JP2009194367A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009194367A JP2009194367A JP2008309420A JP2008309420A JP2009194367A JP 2009194367 A JP2009194367 A JP 2009194367A JP 2008309420 A JP2008309420 A JP 2008309420A JP 2008309420 A JP2008309420 A JP 2008309420A JP 2009194367 A JP2009194367 A JP 2009194367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- metal
- forming
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】基板10上のp型半導体層14上に配置され、第1のパターン幅W1を有する第1の金属層20と、第1の金属層上に配置された第2の金属層22と、第2の金属層およびp型半導体層上に配置され、第2の金属層上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を有する透明電極層24と、透明電極層上および第2の金属層上に配置され、第2の金属層上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する絶縁膜26と、絶縁膜上に配置され、第2の金属層上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する反射積層膜28と、反射積層膜および第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部の第2の金属層上に配置された第3の金属層30と、第3の金属層上に配置された第4の金属層32とを備える。
【選択図】図1
Description
を備える半導体発光素子が提供される。
を備える半導体発光素子が提供される。
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子は、図1〜図2に示すように、基板10と、基板10上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14と、p型半導体層14上に配置され、第1のパターン幅W1を有する第1の金属層20と、第1の金属層20上に配置された第2の金属層22と、第2の金属層22およびp型半導体層14上に配置され、第2の金属層22上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を有する透明電極層24と、透明電極層24上および第2の金属層22上に配置され、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する絶縁膜26と、絶縁膜26上に配置され、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有するた反射積層膜28と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部の第2の金属層22上に配置された第3の金属層30と、第3の金属層30上に配置された第4の金属層32とを備える。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子においては、図1〜図2に示すように、基板10上にバッファ層16を介して、n型半導体層12を形成しても良い。
n型半導体層12は、電子を活性層13に供給し、p型半導体層14は、正孔(ホール)を活性層13に供給する。供給された電子及び正孔が活性層13で再結合することにより、光が発生する。
活性層13は、バリア層とそのバリア層よりバンドギャップが小さい井戸層が交互に配置された積層構造を有する。以下において、活性層13に含まれるバリア層を総称して「バリア層」という。また、活性層13に含まれるすべての井戸層を総称して「井戸層」という。
p型半導体層14は、p型不純物を不純物添加した膜厚0.05〜1μm程度のIII族窒化物系半導体、例えばp型AlxGa1-xN層(0<x<1)等が採用可能である。p型不純物としては、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、カルシウム(Ca)、ベリリウム(Be)、炭素(C)等が使用可能である。
反射積層膜28はλ/4n1とλ/4n2の積層構造(n1,n2は積層する層の屈折率)を有する。積層構造に用いる材料としては、例えばλ=450nmの青色光に対して、ZrO2(n=2.12)とSiO2(n=1.46)からなる積層構造を用いることができる。この場合の各層の厚さは、ZrO2を、例えば約57nm、SiO2を、例えば約75nmとしている。積層構造を形成するための他の材料としては、TiO2,Al2O3などを用いることもできる。
図1〜図2に示す構造において、第8の金属層38を形成しない場合には、第4の金属層32の表面と第7の金属層36の表面には、段差が生じる構造となる。この場合、ワイヤボンディングによって、n側電極、p側電極の電極付けおよび実装化を図ることができる。或いはまた、図1〜図2に示すように、例えば、Au―Sn合金層からなる第8の金属層38を形成した場合においても、ワイヤボンディングによってn側電極、p側電極の、電極付けおよび実装化を図ることができることは明らかである。
同等のスケールダウンによって縮小化することはできないが、例えば、約1mm〜0.4mm程度まで縮小化された半導体発光素子を実装化可能である。
図11は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子のフリップチップ構成による模式的平面パターン構成図を示す。また、図12は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子の別のフリップチップ構成による模式的平面パターン構成図を示す。図11は、半導体発光素子のチップサイズが約1mm角の例である。一方、図12は、チップサイズが約0.6mm角の例である。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図1〜図2に示すように、基板10上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12を形成する工程と、n型半導体層12上に活性層13を形成する工程と、活性層13上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14を形成する工程と、p型半導体層14上に第1の金属層20を形成する工程と、第1の金属層20上に第2の金属層22を形成する工程と、第1の金属層20および第2の金属層22を第1のパターン幅W1でパターニングする工程と、第2の金属層22およびp型半導体層14上に透明電極層24を形成後、第2の金属層22上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を形成する工程と、透明電極層24上および第2の金属層22上に絶縁膜26を形成する工程と、絶縁膜26上に反射積層膜28を形成する工程と、絶縁膜26および反射積層膜28をパターニング後、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3を有する開口部を形成する工程と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3を有する開口部の第2の金属層22上に第3の金属層30を形成する工程と、第3の金属層30上に第4の金属層32を形成する工程とを有する。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光素子は、図7〜図8に示すように、基板10と、基板10上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14と、p型半導体層14上に配置され、第1のパターン幅W1を有する第1の金属層20と、第1の金属層20上に配置された第2の金属層22と、第2の金属層22上に配置された第1のNi層23と、第1のNi層23およびp型半導体層14上に配置され、第1のNi層23上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を有する透明電極層24と、透明電極層24上および第1のNi層23上に配置され、第1のNi層23上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する絶縁膜26と、絶縁膜26上に配置され、第1のNi層23上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する反射積層膜28と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部の第1のNi層23上に配置された第3の金属層30と、第3の金属層30上に配置された第2のNi層31と、第2のNi層31上に配置された第4の金属層32とを備える。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図7〜図8に示すように、 基板10上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12を形成する工程と、n型半導体層12上に活性層13を形成する工程と、活性層13上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14を形成する工程と、p型半導体層14上に第1の金属層20を形成する工程と、第1の金属層20上に第2の金属層22を形成する工程と、第2の金属層22上に第1のNi層23を形成する工程と、第1の金属層20、第2の金属層22および第1のNi層23を第1のパターン幅W1でパターニングする工程と、第1のNi層23およびp型半導体層14上に透明電極層24を形成後、第1のNi層23上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を形成する工程と、透明電極層24上および第1のNi層23上に絶縁膜26を形成する工程と、絶縁膜26上に反射積層膜28を形成する工程と、絶縁膜26および反射積層膜28をパターニング後、第1のNi層23上に第3のパターン幅W3を有する開口部を形成する工程と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3を有する開口部の第1のNi層23上に第3の金属層30を形成する工程と、第3の金属層30上に第2のNi層31を形成する工程と、第2のNi層31上に第4の金属層32を形成する工程とを有する。
本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光素子は、図9〜図10に示すように、基板10と、基板10上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14と、p型半導体層14上に配置され、第1のパターン幅W1を有する第1の金属層20と、第1の金属層20上に配置された第1のNi層23と、第1のNi層23上に配置された第2の金属層22と、第2の金属層22およびp型半導体層14上に配置され、第2の金属層22上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を有する透明電極層24と、透明電極層24上および第2の金属層22上に配置され、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する絶縁膜26と、絶縁膜26上に配置され、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部を有する反射積層膜28と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3でパターニングされた開口部の第2の金属層22上に配置された第3の金属層30と、第3の金属層30上に配置された第2のNi層31と、第2のNi層31上に配置された第4の金属層32とを備える。
本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図9〜図10に示すように、基板10上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層12を形成する工程と、n型半導体層12上に活性層13を形成する工程と、活性層13上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層14を形成する工程と、p型半導体層14上に第1の金属層20を形成する工程と、第1の金属層20上に第1のNi層23を形成する工程と、第1のNi層23上に第2の金属層22を形成する工程と、第1の金属層20、第1のNi層23および第2の金属層22を第1のパターン幅W1でパターニングする工程と、第2の金属層22およびp型半導体層14上に透明電極層24を形成後、第2の金属層22上に第2のパターン幅W2でパターニングされた開口部を形成する工程と、透明電極層24上および第2の金属層22上に絶縁膜26を形成する工程と、絶縁膜26上に反射積層膜28を形成する工程と、絶縁膜26および反射積層膜28をパターニング後、第2の金属層22上に第3のパターン幅W3を有する開口部を形成する工程と、反射積層膜28および第3のパターン幅W3を有する開口部の第2の金属層22上に第3の金属層30を形成する工程と、第3の金属層30上に第2のNi層31を形成する工程と、第2のNi層31上に第4の金属層32を形成する工程とを有する。 また、本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図9〜図10に示すように、p型半導体層14と活性層13とn型半導体層12の一部をエッチングにより除去したn型半導体層12上に第5の金属層33を形成する工程と、第5の金属層33上に第3のNi層34を形成する工程と、第3のNi層34上に第6の金属層35を形成する工程と、第6の金属層35上に第4のNi層37を形成する工程と、第4のNi層37上に第7の金属層36を形成する工程とを有する。
第4の実施の形態に係る半導体発光素子の断面構造であって、図1および図2において、反射積層膜28を省略した構造に対応する模式的断面構造は、図13および図14に示すように表される。第4の実施の形態においても反射積層膜28以外の構成は、第1の実施の形態と同様である。
上記のように、本発明は第1〜第6の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…n型半導体層
13…活性層
14…p型半導体層
16…バッファ層
20…第1の金属層
20a,20b,33a,33b…金属配線
22…第2の金属層
23…第1のNi層
24…透明電極層
26…絶縁膜
28…反射積層膜
30…第3の金属層
31…第2のNi層
32,321,322,323…第4の金属層
33…第5の金属層
34…第3のNi層
35…第6の金属層
36…第7の金属層
37…第4のNi層
38,381,382,383…第8の金属層
W1…第1のパターン幅
W2…第2のパターン幅
W3…第3のパターン幅
La,Lb,t,L1,L2,L3,L11,L22…距離
Claims (27)
- 基板と、
前記基板上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層と、
前記n型半導体層上に配置された活性層と、
前記活性層上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層と、
前記p型半導体層上に配置され、第1のパターン幅を有する第1の金属層と、
前記第1の金属層上に配置された第2の金属層と、
前記第2の金属層および前記p型半導体層上に配置され、前記第2の金属層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を有する透明電極層と、
前記透明電極層上および前記第2の金属層上に配置され、前記第2の金属層上に第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜および前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部の前記第2の金属層上に配置された第3の金属層と、
前記第3の金属層上に配置された第4の金属層と
を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記絶縁膜上に前記第3の金属層との間に配置され、前記第2の金属層上に前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する反射積層膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 基板と、
前記基板上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層と、
前記n型半導体層上に配置された活性層と、
前記活性層上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層と、
前記p型半導体層上に配置され、第1のパターン幅を有する第1の金属層と、
前記第1の金属層上に配置された第2の金属層と、
前記第2の金属層上に配置された第1のNi層と、
前記第1のNi層および前記p型半導体層上に配置され、前記第1のNi層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を有する透明電極層と、
