JP4920249B2 - Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4920249B2 JP4920249B2 JP2005352722A JP2005352722A JP4920249B2 JP 4920249 B2 JP4920249 B2 JP 4920249B2 JP 2005352722 A JP2005352722 A JP 2005352722A JP 2005352722 A JP2005352722 A JP 2005352722A JP 4920249 B2 JP4920249 B2 JP 4920249B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- compound semiconductor
- group iii
- nitride compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
尚、ここで「発光領域」とは、pn接合界面、単一又は多重量子井戸構造その他の発光層を全て含むものである。「平面状」とは、界面でない、単層又は多重層の発光層であっても、素子全体から見れば十分に薄いことから「平面状」と呼ぶものであり、当該「平面状の発光領域」に電極の正射影を投影する場合に、「発光領域付近に」平面を想定できることから「発光領域の平面への正射影」と表現したものである。
また、請求項3に係る発明は、透光性電極は酸化インジウムスズ(ITO)から成ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子である
また、請求項4に係る発明は、光反射性金属層はアルミニウム(Al)から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子である。
n電極130と、接続部121−cの充填された誘電体層150の孔部Hの平面形状、即ち発光領域Lの平面への正射影は、重ならないことが望ましく、またそれらの正射影はいずれの位置においても一定の距離以下とならないことが好ましい。この場合の「一定の距離」とは、例えばn型層11とp型層12の総膜厚程度の距離、或いはその数倍を設定すると良い。例えばn型層11とp型層12の総膜厚が5μmであるならば、2つの正射影はいずれの位置においても5μm以上離れていることが望ましく、10μm以上離れていることがより望ましく、20μm以上離れていることが更に望ましい。
100:サファイア基板(エピタキシャル成長基板)
11:n型III族窒化物系化合物半導体層
12:p型III族窒化物系化合物半導体層
L:発光領域
121−t:ITOから成る透光性電極
121−c:Niから成る接続部
121−r:Alから成る高反射性金属層
200:シリコン基板(支持基板)
221、231:TiN層
122、222、232:Ti層
123、223、233:Ni層
124、224、234:Au層
130:多層金属膜から成るn電極
50、51、52:Au−20Snはんだ層
150:SiNxから成る誘電体層
H:誘電体層の孔部
Claims (4)
- 成長基板の上に、III族窒化物系化合物半導体から成り、少なくともn層と、発光層と、最上層のp層とを成長させ、前記n層に対する電極と前記p層に対する電極とが平面状の発光領域を挟んで上側及び下側に位置するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記p層の上全面に形成された透光性電極と、
前記透光性電極の上全面に形成され、前記透光性電極に至る複数の孔を有した誘電体層と、
前記孔の周囲の誘電体層と接合し、前記孔に充填されて、前記透光性電極と接合した金属から成る接続部と、
前記接続部の前記誘電体層上に形成された部分の上及び前記誘電体層上の全面に形成された光反射性金属層と、
前記光反射性金属層上に一様に形成された接合層と、
前記接合層を介して前記光反射性金属層と接合する支持基板と、
前記成長基板が剥離されて露出した前記n層の表面上に形成されたn電極と、
を有し、
前記n層側から光を出力し、前記接続部と、前記n電極とは、前記発光層の発光領域の平面への正射影が互いに重ならない形状に形成されている
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記接合層は多層金属膜であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記透光性電極は酸化インジウムスズ(ITO)から成ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記光反射性金属層はアルミニウム(Al)から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005352722A JP4920249B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005352722A JP4920249B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158128A JP2007158128A (ja) | 2007-06-21 |
JP4920249B2 true JP4920249B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=38242065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005352722A Active JP4920249B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4920249B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231549A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
KR101007099B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5136398B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-02-06 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2010171376A (ja) | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
TW201104913A (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-01 | Tekcore Co Ltd | Vertical light-emitting diode and manufacture method thereof |
JP2012175040A (ja) | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び発光装置 |
JP5949294B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2012142630A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-07-26 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置 |
JP2012178610A (ja) * | 2012-06-06 | 2012-09-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び発光装置 |
CN103682020A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒的制造方法 |
JP6024506B2 (ja) | 2013-02-18 | 2016-11-16 | 豊田合成株式会社 | Iii 族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2013175761A (ja) * | 2013-04-17 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び発光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3511213B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2004-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体デバイス |
JP3765457B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2006-04-12 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子 |
JP3893874B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2007-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP4411871B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2010-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP4604488B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007081011A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-12-06 JP JP2005352722A patent/JP4920249B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007158128A (ja) | 2007-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4920249B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
US20230197906A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2007158133A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP5496104B2 (ja) | 半導体発光デバイス用コンタクト | |
JP5304662B2 (ja) | 発光素子 | |
US20090294784A1 (en) | Nitride Semiconductor Light Emitting Element and Method for Producing Nitride Semiconductor Light Emitting Element | |
JP4738999B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2007200995A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2008042143A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5729328B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007158131A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 | |
JP2007158132A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP5298927B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2017069282A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20090115902A (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 | |
JP4570683B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2010062355A (ja) | 発光素子 | |
JP2014120511A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2006319248A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2007158130A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体光素子及びその製造方法 | |
KR20090115631A (ko) | 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법 | |
JP2005347714A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2013172028A (ja) | 半導体発光素子及び車両用灯具 | |
JP5981493B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2022037340A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4920249 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |