JP2003234506A - 放射線を発する半導体デバイス - Google Patents

放射線を発する半導体デバイス

Info

Publication number
JP2003234506A
JP2003234506A JP2003020947A JP2003020947A JP2003234506A JP 2003234506 A JP2003234506 A JP 2003234506A JP 2003020947 A JP2003020947 A JP 2003020947A JP 2003020947 A JP2003020947 A JP 2003020947A JP 2003234506 A JP2003234506 A JP 2003234506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
semiconductor device
contact
semiconductor
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003020947A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3754962B2 (ja
Inventor
Dominik Eisert
アイザート ドミニク
Stephan Kaiser
カイザー シュテファン
Michael Fehrer
フェーラー ミヒャエル
Berthold Hahn
ハーン ベルトルト
Volker Haerle
ヘルレ フォルカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2003234506A publication Critical patent/JP2003234506A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3754962B2 publication Critical patent/JP3754962B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化物−化合物半導体をベースとし、改善さ
れたコンタクトメタライジング部を備えた放射線を発す
る半導体デバイスを提供すること 【解決手段】 窒化物−化合物半導体を有する半導体ボ
ディ（１）を備え、その表面（２）上にコンタクトメタ
ライジング部（３）が配置されている放射線を発する半
導体デバイスにおいて、コンタクトメタライジング部
（３）が放射線透過性であり、コンタクトメタライジン
グ部（３）が少なくとも部分的に放射線透過性の導電性
コンタクト層（４）で覆われていることを特徴とする、
放射線を発する半導体デバイス

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項１の上位概
念に記載の放射線を発する半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】前記の種類の放射線を発する半導体デバ
イスは、窒化物−化合物半導体を有しかつその表面にコ
ンタクトメタライジング部を有する半導体ボディを有す
る。
【０００３】窒化物−化合物半導体はコンタクトメタラ
イジング部と比べてしばしば比較的僅かな導電性を示
す。導電性の向上は特にｐ型ドープした窒化物−化合物
半導体の場合に特にそれ自体技術的問題となる。従っ
て、半導体ボディ中での均一な電流分配のために、半導
体ボディ上の大面積のコンタクトメタライジング構造体
が必要である、それというのも半導体ボディ自体におい
ても電流の拡張、つまり不均一な電流分配の補償は僅か
な周辺部においてのみ行われるためである。
【０００４】これに伴い、半導体表面を大面積で覆うこ
とは、放射線を発する半導体デバイスにおいて、外方放
射を提供する自由な半導体表面を減少させるため、放射
する放射線量は低下する。コンタクトメタライジング部
を外方へ放射する放射線に対して透過性になるようにコ
ンタクトメタライジング部を薄くすることもできる。し
かしながら、それによりラテラル方向、つまり半導体表
面に対して平行な方向への電気抵抗が上昇するため、ワ
イヤ接続部上の中央の接続点により供給される動作電流
の均質な分配がもはや保証されない。不均一な電流分配
は、動作電流の局所的集中のためにデバイスを損傷する
危険を増加させ、この集中は熱的な過負荷を引き起こし
かねない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、窒化
物−化合物半導体をベースとし、改善されたコンタクト
メタライジング部を備えた放射線を発する半導体デバイ
スを提供することである。特に、本発明の課題はｐ型ド
ープした窒化物−化合物半導体のための改善されたコン
タクトメタライジング部を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、請求項１
記載のデバイスにより解決される。本発明の有利な実施
態様は引用形式請求項の対象である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施態様の場合に
は、窒化物−化合物半導体を有する半導体ボディを備
え、その表面上にコンタクトメタライジング部が配置さ
れており、このコンタクトメタライジング部は放射線透
過性でかつ放射線透過性の導電性コンタクト層で覆われ
ている、放射線を発する半導体デバイスを形成する。
【０００８】本発明は、半導体ボディ内で形成される放
射線に対して相応して高い透過性を有する極めて薄いコ
ンタクトメタライジング部の構成を可能にする。コンタ
クトメタライジング部の厚さが薄いことにより減少され
た横方向導電性はコンタクトメタライジング部上に設け
られた導電性でかつ放射線透過性のコンタクト層により
補償される。この場合に、横方向導電性とはコンタクト
メタライジング部が設けられている表面に対して平行方
向の導電性であると解釈される。
【０００９】本発明の第２の実施態様の場合には、窒化
物−化合物半導体を有する半導体ボディを備え、その表
面上に複数の開口を備えているか又は相互に間隔をおい
た複数のコンタクト島状部を備えたコンタクトメタライ
ジング部が配置されている、放射線を発する半導体デバ
イスを形成する。このコンタクトメタライジング部は同
様に放射線透過性で、導電性のコンタクト層で覆われて
いる。第１の実施態様と異なるのは、第２の実施態様の
場合にはコンタクトメタライジング内の開口を通して又
はコンタクトメタライジング島状部の間の半導体ボディ
から、生じた放射線が外方に放射されることである。こ
うして高い外方放射度を達成するのが有利である。コン
タクトメタライジング部の構造化により減少した横方向
導電性はコンタクトメタライジングを覆うコンタクト層
によって補償される。
【００１０】この場合、外方放射をさらに向上させるた
めに、第２の実施態様の場合でも、コンタクトメタライ
ジングが放射線透過性に構成されているのが有利であ
る。また、コンタクトメタライジング自体は第２の実施
態様の場合には放射線不透過性であってもよい。これは
コンタクトメタライジングの厚さをより厚くし、それに
より機械的安定性、たとえば引掻に対する安定性をより
高めることができる。さらに、コンタクト層の厚さに関
しては製造許容差が有利に低下する。
【００１１】本発明のこの２つの実施態様は、放射線透
過性の及び／又は構造化されたコンタクトメタライジン
