KR101068864B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 제1 및 제2 도전형 반도체층과 그 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광구조물; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 접속된 제1 및 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성되며 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 상에 형성되며 은(Ag)를 포함하는 제2층과, 상기 제2층 상에 형성되며 백금(Pt)를 포함하는 제3층과, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 상기 제 1 전극은 전기적 특성 및 열적 안정성이 우수하고, 반도체층과의 접착력이 우수한 것을 특징으로 한다.

반도체 발광소자, LED, 반사전극, 니켈(Ni), 은(Ag), 루테늄(Ru), 백금(Pt)

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and menufacturing method thereof}

본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전기적 특성 및 열적 안정성이 우수하고, 반도체층과의 접착력이 우수한 반사전극을 포함하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전류가 가해지면 p형 및 n 형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 LED는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 및 반복적인 전원 단속에 대한 높은 공차 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있으며, 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역에서 발광이 가능한 Ⅲ족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.

일반적으로 반도체 발광소자는 n형 반도체층 및 p형 반도체 층에 연결된 2 개의 전극이 발광구조의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평(planar)구조를 갖는 다. 수평 구조의 반도체 발광소자의 낮은 발광 효율을 극복하기 위하여 발광 소자를 뒤집어 기판이 위를 향하게 하고, 후면에 반사막을 구비시켜, 발생된 빛을 기판쪽으로 방출하도록 하는 플립칩 구조가 제안되었다.

또한 도전성 기판을 이용하여 기판 자체에 전극을 형성할 수 있는 수직형 반도체 발광소자가 제안되었다. 수직형 반도체 발광소자는 도전성 기판 상에 반사막을 형성시켜 발생된 빛을 외부로 추출하는 것으로, 반사막과 반도체층의 접착력 및 반사율은 발광 효율을 결정하는 중요한 인자가 된다.

반사막의 증착 후 오믹 컨택 형성을 위한 열처리시 반사막을 이루는 금속과 반도체층 사이에 박리가 발생하는 경우 반도체 발광소자의 발광 효율이 저하된다. 특히, 광추출 효율을 향상시키기 위하여 반도체층의 표면에 규칙적인 굴절율 변화를 제공하는 경우 금속과 반도체층과의 계면 박리 현상은 보다 심각해진다.

따라서, 낮은 접촉 저항 및 높은 반사도를 유지하면서, 반도체층과의 접착력이 우수한 반사전극이 요구되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전기적 특성 및 열적 안정성이 우수하고, 반도체층과의 접착력이 우수한 반사전극을 포함하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로써, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 그 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광구조물; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 접속된 제1 및 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은, 상기 제1 도전형 반도체층의 일면에 형성되며 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 상에 형성되며 은(Ag)를 포함하는 제2층과, 상기 제2층 상에 형성되며 백금(Pt)를 포함하는 제3층과, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 p형 및 n형 반도체층인 것이 바람직하다.

상기 접착력 개선층은 상기 제1 및 제2층 사이와 상기 제2 및 제3층 사이에 각각 형성될 수 있다.

상기 제1 전극이 형성된 상기 제1 도전형 반도체층의 일면은 요철패턴이 형 성될 수 있다.

상기 제 1 층의 두께는 0.1 내지 2nm인 것이 바람직하고, 상기 제 2 층의 두께는 20 내지 500nm인 것이 바람직하며, 상기 제 3 층의 두께는 2 내지 300nm인 것이 바람직하고, 상기 접착력 개선층의 두께는 0.1 내지 2nm인 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면 반도체층에 형성되는 제 1 전극은 전기적 특성 및 열적 안정성이 우수할 뿐만 아니라, 반도체층과의 접착력이 우수하다. 또한 반도체층의 표면에 굴절율 변화를 위한 요철이 형성된 경우에도 우수한 접착력을 제공할 수 있다. 이에 따라 본 발명에 의한 반도체 발광소자는 우수한 발광효율을 나타낸다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다.

다만, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 도전성 기판(110)과 상기 도전성 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층(101), 활성층(102), 및제 2 도전형 반도체층(103)으로 이루어진 발광구조물을 구비하며, 제 1 도전형 반도체층(101) 및 제 2 도전형 반도체층(103)에 각각 전기적으로 접속된 제 1 전극(104) 및 제 2 전극(105)을 포함한다. 상기 제 1 도전형 반도체층(101)의 일면에 전기적으로 접속된 제 1 전극(104)은, 상기 제 1 도전형 반도체층의 일면에 순차적으로 형성된 제 1 내지 제 3 층(104a, 104b, 104c) 및, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층(104d)을 포함하되, 제 1 층(104a)은 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하고, 제 2 층(104b)은 은(Ag)를 포함하며, 제 3 층(104c)은 백금(Pt)를 포함한다.

반도체 발광소자(100)의 발광은 제 1 도전형 반도체층(101), 활성층(102), 및 제 2 도전형 반도체층(103)에서 수행되므로, 이들을 발광구조물이라 한다.

상기 제 1 도전형 및 제 2 도전형 반도체층(101, 103)은 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 GaN계 반도체, ZnO계 반도체, GaAs계 반도체, GaP계 반도체, 또는 GaAsP계 반도체와 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 반도체층(101, 103)을 이루는 반도체 물질은 Ⅲ-V족 반도체, Ⅱ-VI족 반도체 및 Si로 이루어진 군으로부터 적절히 선택될 수 있다. 또한 상기 제 1 도전형 및 제 2 도전형 반도체층(101, 103)은 상술한 반도체에 각각의 도전형을 고려하여 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있다.

예를 들면, 상기 GaN계 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다.

상기 활성층(102)은 발광을 활성화시키는 층으로서, 제 1 도전형 반도체층(101) 및 제 2 도전형 반도체층(103)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성한다. 예를 들어, 제 1 도전형 반도체층(101) 및 제 2 도전형 반도체층(103)이 GaN계 화합물 반도체인 경우, GaN의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖는 InAlGaN계 화합물 반도체를 이용하여 활성층(102)을 형성할 수 있다. 즉, 활성층(102)은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 포함할 수 있다.

이때, 활성층(102)의 특성상, 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 구성물질의 몰비를 조절하여 발광하는 빛의 파장을 조절할 수도 있다. 따라서, 반도체 발광소자(100)는 활성층(102)의 특성에 따라 적외선, 가시광선, 및 자외선 중 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다.

상기 제 1 도전형 및 제 2 도전형 질화물 반도체층(101, 103), 활성층(102) 은 반도체 단결정의 성장 공정, 특히, 질화물 단결정 성장 공정으로서 공지된 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이브리드 기상증착법(HVPE) 등의 방법으로 성장시킬 수 있다.

상기 도전성 기판(110)은 발광구조물을 지지하는 역할을 수행하는 것으로, Si, Cu, Ni, Au, W 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 도전성 기판(110)은 단결정 성장용으로 제공된 기판일 수 있고, 단결정 성장 후 적층된 기판일 수 있다. 일반적으로, 단결정 성장에 유리한 사파이어 기판에 반도체 결정을 성장 시킨 후, 도전성 기판을 도금이나 본딩 공정에 의해 형성하고, 성장용 기판을 제거된다. 보다 구체적으로 사파이어 기판에 제 2 도전형 반도체층(103), 활성층(102) 및 제 1 도전형 반도체층(101)을 순차적으로 성장시킨 후, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 제 1 전극(104)을 형성한다. 이후 제 1 전극(104) 상에 도전성 기판을 형성하고, 사파이어 기판을 제거할 수 있다.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(101, 103)에 각각 전기적으로 접속된 제 1 전극(104) 및 제 2 전극(105)은 각각 동일한 도전형 반도체층에 전압을 인가하기 위한 층들로써, 상기 전극에 의하여 반도체층은 외부전원(미도시)과 전기적으로 연결된다.

