KR100723150B1 - 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 - Google Patents

수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 Download PDF

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KR100723150B1
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Abstract

본 발명은 수직구조 질화물 반도체 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n측 전극을 포함하며, 상기 오믹콘택층과 쇼트키 접합을 갖도록 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 일부 영역에 질화물 단결정이 손상된 고저항영역이 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding), 플라즈마(plasma)

Description

수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법{VERTICAL TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF OF MANUFACTURING THE SAME}
도1은 종래의 질화물 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 수직구조 질화물 발광소자의 측단면도 및 X-X'방향으로 절개하여 본 상부평면도이다.
도3a 내지 도3e는 도2a에 도시된 수직구조 질화물 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 질화물 발광소자의 측단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
22,32,42: n형 질화물 반도체층 23,33,43: 활성층
24,34,44: p형 질화물 반도체층 24a,34a,42a,44a: 고저항영역
26,36: 고반사성 오믹콘택층 46: 광투과성 오믹콘택
47: 고반사성 금속층 28,38,48: 도전성 기판
29,39,49: n측 전극 29a,39a,49a: 투명전극층
29b,39b,49b: n측 본딩메탈
본 발명은 수직구조 질화물 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전류분산효율을 크게 개선함으로써 휘도를 갖는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 발광소자는 AlxInyGa(1-x-y)N(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 물질로 제조된다. 이러한 질화물 반도체 결정은 격자상수 등을 고려하여 사파이어기판과 같은 제한된 질화물 단결정성장용 기판에서 성장된다.
상기 사파이어 기판은 전기적 절연성 기판이므로, 일반적으로 질화물 반도체 발광소자는 p측 및 n측 전극이 동일면 상에 형성된 구조를 갖는다. 하지만, 이러한 구조는 횡방향으로 전류가 집중되어 전류분산효율이 낮다는 문제점이 있다. 이러한 전류분산효율 문제를 구조적으로 해결하기 위해서, 두 전극이 소자의 대향하는 양면에 배치된 수직구조 발광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도1에는 종래의 수직구조 질화물 발광소자의 일예가 도시되어 있다.
도1에 도시된 바와 같이,질화물 반도체 발광소자(10)는 도전성 기판(18), 오 믹콘택층(16), p형 질화물 반도체층(14), 활성층(13) 및 n형 질화물 반도체층(12)을 포함한다. 상기 n형 질화물 반도체층(12) 상에는 투명전극층(19a)과 n측 본딩메탈(19b)로 이루어진 n측 전극(19)이 형성되며, 도시되지 않았으나, 상기 도전성 기판(10)의 하면에는 p측 본딩메탈이 형성될 수 있다.
이러한 수직구조 질화물 발광소자(10)는 수직방향으로 전류흐름이 형성되므로, 전류분산효율을 개선할 수 있다. 하지만, 수직구조에서의 전류흐름도 본딩메탈(19b)의 위치에 의해 중앙영역으로 전류가 집중되는 경향이 있다는 문제가 있다. 따라서, 도1에 도시된 발광소자와 같이, 오믹콘택층(16)과 접하는 p형 질화물 반도체층(14) 표면의 중앙영역에 전류차단층(15)을 추가로 형성함으로써 화살표로 표시된 바와 같이, 전체 영역에 걸쳐 균일하게 전류를 분포시켜 발광효율을 향상시킬 수 있다..
상기 전류차단층(15)은 SiO2와 같은 실리콘계 유전체와 같은 절연물질이 사용된다. 하지만, 이러한 전류차단층(15)의 구성물질은 상대적으로 높은 광흡수율을 가지므로, 활성층으로부터 발생된 광이 추출되지 못하고 상기 전류차단층(15)에 흡수되는 손실이 크다는 문제가 있다. 이로 인해 실질적인 발광효율이 저하될 수 있다.
따라서, 당 기술분야에서는 수직구조 질화물 발광소자에서 광손실을 야기하지 않으면서도 전류분산효율을 개선시킬 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
본 발명은 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 광손실을 야기할 수 있는 새로운 절연물질을 이용한 전류분산구조를 채용하는 대신에, 질화물 단결정 특성을 국부적으로 변화시켜 쇼트키 접합영역을 형성함으로써 전류분산효율을 개선한 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은,
도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n측 전극을 포함하며, 상기 오믹콘택층과 쇼트키 접합을 갖도록 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 일부 영역에 질화물 단결정이 손상된 고저항영역이 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
바람직하게 상기 고저항영역은 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 중앙 영역에 형성된 것일 수 있다.
