JP2000049376A - 発光素子 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部量子効率の向上した発光素子を提供す
る。 【構成】 ｐ層３のほぼ全面に形成された透光性の第一
の電極４上からｎ層２上まで連続するボンデイング用の
第二の電極７を有し、ボンディングワイヤ１０はｎ層２
上において前記第二の電極７に接続されている。
る。 【構成】 ｐ層３のほぼ全面に形成された透光性の第一
の電極４上からｎ層２上まで連続するボンデイング用の
第二の電極７を有し、ボンディングワイヤ１０はｎ層２
上において前記第二の電極７に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体（Ｉ
ｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦１）が積層
されてなる発光素子のように、ｐ層の電極とｎ層の電極
とが同一面側に形成された発光素子に係り、特に、これ
らの発光素子の電極の構造に関する。
ｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦１）が積層
されてなる発光素子のように、ｐ層の電極とｎ層の電極
とが同一面側に形成された発光素子に係り、特に、これ
らの発光素子の電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＧａＮを用いた窒化物半導体発光
素子は、基板上に、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層と、高抵抗なｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と
が積層されたいわゆるＭＩＳ構造、或いはｐ−ｎ接合型
の構造の発光素子が知られている。
素子は、基板上に、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層と、高抵抗なｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と
が積層されたいわゆるＭＩＳ構造、或いはｐ−ｎ接合型
の構造の発光素子が知られている。
【０００３】現在のところ、ｐ−ｎ接合型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子は、そのｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体（以下、ｐ層という。）の製造方法が限ら
れているため、通常ｐ層が最上層（即ち、積層終了時の
層）とされる。また、発光素子の基板には透光性、絶縁
性を有するサファイアが使用されるため、発光素子の発
光観測面側は基板側とされることが多い。しかし、基板
側を発光観測面側とするｐ−ｎ接合型の発光素子は、同
一面側に形成されたｐ層およびｎ層の電極をリードフレ
ームに接続する際、１チップを２つのリードフレームに
跨って載置しなければならないので、１チップサイズが
大きくなるという欠点がある。つまり、ｎ層の電極がｐ
層と接触すると電気的にショートしてしまうため、チッ
プ上の正、負それぞれの電極と２つのリードフレーム幅
と間隔を大きくする必要性から、自然とチップサイズが
大きくなる。従って１枚あたりのウエハーから取れるチ
ップ数が少なくなり、高コストになるという欠点があ
る。
ム系化合物半導体発光素子は、そのｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体（以下、ｐ層という。）の製造方法が限ら
れているため、通常ｐ層が最上層（即ち、積層終了時の
層）とされる。また、発光素子の基板には透光性、絶縁
性を有するサファイアが使用されるため、発光素子の発
光観測面側は基板側とされることが多い。しかし、基板
側を発光観測面側とするｐ−ｎ接合型の発光素子は、同
一面側に形成されたｐ層およびｎ層の電極をリードフレ
ームに接続する際、１チップを２つのリードフレームに
跨って載置しなければならないので、１チップサイズが
大きくなるという欠点がある。つまり、ｎ層の電極がｐ
層と接触すると電気的にショートしてしまうため、チッ
プ上の正、負それぞれの電極と２つのリードフレーム幅
と間隔を大きくする必要性から、自然とチップサイズが
大きくなる。従って１枚あたりのウエハーから取れるチ
ップ数が少なくなり、高コストになるという欠点があ
る。
【０００４】一方、電極側を発光観測面とする発光素子
は、１チップを１つのリードフレーム上に載置できるた
めチップサイズを小さくできる。しかも、発光観測面側
から正、負両方の電極を取り出すことができるので、生
産技術上有利であるという利点がある反面、発光観測面
側の電極により発光が阻害されることにより、基板側を
発光観測面とする発光素子に比して外部量子効率が悪い
という欠点がある。
は、１チップを１つのリードフレーム上に載置できるた
めチップサイズを小さくできる。しかも、発光観測面側
から正、負両方の電極を取り出すことができるので、生
産技術上有利であるという利点がある反面、発光観測面
側の電極により発光が阻害されることにより、基板側を
発光観測面とする発光素子に比して外部量子効率が悪い
という欠点がある。
【０００５】そこで、従来、外部量子効率を向上させる
ために、ｐ層側を発光観測面とする発光素子のｐ層に形
成する電極を透光性の全面電極とする技術が提案されて
いる（特開平６−３１４８２２号）。この技術により、
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の問題は改
善されてきた。
ために、ｐ層側を発光観測面とする発光素子のｐ層に形
成する電極を透光性の全面電極とする技術が提案されて
いる（特開平６−３１４８２２号）。この技術により、
従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の問題は改
善されてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、この場合で
あってもワイヤーボンディングのためにｐ層の電極上に
形成されるパッド電極が厚さ約１０００Å以上の厚膜で
あるために、このパッド電極により発光が阻害され、外
部量子効率が未だ十分でないという課題がある。
あってもワイヤーボンディングのためにｐ層の電極上に
形成されるパッド電極が厚さ約１０００Å以上の厚膜で
あるために、このパッド電極により発光が阻害され、外
部量子効率が未だ十分でないという課題がある。
【０００７】本発明はこのような事情を鑑み成されたも
のであり、電極側を発光観測面とする窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子において、その発光素子の外部量子
効率を高めることを目的とする。
のであり、電極側を発光観測面とする窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子において、その発光素子の外部量子
効率を高めることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明発光素子は、同一面側にｎ層の電極及びｐ層
の電極を有し、それらの電極側を発光観測面側とする発
光素子であって、前記ｐ層の電極に電圧を印加するため
のボンディングワイヤが、ｎ層上において前記ｐ層の電
極に接続されることを特徴とする。
に、本発明発光素子は、同一面側にｎ層の電極及びｐ層
の電極を有し、それらの電極側を発光観測面側とする発
光素子であって、前記ｐ層の電極に電圧を印加するため
のボンディングワイヤが、ｎ層上において前記ｐ層の電
極に接続されることを特徴とする。
【０００９】また、前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に
形成された透光性の第一の電極と、該第一の電極上から
ｎ層上まで連続するよう形成されたボンデイング用の第
二の電極とからなり、前記ｎ層上における前記第二の電
極に、ボンディングワイヤが接続されることを特徴とす
る。
形成された透光性の第一の電極と、該第一の電極上から
ｎ層上まで連続するよう形成されたボンデイング用の第
二の電極とからなり、前記ｎ層上における前記第二の電
極に、ボンディングワイヤが接続されることを特徴とす
る。
【００１０】加えて、前記第一の電極及びｎ層を覆って
連続的に形成された透光性且つ絶縁性の保護膜を有し、
前記第二の電極は、前記保護膜上に形成され、且つ該保
護膜を貫通して設けられた接続孔を介して前記第一の電
極と電気的に接続されることを特徴とする。
連続的に形成された透光性且つ絶縁性の保護膜を有し、
前記第二の電極は、前記保護膜上に形成され、且つ該保
護膜を貫通して設けられた接続孔を介して前記第一の電
極と電気的に接続されることを特徴とする。
【００１１】或いは、本発明発光素子は、ほぼ矩形の平
面を有する基板の同一面側に、平面がほぼ矩形のｎ層
と、該ｎ層上に形成され且つ矩形の平面から互いに対向
する一対の隅部を含む領域が切欠された平面形状を有す
るｐ層と、前記ｐ層の一方の切欠隅部に対応するｎ層の
表面に形成されたｎ層の電極と、前記ｐ層の略全面に形
成された透光性の第一の電極及び該第一の電極上から前
記ｐ層の他方の切欠隅部に対応するｎ層上まで連続する
よう形成されたボンディング用の第二の電極よりなるｐ
層の電極と、を備え、前記ｎ層上における前記第二の電
極に、ボンディングワイヤが接続されることを特徴とす
る。
面を有する基板の同一面側に、平面がほぼ矩形のｎ層
と、該ｎ層上に形成され且つ矩形の平面から互いに対向
する一対の隅部を含む領域が切欠された平面形状を有す
るｐ層と、前記ｐ層の一方の切欠隅部に対応するｎ層の
表面に形成されたｎ層の電極と、前記ｐ層の略全面に形
成された透光性の第一の電極及び該第一の電極上から前
記ｐ層の他方の切欠隅部に対応するｎ層上まで連続する
よう形成されたボンディング用の第二の電極よりなるｐ
層の電極と、を備え、前記ｎ層上における前記第二の電
極に、ボンディングワイヤが接続されることを特徴とす
る。
【００１２】さらには、本発明発光素子は、ほぼ矩形の
平面を有する基板の同一面側に、平面がほぼ矩形のｎ層
と、該ｎ層上に形成され且つｎ層よりも小さな平面面積
を有する平面がほぼ矩形のｐ層と、前記ｎ層の表面に、
前記ｐ層を囲むように形成された平面コ字型のｎ層の電
極と、前記ｐ層の表面の略全面に形成された透光性の第
一の電極及び該第一の電極上から前記ｎ層の電極におけ
る両端が他の２辺により終端された１辺上まで連続する
よう形成されたボンデイング用の第二の電極よりなるｐ
層の電極と、を備え、前記第一の電極上における前記第
二の電極が、前記ｎ層の電極における一端が開放された
一対の辺の夫々と略平行で等間隔に配置されると共に、
前記ｎ層の電極上における前記第二の電極に、ボンディ
ングワイヤが接続されることを特徴とする。
平面を有する基板の同一面側に、平面がほぼ矩形のｎ層
と、該ｎ層上に形成され且つｎ層よりも小さな平面面積
を有する平面がほぼ矩形のｐ層と、前記ｎ層の表面に、
前記ｐ層を囲むように形成された平面コ字型のｎ層の電
極と、前記ｐ層の表面の略全面に形成された透光性の第
一の電極及び該第一の電極上から前記ｎ層の電極におけ
る両端が他の２辺により終端された１辺上まで連続する
よう形成されたボンデイング用の第二の電極よりなるｐ
層の電極と、を備え、前記第一の電極上における前記第
二の電極が、前記ｎ層の電極における一端が開放された
一対の辺の夫々と略平行で等間隔に配置されると共に、
前記ｎ層の電極上における前記第二の電極に、ボンディ
ングワイヤが接続されることを特徴とする。
【００１３】尚、本願において、透光性とは発光素子か
らの発光を透過するという意味であり、必ずしも無色透
明を意味するものではない。
らの発光を透過するという意味であり、必ずしも無色透
明を意味するものではない。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態に係る
発光素子の構造を示す模式図であり、同図（Ａ）は平面
図、また同図（Ｂ）及び（Ｃ）は夫々、同図（Ａ）にお
けるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における模式的断面図であ
る。
発光素子の構造を示す模式図であり、同図（Ａ）は平面
図、また同図（Ｂ）及び（Ｃ）は夫々、同図（Ａ）にお
けるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における模式的断面図であ
る。
【００１５】この素子はサファイア基板１の上にｎ層２
とｐ層３とを順に積層したホモ構造の発光素子を示して
いる。
とｐ層３とを順に積層したホモ構造の発光素子を示して
いる。
【００１６】ｐ層３の上に形成した第一の電極４は透光
性としているため、前記のようにｐ−ｎ接合界面の発光
を発光面側に有効に取り出すことができる。しかもｐ層
３のほぼ全面に形成してあるために、電界が均一に広が