상기 제 1 전극(104)은 제 1 도전형 반도체층(101)과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(105)은 제 2 도전현 반도체층(103)과 전기적으로 접속된다. 이 때, 제 1 도전형 반도체층(101) 및 제 1 전극(104)은 p형이고, 제 2 도전형 반도체층(103) 및 제 2 전극(105)은 n형인 것이 바람직하다.

상기 제 1 도전형 반도체층(101)의 일면에 형성되는 제 1 전극(104)은, 상기 제 1 도전형 반도체층의 일면에 순차적으로 형성된 제 1 내지 제 3 층(104a, 104b, 104c) 및, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층(104d)을 포함하되, 제 1 층(104a)은 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하고, 제 2 층(104b)은 은(Ag)를 포함하며, 제 3 층(104c)은 백금(Pt)를 포함한다. 본 실시 형태에서는 접착력 개선층(104d)이 제 1 층(104a) 및 제 2 층(104b) 사이에 형성되어 있으나, 제 2 층(104b) 및 제 3층(104c) 사이에 형성될 수도 있고, 제 1 층(104a) 및 제 2 층(104b) 사이와 제 2 층(104b) 및 제 3층(104c) 사이에 각각 형성될 수도 있다.

제 1 전극(104)은 제 1 도전형 반도체층(101)과의 오믹 컨택기능과 상기 활성층(102)에서 발광 된 빛을 상기 제 2 도전형 반도체층(103) 방향으로 반사하는 기능을 수행하는 것으로, 반사율이 높고, 반도체층과의 접착력이 우수한 안정적인 반사전극을 제공하는 것은 전체 발광 효율에 영향을 미치는 중요한 요소이다.

상기 제 1 전극(104)을 구성하는 제 1 층(104a)은 제 1 도전형 반도체층(101)의 일면에 형성되며, 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함한다. 니켈(Ni)은 일 함수가 상대적으로 낮은 금속으로 오믹 컨택용 금속으로 적합하여 우수한 전기적 특성을 보인다. 또한 제 2 층으로 사용되는 은(Ag) 및 반도체층의 접착력을 보 완해주는 역할을 한다.

상기 제 2 층(104b)은 제 1 층(104a) 하면에 형성되며, 은(Ag)을 포함한다. 은(Ag)을 포함하는 제 2 층(104b)은 활성층(102)에서 발광 된 빛을 제 2 도전형 반도체층(103) 방향으로 반사하는 기능을 수행한다. 은(Ag)은 접촉저항이 낮아 좋은 오믹 특성을 가지며, 높은 반사도를 가지고 있다. 다만, 열처리 후 은(Ag)의 덩어리지는 현상(Agglomeration)에 의하여 전기적 및 열적으로 불안정한 단점이 있다.

이를 보완하기 위하여 상기 제 2 층(104b) 하면에 백금(Pt)을 포함하는 제 3 층(104c)을 포함한다.

상기 제1층 및 제2층 사이에 형성된 접착력 개선층(104d)은 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함한다. 루테늄(Ru)은 제 1 층(104a)에 포함되는 니켈과 전기적 특성이 유사하여, 제 1 층의 전기적 특성 및 열적 안정성을 향상시키는 역할을 한다. 접착력 개선층(104d)은 제 1 층(104a)의 열적 안정성을 향상시켜, 제 1 전극과 제 1 도전형 반도체층의 접착력 향상에 기여한다.

상기 제1, 2, 3 층 및 접착력 개선층(104a, 104b, 104c, 104d)은 통상적인 금속층 성장방법인 전자선 증착법(E-beam evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.

본 실시 형태에서, 상기 제1, 2, 3 층 및 접착력 개선층(104a, 104b, 104c, 104d)의 두께는 전기적 특성과 열적 안정성을 고려하여 적절히 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 층(104a)의 두께는 0.1 내지 2nm인 것이 바람직하고, 상기 제 2 층(104b)의 두께는 20 내지 500nm인 것이 바람직하다. 상기 제 3 층(104c)의 두께는 2 내지 300nm인 것이 바람직하고, 상기 접착력 개선층(104d)의 두께는 0.1 내지 2nm인 것이 바람직하다.

이와 같이, 본 실시 형태에서 채용된 제 1 전극에 의하여 반도체층과 제 1 전극의 우수한 접착력을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 전기적 특성 및 열정 안정성이 확보된다.

도 2 는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도 2 를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 도전성 기판(210)과 상기 도전성 기판(210) 상에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층(201), 활성층(202), 및 제 2 도전형 반도체층(203)으로 이루어진 발광구조물을 구비하며, 제 1 도전형 반도체층(201) 및 제 2 도전형 반도체층(203)에 각각 전기적으로 접속된 제 1 전극(204) 및 제 2 전극(205)을 포함한다. 상기 제 1 도전형 반도체층(201)의 일면에 전기적으로 접속되도록 형성되는 제 1 전극(204)은, 상기 제 1 도전형 반도체층의 일면에 순차적으로 형성된 제 1 내지 제 3 층(204a, 204b, 204c) 및, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층(204d)을 포함하되, 제 1 층(204a)은 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하고, 제 2 층(204b)은 은(Ag)를 포함하며, 제 3 층(204c)은 백금(Pt)를 포함한다.

본 실시 형태의 경우 제 1 전극(204)이 형성되는 제 1 도전형 반도체층(201)의 일면에는 요철(201a)이 형성되어 있다. 이러한 차이 외에 동일한 용어로 나타낸 구성요소에 대해서는 도 1의 경우와 동일한 것으로 이해될 수 있다.

일반적으로 반도체층의 표면에 규칙적 또는 불규칙적 요철을 형성하여 굴절율을 변화를 제공하여 광 추출 효율을 향상시키는 방법이 사용되고 있다. 이러한 경우 제 1 도전형 반도체층(201) 상에 형성되는 제 1 전극(204)과의 접착력 저하문제는 보다 심각해 질 수 있다. 본 실시 형태의 경우 제1층(204a), 제2층(204b), 제 3 층(204c) 및 제1층 및 제 2층 사이에 형성된 접착력 개선층(204d)을 포함하여 반도체층과 제 1 전극(204)의 우수한 접착력을 확보할 수 있다.

도 4 및 도 5는 제 1 전극으로 Ni/Ag/Pt 층을 포함하는 반도체 발광소자의제 1 도전형 반도체층 및 제 1 전극의 계면을 확대한 사진이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 제 1 도전형 반도체층 상에 Ni/Ag/Pt 층을 증착하고, 오믹컨택을 만들기 위한 열처리 과정에서 제 1 도전형 반도체층 및 제 1 전극 사이에 박리(peeling)가 발생한 것을 알 수 있다.

도 6은 상기 도 3에서 설명한 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제 1 도전형 반도체층 및 제 1 전극의 계면을 확대한 사진이다.

제 1 도전형 반도체층 상에 Ni/Ru/Ag/Pt 층을 증착한 후 오믹컨택을 만들기 위해 열처리하였다. 제 1 전극의 구체적인 조건은 니켈(Ni)를 포함하는 제1층의 두께는 0.3nm이고, 은(Ag)를 포함하는 제 2 층의 두께는 250nm이며, 백금(Pt)을 포함하는 제 3 층의 두께는 30nm이고, 루테늄(Ru)를 포함하는 접착력 개선층의 두께는 0.5nm였다.

도 6을 참조하면, 열처리 과정 이후에도 제 1 도전형 반도체층 및 제 1 전극 사이에 박리(peeling)가 발생하지 않은 것을 관찰 할 수 있다.

이와 같이, 본 발명에서 채용된 제 1 전극 구조는 제 1 전극이 형성되는 반도체층 상에 요철이 존재하는 경우에도 우수한 접착력을 제공하여 우수한 전기적 특성 및 열적 안전성을 기대할 수 있다.