바람직하게, 상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층 또는 상기 n측 전극에 대한 접촉저항이 10-2Ωㆍ㎠ 이상일 수 있다. 이러한 고저항영역의 두께는, 그 고저항영역이 형성된 상기 p형 또는 상기 n형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 상기 고저항영역의 형성면적은, 그 고저항영역이 형성된 상기 p형 또는 n형 질화물 반도체층면의 전체 면적의 10∼50%인 것이 바람직하다.
바람직한 실시형태에서는, 상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층과 접한 상기 p형 질화물 반도체층의 영역과 상기 n형 전극이 접한 상기 n형 질화물 반도체층의 영역에 모두 형성될 수 있다.
필요에 따라, 상기 오믹콘택층은 고반사성 오믹콘택층일 수 있으며, 상기 오믹콘택층은 광투과성 물질이며, 상기 오믹콘택층과 상기 도전성 기판 사이에 고반사성 금속층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 방법은, 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성된 순차적으로 오믹콘택층, p형 질화물 반도체층, 활성층, 및 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n측 전극을 포함한 수직구조 질화물 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역과 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 한 영역의 거의 중앙영역에 선택적으로 플라즈마 처리를 실시함으로써 그 질화물 단결정이 손상되어 상기 오믹콘택층과 쇼트키 접합을 갖는 고저항영역을 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 고저항영역을 형성하는 단계는, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 실시된다. 이러한 불활성 가스로는 Ar, He, N2, CF4 및 H2가 사용될 수 있다.
본 발명에서 채용된 고저항영역은 결정성이 고의적으로 손상시킨 고저항영역을 말한다. 이와 같이, 본 발명은 추가적인 물질로 이루어진 고저항층을 채용하지 않고, p형 또는 n형 질화물 반도체층 영역의 중앙영역에 플라즈마 처리를 적용함으로써 결정성 손상되어 쇼트키 접합영역을 형성하는 고저항영역을 제공하는데 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명한다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 수직구조 질화물 발광소자의 측단면도 및 X-X'방향으로 절개하여 본 상부평면도이다.
도2a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 수직구조 질화물 발광소자(20)는, 오믹콘택층(26)이 형성된 도전성 기판(28)과, 상기 오믹콘택층(26) 상에 순차적으로 형성된 p형 질화물 반도체층(24), 활성층(23) 및 n형 질화물 반도체층(22)을 포함한다.
상기 도전성 기판(28)은 전도성 접착층 또는 가열압착방식을 이용하여 부착된 별도의 도전성 기판이거나, 도금공정에 의해 형성된 금속층일 수 있다. 상기 오믹콘택층(26)은 p형 질화물 반도체층(24)과 오믹접촉을 형성하기 위한 물질로 이루어지며, 본 실시형태와 같이, 원하는 방향으로 보다 많은 광이 방출되도록 고반사성 오믹콘택층(26)을 채용하는 것이 바람직하다. 이러한 고반사성 오믹콘택층(26)은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 바람직하게 상기 고반사성 오믹콘택층(26)은 Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al 또는 Ni/Ag/Pt로 형성될 수 있다. 또한, 상기 고반사성 오믹콘택층이 Ag를 포함하는 경우에는 Ag의 이동으로 인한 누설전류발생을 방지하기 위해서, 추가적으로 Ni과 TiW와 같은 물질로 배리어금속층(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 도전성 기판(28)의 하면에는 Cr/Au와 같은 물질로 p측 본딩메탈(미도시)을 추가될 수 있다. n측 전극(29)은 n형 질화물 반도체층(22) 상에 형성된 투명전극층(29a)과 n측 본딩메탈(29b)으로 구현될 수 있다.
본 실시형태에서, 도2b에 도시된 바와 같이 상기 오믹콘택층(26)과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층(24) 영역의 거의 중앙영역에 고저항영역(24a)이 형성된다. 바람직하게는, 상기 고저항영역(24a)은 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10-2Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 결정이 손상된다.
본 발명에서 채용된 고저항영역(24a)은 플라즈마 처리에 의해 p형 질화물 반도체층(24)의 단결정이 손상된 영역으로서, 다른 영역과 달리 상기 오믹콘택층(26)과 오믹 접합이 아닌 쇼트키 접합을 형성한다. 따라서, 실질적으로 고저항영역(24a)에서는 절연물질로 이루어진 전류차단층과 같이 전류흐름이 제한되므로, 화살표로 표시된 바와 같이 전류가 발광구조 외측까지 전체적으로 균일하게 분포될 수 있다.
이러한 고저항영역(24a)은 단지 단결정이 손상되어 저항이 증가할 뿐이며, p형 질화물 반도체층과 동일한 광학적 특성이 유지될 수 있으므로, 광흡수 등으로 인한 광손실을 방지할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 고저항영역(24a)은 중앙영역의 전류집중을 방지하여 전류분포를 균일화시키는 수단으로서, 지나치게 전류도통면적을 제한하지 않도록 적절한 면적을 갖도록 형성한다. 바람직하게는 상기 고저항영역(24a)은 상기 p형 질화물 반도체층(24)의 해당 면의 전체 면적 중 10∼50% 정도의 면적을 갖도록 형성한다.
도3a 내지 도3e는, 도2a에 도시된 수직구조 질화물 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도3a와 같이, 본 발명에 따른 수직구조 질화물 발광소자의 제조방법은, 사파이어기판과 같은 질화물 단결정 성장용 기판(31) 상에 n형 질화물 반도체층(32), 활성층(33) 및 p형 질화물 반도체층(34)을 순차적으로 형성하는 단계로 시작된다.
이어, 도3b와 같이, 상기 p형 질화물 반도체층(34) 상에 전류를 차단하고자 하는 중앙영역이 개방된 마스크(M)를 형성하고, 플라즈마를 이용하여 단결정을 고의적으로 손상시켜 고저항영역(34a)을 형성한다. 본 플라즈마 처리공정은 불필요한 반응을 방지하기 위해서, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 불활성 가스로는 Ar, He, N2, CF4 및 H2가 사용될 수 있다. 상기 고저항영역(34a)의 두께(d)는 활성층(33)까지 손상되지 않도록 p형 질화물 반도체층(34)의 두께보다 작은 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10∼1000Å범위의 두께로 형성한다. 10Å미만의 경우에는 충분한 전류차단효과를 기대하기 어려우며, 1000Å을 초과하면 추가적인 전류차단효과없이 플라즈마처리공정시간이 불필요하게 소모된다.
다음으로, 도3c와 같이, 상기 고저항영역(34a)이 형성된 p형 질화물 반도체층(34) 상에 고반사성 오믹콘택층(36)과 도전성 기판(38)을 순차적으로 형성한다. 상기 오믹콘택층(36)은 고저항영역(34a)이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층(34)과의 접합면에서는 정상적인 오믹접합을 형성하지만, 고저항영역(34a)의 계면에서는 쇼트키 접합을 형성한다. 따라서, 중앙으로 집중될 수 있는 전류분포는 가장자리부분까지 균일하게 형성되어 전체적인 발광효율을 향상시킬 수 있다. 상기 도전성 기판(38)은 시드층(미도시)을 형성한 후에 도금하는 공정으로 원하는 금속지지 층을 형성하거나, 다른 접합공정을 이용하여 별도의 도전성 기판을 부착하는 방식으로 실시될 수 있다.
이어, 도3d와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(32)으로부터 상기 성장용 기판(31)을 분리하는 공정을 실시한다. 이러한 기판 분리공정은 공지된 레이저 리프트 오프공정에 의해 당업자에 의해 용이하게 실시될 수 있다. 최종적으로, 도3e와 같이 상기 기판(31)이 분리된 n형 질화물 반도체층(32)의 표면에 투명전극층(39a)과 n측 본딩메탈(39b)을 형성함으로써 원하는 n측 전극(39)을 완성한다. 물론, 본 전극형성공정에서, 도전성 기판(38)의 하면에 p측 본딩메탈(미도시)을 추가로 형성할 수 있다.
이와 같이, 오믹콘택층(36)과 접하는 p형 질화물 반도체층(34) 영역의 중앙영역에 플라즈마처리를 이용하여 단결정이 손상된 고저항영역(34a)을 제공함으로써 광손실을 야기하지 않으면서도 발광구조물 내에서 균일한 전류분포를 형성할 수 있다.
상술된 실시형태에서는, 상기 고저항영역을 p형 질화물 반도체층에 한하여 형성된 예를 도시하여 설명하였으나, 이와 결합하거나 대체하여 n측 전극과 접하는 n형 질화물 반도체층 영역에 형성할 수도 있다.
도4에는, 각 전극에 접합하는 p형 및 n형 질화물 반도체층의 영역 모두에 고저항영역을 갖는 수직구조 질화물 발광소자(40)가 예시되어 있다.
도4에 도시된 수직구조 질화물 발광소자(40)는, 도2a와 유사하게 도전성 기판(48)과, p형 질화물 반도체층(44), 활성층(43) 및 n형 질화물 반도체층(42)로 이루어진 발광구조를 포함한다.
본 실시형태에서는, 광투과성 오믹콘택층(46)을 p형 질화물 반도체층에 형성하고, 추가적으로 별도의 고반사성 금속층(47)을 추가한 형태를 예시한다. 상기 광투과성 오믹콘택층(46)으로는 예를 들어, 열처리된 Ni/Au 이중층 또는 ITO와 같은 광투과성 전도성 산화물층이 사용될 수도 있다. 또한, 상기 도전성 기판(48)의 하면에는 Cr/Au와 같은 물질로 p측 본딩메탈(미도시)을 추가될 수 있다. n측 전극(49)은 n형 질화물 반도체층(42) 상에 형성된 투명전극층(49a)과 n측 본딩메탈(49b)으로 구현될 수 있다.
본 실시형태에서는, 상기 오믹콘택층(46)과 접하는 p형 질화물 반도체층(44) 영역뿐만 아니라, 상기 투명전극층(49a)에 접하는 n형 질화물 반도체층(42)의 영역에 고저항영역(44a,42a)이 형성된다. 두 고저항영역(44a,42a)은 각각 중앙영역에 형성되어 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 고저항영역(44a,42a)은 앞서 설명한 바와 같이 플라즈마 처리에 의해 선택적으로 전류가 차단될 영역에 결정을 손상시킴으로써 얻어질 수 있다. 상기 고저항영역(44a,42a)은 접촉되는 전극물질과의 접촉저항이 10-2Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 결정이 손상된 고저항영역(44a,42a)은 전극층(46,49a)과 쇼트키 접합을 형성하므로, 화살표로 표시된 바와 같이 전류가 발광구조 외측까지 전체적으로 균일하게 분포될 수 있다.
상술한 실시형태 및 첨부된 도면은 바람직한 실시형태의 예시에 불과하며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 광손실을 야기할 수 있는 새로운 절연물질을 이용한 전류분산구조를 대신에, 질화물 단결정 특성을 국부적으로 변화시켜 쇼트키 접합영역을 형성함으로써 전류분산효율을 개선함으로써 광손실없이도 전류분포가 균일한 고효율 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 오믹콘택층;
    상기 오믹콘택층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;
    상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 및
    상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n측 전극을 포함하며,
    상기 오믹콘택층과 쇼트키 접합을 갖도록 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 일부 영역에 질화물 단결정이 손상된 고저항영역이 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층 또는 상기 n측 전극에 대한 접촉저항이 10-2Ωㆍ㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고저항영역의 두께는, 그 고저항영역이 형성된 상기 p형 또는 상기 n형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고저항영역의 형성면적은, 그 고저항영역이 형성된 상기 p형 또는 n형 질화물 반도체층면의 전체 면적의 10∼50%인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층과 접한 상기 p형 질화물 반도체층의 영역과 상기 n형 전극이 접한 상기 n형 질화물 반도체층의 영역에 모두 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 오믹콘택층은 고반사성 오믹콘택층인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 오믹콘택층은 광투과성 물질이며, 상기 오믹콘택층과 상기 도전성 기판 사이에 고반사성 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  8. 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성된 순차적으로 오믹콘택층, p형 질화물 반도체층, 활성층, 및 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n측 전극을 포함한 수직구조 질화물 발광소자의 제조방법에 있어서,
    상기 오믹콘택층과 쇼트키 접합을 갖도록 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 일부 영역에 질화물 단결정이 손상된 고저항영역을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역을 형성하는 단계는, 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 Ar, He, N2, CF4 및 H2인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층 또는 상기 n측 전극에 대한 접촉저항이 10-2Ωㆍ㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역의 두께는, 그 고저항영역이 형성된 상기 p형 또는 n형 질화물 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역의 형성면적은, 그 고저항영역의 형성된 상기 p형 또는 n형 질화물 반도체층의 전체 면적의 10∼50%인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 오믹콘택층은 고반서성 오믹콘택층인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 오믹콘택층은 광투과성 물질이며, 상기 오믹콘택층과 상기 도전성 기판 사이에 고반사성 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역을 형성하는 단계는, 상기 오믹콘택층과 접한 상기 p형 질화물 반도체층의 영역과 상기 n형 전극이 접한 상기 n형 질화물 반도체층의 영역에 모두 실시되는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 고저항영역은, 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 중앙 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자.
  18. 제8항에 있어서,
    상기 고저항영역을 형성하는 단계는, 상기 고저항영역이 상기 오믹콘택층과 접하는 상기 p형 질화물 반도체층 영역 및 상기 n측 전극과 접하는 상기 n형 질화물 반도체층 영역 중 적어도 하나의 중앙 영역에 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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