JPH09129933A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH09129933A JPH09129933A JP28407495A JP28407495A JPH09129933A JP H09129933 A JPH09129933 A JP H09129933A JP 28407495 A JP28407495 A JP 28407495A JP 28407495 A JP28407495 A JP 28407495A JP H09129933 A JPH09129933 A JP H09129933A
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- conductive film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透光性オーミック電極を備えたシート抵抗が
小さい発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 導電性半導体層３上に形成された透光性
オーミック電極４と、透光性オーミック電極４上に形成
されたこの電極材料よりバンドギャップが広い透光性導
電膜５と、を有する。
小さい発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 導電性半導体層３上に形成された透光性
オーミック電極４と、透光性オーミック電極４上に形成
されたこの電極材料よりバンドギャップが広い透光性導
電膜５と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード等
の発光素子に関する。
の発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系半導体からなる
発光素子が、強度の強い青色等の短波長発光が可能であ
ることから、活発に研究開発されている。
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系半導体からなる
発光素子が、強度の強い青色等の短波長発光が可能であ
ることから、活発に研究開発されている。
【０００３】一般に斯る窒化ガリウム系半導体からなる
発光素子では、サファイア等の絶縁性基板が使用されて
いる。
発光素子では、サファイア等の絶縁性基板が使用されて
いる。
【０００４】この絶縁性基板を用いた発光素子では、こ
の基板の裏面に一方の電極を設けた構造にすることが困
難であり、半導体層側（同一面側）にｐ型側、ｎ型側電
極とも備えた構造が採用される。
の基板の裏面に一方の電極を設けた構造にすることが困
難であり、半導体層側（同一面側）にｐ型側、ｎ型側電
極とも備えた構造が採用される。
【０００５】斯る半導体層側に両電極を備える発光素子
としては、例えば特開平６−３３８６３２号（Ｈ０１Ｌ
３３／００）公報に記載されている。
としては、例えば特開平６−３３８６３２号（Ｈ０１Ｌ
３３／００）公報に記載されている。
【０００６】図５（ａ）は従来の発光ダイオードの概略
模式上面図（半導体層側）、図５（ｂ）は図５（ａ）中
一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略模式断面図である。
模式上面図（半導体層側）、図５（ｂ）は図５（ａ）中
一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略模式断面図である。
【０００７】図５中、１０１はサファイア基板、１０２
はｎ型ＧａＮ層、１０３はｐ型ＧａＮ層、１０４はｎ型
ＧａＮ層１０２が露出するように形成された凹部、１０
５はｎ型ＧａＮ層１０２上に形成されたｎ型側電極、１
０６はｐ型ＧａＮ層１０３上に形成された透光性のｐ型
側電極、１０７はｐ型側電極１０６の隅部に形成された
ボンディング用電極パットである。
はｎ型ＧａＮ層、１０３はｐ型ＧａＮ層、１０４はｎ型
ＧａＮ層１０２が露出するように形成された凹部、１０
５はｎ型ＧａＮ層１０２上に形成されたｎ型側電極、１
０６はｐ型ＧａＮ層１０３上に形成された透光性のｐ型
側電極、１０７はｐ型側電極１０６の隅部に形成された
ボンディング用電極パットである。
【０００８】この発光ダイオードではｐ型側電極１０６
側から光取り出しが行われる。
側から光取り出しが行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発
光ダイオードは、ｐ型側電極１０６を透光性とするため
に厚みを薄くする必要があり、例えば３００Å程度であ
るが、更に透光性を得るためには、ｐ型側電極１０６の
厚みを薄くする必要があるので、シート抵抗が高くな
