JP2013102068A - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、p型層と基板との間に形成されたp側電極と、n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、n側電極に対向する領域を含んで、p型層内、またはp型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のp型層に形成され、p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。
【選択図】 図1−1
Description
基板と、
前記基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、
前記p型層と前記基板との間に形成されたp側電極と、
前記n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、
前記n側電極に対向する領域を含んで、前記p型層内、または前記p型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、
前記高抵抗領域外側の前記p型層に形成され、前記p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、
前記高抵抗領域と前記低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、
を有する。
(a)サファイア基板上に窒化物半導体のn型層、活性層、p型層を成長する工程と、
(b)前記p型層表面のn側電極領域を含む領域に実質的に電流を遮断する高抵抗領域を形成し、その周囲に電流を制限するグレーデッド領域を形成する工程と、
(c)前記p型層表面にp側電極を形成する工程と、
(d)前記p側電極上に支持基板を接合する工程と、
(e)前記サファイア基板を除去する工程と、
(f)露出した前記n型層の前記n側電極領域上に面積を制限したn側電極を形成する工程と、
を含む。
3 n型層、
AL 活性層、
5 p型層、
D1 高抵抗領域、
D2、D3 グレーデッド領域、
7 p側電極、
SS 支持基板、
10 n側電極。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、
前記p型層と前記基板との間に形成されたp側電極と、
前記n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、
前記n側電極に対向する領域を含んで、前記p型層内、または前記p型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、
前記高抵抗領域外側の前記p型層に形成され、前記p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、
前記高抵抗領域と前記低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、
を有する窒化物半導体発光素子。 - 前記窒化物半導体積層が、AlGaInN系半導体層の積層である、請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記高抵抗領域は、結晶性を破壊された領域または絶縁物層を形成した領域である請求項1または2記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記グレーデッド領域は、結晶性を損なう処理を受けた領域である請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記グレーデッド領域の面積は前記高抵抗領域の面積の1/2〜2倍である請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- (a)サファイア基板上に窒化物半導体のn型層、活性層、p型層を成長する工程と、
(b)前記p型層表面のn側電極領域を含む領域に実質的に電流を遮断する高抵抗領域を形成し、その周囲に電流を制限するグレーデッド領域を形成する工程と、
(c)前記p型層表面にp側電極を形成する工程と、
(d)前記p側電極上に支持基板を接合する工程と、
(e)前記サファイア基板を剥離する工程と、
(f)露出した前記n型層の前記n側電極領域上に面積を制限したn側電極を形成する工程と、
を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記工程(b)がプラズマ処理で前記p型層の選択された面積の結晶性を破壊する工程を含む請求項6記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(b)が複数のマスクを用いる請求項7記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(b)が厚さ分布を有するマスクを用いる請求項7記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(b)が絶縁層パターンの形成を含む請求項7記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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