본 발명에 따른 제 1 전극 구조는 상기 실시 형태와 같이 수직 구조형 반도체 발광소자뿐만 아니라, 수평 구조형 반도체 발광소자에도 적용이 가능하다.

도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(300)는 기판(310)과 상기 기판(310) 상에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층(301), 활성층(302), 및 제 2 도전형 반도체층(303)으로 이루어진 발광구조물을 구비하며, 상기 제 1 도전형 반도체층(301) 및 제 2 도전형 반도체층(303)은 각각 전기적으로 접속된 제 1 전극(304) 및 제 2 전극(305)을 포함한다.

상기 제 1 도전형 반도체층(301)의 일면에 전기적으로 접속된 제 1 전극(304)은 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하는 제1층(304a)과, 상기 제1층 상에 형성되며 은(Ag)를 포함하는 제2층(304b)과, 상기 제2층 상에 형성되며 백금(Pt)를 포함하는 제3층(304c)과, 상기 제1 및 제2층의 사이 에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층(304d)을 포함한다.

상기 제 2 전극(305)은 제 1 도전형 반도체층(301), 활성층(302) 및 제 2 도전형 반도체층(303)의 일 영역을 식각하여 노출된 제 2 도전형 반도체층(303) 상에 형성된다. 본 실시 형태는 제 1 전극(304) 및 제 2 전극(305)이 동일 평면상에 위치하는 수평구조형 반도체 발광소자이다.

상기 기판(310)은 반도체 성장용 기판으로 제공된 기판일 수 있다. 질화물반도체를 사용한 경우, 질화물 박막의 성장이 용이하고, 고온에서 안정한 사파이어 기판일 수 있다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 방향의 격자상수가 13.001Å, a축 방향으로는 4.765Å의 격자 간 거리를 가지며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는 것으로, 사파이어 기판의 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하다. 사파이어 기판 이외에 반도체 성장용 기판으로 제공된 상기 사파이어 기판(200) 대신 SiC, MgAl₂O₄, MgO, LiAlO₂, LiGaO₂ 등도 반도체 성장용 기판으로 제공될 수 있다.

본 실시 형태의 경우, 플립 칩 형태로 실장하여 활성층(302)에서 발광된 빛은 제 1 전극(304)에 반사되어 제 2 도전형 반도체층(303)으로 진행한다.

이러한 차이 외에 동일한 용어로 나타낸 구성 요소에 대해서는 도 1의 경우와 동일한 것으로 이해될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도 3 은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도 4 및 도 5 는 전극으로 Ni/Ag/Pt 층을 포함하는 반도체 발광소자의 반도체층 및 전극의 계면을 확대한 사진이다.

도 6 은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 반도체층 및 전극의 계면을 확대한 사진이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100: 반도체 발광소자 101: 제 1 도전형 반도체층

102: 활성층 103: 제 2 도전형 반도체층

104: 제 1 전극 105: 제 2 전극

Claims (8)

1. 제1 및 제2 도전형 반도체층과 그 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광구조물; 및

   상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 접속된 제1 및 제2 전극을 포함하며,

   상기 제1 전극은, 상기 제 1 도전형 반도체층의 일면에 순차적으로 형성된 제 1 내지 제 3 층 및, 상기 제1 및 제2층의 사이 또는 상기 제2 및 제3층의 사이에 형성되며 루테늄(Ru) 또는 루테늄 산화물을 포함하는 접착력 개선층을 포함하되, 제 1 층은 니켈(Ni) 또는 니켈 산화물을 포함하고, 제 2 층은 은(Ag)을 포함하며, 제 3 층은 백금(Pt)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 p형 및 n형 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 접착력 개선층은 상기 제1 및 제2층 사이와 상기 제 2 층 및 제 3 층사이에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제1 전극이 형성된 상기 제1 도전형 반도체층의 일면은 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 층의 두께는 0.1 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 층의 두께는 20 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 3 층의 두께는 2 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 접착력 개선층의 두께는 0.1 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

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