前記透明電極層上および前記第1のNi層上に配置され、前記第1のNi層上に第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜および前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部の前記第1のNi層上に配置された第3の金属層と、
前記第3の金属層上に配置された第2のNi層と、
前記第2のNi層上に配置された第4の金属層と
を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記絶縁膜上に第1のNi層との間に配置され、前記第2の金属層上に前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する反射積層膜を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。
- 基板と、
前記基板上に配置され、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層と、
前記n型半導体層上に配置された活性層と、
前記活性層上に配置され、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層と、
前記p型半導体層上に配置され、第1のパターン幅を有する第1の金属層と、
前記第1の金属層上に配置された第1のNi層と、
前記第1のNi層上に配置された第2の金属層と、
前記第2の金属層および前記p型半導体層上に配置され、前記第2の金属層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を有する透明電極層と、
前記透明電極層上および前記第2の金属層上に配置され、前記第2の金属層上に第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜および前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部の前記第2の金属層上に配置された第3の金属層と、
前記第3の金属層上に配置された第2のNi層と、
前記第2のNi層上に配置された第4の金属層と
を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記絶縁膜上に前記第3の金属層との間に配置され、前記第2の金属層上に前記第3のパターン幅でパターニングされた開口部を有する反射積層膜を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記p型半導体層と前記活性層と前記n型半導体層の一部をエッチングにより除去した前記n型半導体層上に配置された第5の金属層と、
前記第5の金属層上に配置された第3のNi層と、
前記第3のNi層上に配置された第6の金属層と、
前記第6の金属層上に配置された第7の金属層と
を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記第6の金属層と前記第7の金属層との間に配置された第4のNi層を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子。
- 前記第5の金属層はAl層で形成され、前記第6の金属層はTi層で形成され、前記第7の金属層はAu層で形成されたことを特徴とする請求項7または8のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子は、フリップチップ構造を備え、光は、基板側から取り出されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 平面パターン構成において、長辺は、短辺よりも、2.0〜2.8倍の長さを有する長方形状を有し、短辺と平行方向に長辺を二分する中心線を挟み、互いに反対側に配置された前記第4の金属層からなる第1パッド電極と前記第7の金属層からなる第2パッド電極とを備えることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 平面パターン構成において、前記第2パッド電極と前記透明電極との間は、略円形の曲線形状を有し、その間隔は略一定距離を有し、前記第1パッド電極および前記第2パッド電極の短辺方向と平行方向の幅LaおよびLbは、La>Lbの関係を有することを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子。
- 平面パターン構成において、前記第5の金属層は、前記第7の金属層からなる第2パッド電極が配置されている四辺のうちの一辺の端部かつ一辺の中央部に延伸して配置された第1金属配線と、前記第1金属配線から前記第4の金属層からなる第1パッド電極方向に略90度曲がったn本(nは偶数)の第2金属配線とを備え、
前記第1の金属層は、前記第2パッド電極に対向する四辺の内、前記第1パッド電極が配置されている一辺の中央部から一辺の端部全辺に延伸して配置された第3金属配線と、前記第3金属配線から前記第2パッド電極方向に略90度曲がった(n+1)本(nは偶数)の第4金属配線とを備えることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 平面パターン構成において、前記第5の金属層は、前記第7の金属層からなる第2パッド電極が配置されている四辺のうちの一辺の端部かつ一辺の略全辺に延伸して配置された第1金属配線と、前記第1金属配線から前記第4の金属層からなる第1パッド電極方向に略90度曲がったn本(nは偶数)の第2金属配線とを備え、
前記第1の金属層は、前記第2パッド電極に対向する四辺の内、前記第1パッド電極が配置されている一辺の中央部から一辺の端部全辺に延伸して配置された第3金属配線と、前記第3金属配線から前記第2パッド電極方向に略90度曲がった(n+1)本(nは偶数)の第4金属配線とを備えることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - n本の前記第2金属配線と、(n+1)本(nは偶数)の前記第4金属配線は、櫛の歯状に交互に配置され、前記第4金属配線と前記第2金属配線近傍の前記透明電極層間の距離をL1、前記第2金属配線近傍の前記透明電極層と中央部の前記第4金属配線間の距離をL2、前記第2金属配線近傍の前記透明電極層と前記第3金属配線間の距離をL3とすると、L1<L2<L3の関係を有することを特徴とする請求項13または14に記載の半導体発光素子。
- 平面パターン構成において、前記第1の金属層は、四辺の外周に一番近い2本の前記第4金属配線と前記透明電極との距離をL11とすると、L11<L1の関係を有し、外周部以外では、前記第4金属配線と前記透明電極との距離をL22とすると、L22=L2の関係を有することを特徴とする請求項15に記載の半導体発光素子。
- 互いに対向する四辺のうち二辺の端部に平行方向に、約300〜500μm毎に1個の割合で、前記第1パッド電極および前記第2パッド電極を配置することを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 基板上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層を形成する工程と、
前記n型半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層を形成する工程と、
前記p型半導体層上に第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層上に第2の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層および前記第2の金属層を第1のパターン幅でパターニングする工程と、
前記第2の金属層および前記p型半導体層上に透明電極層を形成後、前記第2の金属層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を形成する工程と、
前記透明電極層上および前記第2の金属層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニング後、前記第2の金属層上に第3のパターン幅を有する開口部を形成する工程と、
前記第3のパターン幅を有する開口部の前記第2の金属層上に第3の金属層を形成する工程と、
前記第3の金属層上に第4の金属層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜上に反射積層膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項18に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 基板上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層を形成する工程と、