り、駆動電圧を低減することが困難であった。
光ダイオードは、ｐ型側電極１０６を透光性とするため
に厚みを薄くする必要があり、例えば３００Å程度であ
るが、更に透光性を得るためには、ｐ型側電極１０６の
厚みを薄くする必要があるので、シート抵抗が高くな
り、駆動電圧を低減することが困難であった。
【００１０】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、透光性オーミック電極を備えたシート抵抗が小
さい発光素子を提供することを目的とする。
であり、透光性オーミック電極を備えたシート抵抗が小
さい発光素子を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、透
光性オーミック電極を備えた発光素子において、導電性
半導体層又は導電性基板上に形成された透光性オーミッ
ク電極と、該透光性オーミック電極上に形成されたこの
電極材料より光吸収係数が小さい透光性導電膜と、を有
することを特徴とする。
光性オーミック電極を備えた発光素子において、導電性
半導体層又は導電性基板上に形成された透光性オーミッ
ク電極と、該透光性オーミック電極上に形成されたこの
電極材料より光吸収係数が小さい透光性導電膜と、を有
することを特徴とする。
【００１２】特に、前記透光性オーミック電極は金属か
らなることを特徴とする。
らなることを特徴とする。
【００１３】更に、前記透光性オーミック電極は１０Å
〜１００Å厚であることを特徴とする。
〜１００Å厚であることを特徴とする。
【００１４】特に、前記透光性導電膜はＩＴＯ膜、Ｓｎ
Ｏ2膜、又はＣｄＴＯ膜であることを特徴とする。
Ｏ2膜、又はＣｄＴＯ膜であることを特徴とする。
【００１５】更に、前記透光性導電膜は前記透光性オー
ミック電極より厚みが大きいことを特徴とする。
ミック電極より厚みが大きいことを特徴とする。
【００１６】特に、前記透光性導電膜は１００Å〜５０
０Åであることを特徴とする。
０Åであることを特徴とする。
【００１７】加えて、前記透光性導電膜は発光波長ピー
クのエネルギー（ｈν）より広いバンドギャップを有す
ることを特徴とする。
クのエネルギー（ｈν）より広いバンドギャップを有す
ることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明に係る第１の実施形態に係
るＧａＮ系青色発光ダイオードを図面を用いて説明す
る。なお、図１（ａ）、図１（ｂ）はそれぞれこの発光
ダイオードの概略模式上面図、図１（ａ）中の点線Ａ−
Ａに沿った概略模式断面図である。
るＧａＮ系青色発光ダイオードを図面を用いて説明す
る。なお、図１（ａ）、図１（ｂ）はそれぞれこの発光
ダイオードの概略模式上面図、図１（ａ）中の点線Ａ−
Ａに沿った概略模式断面図である。
【００１９】図１中、１はｎ型ＳｉＣ半導体基板であ
る。この基板１上には層厚１〜４μｍのｎ型ＧａＮ層
（Ｓｉドープ）２及び層厚０．５〜１μｍのｐ型ＧａＮ
層（Ｍｇドープ）３がこの順序に形成されており、これ
ら層２、３は例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長
法）によりエピタキシャル成長される。
る。この基板１上には層厚１〜４μｍのｎ型ＧａＮ層
（Ｓｉドープ）２及び層厚０．５〜１μｍのｐ型ＧａＮ
層（Ｍｇドープ）３がこの順序に形成されており、これ
ら層２、３は例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長
法）によりエピタキシャル成長される。
【００２０】４はｐ型ＧａＮ層３上に蒸着法等により形
成されたＮｉ薄膜からなる透光性オーミック電極であ
る。このｐ型側透光性オーミック電極４は、透光性をな
すようにＮｉ薄膜の膜厚が選択されており、例えば１０
Å〜１００Å厚、ここでは３０Å〜７０Å厚である。
成されたＮｉ薄膜からなる透光性オーミック電極であ
る。このｐ型側透光性オーミック電極４は、透光性をな
すようにＮｉ薄膜の膜厚が選択されており、例えば１０
Å〜１００Å厚、ここでは３０Å〜７０Å厚である。
【００２１】５は、透光性オーミック電極４上に形成さ
れた膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは１００Å〜５
００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなり、透光性
オーミック電極４より発光波長領域における光吸収係数
が小さい透光性導電膜である。
れた膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは１００Å〜５
００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなり、透光性
オーミック電極４より発光波長領域における光吸収係数
が小さい透光性導電膜である。
【００２２】６は透光性導電膜５上の中央の一部に形成
された膜厚０．５〜１μｍのＡｕからなるワイヤーボン
デイング用電極パッドである。
された膜厚０．５〜１μｍのＡｕからなるワイヤーボン
デイング用電極パッドである。
【００２３】７はｎ型ＳｉＣ半導体基板１の下面に形成
された５０００Å厚程度のＮｉからなるｎ型側オーミッ
ク電極であり、この電極はＮｉ膜を蒸着法等により形成
した後、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で９００〜１００
０℃の熱処理をしてオーミック特性を得ている。
された５０００Å厚程度のＮｉからなるｎ型側オーミッ
ク電極であり、この電極はＮｉ膜を蒸着法等により形成
した後、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で９００〜１００
０℃の熱処理をしてオーミック特性を得ている。
【００２４】この発光ダイオードは、透光性オーミック
電極４及び透光性導電膜５側が光取り出し側となる。そ
して、この発光ダイオードは、透光性オーミック電極４
はその厚みを小さくして電極４の良透光性を確保しつつ
オーミック特性を得ると共に、透光性オーミック電極４
に加えてこの電極４より光吸収係数の小さい透光性導電
膜５にも電流が流れるので、この結果シート抵抗が小さ
くなり、発光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
電極４及び透光性導電膜５側が光取り出し側となる。そ
して、この発光ダイオードは、透光性オーミック電極４
はその厚みを小さくして電極４の良透光性を確保しつつ
オーミック特性を得ると共に、透光性オーミック電極４
に加えてこの電極４より光吸収係数の小さい透光性導電
膜５にも電流が流れるので、この結果シート抵抗が小さ
くなり、発光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
【００２５】しかも、透光性導電膜５は透光性オーミッ
ク電極４よりも光吸収係数の小さいので、透光性導電膜
５の膜厚を大きく設定が可能である。よって、シート抵
抗を格段に小さくできる。特に、透光性導電膜５の厚み
を透光性オーミック電極４の厚みより大きくした場合、
シート抵抗を顕著に小さくできるのでよく、特に透光性
導電膜５を１００Å〜５００Å厚とした場合、十分な透
光性を確保しつつシート抵抗を顕著に小さくできて好ま
しい。
ク電極４よりも光吸収係数の小さいので、透光性導電膜
５の膜厚を大きく設定が可能である。よって、シート抵
抗を格段に小さくできる。特に、透光性導電膜５の厚み
を透光性オーミック電極４の厚みより大きくした場合、
シート抵抗を顕著に小さくできるのでよく、特に透光性
導電膜５を１００Å〜５００Å厚とした場合、十分な透
光性を確保しつつシート抵抗を顕著に小さくできて好ま
しい。
【００２６】次に、本発明に係る第２の実施形態に係る
ＡｌＧａＡｓ系赤色発光ダイオードについて説明する。
なお、図２（ａ）、図２（ｂ）はそれぞれこの発光ダイ
オードの概略模式上面図、図２（ａ）中の点線Ａ−Ａに
沿った概略模式断面図である。
ＡｌＧａＡｓ系赤色発光ダイオードについて説明する。
なお、図２（ａ）、図２（ｂ）はそれぞれこの発光ダイ
オードの概略模式上面図、図２（ａ）中の点線Ａ−Ａに
沿った概略模式断面図である。
【００２７】図２中、１１はｐ型ＧａＡｓ半導体基板で
ある。この基板１１上には層厚１〜２μｍのｐ型Ｇａ
1-xＡｌxＡｓ（ｘ＝０．６５）発光層１２及び層厚３〜
５μｍのｎ型Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（ｙ＝０．３５）クラッ
ド層１３がこの順序に形成されており、これら層１２、
１３は例えばＬＰＥ法（液相エピタキシャル成長法）、
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）等によりエピタキ
シャル成長される。
ある。この基板１１上には層厚１〜２μｍのｐ型Ｇａ
1-xＡｌxＡｓ（ｘ＝０．６５）発光層１２及び層厚３〜
５μｍのｎ型Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（ｙ＝０．３５）クラッ
ド層１３がこの順序に形成されており、これら層１２、
１３は例えばＬＰＥ法（液相エピタキシャル成長法）、
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）等によりエピタキ
シャル成長される。