グ部により放射線を高度に外方へ放射する利点と、導電
性のコンタクト層による均一なラテラルな電流分配の利
点と及び僅かなコンタクト抵抗の利点とを統合する。
【００１２】コンタクトメタライジング部として、特に
白金又はパラジウムを有する金属層が適している。慣用
のコンタクトメタライジング部と比較して、本発明の場
合のコンタクトメタライジング部は、２０ｎｍを下回
る、有利に１０ｎｍを下回る極めて薄い層厚で構成され
ていてもよい。本発明の場合には、一般に５ｎｍの厚さ
の白金層、ニッケル層又はパラジウム層がコンタクトメ
タライジング部として使用される。
【００１３】コンタクトメタライジング部及びコンタク
ト層を、ｐ型ドープした、たとえばマグネシウム又は亜
鉛でドープした半導体ボディの領域上に設けるのが有利
である。ｐ型導電性の窒化物−化合物半導体の導電性は
比較的小さく、ｐ型ドープされた領域内で電流の拡張は
限られた範囲内でだけ行われる。特に高い動作電流密度
のデバイス、たとえば半導体レーザーのためには、電流
の拡張はｐ型導電性の範囲内でしばしば不十分である。
横方向導電性の向上のために導電性コンタクト層を設け
ることは、この場合に特に有利である。
【００１４】できる限り均質な電流分配に関して、コン
タクト層用に、コンタクトメタライジング部の横方向導
電性よりも高い横方向導電性を有する材料を使用するこ
とが有利である。このために特に酸化亜鉛が適してい
る。さらに酸化スズ又はＩＴＯ（インジウム−スズ−オ
キサイド）を使用することも可能である。
【００１５】窒化物−化合物半導体とは、本発明の場合
に、特に周期表の第３及び／又は第５主族の元素の窒化
物化合物、たとえばＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌｘＧ
ａ１ - ｘＮ、０≦ｘ≦１、ＩｎｘＧａ１ - ｘＮ、０≦ｘ≦
１又はＡｌｘＩｎｙＧａ１ - ｘ - ｙＮ、０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１であると解釈される。
【００１６】半導体ボディは複数の窒化物−化合物半導
体層を有するのが有利である。この半導体層は基板上
に、たとえばエピタキシャル成長により配置することが
できる。このためには、特に放射線透過性の基板、たと
えば炭化ケイ素−基板（ＳｉＣ−基板）又はサファイア
−基板が適しており、これらの基板はこの基板を通して
放射線を外方へ放射することが可能である。
【００１７】また、半導体デバイスを基板なしで薄層デ
バイスとして構成していてもよい。生じた放射線の基板
内での吸収は完全に抑制するのが有利である。
【００１８】本発明の有利な実施態様の場合には、この
基板はコンタクトメタライジングとは反対側にリフレク
タが設けられている。これは取り付け面としてリフレク
タ側を使用することを可能にし、この場合、このリフレ
クタ側の方向へ発光する放射線は、少なくとも部分的
に、前記した有利な外方放射特性を有するコンタクトメ
タライジングの方向へ反射し返される。
【００１９】それに対して薄層デバイスの場合には、リ
フレクタは有利に放射線透過性の導電性コンタクト層上
に配置される。このコンタクト層はこの場合には有利に
特に高い反射率を可能にする。外方への放射は、大部
分、半導体ボディの、リフレクタとは反対側を介して行
われる。
【００２０】本発明の他の特徴、利点及び有効性は、図
１及び２との関連で本発明の２つの実施例の次の記載か
ら明らかである。
【００２１】
【実施例】同じ部材または同じ作用をする部材は、図面
中で同じ符号で示されている。
【００２２】図１に示された半導体デバイスは、複数の
窒化物−化合物半導体層６，７，８を備えた半導体ボデ
ィ１を有する。たとえば、この半導体ボディは、放射線
透過性の層８を有し、これは第１のジャケット層６及び
第２のジャケット層７の間に配置されている。ジャケッ
ト層６及び／又は７のための材料として、たとえばＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＩｎＧａＮを使用することがで
きる。
【００２３】単一量子井戸又は多重量子井戸の構成のた
めに、層８は複数の個々の層を有することができる。有
利に、放射線を生じる層８はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、
ＡｌＩｎＧａＮ、ＧａＮ又はＩｎＮを有する。
【００２４】図示した実施例の場合には、ジャケット層
７はｎ型ドープされており、ジャケット層６はｐ型ドー
プされているため、これらの層の間で活性層８の範囲内
で放射線を生じるｐｎ接合が形成されている。ｎ型ドー
プのために、たとえばケイ素が適しており、ｐ型ドープ
のためにはたとえばマグネシウムが適している。