前記n型半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層を形成する工程と、
前記p型半導体層上に第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層上に第2の金属層を形成する工程と、
前記第2の金属層上に第1のNi層を形成する工程と、
前記第1の金属層、前記第2の金属層および前記第1のNi層を第1のパターン幅でパターニングする工程と、
前記第1のNi層および前記p型半導体層上に透明電極層を形成後、前記第1のNi層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を形成する工程と、
前記透明電極層上および前記第1のNi層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニング後、前記第1のNi層上に第3のパターン幅を有する開口部を形成する工程と、
前記第3のパターン幅を有する開口部の前記第1のNi層上に第3の金属層を形成する工程と、
前記第3の金属層上に第2のNi層を形成する工程と、
前記第2のNi層上に第4の金属層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜上に反射積層膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項20に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 基板上に、n型不純物が不純物添加されたn型半導体層を形成する工程と、
前記n型半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、p型不純物が不純物添加されたp型半導体層を形成する工程と、
前記p型半導体層上に第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層上に第1のNi層を形成する工程と、
前記第1のNi層上に第2の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層、前記第1のNi層および前記第2の金属層を第1のパターン幅でパターニングする工程と、
前記第2の金属層および前記p型半導体層上に透明電極層を形成後、前記第2の金属層上に第2のパターン幅でパターニングされた開口部を形成する工程と、
前記透明電極層上および前記第2の金属層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニング後、前記第2の金属層上に第3のパターン幅を有する開口部を形成する工程と、
前記第3のパターン幅を有する開口部の前記第2の金属層上に第3の金属層を形成する工程と、
前記第3の金属層上に第2のNi層を形成する工程と、
前記第2のNi層上に第4の金属層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜上に反射積層膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項22に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記p型半導体層と前記活性層と前記n型半導体層の一部をエッチングにより除去した前記n型半導体層上に第5の金属層を形成する工程と、
前記第5の金属層上に第3のNi層を形成する工程と、
前記第3のNi層上に第6の金属層を形成する工程と、
前記第6の金属層上に第7の金属層を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項18〜23のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第6の金属層と前記第7の金属層との間に第4のNi層を形成する工程を有することを特徴とする請求項24に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第5の金属層はAl層で形成され、前記第6の金属層はTi層で形成され、前記第7の金属層はAu層で形成されたことを特徴とする請求項24または25のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1の金属層および前記第3の金属層はTi層で形成され、前記第2の金属層および前記第4の金属層はAu層で形成されたことを特徴とする請求項18〜26のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008309420A JP5340712B2 (ja) | 2008-01-16 | 2008-12-04 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US12/318,831 US8115222B2 (en) | 2008-01-16 | 2009-01-09 | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008007130 | 2008-01-16 | ||
JP2008007130 | 2008-01-16 | ||
JP2008309420A JP5340712B2 (ja) | 2008-01-16 | 2008-12-04 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194367A true JP2009194367A (ja) | 2009-08-27 |
JP5340712B2 JP5340712B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=41076071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008309420A Active JP5340712B2 (ja) | 2008-01-16 | 2008-12-04 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5340712B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011108859A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2011187842A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2013135234A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2014063862A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015082612A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
JP2015133477A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
WO2016099743A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Apple Inc. | Micro-led with dielectric side mirror and an electronic device comprising a plurality of micro-leds |
WO2016064134A3 (en) * | 2014-10-21 | 2017-05-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
US9761761B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-12 | Nichia Corporation | Light-emitting element |
KR101938731B1 (ko) | 2012-08-08 | 2019-01-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US10297722B2 (en) | 2015-01-30 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro-light emitting diode with metal side mirror |
KR102056619B1 (ko) | 2012-05-17 | 2019-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US10950756B2 (en) | 2016-12-06 | 2021-03-16 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device including a passivation layer on a light emitting structure |
