JP2007158128A - Iii族窒化物系化合物半導体光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子1000は、両面に導電性多層膜を形成したn型シリコン基板200を支持基板とし、p側にITOから成る透光性電極121−t、ニッケル(Ni)から成る接続部121−c、アルミニウム(Al)から成る高反射性金属層121−rとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ(Au−20Sn)50でn型シリコン基板200と電気的に接続されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子1000は、窓枠状に形成されたn電極である多層金属膜130の形成されていない領域が光取り出し領域である。p電極側のニッケル(Ni)から成る接続部121−cの形状とn電極である多層金属膜130の形状は、それぞれの発光領域L平面への正射影が重ならず、且ついずれの位置においても20μm以上の間隔を有して離れている。
【選択図】図1.K
Description
n電極130と、接続部121−cの充填された誘電体層150の孔部Hの平面形状、即ち発光領域Lの平面への正射影は、重ならないことが望ましく、またそれらの正射影はいずれの位置においても一定の距離以下とならないことが好ましい。この場合の「一定の距離」とは、例えばn型層11とp型層12の総膜厚程度の距離、或いはその数倍を設定すると良い。例えばn型層11とp型層12の総膜厚が5μmであるならば、2つの正射影はいずれの位置においても5μm以上離れていることが望ましく、10μm以上離れていることがより望ましく、20μm以上離れていることが更に望ましい。
100:サファイア基板(エピタキシャル成長基板)
11:n型III族窒化物系化合物半導体層
12:p型III族窒化物系化合物半導体層
L:発光領域
121−t:ITOから成る透光性電極
121−c:Niから成る接続部
121−r:Alから成る高反射性金属層
200:シリコン基板(支持基板)
221、231:TiN層
122、222、232:Ti層
123、223、233:Ni層
124、224、234:Au層
130:多層金属膜から成るn電極
50、51、52:Au−20Snはんだ層
150:SiNxから成る誘電体層
H:誘電体層の孔部
Claims (2)
- III族窒化物系化合物半導体光素子であって、
各々III族窒化物系化合物半導体のp層及びn層に接合する正及び負の電極が、平面状の発光領域又は受光領域を挟んで上側及び下側に位置し、
前記正電極は、III族窒化物系化合物半導体に接合する透光性電極と、当該透光性電極に電気的に接続された接続部とから構成され、
当該接続部と、負電極とは、前記発光領域又は受光領域の平面への正射影が互いに重ならない形状に形成されていることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。 - III族窒化物系化合物半導体光素子であって、
各々III族窒化物系化合物半導体のp層及びn層に接合する正及び負の電極が、平面状の発光領域又は受光領域を挟んで上側及び下側に位置し、
前記正及び負の電極のいずれもが、III族窒化物系化合物半導体に接合する透光性電極と、当該透光性電極に電気的に接続された接続部とから構成され、
前記正及び負の電極の各々の前記接続部は、前記発光領域又は受光領域の平面への正射影が互いに重ならない形状に形成されていることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。
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