【００２５】この層構造は導電性の基板５上に設けられ
ている。エピタキシャルに製造された層構造の場合に、
基板としてたとえばエピタキシー基板を使用することが
できる。特に、ＳｉＣ−基板が適しており、これはその
導電性の他に、窒化ガリウムベースの化合物に関する良
好な格子整合を特徴とする。
【００２６】場合により、基板５とジャケット層７との
間で、付加的に１つの緩衝層が形成されていてもよく、
この緩衝層はたとえばエピタキシーの際の格子整合をさ
らに改善し及び／又は半導体ボディと基板との間の電気
抵抗を減少させる。
【００２７】層構造６，７，８とは反対側で、基板には
対向コンタクトメタライジング部９が設けられている。
【００２８】ｐ型導電性ジャケット層６の表面にはコン
タクトメタライジング部３が配置されている。このコン
タクトメタライジング部３は、薄い白金層又はパラジウ
ム層として構成されており、この厚さは２０ｎｍを下回
り、有利に１０ｎｍを下回る。図示された実施例の場合
には、コンタクトメタライジング部の厚さは５ｎｍであ
る。この種のコンタクトメタライジング部３は、厚さが
薄いため、活性層８中で生じた放射線に対して少なくと
も部分的に透過性である。
【００２９】もちろん、コンタクトメタライジング部の
厚さと共にその横方向導電性も低下する。これは、ワイ
ヤ接続部１１及びワイヤ接続面１０を介して供給される
動作電流が主にワイヤ接続面１０から対向メタライジン
グ部９への直線方向で流動することを生じさせる。コン
タクトメタライジング部３内の電流拡張は、コンタクト
箇所から半導体表面２に対して平行な電流の流れを必要
とし、かつこのコンタクトメタライジング部３の僅かな
導電性に基づきこの方向へ限られた程度でしか行われな
い。さらに、ｐ型ドープされた半導体層６中の導電性も
比較的僅かであり、電流の拡張を著しく拡大することに
はならない。半導体ボディ中でのそれにより生じた不均
一な電流分配の不利な結果、特に局所的な熱的過負荷は
すでに記載した。
【００３０】これを回避するために、本発明の場合には
コンタクトメタライジング部３は、酸化亜鉛からなる導
電性で、放射線透過性のコンタクト層４で覆われてい
る。このコンタクト層４は有利に１０ｎｍより厚い、特
に有利に１００ｎｍより厚い、たとえば２００ｎｍの厚
さに構成されており、コンタクトメタライジング部３と
比較して高い横方向導電性を有する。ワイヤ接続面１０
を介して供給された動作電流は、コンタクト層４内でま
ず主に半導体表面２に対して平行に流れ、続いてコンタ
クトメタライジング部３を介して半導体ボディ内へ導入
される。対応する電流経路１３を図１に示した。すでに
コンタクト層４内で充分に電流が拡張されかつ均質に分
配されているため、その下のコンタクトメタライジング
部３では充分に均一でラテラルな電流分配が生じる。
【００３１】図２では本発明の第２の実施例が示されて
いる。図２ａは図式的な断面図を示し、図２ｂはその平
面図を示す。
【００３２】図１に示した実施例と異なる点は、第２の
実施例の場合に半導体デバイスが薄層デバイスとして構
成されており、基板を有していないことである。
【００３３】この場合、半導体ボディ１は機械的安定化
のためにコンタクト層４で支持体１２上に取り付けられ
る。有利に支持体１２は導電性であり、同時に電流の導
入のために用いられる。
【００３４】この種のデバイスは、たとえば半導体ボデ
ィをエピタキシー基板上にエピタキシャル成長させ、そ
の後にコンタクトメタライジング部３及びコンタクト層
４を設け、次いで支持体１２上に固定することにより製
造できる。その後にエピタキシー基板を取り除き、対向
コンタクトメタライジング部を設置する。
【００３５】この対向コンタクトメタライジング部９は
従って半導体ボディ１もしくはその中に含まれるジャケ
ット層７上に直接配置され、これは前記の実施例と同様
に、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＩｎＧａＮを含有しか
つ／又はｎ−ドープされていてもよい。活性層８及びジ
ャケット層６のの構造及び組成は、同様に前記の実施例
に一致する。
【００３６】さらに、この対向コンタクトメタライジン
グ部は、図１に示した実施例とは異なり、ワイヤ接続１
１用の接続面として用いられ、半導体ボディ１の表面を
部分的に覆っているだけである。
【００３７】支持体１２は金属支持体又は半導体支持体
であることができ、この場合、熱により生じる機械的応
力を抑制するために、支持体の熱膨張率は半導体ボディ
１の熱膨張率に適合させるのが有利である。これは、熱
膨張率の差が、製造時及び動作時に生じるもしくは想定
される温度範囲において半導体ボディ１に障害が生じな
い程度に少ないと解釈することができる。支持体１２の
熱膨張率の半導体ボディ１の熱膨張率からの相対的な逸
脱は、有利に５０％より小さく、特に有利に３０％より
少ないのが好ましい。
【００３８】対向電極９の反対側で、半導体ボディ１の
表面２上にはコンタクトメタライジング部３が、複数の
相互に隣り合って配置された図２ｂでは円形で示したコ
ンタクト島状部の形で設置されている。生じた放射線
は、コンタクト島状部の間のコンタクトメタライジング
３で覆われていない領域を通過して、放射線放出面の方
向へ反射し戻され、これは次にさらに詳説する。
【００３９】複数の関連していないコンタクト島状部の
形のコンタクトメタライジング部３のこのような構造に
より、半導体表面の遮蔽度は少なく、その結果、高い放
射線放出が達成される。コンタクトメタライジング部３
の厚さは第１の実施例の場合と同様に選択されるため、
付加的にコンタクト島状部自体は放射線透過性である。
【００４０】また、コンタクトメタライジング部３の厚
さは第２の実施例の場合にも、図１に示した実施例の場
合よりも明らかに厚く選択することができる、それとい
うのもコンタクト島状部自体の放射線透過性は有利には
必要であるが、必ずしも必要ではないためである。
【００４１】同様に、図１に示された実施例の場合に
も、コンタクトメタライジング部３も個々のコンタクト
島状部の形で構成されていてもよい。コンタクト島状部
の間の横方向導電性は、この場合一般に、均一な電流分
配を保証する付加的手段を必要としない程度に少ない。
これは、本発明の場合に導電性の、放射線透過性のコン
タクト層４により達成される。このコンタクト層用の材
料として有利に酸化亜鉛が使用される。
【００４２】図２に示したようなこのデバイスの薄層デ
バイスとしての構造の他の利点は、生じた放射線の基板
中での吸収を抑制することにある。特に支持体１２の方
向へ放射する放射線成分も有効に利用できる。
【００４３】コンタクト層４上にリフレクタ層１４を設
けるのが有利であり、このリフレクタ層１４はできる限
り高い反射率を有し、かつ半導体ボディはこのリフレク
タ層１４で支持体１２に取り付けられる。また、支持体
１２自体が反射性で、有利に鏡面の構造を有していても
よい。両方の場合に、支持体１２の方向に放射する放射
線成分は、放射線放出面の方向へ反射して戻され、それ
により放射効率が向上する。
【００４４】コンタクトメタライジング部３を放射線透
過性で、導電性のコンタクト層４で覆うことは、この場
合に、高い反射率を有する境界面を形成させることを容
易にする。この反射率は、通常の半導体ボディとコンタ
クトメタライジング部との間の界面で達成できる反射率
よりも明らかに高い。
【００４５】もちろん、この２つの実施例の場合に、他
の放射線を生じる構造体、たとえばｐ型導電層及びｎ型
導電層を備え、その間にｐｎ接合又はＶＣＳＥＬ−構造
（vertical cavity surface emitting laser；面発光型
垂直共振器レーザ）を有する二層構造体も使用できる。
【００４６】本発明は特に、比較的高い動作電流のため
に均一な電流分配、低いコンタクト抵抗及び半導体層に
対して垂直の低損失の放射線放出を必要とするＶＣＳＥ
Ｌの場合が有利である。
【００４７】記載された実施例を用いて本発明を説明し
たが、もちろん本発明はこれに限定されるものではな
い。特に実施例の個々の特徴は他の方法と組み合わせる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるデバイスの第１の実施態様の図式
的な断面図
【図２】図２ａ及び図２ｂは本発明によるデバイスの第
２の実施態様の断面図及び平面図
【符号の説明】
１ 半導体ボディ ２ 半導体表面 ３ コンタクトメタライジング部 ４ コンタクト層 ５ 基板 ６，７，８ 窒化物−化合物半導体層 ９ 対向メタライジング部 １０ ワイヤ接続面 １１ ワイヤ接続部 １２ 支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドミニク アイザート ドイツ連邦共和国 レーゲンスブルク ア グリコラヴェーク 11 (72)発明者 シュテファン カイザー ドイツ連邦共和国 レーゲンスブルク ツ ィーゲッツドルファー シュトラーセ 10 (72)発明者 ミヒャエル フェーラー ドイツ連邦共和国 バート アップバッハ リルケシュトラーセ ５ベー (72)発明者 ベルトルト ハーン ドイツ連邦共和国 ヘマウ アム プファ ネンシュティール ２ (72)発明者 フォルカー ヘルレ ドイツ連邦共和国 ラーバー アイヒェン シュトラーセ 35 Ｆターム(参考） 5F041 AA21 CA05 CA34 CA40 CA82 CA88 CA92 CB15 5F073 AB17 CA02 CA07 CA17 CB22 EA29

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 窒化物−化合物半導体を有する半導体ボ
    ディ（１）を備え、その表面（２）上にコンタクトメタ
    ライジング部（３）が配置されている放射線を発する半
    導体デバイスにおいて、コンタクトメタライジング部
    （３）が放射線透過性であり、コンタクトメタライジン
    グ部（３）が少なくとも部分的に放射線透過性の導電性
    コンタクト層（４）で覆われていることを特徴とする、
    放射線を発する半導体デバイス。
  2. 【請求項２】 窒化物−化合物半導体を有する半導体ボ
    ディ（１）を備え、その表面（２）上にコンタクトメタ
    ライジング部（３）が配置されている放射線を発する半
    導体デバイスにおいて、コンタクトメタライジング部
    （３）が複数の開口を有するか又は複数の相互に間隔を
    開けたコンタクト島状部を有し、コンタクトメタライジ
    ング部（３）が少なくとも部分的に放射線透過性の導電
    性コンタクト層（４）で覆われていることを特徴とす
    る、放射線を発する半導体デバイス。
  3. 【請求項３】 コンタクトメタライジング部（３）もし
    くはコンタクト島状部が放射線透過性である、請求項２
    記載の放射線を発する半導体デバイス。
  4. 【請求項４】 窒化物−化合物半導体が周期表の第３及
    び／又は第５主族の元素の窒化物−化合物である、請求
    項１から３までのいずれか１項記載の放射線を発する半
    導体デバイス。
  5. 【請求項５】 窒化物−化合物半導体が化合物ＧａＮ、
    ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌｘＧａ１ - ｘＮ、０≦ｘ≦１、Ｉ
    ｎｘＧａ１ - ｘＮ、０≦ｘ≦１又はＡｌｘＩｎ ｙＧａ１ -
    ｘ - ｙＮ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１の
    少なくとも１つを含有する、請求項１から４までのいず
    れか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  6. 【請求項６】 放射線透過性の導電性コンタクト層
    （４）内の、半導体ボディ（１）の表面（２）に対して
    平行方向の導電性が、コンタクトメタライジング部
    （３）内の導電性よりも大きい、請求項１から５までの
    いずれか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  7. 【請求項７】 コンタクトメタライジング部（４）がパ
    ラジウム又は白金を含有する、請求項１から６までのい
    ずれか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  8. 【請求項８】 コンタクトメタライジング部（４）は２
    ０ｎｍを下回る、特に１０ｎｍを下回る層厚を有する層
    として構成されている、請求項１から７までのいずれか
    １項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  9. 【請求項９】 半導体ボディ（１）がｐ型ドープ領域
    （６）を有し、コンタクトメタライジング部（３）がｐ
    型ドープ領域（６）の表面上に設置されている、請求項
    １から８までのいずれか１項記載の放射線を発する半導
    体デバイス。
  10. 【請求項１０】 半導体ボディ（１）のｐ型ドープ領域
    （６）はマグネシウム又は亜鉛でドープされている、請
    求項９記載の放射線を発する半導体デバイス。
  11. 【請求項１１】 放射線透過性の導電性コンタクト層
    （４）は酸化亜鉛を含有する、請求項１から１０までの
    いずれか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  12. 【請求項１２】 放射線透過性の導電性コンタクト層
    （４）が酸化インジウム、酸化スズ又はＩＴＯを含有す
    る、請求項１から１１までのいずれか１項記載の放射線
    を発する半導体デバイス。
  13. 【請求項１３】 半導体ボディ（１）が基板（５）上に
    配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項
    記載の放射線を発する半導体デバイス。
  14. 【請求項１４】 基板（５）が放射線透過性である、請
    求項１３記載の放射線を発する半導体デバイス。
  15. 【請求項１５】 基板（５）は炭化ケイ素又はサファイ
    アである、請求項１３又は１４記載の放射線を発する半
    導体デバイス。
  16. 【請求項１６】 半導体ボディ（１）が複数の半導体層
    （６，７，８）を有し、これらの層はエピタキシャルに
    基板（５）上に堆積している、請求項１３から１５まで
    のいずれか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  17. 【請求項１７】 基板（５）は導電性であり、半導体ボ
    ディ（１）とは反対側に対向コンタクトメタライジング
    部（９）を備えている、請求項１３から１６までのいず
    れか１項記載の放射線を発する半導体デバイス。
  18. 【請求項１８】 半導体ボディ（１）が複数の半導体層
    （６，７，８）を有し、前記の半導体層（６，７，８）
    はエピタキシー法で製造されており、その際、エピタキ
    シー法のために使用される基板は半導体ボディから取り
    去られている、請求項１から１２までのいずれか１項記
    載の放射線を発する半導体デバイス。
  19. 【請求項１９】 半導体ボディ（１）が支持体（１２）
    上に固定されており、コンタクト層（４）は支持体（１
    ２）と半導体ボディ（１）との間に配置されている、請
    求項１８記載の放射線を発する半導体デバイス。
  20. 【請求項２０】 支持体（１２）とコンタクト層との間
    に反射性の、特に鏡面状の境界面が形成されている、請
    求項１８又は１９記載の放射線を発する半導体デバイ
    ス。
  21. 【請求項２１】 半導体ボディ（１）の、コンタクト層
    の反対側に対向コンタクトメタライジング部（９）を有
    する、請求項１８から２０までのいずれか１項記載の放
    射線を発する半導体デバイス。
  22. 【請求項２２】 半導体デバイスが薄層デバイスであ
    る、請求項１８から２１までのいずれか１項記載の放射
    線を発する半導体デバイス。
  23. 【請求項２３】 半導体デバイスが１つの主放射方向を
    有し、半導体ボディ（１）の表面（２）は、この主放射
    方向に対して垂直に又は所定の角度で配置されている、
    請求項１から２２までのいずれか１項記載の放射線を発
    する半導体デバイス。
  24. 【請求項２４】 半導体デバイスが発光ダイオード、特
    に可視光発光ダイオード又はレーザーダイオードであ
    る、請求項１から２３までのいずれか１項記載の放射線
    を発する半導体デバイス。
  25. 【請求項２５】 半導体デバイスがＶＣＳＥＬである、
    請求項２４記載の放射線を発する半導体デバイス。
JP2003020947A 2002-01-31 2003-01-29 放射線を発する半導体デバイス Expired - Lifetime JP3754962B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10203809A DE10203809B4 (de) 2002-01-31 2002-01-31 Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE10203809.0 2002-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003234506A true JP2003234506A (ja) 2003-08-22
JP3754962B2 JP3754962B2 (ja) 2006-03-15

