか、又は光出力及びチップの特性を改善させるのに限界がある。

このようなサファイア基板を利用した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の高出力化による発熱問題を解決するために、最近では導電性と透過性が優れたＧａＮ基板を使用する窒化ガリウム系ＬＥＤ素子が提案されている。

一方、このような前記窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、これから抽出可能な光の効率、すなわち、光抽出効率を向上させるために、光が抽出される発光面に表面凹凸が形成されている。

以下、図１を参照して、従来の技術に係るＧａＮ基板を利用した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子のうち、垂直型窒化物系半導体発光素子について詳細に説明する。ここで、図１は、従来の技術によって製造された垂直型窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造を示した斜視図である。

図１に示すように、従来の技術によって製造された垂直型窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、ｎ−ＧａＮ基板１１０の下面に下へ活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０が順次形成されている発光構造物をなしており、前記ｐ型窒化物半導体層１３０の下面には、ｐ型電極１４０が形成されている。このとき、前記ｎ−ＧａＮ基板１１０は、活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０をエピタキシャル（ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長させ、これらを支持するために厚い厚さに形成されている。

また、前記ｎ−ＧａＮ基板１１０の上面、すなわち、発光構造物の発光面は、光抽出効率を向上させるための表面凹凸１５０を有し、その上にｎ型電極１６０が形成されている。

すなわち、前記従来の技術に係る垂直構造窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、堅固で電気的に不導体であり、熱伝導特性がよくないサファイア基板の代わりに、導電性と透過性が優れたＧａＮ基板１１０を使用することによって、ＧａＮ基板１１０上に活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０のような窒化物半導体層を形成するとき、同じ格子形態によって成長に応じる格子欠陥を最小化することができる。

そして、上記のように、表面凹凸１５０を有する窒化ガリウム系ＬＥＤ素子は、以下のように動作する。

前記ｐ型電極１４０を介して注入された正孔は、ｐ型電極１４０から横方向へ拡大されて、ｐ型窒化物半導体層１３０から活性層１２０に注入され、ｎ型電極１６０を介して注入された電子は、ｎ−ＧａＮ基板１１０から活性層１２０に注入される。そして、前記活性層１２０内で正孔と電子とが再結合して発光が発生する。この光は、ｎ−ＧａＮ基板１１０の表面凹凸１５０を介して窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の外に放出される。

ところが、上記のような従来の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の表面凹凸１５０は、発光面のｎ−ＧａＮ基板１１０に欠陥を最小化しながら表面凹凸１５０を形成するために、欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）の発生率が高いドライエッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程ではないウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を利用して形成している。

しかしながら、ウェットエッチング工程を利用して、表面凹凸１５０を形成すると、図２及び図３に示すように、前記表面凹凸１５０の大きさ及び密度を制御し難いという問題があった。

ここで、図２及び図３は、図１に示す垂直型窒化ガリウム系発光ダイオード素子の問題点を説明するために示した写真であって、図２は、表面凹凸１５０の密度が不規則に形成された状態を示しており、図３は、表面凹凸１５０の大きさが不規則に形成された状態を示している。

すなわち、上記のように、表面凹凸１５０の大きさ及び密度が不規則に形成されると、光抽出効率の改善効果が充分でない。

したがって、当技術分野では、欠陥の発生率を最小化し、かつ、光抽出効率の改善効果を極大化することができる新しい方案が要求されている。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、欠陥の発生率が低いウェットエッチング工程を利用するものの、ＧａＮ基板に規格化された表面凹凸を形成することができる表面凹凸の形成方法を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ＧａＮ基板からなる発光面が欠陥の発生率が低く、かつ、規格化された表面凹凸を有することができる窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成すべく、本発明に係る表面凹凸の形成方法は、ＧａＮ基板を備えるステップと、前記ＧａＮ基板の一面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップと、前記マスクをエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板の表面の一部をウェットエッチングするものの、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点まで行うステップと、を含む。

また、前記本発明の表面凹凸の形成方法において、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点で、互いに隣接する前記ＧａＮ基板の側面は、６０゜〜７０゜の範囲のθ角を有することが好ましい。

また、前記本発明の表面凹凸の形成方法において、前記マスクは、フォトレジスト、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉからなるグループから選択された何れか１つ以上の物質からなることが好ましい。

