JP2008047858A - 垂直構造窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】垂直構造窒化物系半導体発光素子は、構造支持層200と、前記構造支持層上に形成されたp型電極150と、前記p型電極上に形成されたp型窒化物半導体層140と、前記p型窒化物半導体層上に形成された活性層130と、前記活性層上に形成されたn型窒化物半導体層120と、前記n型窒化物半導体層上の一部に形成されたn型電極160と、前記n型電極が形成されない前記n型窒化物半導体層上に形成され、表面に凹凸が形成されたバッファ層110と、を含み、前記n型電極と接する前記n型窒化物半導体層の表面が平坦である。また、本発明は、前記垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【選択図】 図2
Description
まず、図2を参照して、本発明の実施の形態に係る垂直構造窒化物系半導体発光素子について詳細に説明する。
以下、本発明の実施の形態に係る垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法について、図3A〜図3Eを参照して詳細に説明する。
以下、本発明の変形例に係る垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法につて、図4A〜図4Eを参照して詳細に説明する。ここで、前記垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法に関する実施の形態と同じ部分は、その詳細な説明を省略する。
110 バッファ層
120 n型窒化物半導体層
130 活性層
140 p型窒化物半導体層
150 p型電極
160 n型電極
200 構造支持層
Claims (7)
- 構造支持層と、
前記構造支持層上に形成されたp型電極と、
前記p型電極上に形成されたp型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上の一部に形成されたn型電極と、
前記n型電極が形成されない前記n型窒化物半導体層上に形成され、表面に凹凸が形成されたバッファ層と、
を含み、
前記n型電極と接する前記n型窒化物半導体層の表面が平坦であることを特徴とする垂直構造窒化物系半導体発光素子。 - 基板上にバッファ層、n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に形成するステップと、
前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、
前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、
前記基板をLLO工程により除去するステップと、
前記基板が除去された前記バッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップと、
前記平坦に露出したn型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップと、
前記エッチングされないバッファ層の表面に凹凸を形成するステップと、
を含む垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記バッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップにおいて、ドライエッチング方式を利用することを特徴とする請求項2に記載の垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 基板上にバッファ層、n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に形成するステップと、
前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、
前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、
前記基板をLLO工程により除去するステップと、
前記基板が除去された前記バッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップと、
前記エッチングされないバッファ層の表面に凹凸を形成するステップと、
前記平坦に露出したn型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップと、
を含む垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記バッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップにおいて、ドライエッチング方式を利用することを特徴とする請求項4に記載の垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 基板上にバッファ層、n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に形成するステップと、
前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、
前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、
前記基板をLLO工程により除去するステップと、
前記基板が除去された前記バッファ層の表面全体に凹凸を形成するステップと、
前記凹凸が形成されたバッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップと、
前記平坦に露出したn型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップと、
を含む垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記凹凸が形成されたバッファ層の一部を選択的にエッチングして、前記n型窒化物半導体層の一部を平坦に露出させるステップにおいて、ドライエッチング方式を利用することを特徴とする請求項6に記載の垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法。
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