KR100969131B1 - 발광 소자 제조방법 - Google Patents

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강대성
이상열
문지형
송준오
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Abstract

실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 기판 상에 확산층을 형성하는 단계; 상기 확산층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생층을 분해함으로써 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하며, 상기 확산층의 밴드갭 에너지는 상기 레이저의 에너지보다 크고, 상기 확산층의 열전도율은 상기 기판의 열전도율보다 크다.

Description

발광 소자 제조방법{METHOD FOR FABRICATING OF LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
발광 다이오드의 휘도 및 성능을 더욱 향상시키기 위해 광 추출 구조를 개선하는 방법, 활성층의 구조를 개선하는 방법, 전류 퍼짐을 향상하는 방법, 전극의 구조를 개선하는 방법, 발광 다이오드 패키지의 구조를 개선하는 방법 등 다양한 방법들이 시도되고 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 기판 상에 확산층을 형성하는 단계; 상기 확산층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생층을 분해함으로써 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하며, 상기 확산층의 밴드갭 에너지는 상기 레이저의 에너지보다 크고, 상기 확산층의 열전도율은 상기 기판의 열전도율보다 크다.
실시예는 성장기판을 분리시키는 공정의 신뢰성이 향상된 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 5는 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하는 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에 대해 설명한다.
도 1 내지 도 5는 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 다수의 질화물 반도체층을 형성한다.
상기 다수의 질화물 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 질화물 반도체 재료로 형성되며, 확산층(112), 상기 확산층(112) 상에 희생층(115), 상기 희생층(115) 상에 제1 반도체층(130), 상기 제1 반도체층(130) 상에 활성층(140), 상기 활성층(140) 상에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)은 빛을 생성하는 발광 구조물(145)을 이룬다.
상기 확산층(112) 및 상기 희생층(115)의 격자 상수는 상기 발광 구조물(145)의 격자 상수값과 상기 발광 구조물(145)의 격자 상수값의 중간값을 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 발광 구조물(145)과 상기 기판(110) 사이의 격자 상수 차이에 의해 발생할 수 있는 결함(defect) 및 전위(dislocation)를 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 확산층(112) 및 상기 희생층(115)은 후속 공정인 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정에 의해 상기 발광 구조물(145)로부터 상기 기판(110)을 안정적으로 분리시키므로, 상기 발광 구조물(145)을 보호하는 동시에 상기 기판(110)의 재사용을 가능하게 하는 효과가 있다. 이에 대해서는 자세히 후술한다.
상기 기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 Ge 중 적어도 하나의 재질로 선택될 수 있다.
다만, 상기 레이저에 의해 상기 기판(110)이 손상되는 것을 방지하기 위해, 상기 기판(110)은 밴드갭 에너지(Band Gap Energy)가 후술할 레이저 리프트 오프(LLO) 공정에서 사용되는 레이저(Laser)의 에너지보다 큰 것으로 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(110)의 밴드갭 에너지는 적어도 6.5 eV 일 수 있으며, 바람직하게는 7 eV 이상일 수 있다. 실시예에서는, 상기 기판(110)이 대략 9.5 eV 내지 10.5 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 사파이어(Al2O3)로 형성된 것을 중심으로 설명하지만, 이에 한정하지는 않는다.
한편, 비록 도시되지는 않았지만, 상기 기판(110)은 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 선택되거나, 상기 기판(110)의 상면이 주 평면(main surface)에 대해 소정의 경사를 가지도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 다수의 질화물 반도체층은 상기 기판(110) 상에 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 확산층(112)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤0.5, 0.15≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 질화물 반도체 재료로 형성될 수 있는데, 이때, 상기 확산층(112)은 밴드갭 에너지(Band Gap Energy)가 상기 희생층(115)의 밴드갭 에너지보다 크고, 상기 레이저의 에너지보다는 작은 재질로 선택될 수 있으며, 상기 확산층(112)의 밴드갭 에너지는 예를 들어 적어도 3.5eV, 바람직하게는 적어도 5eV으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 확산층(112)을 상기 유기금속 화학 증착법(MOCVD)을 사용하여 형성하는 경우, 상기 확산층(112)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 인듐 가스(TMIn), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 및 수소 가스(H2) 중 적어도 하나의 가스를 주입하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 확산층(112)은 상기 기판(110) 및 상기 발광 구조물(145) 사이의 격자 상수 차이를 완화하는 동시에, 후술할 레이저 리프트 오프 공정에서 조사되는 레이저(Laser)의 에너지가 상기 희생층(115)의 전 영역에 대해 고르게 확산되도록 하여, 상기 레이저 리프트 오프 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이를 위해, 상기 확산층(112)은 열전도율이 상기 기판(110)의 열전도율보다 큰 것으로 선택될 수 있다. 즉, 상기 레이저(Laser)의 에너지는 상기 확산층(112)에 의해 열 에너지로 변환되며, 상기 확산층(112)은 높은 열전도율을 가지므로 상기 열 에너지를 효과적으로 전 영역에 확산(spreading)시켜 상기 희생층(115)에 전달할 수 있다.