また、前記本発明の表面凹凸の形成方法において、前記ウェットエッチングは、ＫＯＨとＮａＯＨがＨ₂Ｏ又はエチレングリコールと混合された混合液、Ｈ₂ＳＯ₄及びＨ₃ＰＯ₄からなるグループから選択された何れか１つの物質をエッチング液として使用することが好ましい。

また、前記本発明の表面凹凸の形成方法において、前記ＧａＮ基板の一面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップにおいて、前記ＧａＮ基板の一面は、ｎ型極性を有することが好ましい。

また、上記の目的を達成すべく、本発明に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法は、ＧａＮ基板を用意するステップと、前記ＧａＮ基板のＧａ−極性を有する面上にエピタキシャル成長法により活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成するステップと、前記ｐ型窒化物半導体層上にｐ型電極を形成するステップと、前記ＧａＮ基板のｎ−極性を有する面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップと、前記マスクをエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板のｎ−極性を有する表面の一部をウェットエッチングするものの、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点まで行って、規格化された表面凹凸を形成するステップと、前記表面凹凸が形成されたＧａＮ基板上にｎ型電極を形成するステップと、を含む。

本発明によれば、ＧａＮ基板のｎ−極性を有する面にマスクを利用したウェットエッチング工程を適用することによって、欠陥の発生率を最小化するとともに、規格化された表面凹凸を形成することができる。

また、本発明は、ＧａＮ基板を利用した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の発光面に、すなわち、ＧａＮ基板のｎ−極性を有する面に素子の特性によって大きさ及び密度を制御して、規格化された表面凹凸を形成することによって、光抽出効率を向上させることができる。

したがって、本発明は、高輝度を具現することができる窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供することができる。

以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施の形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳細に説明する。

図面において、複数層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分に対しては、同一の図面符号を付してある。

以下、本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法について、図面を参考にして詳細に説明する。

表面凹凸の形成方法
図４Ａ〜図４Ｄ及び図５と図６を参考にして、本発明の実施の形態に係る表面凹凸の形成方法について詳細に説明する。

図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法を順次示した工程断面図であり、図５は、本発明によって製造された表面凹凸を示した断面写真であり、図６は、本発明によって製造された表面凹凸を示した平面写真である。

まず、図４Ａに示すように、ＧａＮ基板１１０を備えた後、前記ＧａＮ基板１１０の極性のうち、ｎ−極性を有する面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスク２００を形成する。このとき、前記マスク２００は、後述するＧａＮ基板１１０の表面凹凸を形成するためのエッチング工程の際、エッチングマスクとして機能する。

これにより、前記マスク２００は、前記ＧａＮ基板１１０とエッチング比が低い物質からなることが好ましく、さらに詳細には、フォトレジスト、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉなどからなることが好ましい。

また、前記マスク２００の大きさは、形成しようとする表面凹凸の大きさ及び密度によって変更できる。

その後、図４Ｂ〜図４Ｄに示すように、前記マスク２００をエッチングマスクとして前記ＧａＮ基板１１０の表面の一部をウェットエッチングする。このとき、前記ウェットエッチング工程時に、エッチング液は、ＫＯＨとＮａＯＨがＨ₂Ｏ又はエチレングリコールと混合された混合液、Ｈ₂ＳＯ₄及びＨ₃ＰＯ₄などを使用することが好ましい。

特に、前記ウェットエッチング工程は、前記マスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面の終端がこれと隣接してマスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面の終端と互いに会う時点まで行うことが好ましい。

図５及び図６に示すように、前記マスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面（Ａ面）の終端が、これと隣接してマスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板２００の側面（Ｂ面）の終端と互いに会う時点で、互いに隣接する前記ＧａＮ基板１１０の側面（Ａ面、Ｂ面）は、「Ｖ」形状の溝を有する表面凹凸１５０が形成され、この溝は、略６０゜〜７０゜の範囲のθ゜をなす。

また、上記のように製造された表面凹凸１５０を窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の発光面に適用すると、表面凹凸１５０が６０゜〜７０゜の範囲のθ゜を有することによって、窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の光抽出効率を最大化させることができる。これは、図７を参照すればさらに明確に分かる。ここで、図７は、本発明によって製造された表面凹凸のθ゜の大きさの変化に応じる光抽出効率の変化を示したグラフである。

したがって、本発明に係る表面凹凸１５０は、欠陥の発生率が低いウェットエッチング工程により形成しても、前記マスク２００を介して大きさ及び密度を容易に制御することができる。すなわち、表面凹凸１５０を形成するための工程の際、欠陥の発生率を最小化させることができるとともに、素子の特性によって表面凹凸１５０の大きさ及び密度を規格化させて、高輝度を具現する窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供することができる。

また、前記表面凹凸１５０の形状は、マスク２００の形状及び大きさに応じて、図８及び図９に示すように、素子の特性に合うように多様な形状に形成できる。ここで、図８及び図９は、図６に示す表面凹凸の変形例を示した写真である。

以下、上述の表面凹凸の形成方法を利用した窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法について、図面を参考にして詳細に説明する。

窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法
図１０Ａ〜図１０Ｅを参照して、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法について詳細に説明する。

図１０Ａ〜図１０Ｅは、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。

図１０Ａに示すように、窒化ガリウム系半導体の格子定数と近い格子定数を有するＧａＮ基板１１０を用意する。このとき、前記ＧａＮ基板１１０は、後続工程により複数の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、成長したこれらを支持するために、比較的厚い厚さに形成されている。

その後、前記ＧａＮ基板１１０のＧａ−極性を有する面上にエピタキシャル成長工程により活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０を順次形成する。このとき、前記活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０は、前記ＧａＮ基板１１０と同じ格子形態を有するＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-7)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１である）組成式を有する窒化ガリウム系半導体物質からなっている。すなわち、本発明は、前記ＧａＮ基板１１０、活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０間のエピタキシャル成長工程に応じる格子欠陥を最小化して、それぞれの層が優れた結晶性を有するように形成することができる。このとき、前記活性層１２０は、素子の特性及び工程条件により、１つの量子井戸層又はダブルヘテロ構造で形成されることができる。

一方、図示していないが、本発明は、前記ＧａＮ基板１１０の上面上に活性層１２０及びｐ型窒化物半導体層１３０を成長させるステップ（図１０Ａ参照）の前に、前記ＧａＮ基板１１０のＧａ−極性を有する面上にこれと同じ格子形態を有するｎ型窒化物半導体層を形成して、前記ＧａＮ基板１１０の低いドーピング濃度を向上させることにより、電流拡散効果を向上させることができる。

その後、前記ｐ型窒化物半導体層１３０上にｐ型電極１４０を形成する。このとき、前記ｐ型窒化物半導体層１３０は、ＧａＮ基板１１０に比べて相対的に導電性が不良であり、主に１μｍ以下の薄い厚さに形成され、かつ、ｐｎ接合と極めて類似の特性を有するから、電気的、熱的特性を考慮して、前記ｐ型窒化物半導体層１３０の上部全面にオーム特性と光反射特性を有するように形成することが好ましい。言い換えれば、前記ｐ型電極１４０は、オーム特性と光反射特性を同時に有した金属からなる単層又はオーム特性と光反射特性をそれぞれ有した金属が順次積層されてなる多層で形成できる。

次に、図１０Ｂに示すように、前記ＧａＮ基板１１０のｎ−極性を有する面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスク２００を形成する。このとき、前記マスク２００は、後述するＧａＮ基板１１０の表面凹凸を形成するためのエッチング工程の際、エッチングマスクとして機能する。

これにより、前記マスク２００は、前記ＧａＮ基板１１０とエッチング比が低い物質からなることが好ましく、さらに詳細には、フォトレジスト、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉなどからなることが好ましい。

また、前記マスク２００の大きさは、形成しようとする表面凹凸の大きさ及び密度によって変更できる。

その後、図１０Ｃに示すように、前記マスク２００をエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板１１０のｎ−極性を有する面の一部をウェットエッチングする。このとき、前記ウェットエッチング工程時、エッチング液は、ＫＯＨとＮａＯＨがＨ₂Ｏ又はエチレングリコールと混合された混合液、Ｈ₂ＳＯ₄及びＨ₃ＰＯ₄などを使用することが好ましい。

特に、前記ウェットエッチング工程は、前記マスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面の終端が、これと隣接してマスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面の終端と互いに会う時点まで行って、前記マスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板１１０の側面の終端が、これと隣接してマスク２００を介してエッチングされるＧａＮ基板２００の側面の終端と互いに会う時点で、図１０Ｄに示すように、互いに隣接する前記ＧａＮ基板１１０の側面が「Ｖ」形状の溝を有する表面凹凸１５０を形成する。このとき、前記表面凹凸がなす「Ｖ」形状の溝は、略６０゜〜７０゜の範囲のθ゜をなす。

その後、図１０Ｅに示すように、前記表面凹凸１５０が形成されたＧａＮ基板１１０上にｎ型電極１６０を形成する。前記ｎ型電極１６０は、オーム特性を有する金属を使用して形成することが好ましい。

その後、通常の垂直構造窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法によって、ボンディング工程及びパッケージング工程などのような後続工程を行う。

上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更を行うことが可能であり、このような置換、変更なども特許請求の範囲に属するものである。

従来の技術によって製造された垂直型窒化ガリウム系発光ダイオード素子の構造を示した斜視図である。 図１に示す垂直型窒化ガリウム系発光ダイオード素子の問題点を説明するために示した写真である。 図１に示す垂直型窒化ガリウム系発光ダイオード素子の問題点を説明するために示した写真である。 本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る表面凹凸の形成方法を順次示した工程断面図である。 本発明によって製造された表面凹凸を示した断面写真である。 本発明によって製造された表面凹凸を示した平面写真である。 本発明によって製造された表面凹凸のθ゜の大きさの変化に応じる光抽出効率の変化を示したグラフである。 図６に示す表面凹凸の変形例を示した写真である。 図６に示す表面凹凸の変形例を示した写真である。 本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。 本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を順次示した工程断面図である。

符号の説明

１１０ ＧａＮ基板
１２０ 活性層
１３０ ｐ型窒化物半導体層
１４０ ｐ型電極
１５０ 表面凹凸
１６０ ｎ型電極
２００ マスク

Claims (9)

1. ＧａＮ基板を備えるステップと、
   前記ＧａＮ基板の一面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップと、
   前記マスクをエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板の表面の一部をウェットエッチングするものの、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点まで行うステップと、
   を含む表面凹凸の形成方法。
2. 前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点で、互いに隣接する前記ＧａＮ基板の側面は、６０゜〜７０゜の範囲のθ角を有することを特徴とする請求項１に記載の表面凹凸の形成方法。
3. 前記マスクは、フォトレジスト、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉからなるグループから選択された何れか１つ以上の物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表面凹凸の形成方法。
4. 前記ウェットエッチングは、ＫＯＨとＮａＯＨがＨ₂Ｏ又はエチレングリコールと混合された混合液、Ｈ₂ＳＯ₄及びＨ₃ＰＯ₄からなるグループから選択された何れか１つの物質をエッチング液として使用することを特徴とする請求項１に記載の表面凹凸の形成方法。
5. 前記ＧａＮ基板の一面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップにおいて、前記ＧａＮ基板の一面は、ｎ−極性を有することを特徴とする請求項１に記載の表面凹凸の形成方法。
6. ＧａＮ基板を用意するステップと、
   前記ＧａＮ基板のＧａ−極性を有する面上にエピタキシャル成長法により活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成するステップと、
   前記ｐ型窒化物半導体層上にｐ型電極を形成するステップと、
   前記ＧａＮ基板のｎ−極性を有する面上に表面凹凸の形成領域を画定するマスクを形成するステップと、
   前記マスクをエッチングマスクとして、前記ＧａＮ基板のｎ−極性を有する表面の一部をウェットエッチングするものの、前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点まで行って、規格化された表面凹凸を形成するステップと、
   前記表面凹凸が形成されたＧａＮ基板上にｎ型電極を形成するステップと、を含む窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
7. 前記マスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端が、これと隣接してマスクを介してエッチングされるＧａＮ基板の側面の終端と互いに会う時点で、互いに隣接する前記ＧａＮ基板の側面は、６０゜〜７０゜の範囲のθ角を有することを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
8. 前記マスクは、フォトレジスト、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉからなるグループから選択された１つ以上の物質からなることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
9. 前記ウェットエッチングは、ＫＯＨとＮａＯＨがＨ₂Ｏ又はエチレングリコールと混合された混合液、Ｈ₂ＳＯ₄及びＨ₃ＰＯ₄からなるグループから選択された何れか１つの物質をエッチング液として使用することを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。

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