りｐ−ｎ接合面のほぼ全面に亙って均一な発光が得られ
る。第一の電極４を透光性にするにはＡｕ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ等の電極材料を非常
に薄く形成することにより実現可能である。具体的に
は、蒸着、スパッタ等の技術により電極が透光性になる
ような膜厚で直接薄膜を形成するか、または薄膜を形成
した後、アニーリングを行い電極を透光性にすることが
できる。電極４の膜厚は０．００１μｍ〜１μｍの厚さ
で形成することが好ましい。０．００１μｍよりも薄い
と電極抵抗が大きくなり好ましくない。逆に１μｍより
も厚いと電極による吸収が増加して透光性になりにくく
実用的ではない。電極材料によっても異なるが、第一の
電極４がほぼ透明でほとんど発光を妨げることがなく、
また接触抵抗も低い特に実用的な範囲としては、０．０
０５μｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。
性としているため、前記のようにｐ−ｎ接合界面の発光
を発光面側に有効に取り出すことができる。しかもｐ層
３のほぼ全面に形成してあるために、電界が均一に広が
りｐ−ｎ接合面のほぼ全面に亙って均一な発光が得られ
る。第一の電極４を透光性にするにはＡｕ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ等の電極材料を非常
に薄く形成することにより実現可能である。具体的に
は、蒸着、スパッタ等の技術により電極が透光性になる
ような膜厚で直接薄膜を形成するか、または薄膜を形成
した後、アニーリングを行い電極を透光性にすることが
できる。電極４の膜厚は０．００１μｍ〜１μｍの厚さ
で形成することが好ましい。０．００１μｍよりも薄い
と電極抵抗が大きくなり好ましくない。逆に１μｍより
も厚いと電極による吸収が増加して透光性になりにくく
実用的ではない。電極材料によっても異なるが、第一の
電極４がほぼ透明でほとんど発光を妨げることがなく、
また接触抵抗も低い特に実用的な範囲としては、０．０
０５μｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。
【００１７】また、以上のような第一の電極４の表面に
は透光性および絶縁性の保護膜６が、第一の電極４の表
面からｎ層の電極５の表面まで連続的に形成されてい
る。この保護膜６は第一の電極４及びｎ層の電極５の表
面を保護しているため、保護膜６が形成された部分は外
部から傷が入りにくい。尚、図１（Ａ）においては説明
の簡略化のために保護膜（６）を省略している。
は透光性および絶縁性の保護膜６が、第一の電極４の表
面からｎ層の電極５の表面まで連続的に形成されてい
る。この保護膜６は第一の電極４及びｎ層の電極５の表
面を保護しているため、保護膜６が形成された部分は外
部から傷が入りにくい。尚、図１（Ａ）においては説明
の簡略化のために保護膜（６）を省略している。
【００１８】保護膜６の材料は透光性で絶縁性を有して
いればどのような材料を使用しても良いが、特に好まし
い材料としてＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等
を使用することができる。これらの材料は膜厚にかかわ
らず無色透明で、絶縁性であるため、第一の電極４を透
過した発光をほとんど減衰させることなく、透過させる
ことができる。また保護膜６を形成するには、例えばこ
れらの材料を蒸着、スパッタ等の方法を用いて形成する
ことができる。
いればどのような材料を使用しても良いが、特に好まし
い材料としてＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等
を使用することができる。これらの材料は膜厚にかかわ
らず無色透明で、絶縁性であるため、第一の電極４を透
過した発光をほとんど減衰させることなく、透過させる
ことができる。また保護膜６を形成するには、例えばこ
れらの材料を蒸着、スパッタ等の方法を用いて形成する
ことができる。
【００１９】さらに、第一の電極４上にはボンデイング
用の第二の電極７が形成されている。この第二の電極７
は、第一の電極４上からｎ層の電極５を含んでｎ層２上
まで連続して形成されており、ボンディングワイヤ１０
は、ｎ層２上における第二の電極７に接続される。
用の第二の電極７が形成されている。この第二の電極７
は、第一の電極４上からｎ層の電極５を含んでｎ層２上
まで連続して形成されており、ボンディングワイヤ１０
は、ｎ層２上における第二の電極７に接続される。
【００２０】ボンディングワイヤ１０のボンディングを
確実なものとするためには、ワイヤを接続すべきボンデ
ィング部は通常約７０〜１２０μｍφ程度の面積を要す
る。本実施形態の構成によれば、ボンディングワイヤ１
０はｎ層２上において第二の電極７に接続され、ボンデ
ィング部がｎ層７上に配置されているので、第一の電極
４上に占める第二の電極７の面積を、当該第一の電極４
との電気的な接続が取れる程度の面積、具体的にはボン
ディング部の面積の１／１０程度にまで減少することが
できる。このように第一の電極４上に占める第二の電極
７の面積を小さくすることにより、ｐ−ｎ接合界面での
発光の第二の電極７による遮光を低減でき、発光を有効
に取り出すことができる。
確実なものとするためには、ワイヤを接続すべきボンデ
ィング部は通常約７０〜１２０μｍφ程度の面積を要す
る。本実施形態の構成によれば、ボンディングワイヤ１
０はｎ層２上において第二の電極７に接続され、ボンデ
ィング部がｎ層７上に配置されているので、第一の電極
４上に占める第二の電極７の面積を、当該第一の電極４
との電気的な接続が取れる程度の面積、具体的にはボン
ディング部の面積の１／１０程度にまで減少することが
できる。このように第一の電極４上に占める第二の電極
７の面積を小さくすることにより、ｐ−ｎ接合界面での
発光の第二の電極７による遮光を低減でき、発光を有効
に取り出すことができる。
【００２１】上記第二の電極７の材料にはＡｕ、或いは
ＡｕとＮｉ，Ｔｉ，Ｐｔ等との多層膜を用いれば良い。
このような第二の電極７は、マスクを用いた蒸着法、ス
パッタ法等の方法により形成することができる。
ＡｕとＮｉ，Ｔｉ，Ｐｔ等との多層膜を用いれば良い。
このような第二の電極７は、マスクを用いた蒸着法、ス
パッタ法等の方法により形成することができる。
【００２２】尚、第二の電極７と第一の電極４とは保護
膜６を貫通して設けられた接続孔を介して電気的に接続
されている。
膜６を貫通して設けられた接続孔を介して電気的に接続
されている。
【００２３】図２は、本発明の他の実施形態に係る発光
素子の平面図である。尚、同図においても説明の簡略化
のために保護膜を省略しており、また図１と同様の機能
を呈する部分には同一の符号を付している。
素子の平面図である。尚、同図においても説明の簡略化
のために保護膜を省略しており、また図１と同様の機能
を呈する部分には同一の符号を付している。
【００２４】同図に示すように、本実施の形態にあって
はほぼ矩形の平面を有する基板１の同一面側に、平面が
ほぼ矩形のｎ層２と、該ｎ層２上に形成され且つ矩形の
平面から互いに対向する一対の隅部を含む領域が切欠さ
れた平面形状を有するｐ層３とを備えている。
はほぼ矩形の平面を有する基板１の同一面側に、平面が
ほぼ矩形のｎ層２と、該ｎ層２上に形成され且つ矩形の
平面から互いに対向する一対の隅部を含む領域が切欠さ
れた平面形状を有するｐ層３とを備えている。
【００２５】また、ｎ層の電極５がｐ層３の一方の切欠
隅部に対応するｎ層２の表面に形成されており、ｐ層３
の略全面には透光性の第一の電極７が形成されている。
そして、前記第一の電極４上からｐ層３の他方の切欠隅
部に対応するｎ層２上まで連続する第二の電極７が形成
され、ボンディングワイヤはｎ層２上において第二の電
極７に接続される。
隅部に対応するｎ層２の表面に形成されており、ｐ層３
の略全面には透光性の第一の電極７が形成されている。
そして、前記第一の電極４上からｐ層３の他方の切欠隅
部に対応するｎ層２上まで連続する第二の電極７が形成
され、ボンディングワイヤはｎ層２上において第二の電
極７に接続される。
【００２６】ＧａＮなどの窒化物半導体を用いた場合に
あっては、ｎ層に比して十分低抵抗なｐ層が未だ得られ
ておらず、また第一の電極についても透光性をもたせる
ために薄膜とされていることから抵抗が高い。このた
め、ボンディングワイヤにより素子に印加された電界
は、第二の電極におけるボンディング部とｎ側パッド電
極とを結ぶ最短の経路に集中することとなる。
あっては、ｎ層に比して十分低抵抗なｐ層が未だ得られ
ておらず、また第一の電極についても透光性をもたせる