Family

ID=27588177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003020947A Expired - Lifetime JP3754962B2 (ja) 2002-01-31 2003-01-29 放射線を発する半導体デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7242025B2 (ja)
JP (1) JP3754962B2 (ja)
DE (1) DE10203809B4 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090977A (ko) * 2008-10-31 2011-08-10 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광다이오드칩

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10244986B4 (de) * 2002-09-26 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JP2005268601A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物半導体発光素子
DE102004040077A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenemittierendes Halbleiterlaserbauelement mit einer vertikalen Emissionsrichtung
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US7352788B2 (en) * 2005-08-15 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte, Ltd. Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser
DE102005046190A1 (de) 2005-09-27 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Stromaufweitungsschicht
DE102007020291A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für einen derartigen Chip
CN107706167A (zh) * 2017-09-29 2018-02-16 扬州乾照光电有限公司 一种芯片结构以及制作方法
US11114153B2 (en) * 2019-12-30 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. SRAM devices with reduced coupling capacitance

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129933A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JPH09129919A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JPH1117223A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
JPH11177138A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Stanley Electric Co Ltd 面実装型装置およびこれを用いた発光装置または受光装置
JP2000196189A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Toshiba Corp 面発光型半導体レーザ
JP2000216431A (ja) * 1998-11-19 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4444992A (en) * 1980-11-12 1984-04-24 Massachusetts Institute Of Technology Photovoltaic-thermal collectors
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3269070B2 (ja) 1995-10-30 2002-03-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3207773B2 (ja) 1996-12-09 2001-09-10 株式会社東芝 化合物半導体発光素子及びその製造方法
DE19632627A1 (de) * 1996-08-13 1998-02-19 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Licht aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterkörpers
JPH10256602A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp 半導体発光素子
US6825501B2 (en) * 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
US6473885B1 (en) * 1998-07-17 2002-10-29 Mentor Graphics Corporation Digital circuit layout techniques using circuit decomposition and pin swapping
TW451535B (en) * 1998-09-04 2001-08-21 Sony Corp Semiconductor device and package, and fabrication method thereof
US6291839B1 (en) 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
JP3525061B2 (ja) * 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2000196197A (ja) * 1998-12-30 2000-07-14 Xerox Corp 成長基板が除去された窒化物レ―ザダイオ―ドの構造及び窒化物レ―ザダイオ―ドアレイ構造の製造方法
JP4296644B2 (ja) * 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
DE69900096T2 (de) * 1999-02-11 2001-08-09 Avalon Photonics Ltd Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren
JP2000349339A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US6287947B1 (en) * 1999-06-08 2001-09-11 Lumileds Lighting, U.S. Llc Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer
JP4613373B2 (ja) * 1999-07-19 2011-01-19 ソニー株式会社 Ｉｉｉ族ナイトライド化合物半導体薄膜の形成方法および半導体素子の製造方法
TW425726B (en) * 1999-10-08 2001-03-11 Epistar Corp A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer
US6512248B1 (en) * 1999-10-19 2003-01-28 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp
JP3394488B2 (ja) 2000-01-24 2003-04-07 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP4493153B2 (ja) * 2000-04-19 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子
US6531716B2 (en) * 2000-04-21 2003-03-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same
DE10026255A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
WO2001082384A1 (de) 2000-04-26 2001-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
US7304325B2 (en) * 2000-05-01 2007-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light-emitting device
DE20111659U1 (de) * 2000-05-23 2001-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement für die Optoelektronik
DE10107472A1 (de) 2000-05-23 2001-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
US6693352B1 (en) * 2000-06-05 2004-02-17 Emitronix Inc. Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same
US6787814B2 (en) * 2000-06-22 2004-09-07 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof
JP2002170989A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
JP2002280607A (ja) * 2001-01-10 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4050482B2 (ja) * 2001-04-23 2008-02-20 豊田合成株式会社 半導体発光装置
JP3912044B2 (ja) * 2001-06-06 2007-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US6797990B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
JP2003168823A (ja) * 2001-09-18 2003-06-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
DE10208171A1 (de) * 2002-02-26 2003-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit vertikaler Emissionsrichtung und Herstellungsverfahren dafür
JP2004014725A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
JP2004111623A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10244986B4 (de) * 2002-09-26 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US6936863B2 (en) * 2002-11-18 2005-08-30 Showa Denko K.K. Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof and light-emitting diode
KR101032337B1 (ko) * 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129919A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JPH09129933A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JPH1117223A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
JPH11177138A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Stanley Electric Co Ltd 面実装型装置およびこれを用いた発光装置または受光装置
JP2000216431A (ja) * 1998-11-19 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2000196189A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Toshiba Corp 面発光型半導体レーザ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090977A (ko) * 2008-10-31 2011-08-10 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광다이오드칩
JP2012507156A (ja) * 2008-10-31 2012-03-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光ダイオードチップ
KR101711673B1 (ko) 2008-10-31 2017-03-02 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광다이오드칩

Also Published As

Publication number Publication date
DE10203809B4 (de) 2010-05-27
DE10203809A1 (de) 2003-08-21
US20030141604A1 (en) 2003-07-31
US7242025B2 (en) 2007-07-10
JP3754962B2 (ja) 2006-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7345315B2 (en) Gallium nitride based light-emitting device
US7791101B2 (en) Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices
KR100716790B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7173277B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
KR100969131B1 (ko) 발광 소자 제조방법
US20050156185A1 (en) Flip chip nitride semiconductor light emitting diode
KR101007139B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
JP2008085337A (ja) 半導体ボディおよび半導体チップ
TW200417056A (en) Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
KR20090045310A (ko) 하나 이상의 공진 반사기를 갖는 3족 질화물 발광소자 및 그 소자를 위한 반사 설계된 성장 템플릿 및, 방법
US20060022209A1 (en) Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads
US8269242B2 (en) Semiconductor light emitting device having surface plasmon layer
US20120145994A1 (en) Stable high power ultraviolet light emitting diode
US10868213B2 (en) LED utilizing internal color conversion with light extraction enhancements
JP2003234506A (ja) 放射線を発する半導体デバイス
TWI714146B (zh) 具有光提取強化之利用內部色彩轉換之發光二極體
KR20100137524A (ko) 발광 다이오드 구조, 램프 장치 및 발광 다이오드 구조를 형성하는 방법
JP2006287223A (ja) 放射放出半導体チップおよびこの形式の半導体チップに対する半導体基体の製造方法
KR20120116257A (ko) 발광 다이오드의 휘도 향상 방법 및 그에 의한 발광 다이오드
KR101068864B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US10026881B2 (en) Light emitting device with reflector and a top contact
KR102634756B1 (ko) 발광 소자
CN113257974B (zh) 具有超纳米晶金刚石导电层的发光二极管芯片及制备方法
KR100721169B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100730755B1 (ko) 수직형 발광소자 제조 방법 및 그 수직형 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050428

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050727

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051020

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051118

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3754962

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term