【００２８】１４はｎ型クラッド層１３上に蒸着法等に
より形成されたＡｕ−Ｓｎ薄膜からなる透光性オーミッ
ク電極である。このｎ型側透光性オーミック電極１４
は、透光性をなすようにＡｕ−Ｓｎ薄膜の膜厚が選択さ
れており、例えば１０Å〜１００Å厚、ここでは３０Å
〜７０Å厚である。
より形成されたＡｕ−Ｓｎ薄膜からなる透光性オーミッ
ク電極である。このｎ型側透光性オーミック電極１４
は、透光性をなすようにＡｕ−Ｓｎ薄膜の膜厚が選択さ
れており、例えば１０Å〜１００Å厚、ここでは３０Å
〜７０Å厚である。
【００２９】１５は、透光性オーミック電極１４上に形
成された膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは１００Å
〜５００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなり、透
光性オーミック電極４より光吸収係数が小さく、しかも
発光波長のピークよりバンドギャップが広い透光性導電
膜である。
成された膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは１００Å
〜５００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなり、透
光性オーミック電極４より光吸収係数が小さく、しかも
発光波長のピークよりバンドギャップが広い透光性導電
膜である。
【００３０】１６は透光性導電膜１５上の中央の１部に
形成された膜厚０．５〜１μｍのＡｕからなるワイヤー
ボンデイング用電極パッドである。
形成された膜厚０．５〜１μｍのＡｕからなるワイヤー
ボンデイング用電極パッドである。
【００３１】１７はｐ型半導体基板１１の下面に形成さ
れた１μｍ厚程度のＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミッ
ク電極であり、この電極はＡｕ−Ｃｒ膜を蒸着法等によ
り形成した後、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で４００〜
５００℃の熱処理をしてオーミック特性を得ている。
れた１μｍ厚程度のＡｕ−Ｃｒからなるｐ型側オーミッ
ク電極であり、この電極はＡｕ−Ｃｒ膜を蒸着法等によ
り形成した後、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で４００〜
５００℃の熱処理をしてオーミック特性を得ている。
【００３２】この発光ダイオードも、透光性オーミック
電極１４及び透光性導電膜１５側が光取り出し側とな
る。本実施形態では、透光性導電膜１５は発光波長のピ
ークよりもバンドギャップが広いので、第１の実施形態
以上に十分な透光性を確保しつつシート抵抗を顕著に小
さくできる。
電極１４及び透光性導電膜１５側が光取り出し側とな
る。本実施形態では、透光性導電膜１５は発光波長のピ
ークよりもバンドギャップが広いので、第１の実施形態
以上に十分な透光性を確保しつつシート抵抗を顕著に小
さくできる。
【００３３】本発明に係る第３の実施形態に係るＧａＮ
系青色発光ダイオードを図面を用いて説明する。なお、
図３はこの発光ダイオードの概略模式断面図である。
系青色発光ダイオードを図面を用いて説明する。なお、
図３はこの発光ダイオードの概略模式断面図である。
【００３４】図３中、２１はサファイア等の絶縁性基板
である。この基板２１上には、層厚４μｍのｎ型ＧａＮ
層（Ｓｉドープ）２２、層厚１００ｎｍのｎ型Ａｌ0.1
Ｇａ0 .9Ｎクラッド層（Ｓｉドープ）２３、層厚２ｎｍ
のアンドープのＩｎ0.43Ｇａ0. 57Ｎ活性層２４、層厚１
００ｎｍのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層（Ｍｇドー
プ）２５、層厚５００ｎｍのｐ型ＧａＮコンタクト層
（Ｍｇドープ）２６がこの順序で形成されている。
である。この基板２１上には、層厚４μｍのｎ型ＧａＮ
層（Ｓｉドープ）２２、層厚１００ｎｍのｎ型Ａｌ0.1
Ｇａ0 .9Ｎクラッド層（Ｓｉドープ）２３、層厚２ｎｍ
のアンドープのＩｎ0.43Ｇａ0. 57Ｎ活性層２４、層厚１
００ｎｍのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層（Ｍｇドー
プ）２５、層厚５００ｎｍのｐ型ＧａＮコンタクト層
（Ｍｇドープ）２６がこの順序で形成されている。
【００３５】２７は基板２１の隅部上のｐ型コンタクト
層２６、ｐ型クラッド層２５、活性層２４、ｎ型クラッ
ド層２３を少なくともエッチング除去し、ｎ型ＧａＮ層
２２が露出するように形成された凹部である。
層２６、ｐ型クラッド層２５、活性層２４、ｎ型クラッ
ド層２３を少なくともエッチング除去し、ｎ型ＧａＮ層
２２が露出するように形成された凹部である。
【００３６】２８は前記隅部に対向する隅部（窓部）の
ｐ型コンタクト層２６が露出するようにｐ型コンタクト
層２６上に形成された膜厚３０〜７０ÅのＮｉ膜からな
るｐ型側透光性オーミック電極である。
ｐ型コンタクト層２６が露出するようにｐ型コンタクト
層２６上に形成された膜厚３０〜７０ÅのＮｉ膜からな
るｐ型側透光性オーミック電極である。
【００３７】２９は透光性オーミック電極２８上に形成
された膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは、１００Å
〜５００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる透光
性導電膜である。
された膜厚１０Å〜１０００Å、好ましくは、１００Å
〜５００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる透光
性導電膜である。
【００３８】３０は透光性オーミック電極２８及び透光
性導電膜２９から露出したｐ型コンタクト層２６上に形
成されてなるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等からなる膜厚５００
ｎｍの絶縁膜である。
性導電膜２９から露出したｐ型コンタクト層２６上に形
成されてなるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等からなる膜厚５００
ｎｍの絶縁膜である。
【００３９】３１は露出したｎ型ＧａＮ層２２上に形成
される５００ｎｍのＴｉからなるｎ型側オーミック電極
である。
される５００ｎｍのＴｉからなるｎ型側オーミック電極
である。
【００４０】３２は透光性導電膜２９と電気的に接続す
るように絶縁膜３０上にｎ型側オーミック電極３１と同
時に成膜されるボンディング用電極パットとしてのＴｉ
膜（導体）である。このように電極パット３２とｎ型側
オーミック電極３１は互いに対向する端部に位置するよ
うに配置することにより、電流が均一に流れるので好ま
しい。
るように絶縁膜３０上にｎ型側オーミック電極３１と同
時に成膜されるボンディング用電極パットとしてのＴｉ
膜（導体）である。このように電極パット３２とｎ型側
オーミック電極３１は互いに対向する端部に位置するよ
うに配置することにより、電流が均一に流れるので好ま
しい。
【００４１】この発光ダイオードも、透光性オーミック
電極２８及び透光性導電膜２９側が光取り出し側とな
る。そして、この発光ダイオードも上記第１の実施形態
と同じく発光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
電極２８及び透光性導電膜２９側が光取り出し側とな
る。そして、この発光ダイオードも上記第１の実施形態
と同じく発光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
【００４２】また、パット電極３２の直下には絶縁膜３
０が介在する構成であるので、光遮蔽材となるパット電
極３２の中央直下には電流が略流れず、透光性電極２８
のうちの光放出を行う部分下に電流が流れる。この結
果、透光性電極２８のうちの光放出を行う部分下での電
流密度が大きくなり、発光が大きくなる。
０が介在する構成であるので、光遮蔽材となるパット電
極３２の中央直下には電流が略流れず、透光性電極２８
のうちの光放出を行う部分下に電流が流れる。この結
果、透光性電極２８のうちの光放出を行う部分下での電
流密度が大きくなり、発光が大きくなる。
【００４３】上述では、パット電極３２の下に絶縁膜３
０を介在させたが、絶縁膜３０がないような構成でも勿
論可能である。
０を介在させたが、絶縁膜３０がないような構成でも勿
論可能である。
【００４４】上述では、透光性導電膜としてＩＴＯ膜を
用いたが、ＳｎＯ2、ＣｄＴＯ（酸化カドミウム錫）等
の膜も使用できる。
用いたが、ＳｎＯ2、ＣｄＴＯ（酸化カドミウム錫）等
の膜も使用できる。
【００４５】更に、上記第１、第２の実施形態では、透
光性導電膜上にのみ電極パットを設けたが、図４に示す
ように透光性オーミック電極４にも接触するように透光
性導電膜５にスルホール８を設けて、電極パット６が透
光性導電膜５と透光性オーミック電極４の両方に接触す
るようにしてもよい。この場合、電極パットにボンディ
ングする際の透光性導電膜へのダメージを軽減できる。
光性導電膜上にのみ電極パットを設けたが、図４に示す
ように透光性オーミック電極４にも接触するように透光
性導電膜５にスルホール８を設けて、電極パット６が透
光性導電膜５と透光性オーミック電極４の両方に接触す
るようにしてもよい。この場合、電極パットにボンディ
ングする際の透光性導電膜へのダメージを軽減できる。
【００４６】また、上記各実施形態のように、基板上に
ｎ型層、ｐ型層の順序での構成や基板上にｐ型層、ｎ型
層の順序の構成を適宜選択できるが、ＧａＮ系において
は絶縁基板を使用する構成では、ｐ型層の方が抵抗が高
いので、基板上にｎ型層、ｐ型層の順序の構成の方がよ
い。
ｎ型層、ｐ型層の順序での構成や基板上にｐ型層、ｎ型
層の順序の構成を適宜選択できるが、ＧａＮ系において
は絶縁基板を使用する構成では、ｐ型層の方が抵抗が高
いので、基板上にｎ型層、ｐ型層の順序の構成の方がよ
い。
【００４７】なお、上記各実施形態では、エピタキシャ
ル層側を光取り出し側としたが、透光性導電性半導体基
板を用い、この基板側を光取り出し側とする場合、この
基板上に透光性オーミック電極及び透光性導電膜をこの
順に構成すればよい。
ル層側を光取り出し側としたが、透光性導電性半導体基
板を用い、この基板側を光取り出し側とする場合、この
基板上に透光性オーミック電極及び透光性導電膜をこの
順に構成すればよい。
【００４８】勿論、上述ではダブルヘテロ構造、単一の
ｐｎ接合のものの発光ダイオードについて述べたが、シ
ングルヘテロ構造、量子井戸構造の活性層のものでもよ
い。
ｐｎ接合のものの発光ダイオードについて述べたが、シ
ングルヘテロ構造、量子井戸構造の活性層のものでもよ
い。
【００４９】また、本発明は発光ダイオードに限らず、
面発光型レーザ等にも適宜適用できる。
面発光型レーザ等にも適宜適用できる。
【００５０】更には、上述では、ＧａＮ系、ＡｌＧａＡ
ｓ系発光素子に付いて述べたが、ＡｌＧａＩｎＰ系等の
他の材料系発光素子にも利用できる。
ｓ系発光素子に付いて述べたが、ＡｌＧａＩｎＰ系等の
他の材料系発光素子にも利用できる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の発光素子は、透光性オーミック
電極はその厚みを小さくして透光性を確保しつつオーミ
ック特性を得ると共に、透光性オーミック電極に加えて
透光性オーミック電極より光吸収係数が小さい透光性導
電膜にも電流が流れるので、透光性を確保しつつシート
抵抗が小さくでき、発光強度を低減するのを抑制して発
光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
電極はその厚みを小さくして透光性を確保しつつオーミ
ック特性を得ると共に、透光性オーミック電極に加えて
透光性オーミック電極より光吸収係数が小さい透光性導
電膜にも電流が流れるので、透光性を確保しつつシート
抵抗が小さくでき、発光強度を低減するのを抑制して発
光ダイオードの駆動電圧を小さくできる。
【００５２】特に、透光性オーミック電極が１０Å〜１
００Å厚である場合、オーミック特性を確保しつつ十分
な透光性が得られる。
００Å厚である場合、オーミック特性を確保しつつ十分
な透光性が得られる。
【００５３】また、透光性導電膜が透光性オーミック電
極より厚みが大きい場合には、十分にシート抵抗を小さ
くできる。特に、透光性導電膜が１００Å〜５００Åで
ある場合には、十分な透光性が得られる。
極より厚みが大きい場合には、十分にシート抵抗を小さ
くできる。特に、透光性導電膜が１００Å〜５００Åで
ある場合には、十分な透光性が得られる。
【００５４】更に、透光性導電膜が発光波長ピークのエ
ネルギーより広いバンドギャップを有する場合、透光性
が顕著に優れる。
ネルギーより広いバンドギャップを有する場合、透光性
が顕著に優れる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光ダイオード
の概略模式図である。
の概略模式図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る発光ダイオード
の概略模式図である。
の概略模式図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る発光ダイオード
の概略模式断面図である。
の概略模式断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る発光ダイオード
の概略模式断面図である。
の概略模式断面図である。
【図５】従来の発光ダイオードの概略模式図である。
１ ｎ型半導体基板 ２ ｎ型半導体層 ３ ｐ型半導体層 ４ 透光性オーミック電極 ５ 透光性導電膜 １１ ｐ型半導体基板 １２ ｐ型発光層（ｐ型半導体層） １３ ｎ型クラッド層（ｎ型半導体層） １４ 透光性オーミック電極 １５ 透光性導電膜 ２１ 絶縁性基板 ２２ ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層） ２３ ｎ型クラッド層（ｎ型半導体層） ２４ 活性層 ２５ ｐ型クラッド層（ｐ型半導体層） ２６ ｐ型コンタクト層（ｐ型半導体層） ２８ 透光性オーミック電極 ２９ 透光性導電膜
Claims (7)
- 【請求項１】 透光性オーミック電極を備えた発光素子
において、導電性半導体層又は導電性基板上に形成され
た透光性オーミック電極と、該透光性オーミック電極上
に形成されたこの電極材料より光吸収係数が小さい透光
性導電膜と、を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記透光性オーミック電極は金属からな
ることを特徴とする請求項１記載の発光素子。 - 【請求項３】 前記透光性オーミック電極は１０Å〜１
００Å厚であることを特徴とする請求項１、又は２記載
の発光素子。 - 【請求項４】 前記透光性導電膜はＩＴＯ膜、ＳｎＯ2
膜、又はＣｄＴＯ膜であることを特徴とする請求項１、
２、又は３記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記透光性導電膜は前記透光性オーミッ
ク電極より厚みが大きいことを特徴とする請求項１、
２、３、又は４記載の発光素子。 - 【請求項６】 前記透光性導電膜は１００Å〜５００Å
であることを特徴とする請求項１、２、３、４、又は５
記載の発光素子。 - 【請求項７】 前記透光性導電膜は発光波長ピークのエ
ネルギーより広いバンドギャップを有することを特徴と
する請求項１、２、３、４、５、又は６記載の発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28407495A JPH09129933A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28407495A JPH09129933A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129933A true JPH09129933A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17673945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28407495A Pending JPH09129933A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129933A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261335A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-09-13 | Sony Corp | 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法 |
| JP2003234506A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線を発する半導体デバイス |
| JP2005317676A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法 |
| US7183579B2 (en) | 2003-10-01 | 2007-02-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Gallium nitride (GaN)-based semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same |
| JP2009194367A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-08-27 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US9761761B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-12 | Nichia Corporation | Light-emitting element |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28407495A patent/JPH09129933A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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