ために薄膜とされていることから抵抗が高い。このた
め、ボンディングワイヤにより素子に印加された電界
は、第二の電極におけるボンディング部とｎ側パッド電
極とを結ぶ最短の経路に集中することとなる。
【００２７】然し乍ら、本実施の形態によれば、ｎ側パ
ッド電極８と第二の電極７におけるボンデイング部とが
図に示す如く対角線上の互いに対向する一対の隅部に配
置されることとなるため、電界がｐ層３全体に良く広が
り、ｐ層３全体を均一に発光させることができる。
ッド電極８と第二の電極７におけるボンデイング部とが
図に示す如く対角線上の互いに対向する一対の隅部に配
置されることとなるため、電界がｐ層３全体に良く広が
り、ｐ層３全体を均一に発光させることができる。
【００２８】図３は本発明の別の実施形態に係る発光素
子の構造を示す平面図である。尚、同図においても説明
の簡略化のために保護膜を省略しており、また図１と同
様の機能を呈する部分には同一の符号を付している。
子の構造を示す平面図である。尚、同図においても説明
の簡略化のために保護膜を省略しており、また図１と同
様の機能を呈する部分には同一の符号を付している。
【００２９】本実施形態においては、ｐ層３がｎ層２よ
りも小さな平面面積を有する平面がほぼ矩形の平面形状
であり、そしてｎ層の表面には、ｐ層３を囲むように平
面コ字型のｎ層の電極５が形成されている。
りも小さな平面面積を有する平面がほぼ矩形の平面形状
であり、そしてｎ層の表面には、ｐ層３を囲むように平
面コ字型のｎ層の電極５が形成されている。
【００３０】また、ｐ層３の表面の略全面には透光性の
第一の電極４が形成され、第一の電極４上からｎ層の電
極５における両端が他の２辺により終端された１辺５１
上まで連続するボンデイング用の第二の電極７が形成さ
れている。
第一の電極４が形成され、第一の電極４上からｎ層の電
極５における両端が他の２辺により終端された１辺５１
上まで連続するボンデイング用の第二の電極７が形成さ
れている。
【００３１】さらに、第一の電極４上における前記第二
の電極７は、ｎ層の電極５における一端が開放された一
対の辺５２，５２の夫々と略平行で等間隔に配置され、
ボンディングワイヤは前記ｎ層の電極５上における１辺
５１上に配置された第二の電極７に接続される。
の電極７は、ｎ層の電極５における一端が開放された一
対の辺５２，５２の夫々と略平行で等間隔に配置され、
ボンディングワイヤは前記ｎ層の電極５上における１辺
５１上に配置された第二の電極７に接続される。
【００３２】本実施形態にあっても電流がｐ層３全体に
よく広がり、ｐ層３全体を均一に発光させることができ
る。
よく広がり、ｐ層３全体を均一に発光させることができ
る。
【００３３】以上、ｎ層とｐ層とを順に積層したホモ構
造の発光素子について説明したが、本発明は同一面側に
形成されたｐ層の電極とｎ層の電極とを有し、且つそれ
らの電極側を発光観測面側とする発光素子であれば、ダ
ブルへテロ構造、シングルへテロ構造、ＭＱＷ構造、Ｓ
ＱＷ構造等の発光素子の構造は問わず、あらゆる構造に
適用できる。また、材料についても、ＧａＮ等の窒化物
半導体材料に限らず、ＺｅＳｅ等他の半導体材料を用い
たものについても適用することができる。
造の発光素子について説明したが、本発明は同一面側に
形成されたｐ層の電極とｎ層の電極とを有し、且つそれ
らの電極側を発光観測面側とする発光素子であれば、ダ
ブルへテロ構造、シングルへテロ構造、ＭＱＷ構造、Ｓ
ＱＷ構造等の発光素子の構造は問わず、あらゆる構造に
適用できる。また、材料についても、ＧａＮ等の窒化物
半導体材料に限らず、ＺｅＳｅ等他の半導体材料を用い
たものについても適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ｐ層の
電極に電圧を印加するためのボンディングワイヤをｎ層
上において第二の電極に接続したので、第一の電極上に
おける第二の電極の面積を従来よりも低減でき、第二の
電極による発光の遮光を減少できる。従って従来よりも
外部量子効率の向上した発光素子を提供することができ
る。
電極に電圧を印加するためのボンディングワイヤをｎ層
上において第二の電極に接続したので、第一の電極上に
おける第二の電極の面積を従来よりも低減でき、第二の
電極による発光の遮光を減少できる。従って従来よりも
外部量子効率の向上した発光素子を提供することができ
る。
【図１】 本発明の実施形態に係る発光素子の構造を示
す模式的構造図である。
す模式的構造図である。
【図２】 本発明の他の実施形態に係る発光素子の平面
図である。
図である。
【図３】 本発明の別の実施形態に係る発光素子の平面
図である。
図である。
１…基板、２…ｎ層、３…ｐ層、４…第一の電極、５…
ｎ層の電極、６…保護膜、７…第二の電極、８…ｎ側パ
ッド電極、１０…ボンディングワイヤ
ｎ層の電極、６…保護膜、７…第二の電極、８…ｎ側パ
ッド電極、１０…ボンディングワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 同一面側にｎ層の電極及びｐ層の電極を
有し、それらの電極側を発光観測面側とする発光素子で
あって、 前記ｐ層の電極に電圧を印加するためのボンディングワ
イヤが、ｎ層上においてｐ層の電極に接続されることを
特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に形成
された透光性の第一の電極と、 該第一の電極上からｎ層上まで連続するよう形成された
ボンデイング用の第二の電極とからなり、 前記ｎ層上における前記第二の電極に、ボンディングワ
イヤが接続されることを特徴とする請求項１記載の発光
素子。 - 【請求項３】 前記第一の電極及びｎ層を覆って連続的
に形成された透光性且つ絶縁性の保護膜を有し、 前記第二の電極は、前記保護膜上に形成され、且つ該保
護膜を貫通して設けられた接続孔を介して前記第一の電
極と電気的に接続されることを特徴とする請求項２記載
の発光素子。 - 【請求項４】 ほぼ矩形の平面を有する基板の同一面側
に、平面がほぼ矩形のｎ層と、該ｎ層上に形成され且つ
矩形の平面から互いに対向する一対の隅部を含む領域が
切欠された平面形状を有するｐ層と、 前記ｐ層の一方の切欠隅部に対応するｎ層の表面に形成
されたｎ層の電極と、 前記ｐ層の略全面に形成された透光性の第一の電極及び
該第一の電極上から前記ｐ層の他方の切欠隅部に対応す
るｎ層上まで連続するよう形成されたボンディング用の
第二の電極よりなるｐ層の電極と、 を備え、 前記ｎ層上における前記第二の電極に、ボンディングワ
イヤが接続されることを特徴とする発光素子。 - 【請求項５】 ほぼ矩形の平面を有する基板の同一面側
に、平面がほぼ矩形のｎ層と、該ｎ層上に形成され且つ
ｎ層よりも小さな平面面積を有する平面がほぼ矩形のｐ
層と、 前記ｎ層の表面に、前記ｐ層を囲むように形成された平
面コ字型のｎ層の電極と、 前記ｐ層の表面の略全面に形成された透光性の第一の電
極及び該第一の電極上から前記ｎ層の電極における両端
が他の２辺により終端された１辺上まで連続するよう形
成されたボンデイング用の第二の電極よりなるｐ層の電
極と、 を備え、 前記第一の電極上における前記第二の電極が、前記ｎ層
の電極における一端が開放された一対の辺の夫々と略平
行で等間隔に配置されると共に、 前記ｎ層の電極上における前記第二の電極に、ボンディ
ングワイヤが接続されることを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21159098A JP2000049376A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21159098A JP2000049376A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049376A true JP2000049376A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16608293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21159098A Pending JP2000049376A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049376A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-07-27 JP JP21159098A patent/JP2000049376A/ja active Pending
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