JP7307662B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-07-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129933A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
-
2008
- 2008-12-04 JP JP2008309420A patent/JP5340712B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129933A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011108859A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2011187842A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US10128412B2 (en) | 2011-12-26 | 2018-11-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2013135234A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
KR102056619B1 (ko) | 2012-05-17 | 2019-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR101938731B1 (ko) | 2012-08-08 | 2019-01-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2014063862A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015082612A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
JP2015133477A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
US10403796B2 (en) | 2014-10-21 | 2019-09-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
WO2016064134A3 (en) * | 2014-10-21 | 2017-05-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
WO2016099743A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Apple Inc. | Micro-led with dielectric side mirror and an electronic device comprising a plurality of micro-leds |
US10297722B2 (en) | 2015-01-30 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro-light emitting diode with metal side mirror |
US9761761B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-12 | Nichia Corporation | Light-emitting element |
US10950756B2 (en) | 2016-12-06 | 2021-03-16 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device including a passivation layer on a light emitting structure |
JP7307662B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-07-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5340712B2 (ja) | 2013-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5340712B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
US9911894B2 (en) | Nitride-based III-V group compound semiconductor | |
US8115222B2 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device | |
US8779441B2 (en) | Semiconductor light emitting element with first and second electrode openings arranged at a constant distance | |
US7999249B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device with surface texture and its manufacture | |
US9054269B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US20110244610A1 (en) | Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device | |
JP5045418B2 (ja) | GaN系LED素子、GaN系LED素子の製造方法およびGaN系LED素子製造用テンプレート | |
JP2007184411A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 | |
KR20080109835A (ko) | GaN계 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 램프 | |
KR20100079843A (ko) | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20120092326A (ko) | 광 결정 구조를 갖는 비극성 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
US11482642B2 (en) | Light emitting element | |
KR20100036617A (ko) | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
JP2011060917A (ja) | 半導体発光素子 | |
US20100181588A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US7973321B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device having ridge parts | |
JP2009302314A (ja) | GaN系半導体装置 | |
JP5366518B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
US20100224897A1 (en) | Semiconductor optoelectronic device and method for forming the same | |
KR101425167B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된질화물 반도체 발광소자 | |
JP3951973B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2009070893A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US20100224900A1 (en) | Semiconductor optoelectronic device and method for making the same | |
JP3216118B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5340712 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |