JP2012178610A - 半導体発光素子及び発光装置 - Google Patents
半導体発光素子及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012178610A JP2012178610A JP2012129287A JP2012129287A JP2012178610A JP 2012178610 A JP2012178610 A JP 2012178610A JP 2012129287 A JP2012129287 A JP 2012129287A JP 2012129287 A JP2012129287 A JP 2012129287A JP 2012178610 A JP2012178610 A JP 2012178610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side electrode
- layer
- light emitting
- type semiconductor
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、n型半導体層と、p型半導体層と、発光層と、p側電極と、n側電極と、高抵抗層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は、n型、p型半導体層の間に設けられる。p側電極は、p型半導体層の発光層とは反対側の第1主面でp型半導体層の一部に接する。n側電極は、n型半導体層の発光層とは反対側でn型半導体層の一部に接する。高抵抗層は、第1主面上でp型半導体層に接しp側電極を覆い、平面視においてp側電極の外側でn側電極と重なる部分を有し、p型半導体層との接触抵抗がp側電極よりも高く金属である。n側電極は、平面視においてp側電極よりも外側でp側電極の周りに設けられている。平面視において、n側電極とp側電極との間隔は、n型半導体層、発光層及びp型半導体層の厚さの合計よりも大きい。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。
図1(b)は模式的平面図である。図1(a)は、図1(b)のA1−A2線断面図である。
図2は、発光層30の構成の例を示している。図2におけるZ軸方向は、図1(a)におけるZ軸方向に対して反転されている。
図3(b)は模式的平面図である。図3(a)は、図3(b)のA1−A2線断面図である。
図4〜図7は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図4に表したように、成長用基板5の上に、バッファ層6を形成する。成長用基板5には、例えばサファイア基板が用いられる。バッファ層6の上に、n型半導体層10、発光層30及びp型半導体層20を順次形成する。上記の各層の形成には、例えば、有機金属気層成長(MOCVD)法が用いられる。
図8(a)及び図8(b)は、第1参考例の半導体発光素子の構成を示す模式的図である。
図8(b)は、模式的断面図であり、図8(c)は、図8(b)のA1−A2線断面図である。
図8(a)及び図8(b)に表したように、第1参考例の半導体発光素子119aにおいては、n側電極50が、第2主面S2の中央部に設けられている。平面視において、n側電極50は、p側電極40の外縁よりも内側に設けられる。すなわち、平面視において(Z軸方向に沿ってみたときに)、n側電極50は、p側電極40と重なる。半導体発光素子119aにおいては、n側電極50とp側電極40とが互いに重なる部分に電流が集中する。
図9(b)は、模式的平面図である。図9(a)は、図9(b)のA1−A2線断面図である。
図9(a)及び図9(b)に表したように、第2参考例の半導体発光素子119bにおいては、n側電極50が、第2主面S2の中央部に設けられている。そして、p型半導体層20とp側電極40との間に絶縁膜49が設けられている。絶縁膜49は、平面視において、n側電極50と重なる。このため、半導体発光素子119aにおいては、n側電極50とp側電極40とが互いに重なる部分には電流は集中しない。しかし、平面視において、n側電極50の周囲の部分に電流は集中する。
図10は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。
図10は、半導体発光素子110a、119a及び119bの発光特性のシミュレーション結果をそれぞれ例示する。これらの図の横軸は、X−Y平面内における位置pxyである。
図11(a)及び図11(b)は、図3(a)及び図3(b)に例示した半導体発光素子110aの構成において、平面視におけるn側電極50とp側電極40との間の間隔を変えたときの特性をシミュレーションした結果を示している。
図12(a)に表したように、第3参考例の半導体発光素子119cにおいては、平面視において、n側電極50がp側電極40の周縁に沿って設けられ、n側電極50はp側電極40に重なる部分を有している。すなわち、間隙sxが負である場合に相当する。半導体発光素子119cにおいては、光取り出し効率が低い。
図13(a)に表したように、実施形態に係る半導体発光素子111においては、n側電極50の一部に、パッド部50pが設けられている。パッド部50pの上に、パッド(図示しない)が設けられる。パッド部50pの幅は、n側電極50のうちの他の部分の幅よりも広い。
図14は、第2の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図14に表したように、実施形態に係る発光装置210は、実施形態に係る半導体素子と、実装部品80と、を備える。この例では、半導体発光素子110aが用いられているが、発光装置210に用いられる半導体発光素子は、実施形態に係る任意の半導体発光素子(例えば半導体発光素子110、110a、111〜113など)を用いることができる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (7)
- 窒化物半導体を含むn型半導体層と、
窒化物半導体を含むp型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた発光層と、
前記p型半導体層の前記発光層とは反対の側の第1主面において、前記p型半導体層の一部に接するp側電極と、
前記n型半導体層の前記発光層とは反対の側の第2主面において、前記n型半導体層の一部に接するn側電極と、
前記第1主面上において前記p型半導体層に接し、前記p側電極を覆い、平面視において前記p側電極の外側であって前記n側電極と重なる部分を有し、前記p型半導体層との間の接触抵抗が、前記p側電極と前記p型半導体層との間の接触抵抗よりも高い金属の高抵抗層と、
を備え、
前記n側電極は、平面視において、前記p側電極よりも外側で前記p側電極の周りに設けられており、
前記平面視において、前記n側電極と前記p側電極との間の間隔は、前記n型半導体層の厚さ、前記発光層の厚さ及び前記p型半導体層の厚さの合計よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記平面視において、前記n側電極と前記p側電極との間の間隔は、5マイクロメートル以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記平面視において、前記n側電極は、前記p側電極の外縁の全てを囲むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記平面視において、前記n側電極は、前記p側電極の外縁の全てを連続的に囲むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記n側電極は、Ti、Al、Rh,In、Ni、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子と、
前記第1主面に対向する実装面を有する実装基板と、
前記実装面に設けられ、前記p側電極に電気的に接続された第1基板電極と、
前記実装面に設けられ、前記n側電極に電気的に接続された第2基板電極と、
を含む実装部品と、
を備えたことを特徴とする発光装置。 - 前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆い、前記発光層から放出される第1光を吸収し前記第1光の波長とは異なる波長の第2光を放出する波長変換層をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129287A JP2012178610A (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129287A JP2012178610A (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011038311A Division JP2012175040A (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013086725A Division JP2013175761A (ja) | 2013-04-17 | 2013-04-17 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012178610A true JP2012178610A (ja) | 2012-09-13 |
Family
ID=46980194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129287A Pending JP2012178610A (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012178610A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014150140A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666043U (ja) * | 1992-11-09 | 1994-09-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2007158128A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 |
JP2010171376A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2010171371A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-06 JP JP2012129287A patent/JP2012178610A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666043U (ja) * | 1992-11-09 | 1994-09-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2007158128A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 |
JP2010171376A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2010171371A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014150140A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6162890B2 (ja) | マイクロ発光ダイオード | |
JP5694215B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5095785B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5258853B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
TW200401462A (en) | Light-emitting diode device geometry | |
US8829558B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2016143682A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP6133076B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
JP2014041886A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2014154727A (ja) | 半導体発光素子 | |
US9018654B2 (en) | Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus | |
CN102479893A (zh) | 光电元件 | |
US9153744B2 (en) | Light emitting element | |
US20120299046A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP2016054260A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101087968B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
US8754431B2 (en) | Light emitting device with an electrode having a through-holes | |
JP2012178610A (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
JP2016167512A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2013175761A (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
TW201349576A (zh) | 具反射鏡保護層的發光二極體 | |
JP5865870B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101087970B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR101056422B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 | |
TWI393268B (zh) | 發光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141106 |