KR101087970B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 도 2에 도시된 절단선 A-A'를 기준으로 절연성 기판 위에 형성된 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 질화물 반도체층들이 식각되어 형성된 발광부 및 패드의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 도 2에 도시된 절단선 B-B'를 기준으로 발광부 및 패드의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 도 4 및 도 5에 도시된 발광부에 형성된 전류확산 전극 및 절연층의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 도 6에서 설명된 공정 이후, 제1 패드, 제2 패드 및 발광부 위에 형성된 n측 전극, p측 전극 및 가지 전극의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 도 2에 도시된 절단선 B-B'를 기준으로 도 7에서 설명된 반도체 발광소자를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 도 10에 도시된 반도체 발광소자의 등가회로도.
7 : 제2 패드 8 : 제1 패드
10 : 사파이어 기판 20 : 버퍼층
30 : n형 질화물 반도체층 35 : 그루브(groove)
40 : 활성층 50 : p형 질화물 반도체층
60 : 전류확산 전극 65 : 절연층
70 : p측 전극 75 : 제2 가지 전극
80 : n측 전극 85 : 제1 가지 전극
Claims (10)
- 절연성 기판;
기판 위에 위치하며 서로 다른 극성의 전하가 주입되는 제1 반도체층 및 제2 반도체층과, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 발광부;
발광부로부터 떨어져서 기판 위에 위치하는 제1 전극;
발광부로부터 떨어져서 기판 위에 위치하는 제2 전극;
제1 전극으로부터 연장되어 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 가지 전극; 그리고,
제2 전극으로부터 연장되어 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
발광부에는 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 제1 반도체층을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(groove)가 형성되고, 적어도 하나의 제1 가지 전극이 그루브에 의해 노출된 제1 반도체층 위로 연장되며, 적어도 하나의 제2 가지 전극이 발광부의 제2 반도체층 위로 연장된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 2에 있어서,
제2 반도체층 및 활성층은 적어도 하나의 그루브에 의해 복수의 영역으로 분리되며, 복수의 영역의 제2 반도체층 및 활성층은 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극에 의해 전기적으로 병렬연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 3에 있어서,
제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 복수 개인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
적어도 제1 반도체층을 포함하며 발광부로부터 떨어져 있는 제1 패드;로서, 제1 전극이 제1 패드 위에 위치하는 제1 패드; 그리고,
적어도 제1 반도체층을 포함하며 발광부로부터 떨어져 있는 제2 패드;로서, 제2 전극이 제2 패드 위에 위치하는 제2 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
제1 전극 및 제2 전극은 각각 제1 패드 및 제2 패드의 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에 접하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
제1 패드 및 제2 패드는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 제1 패드 및 제2 패드의 제2 반도체층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
발광부, 제1 패드 및 제2 패드는 절연성 기판의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
발광부는 절연성 기판의 상면에 형성되고, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 절연성 기판의 하면에 형성되며, 절연성 기판의 상면으로부터 하면까지 관통하는 관통홀을 통해 연장되어 제1 가지 전극 또는 제2 가지 전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
제2 반도체층 위에 형성되어 발광부의 전류확산을 향상하는 전류확산 전극;으로서, 제2 가지 전극이 전류확산 전극 위에 접하는 전류확산 전극; 그리고,
적어도 발광부의 측면에 형성되어 제2 가지 전극을 발광부의 측면에 대해 절연하는 절연층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
Priority Applications (2)
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KR1020100104015A KR101087970B1 (ko) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 반도체 발광소자 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101368720B1 (ko) | 2013-01-10 | 2014-03-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
WO2014061971A1 (ko) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | 일진엘이디(주) | 발광 영역 분리 트렌치를 갖는 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자 |
Citations (4)
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JP2001345480A (ja) | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
KR100930195B1 (ko) | 2007-12-20 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
KR100949787B1 (ko) | 2002-05-24 | 2010-03-30 | 루메이 옵토일렉트로닉스 코포레이션 | 고출력 고광선속 발광다이오드 및 그 제조방법 |
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-
2010
- 2010-10-25 KR KR1020100104015A patent/KR101087970B1/ko active IP Right Grant
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