상기 확산층(112)의 열전도율은 상기 확산층(112)에 포함된 알루미늄(Al)의 함량에 따라 조절될 수 있는데, 예를 들어, 상기 기판(110)이 사파이어(Al2O3)로 형성된 경우, 상기 기판(110)의 열전도율은 대략 0.4 W/cm·K 내지 0.5 W/cm·K 일 수 있는데, 상기 확산층(112)은 바람직하게는, 이보다 큰 1.5 W/cm·K 내지 3.5 W/cm·K 의 열전도율을 갖는 재질로 선택될 수 있다. 따라서, 상기 레이저에서 인가된 에너지는 상기 확산층(112)의 전 영역에 고르게 확산되어 후술할 레이저 리프트 오프(LLO) 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 확산층(112)이 그 기능을 충분히 수행하기 위해, 상기 확산층(112)의 두께는 적어도 5nm 일 수 있으며, 바람직하게는 10nm 이상, 더욱 바람직하게는 20nm 내지 100nm 일 수 있다.
한편, 상기 확산층(112)은 다수의 층으로 형성되거나, 형성되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 상기 확산층(112)은 AlN을 포함하는 형성된 제1층, AlGaN을 포함하는 제2층, InGaN을 포함하는 제3층을 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 확산층(112)이 다수의 층을 포함하는 경우, 상기 다수의 층의 밴드갭 에너지는 점차적으로 증가 또는 감소하도록 형성될 수 있으며, 이는 실시예에 따른 발광 소자의 설계에 따라 변형될 수 있다.
상기 확산층(112) 상에는 상기 희생층(115)이 형성될 수 있다. 상기 희생층(115)은 InxAlyGa1-x-yN (0.15≤x≤1, 0≤y≤0.15, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 질화물 반도체 재료로 형성될 수 있는데, 이때, 상기 희생층(115)은 밴드갭 에너지(Band Gap Energy)가 상기 확산층(112)의 밴드갭 에너지 및 상기 레이저의 에너지보다 작은 재질로 선택될 수 있으며, 상기 희생층(115)의 밴드갭 에너지는 예를 들어 1 내지 4 eV, 바람직하게는 1 내지 3 eV으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 희생층(115)을 상기 유기금속 화학 증착법(MOCVD)을 사용하여 형성하는 경우, 상기 희생층(115)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 인듐 가스(TMIn), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 및 수소 가스(H2) 중 적어도 하나의 가스를 주입하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희생층(115)은 후술할 레이저 리프트 오프(LLO) 공정에서 조사되는 상기 레이저(Laser)의 에너지에 의해 형성된 열 에너지를 흡수하며, 상기 열 에너지에 의해 분해됨으로써 상기 기판(110)을 상기 발광 구조물(145)로부터 분리시키게 된다.
따라서, 상기 희생층(115)은 열 흡수 계수가 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 희생층(115)의 두께는 50nm 내지 100nm이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 희생층(115)은 다수의 층으로 형성될 수 있으며, 상기 다수의 층은 예를 들어, InN을 포함하는 제1층, InGaN을 포함하는 제2층으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 희생층(115) 상에는 상기 발광 구조물(145)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(145)은 제1 반도체층(130), 상기 제1 반도체층(130) 상에 활성층(140), 상기 활성층(140) 상에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체층(130)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 비전도성 반도체층을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기금속 화학 증착법(MOCVD)을 사용하는 경우, 상기 제1 도전형 반도체층은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 인듐 가스(TMIn), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 수소 가스(H2) 중 적어도 하나의 가스 및 실리콘(Si)과 같은 n형 도펀트를 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 비전도성 반도체층은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있으며, 상기 n형 도펀트가 도핑되지 않아 상기 제1 도전형 반도체층에 비해 현저히 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 상기 제1 도전형 반도체층과 같다.
상기 제1 반도체층(130) 상에는 상기 활성층(140)이 형성될 수 있다. 상기 활성층(140)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기금속 화학 증착법(MOCVD)을 사용하는 경우, 상기 활성층(140)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 인듐 가스(TMIn), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 등을 주입하여 InGaN/GaN 구조를 갖는 다중 양자우물구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(140)은 상기 제1 반도체층(130) 및 제2 도전형 반도체층(150)으로부터 제공되는 전자 및 정공의 재결합(recombination) 과정에서 발생되는 에너지에 의해 빛을 생성할 수 있다.
상기 활성층(140) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(150)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기금속 화학 증착법(MOCVD)을 사용하는 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(150)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 인듐 가스(TMIn), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 수소 가스(H2) 중 적어도 하나의 가스 및 마그네슘(Mg)과 같은 p형 도펀트를 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}이 주입되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 구조물(145) 상면의 둘레 영역에 보호부재(155), 상기 발광 구조물(145) 및 상기 보호부재(155) 상에 반사층(158), 상기 반사층(158) 상에 전도성 지지부재(160)가 형성될 수 있다.
상기 보호부재(155)는 상기 발광 구조물(145)과 상기 전도성 지지부재(160) 사이의 전기적 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
이를 위해, 상기 보호부재(155)는 전기절연성을 갖는 재질, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 보호부재(155)의 두께는 0.5μm 내지 100μm 이고, 증착 방법 또는 포토리소그래피 방법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 보호부재(155) 및 상기 발광 구조물(145) 상에는 상기 반사층(158)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(158)은 상기 발광 구조물(145)로부터 방출되는 빛을 반사시킴으로써 실시예에 따른 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 반사층(158)은 반사율이 높은 재질, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 반사층(158)이 상기 발광 구조물(145)과 오믹 접촉을 이루지 않는 경우, 상기 반사층(158)과 상기 발광 구조물(145) 사이에는 별도의 오믹접촉층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사층(158) 상에는 상기 전도성 지지부재(160)가 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(160)는 실시예에 따른 발광 소자를 지지하고 전원을 제공할 수 있으며, 그 재질은 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN 등) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 반사층(158) 및 상기 전도성 지지부재(160)는 증착 방법, 도금 방법, 포토리소그래피 방법 등에 의해 형성될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도 2의 발광 소자의 하면, 즉, 상기 기판(110)의 하면에 대해 레이저(Laser)를 조사하여, 상기 기판(110)을 상기 발광 구조물(145)로부터 분리시키는 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정을 실시한다.
상기 레이저(Laser)의 에너지는 상기 확산층(112)의 밴드갭 에너지보다 작고, 상기 희생층(115)의 밴드갭 에너지보다는 클 수 있다. 이때, 상기 레이저(Laser)의 에너지는 아래 <표1>와 같이, 파장에 따라 상이할 수 있으며, 상기 확산층(112) 및 희생층(115)의 재질에 따라 상기 레이저(Laser)는 적절한 것으로 선택될 수 있다.
레이저 파장(nm) 193 248 266 355 532 1064
레이저 에너지(eV) 6.4 5 4.7 3.5 2.3 1.2
상기 레이저(Laser)가 조사됨에 따라 상기 레이저의 에너지는 상기 확산층(112)에 의해 열 에너지로 변환되며, 상기 열 에너지는 작은 밴드갭 에너지를 갖는 상기 희생층(115)이 분해되도록 한다. 즉, 상기 희생층(115)을 구성하는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)은 상기 열 에너지에 의해 In, Al, Ga 및 질소(N2)로 분해되며, 이에 따라 상기 희생층(115)이 제거되어 상기 기판(110)과 상기 발광 구조물(145)의 분리가 이루어질 수 있다.
구체적으로는, 도 4에 도시된 것처럼, 상기 전도성 지지부재(160)로부터 상기 발광 구조물(145)에 이르는 제1 파트와, 상기 확산층(112)으로부터 상기 기판(110)에 이르는 제2 파트가 서로 분리될 수 있으며, 이때, 상기 제1,2 파트의 분리면에는 도면 부호 115a,115b와 같이 상기 희생층(115)이 1nm내지 99nm 정도 잔존할 수 있다.
기존의 레이저 리프트 오프 공정의 경우, 레이저가 분리면에 고르게 조사되지 못하여 발광 구조물의 손상이 발생하는 문제점이 있었다.
하지만, 실시예에서는 앞에서 설명한 것처럼 높은 열전도율을 갖는 상기 확산층(112)에 의해 열 에너지로 변환된 상기 레이저(Laser)의 에너지가 고르게 확산되어 상기 희생층(115)에 전달되게 된다. 또한, 상기 확산층(112)의 높은 밴드갭 에너지는 상기 레이저(Laser)에 의해 상기 발광 구조물(145)에 전해지는 충격을 완화하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시예에 따라 상기 확산층(112)을 형성함으로써, 상기 레이저 리프트 오프(LLO) 공정에 의한 상기 발광 구조물의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 실시예에서는 기판과 질화물 반도체층 사이의 계면에서 기판이 분리되는 것이 아니고, 질화물 반도체층들(112,115,130) 사이의 계면이 분리됨으로써 상기 기판(110)을 제거하므로, 상기 기판(110)에 발생되는 손상을 최소화하고 상기 기판(110) 상에 잔존하는 질화물 반도체층을 에칭 등에 의해 용이하게 제거함으로써 상기 기판(110)을 재사용할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 등에 의해 노출된 상기 제1 반도체층(130)에 전극패드(170)를 형성하여 실시예에 따른 발광 소자를 제공할 수 있다.
한편, 상기 전극패드(170)를 형성하기 전에, 상기 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 후에 잔존하는 상기 비전도성 반도체층 및 상기 희생층(115) 등을 제거하는 RIE/ICP (Reactive Ion Etch/Inductively Coupled Plasma) 와 같은 에칭 공정이 실시될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 전극패드(170)는 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 증착 방법, 도금 방법 및 포토리소그래피 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판, 112: 확산층, 115:희생층, 130:제1반도체층, 140:활성층, 150:제2도전형 반도체층, 145: 발광 구조물, 158:반사층, 160: 전도성 지지부재, 170:전극패드

Claims (18)

  1. 기판 상에 확산층을 형성하는 단계;
    상기 확산층 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 및
    상기 기판 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생층을 분해함으로써 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하며,
    상기 확산층의 밴드갭 에너지는 상기 레이저의 에너지보다 크고, 상기 확산층의 열전도율은 상기 기판의 열전도율보다 큰 발광 소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 확산층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤0.5, 0.15≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 확산층의 밴드갭 에너지는 상기 희생층의 밴드갭 에너지보다 큰 발광 소자 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 확산층의 밴드갭 에너지는 적어도 3.5eV 인 발광 소자 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 확산층의 열 전도율은 1.5 W/cm·K 내지 3.5 W/cm·K 인 발광 소자 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 확산층의 두께는 5nm 내지 100nm 인 발광 소자 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 확산층은 다수의 층을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 Ge 중 적어도 하나의 재질로 형성된 발광 소자 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 밴드갭 에너지는 상기 레이저의 에너지보다 큰 발광 소자 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 희생층은 InxAlyGa1-x-yN (0.15≤x≤1, 0≤y≤0.15, 0≤x+y≤1)을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 희생층의 밴드갭 에너지는 1 내지 4 eV 인 발광 소자 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 희생층의 두께는 50nm 내지 100nm인 발광 소자 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재를 형성하는 단계 이전에,
    상기 발광 구조물 상면의 둘레 영역에 보호부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저의 에너지는 1.2eV 내지 6.4eV 인 발광 소자 제조방법.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생층을 분해함으로써 상기 기판을 분리시키는 단계에 있어서,
    상기 레이저를 조사함으로써 상기 전도성 지지부재로부터 상기 발광 구조물에 이르는 제1 파트와, 상기 확산층으로부터 상기 기판에 이르는 제2 파트가 서로 분리되는 발광 소자 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 파트 및 제2 파트 사이의 분리 계면에 상기 희생층이 1nm내지 99nm 잔존하는 발광 소자 제조방법.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 기판을 제거하는 단계 이후에,
    상기 기판을 제거함으로써 노출된 상기 발광 구조물에 전극패드를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
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TW100105922A TWI437728B (zh) 2010-03-05 2011-02-23 發光裝置及其製造方法、發光裝置封裝件
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180086973A (ko) * 2017-01-24 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2761677B1 (en) * 2011-09-30 2019-08-21 Microlink Devices, Inc. Light emitting diode fabricated by epitaxial lift-off
EP2618385A1 (de) * 2012-01-20 2013-07-24 AZUR SPACE Solar Power GmbH Halbzeug einer Mehrfachsolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachsolarzelle
TWI488336B (zh) * 2012-06-07 2015-06-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體及其製造方法
KR20140014625A (ko) * 2012-07-25 2014-02-06 서울바이오시스 주식회사 질화갈륨계 반도체 소자를 제조하는 방법
KR101537330B1 (ko) * 2012-12-28 2015-07-16 일진엘이디(주) 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법
TWI642204B (zh) * 2014-04-02 2018-11-21 國立交通大學 發光二極體元件
DE102014105192A1 (de) * 2014-04-11 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Ablösen einer abzulösenden Schicht von einem Substrat
US9793436B2 (en) 2015-01-16 2017-10-17 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
WO2016190569A1 (en) * 2015-05-22 2016-12-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode with high efficiency
KR101761835B1 (ko) * 2015-05-22 2017-07-26 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
WO2017004497A1 (en) * 2015-07-01 2017-01-05 Sensor Electronic Technology, Inc. Substrate structure removal
US10950747B2 (en) * 2015-07-01 2021-03-16 Sensor Electronic Technology, Inc. Heterostructure for an optoelectronic device
TWI603498B (zh) 2016-07-05 2017-10-21 隆達電子股份有限公司 側面發光雷射元件
JP6824501B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
JP7206109B2 (ja) * 2018-12-28 2023-01-17 株式会社ディスコ リフトオフ方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050060740A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR100784383B1 (ko) 2005-12-27 2007-12-11 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100843408B1 (ko) 2006-12-01 2008-07-03 삼성전기주식회사 반도체 단결정 및 반도체 발광소자 제조방법
KR100939929B1 (ko) 2001-07-16 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209569A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Hewlett Packard Co <Hp> ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法
US20030160229A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-28 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
JP4218597B2 (ja) * 2003-08-08 2009-02-04 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
DE60341314C5 (de) * 2003-12-09 2023-03-23 The Regents Of The University Of California Hocheffiziente leuchtdioden auf galliumnitridbasis mit oberflächenaufrauhung
KR100594854B1 (ko) 2004-03-10 2006-06-30 볼보 컨스트럭션 이키프먼트 홀딩 스웨덴 에이비 비상시 작업장치 제어방법
KR101166922B1 (ko) 2005-05-27 2012-07-19 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
KR101154744B1 (ko) * 2005-08-01 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
DE102005055293A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
KR100663016B1 (ko) 2005-09-06 2006-12-28 엘지전자 주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2009514209A (ja) 2005-10-29 2009-04-02 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半導体装置及びその製造方法
KR100717276B1 (ko) * 2005-10-29 2007-05-15 삼성전자주식회사 발광 소자용 구조체, 이를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR101113878B1 (ko) * 2006-06-23 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
US20080042149A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Vertical nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
KR101282775B1 (ko) * 2006-11-03 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR101316492B1 (ko) 2007-04-23 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP4599442B2 (ja) * 2008-08-27 2010-12-15 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
CN101494268B (zh) * 2008-11-24 2010-12-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100939929B1 (ko) 2001-07-16 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR20050060740A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR100784383B1 (ko) 2005-12-27 2007-12-11 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100843408B1 (ko) 2006-12-01 2008-07-03 삼성전기주식회사 반도체 단결정 및 반도체 발광소자 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180086973A (ko) * 2017-01-24 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR102633033B1 (ko) * 2017-01-24 2024-02-02 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법

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