DE10203809B4 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper (1),
– auf dessen p-seitige Oberfläche (2) eine für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässige Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, die zumindest teilweise mit einer für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (4) bedeckt ist,
– der eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (6, 7, 8) umfaßt, die mittels eines Epitaxieverfahrens hergestellt sind, wobei das für das Epitaxieverfahren verwendete Substrat von dem Halbleiterkörper abgelöst ist, und
– der auf einem Träger (12) befestigt ist,
wobei
die Kontaktschicht (4) zwischen dem Träger (12) und der Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, und wobei zwischen dem Träger (12) und der Kontaktschicht (4) eine reflektierende Grenzfläche ausgebildet ist.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.
  • Strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente der genannten Art umfassen einen Halbleiterkörper, der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält und der auf seiner Oberfläche eine Kontaktmetallisierung aufweist.
  • Nitrid-Verbindungshalbleiter weisen gegenüber der Kontaktmetallisierung oftmals eine vergleichsweise geringe Leitfähigkeit auf. Die Erhöhung der Leitfähigkeit bringt insbesondere bei p-dotierten Nitrid-Verbindungshalbleitern technologische Probleme mit sich. Für eine homogene Stromverteilung im Halbleiterkörper sind somit großflächige Kontaktmetallisierungsstrukturen auf dem Halbleiterkörper erforderlich, da in dem Halbleiterkörper selbst eine Stromaufweitung, d. h. ein Ausgleich einer inhomogenen Stromverteilung, nur in geringem Umfang stattfindet.
  • Die damit einhergehende großflächige Bedeckung der Halbleiteroberfläche verringert bei strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen die zur Auskopplung zur Verfügung stehende freie Halbleiteroberfläche, so daß die ausgekoppelte Strahlungsmenge sinkt. Zwar kann die Kontaktmetallisierung so dünn ausgeführt werden, daß sie für die auszukoppelnde Strahlung durchlässig ist. Damit steigt aber der elektrische Widerstand in lateraler Richtung, d. h. parallel zur Halbleiteroberfläche, so daß eine gleichmäßige Verteilung des Betriebsstroms, der beispielsweise an einem zentralen Anschlußpunkt über einen Drahtanschuß zugeführt wird, nicht mehr gewährleistet ist. Eine ungleichmäßige Stromverteilung erhöht die Gefahr einer Beschädigung des Bauelement aufgrund einer lokalen Kon zentration des Betriebsstroms, die zu einer thermischen Überlastung führen kann.
  • Die Druckschriften DE 100 26 255 A1 und US 2001/0 045 561 A beschreiben strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente, die einen Halbleiterkörper, der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält, umfassen.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters mit einer verbesserten Kontaktmetallisierung zu schaffen. Insbesondere ist es Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Kontaktmetallisierung für einen p-dotierten Nitrid-Verbindungshalbleiter anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch Bauelemente gemäß der unabhängigen Patentansprüche 1 und 2 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper zu bilden, auf dessen Oberfläche eine Kontaktmetallisierung angeordnet ist, wobei die Kontaktmetallisierung strahlungsdurchlässig und mit einer strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähige Kontaktschicht bedeckt ist.
  • Die Erfindung ermöglicht vorteilhafterweise die Ausbildung von sehr dünnen Kontaktmetallisierungen mit einer entsprechend hohen Transmission für die im Halbleiterkörper erzeugte Strahlung. Die aufgrund der geringen Dicke der Kontaktmetallisierung reduzierte Querleitfähigkeit wird durch die auf die Kontaktmetallisierung aufgebrachte elektrische leitfähige und strahlungsdurchlässige Kontaktschicht ausgeglichen. Unter der Querleitfähigkeit ist dabei die elektrische Leitfähigkeit in paralleler Richtung zu der Oberfläche, auf die die Kontaktmetallisierung aufgebracht ist, zu verstehen.
  • Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper zu bilden, auf dessen Oberfläche eine Kontaktmetallisierung mit einer Mehrzahl von Öffnungen oder in Form einer Mehrzahl voneinander beabstandeter Kontaktinseln angeordnet ist. Die Kontaktmetallisierung ist wiederum mit einer strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht bedeckt. Im Unterschied zu der ersten Ausführungsform kann bei der zweiten Ausführungsform die erzeugte Strahlung durch die Öffnungen in der Kontaktmetallisierung bzw. zwischen den Kontaktmetallisierungsinseln aus dem Halbleiterkörper austreten. Vorteilhafterweise wird so ein hoher Auskoppelgrad erreicht. Die durch die Strukturierung der Kontaktmetallisierung verminderte Querleitfähigkeit wird wiederum durch die die Kontaktmetallisierung überdeckende Kontaktschicht kompensiert.
  • Dabei ist es zur weiteren Steigerung des Auskoppelgrades vorteilhaft, auch bei der zweiten Ausführungsform die Kontaktmetallisierung strahlungsdurchlässig auszubilden. Alternativ kann die Kontaktmetallisierung selbst bei der zweiten Ausführungsform auch strahlungsundurchlässig sein. Dies ermöglicht eine größere Dicke der Kontaktmetallisierung und damit eine höhere mechanische Stabilität, beispielsweise gegen Kratzer. Weiterhin werden bezüglich der Dicke der Kontaktschicht die Fertigungstoleranzen vorteilhaft gesenkt.
  • Beide Ausführungsformen der Erfindung vereinen die Vorteile einer hohen Strahlungsauskopplung aufgrund einer strahlungsdurchlässigen und/oder strukturierten Kontaktmetallisierung, einer gleichmäßigen lateralen Stromverteilung vermittels der elektrisch leitfähigen Kontaktschicht und eines geringen Kontaktwiderstands. Gemäß beiden Ausführungsformen ist der Halbleiterkörper mit der Kontaktschicht auf einen Träger montiert. Die Kontaktschicht ist zwischen dem Träger und der Kontaktmetallisierung angeordnet und zwischen dem Träger und der Kontaktschicht ist eine reflektierende Grenzfläche ausgebildet.
  • Als Kontaktmetallisierung eignen sich insbesondere Platin oder Palladium enthaltenden Metallschichten. Im Vergleich zu herkömmlichen Kontaktmetallisierungen kann die Kontaktmetallisierung bei der Erfindung mit einer sehr geringen Schichtdicke unter 20 nm, vorzugsweise unter 10 nm ausgeführt werden. Typischerweise werden bei der Erfindung 5 nm dicke Platin-, Nickel- oder Palladiumschichten als Kontaktmetallisierung verwendet.
  • Bevorzugt sind die Kontaktmetallisierung und die Kontaktschicht auf einen p-leitenden, beispielsweise mit Magnesium oder Zink dotierten Bereich des Halbleiterkörpers aufgebracht. Die Leitfähigkeit p-leitender Nitrid-Verbindungshalbleiter ist vergleichsweise gering, so daß in p-leitenden Bereichen eine Stromaufweitung nur in beschränktem Umfang stattfindet. Insbesondere für Bauelemente mit einer hohen Betriebsstromdichte, beispielsweise Halbleiterlaser, ist die Stromaufweitung in p-leitenden Bereichen daher oftmals unzureichend. Die Aufbringung einer elektrisch leitfähigen Kontaktschicht zur Erhöhung der Querleitfähigkeit ist hier von besonderem Vorteil.
  • Vorzugsweise wird hinsichtlich einer möglichst gleichmäßigen Stromverteilung ein Material für die Kontaktschicht verwendet, dessen Querleitfähigkeit höher als die Querleitfähigkeit der Kontaktmetallisierung ist. Hierfür eignet sich insbesondere Zinkoxid. Weiterhin kann auch Zinnoxid oder ITO (indium tin oxide) verwendet werden.
  • Unter einem Nitrid-Verbindungshalbleiter sind bei der Erfindung insbesondere Nitridverbindungen von Elementen der dritten und/oder fünften Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente, beispielsweise GaN, AlN, InN, AlxGa1-xN, 0 ≤ x ≤ 1, InxGa1-xN, 0 ≤ x ≤ 1 oder AlxInyGa1-x-yN, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1, zu verstehen.
  • Bevorzugt umfaßt der Halbleiterkörper eine Mehrzahl von Nitrid-Verbindungshalbleiterschichten. Die Halbleiterschichten können auf einem Substrat angeordnet, beispielsweise epitaktisch aufgewachsen sein. Hierfür eignen sich insbesondere strahlungsdurchlässige Substrate wie zum Beispiel Siliziumkarbid-Substrate (SiC-Substrate) oder Saphir-Substrate, die eine Strahlungsauskopplung durch das Substrat hindurch ermöglichen.
  • Alternativ kann das Halbleiterbauelement ohne Substrat als Dünnschichtbauelement ausgeführt sein. Vorteilhafterweise wird so eine Absorption der erzeugten Strahlung in einem Substrat vollständig vermieden.
  • Bei der Erfindung ist das Substrat auf einer der Kontaktmetallisierung gegenüberliegenden Seite mit einem Reflektor versehen. Dies ermöglicht die Nutzung der Reflektorseite als Montagefläche, wobei Strahlung, die in Richtung dieser Seite emittiert wird, zumindest teilweise in Richtung der Kontaktmetallisierung mit den beschriebenen vorteilhaften Auskoppeleigenschaften zurückreflektiert wird.
  • Bei einem Dünnschichtbauelement hingegen ist der Reflektor auf der strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht angeordnet. Die Kontaktschicht ermöglicht dabei vorteilhafterweise einen besonders hohen Reflexionsgrad. Die Strahlungsauskopplung erfolgt zum Großteil über die dem Reflektor gegenüberliegende Seite des Halbleiterkörpers.
  • Weitere Merkmale, Vorzüge und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von zwei Beispielen in Verbindung mit den 1 und 2.
  • Es zeigen
  • 1 eine schematische Schnittdarstellung zur Erläuterung eines erfindungsgemäßen Bauelements und
  • 2a und 2b eine schematische Schnittdarstellung und eine Aufsicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements.
  • Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Das in 1 dargestellte Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper 1 mit einer Mehrzahl von Nitrid-Verbindungshalbleiterschichten 6, 7, 8 auf. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper eine strahlungserzeugende Schicht 8 aufweisen, die zwischen einer ersten Mantelschicht 6 und einer zweiten Mantelschicht 7 angeordnet ist. Als Material für die Mantelschichten 6 und/oder 7 kann beispielsweise GaN, AlGaN oder AlInGaN verwendet werden.
  • Zur Ausbildung einer Einfach- oder Mehrfachquantentopfstruktur kann die Schicht 8 eine Mehrzahl von Einzelschichten umfassen. Vorzugsweise enthält die strahlungserzeugende Schicht 8 AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaN oder InN.
  • Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Mantelschicht 7 n-dotiert und die Mantelschicht 6 p-dotiert, so daß zwischen diesen Schichten im Bereich der aktiven Schicht 8 ein strahlungserzeugender pn-Übergang gebildet ist. Zur n-Dotierung eignet sich beispielsweise Silizium, zur p-Dotierung beispielsweise Magnesium.
  • Diese Schichtstruktur ist auf ein elektrisch leitfähiges Substrat 5 aufgebracht. Bei einer epitaktisch hergestellten Schichtstruktur kann als Substrat beispielsweise das Epitaxiesubstrat verwendet werden. Insbesondere eignet sich ein SiC-Substrat, das sich neben seiner elektrischen Leitfähigkeit durch eine gute Gitteranpassung an Galliumnitrid-basierende Verbindungen auszeichnet.
  • Gegebenenfalls kann zwischen dem Substrat 5 und der Mantelschicht 7 zusätzlich eine Pufferschicht ausgebildet sein, die beispielsweise die Gitteranpassung bei der Epitaxie weiter verbessert und/oder den elektrischen Widerstand zwischen dem Halbleiterkörper und dem Substrat reduziert.
  • Auf der von der Schichtstruktur 6, 7, 8 abgewandten Seite ist das Substrat mit einer Gegenkontaktmetallisierung 9 versehen.
  • Auf der Oberfläche der p-leitenden Mantelschicht 6 ist eine Kontaktmetallisierung 3 angeordnet. Die Kontaktmetallisierung 3 ist als dünne Platin- oder Palladiumschicht ausgeführt, deren Dicke unter 20 nm, vorzugsweise unter 10 nm liegt. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der Kontaktmetallisierung 5 nm. Eine derartige Kontaktmetallisierung 3 ist aufgrund der geringen Dicke für die in der aktiven Schicht 8 erzeugte Strahlung zumindest teilweise transparent.
  • Allerdings sinkt mit der Dicke der Kontaktmetallisierung auch deren Querleitfähigkeit. Dies bewirkt, daß ein über eine Drahtverbindung 11 und eine Drahtanschlußfläche 10 eingeprägter Betriebsstrom im wesentlichen in direkter Richtung von der Drahtanschlußfläche 10 zur Gegenkontaktmetallisierung 9 fließen würde. Eine Stromaufweitung in der Kontaktmetallisierung 3 erfordert von der Kontaktstelle aus einen Stromfluß parallel zu der Halbleiteroberfläche 2 und fände aufgrund der geringen elektrischen Leitfähigkeit der Kontaktmetallisierung 3 in dieser Richtung nur in begrenztem Maße statt. Zudem ist auch die elektrische Leitfähigkeit in der p-dotierten Halb leiterschicht 6 vergleichsweise gering und führt zu keiner wesentlichen Vergrößerung der Stromaufweitung. Die nachteiligen Folgen einer dadurch entstehenden inhomogenen Stromverteilung im Halbleiterkörper, insbesondere eine lokale thermische Überlastung, wurden bereits beschrieben.
  • Um dies zu vermeiden, ist bei der Erfindung die Kontaktmetallisierung 3 mit einer elektrisch leitfähigen und strahlungsdurchlässigen Kontaktschicht 4 aus Zinkoxid bedeckt. Die Kontaktschicht 4 kann mit einer Dicke, die vorzugsweise größer als 10 nm, besonders bevorzugt größer als 100 nm ist und beispielsweise 200 nm beträgt, ausgebildet sein und weist gegenüber der Kontaktmetallisierung 3 eine hohe Querleitfähigkeit auf. Ein über eine Drahtanschlußfläche 10 zugeführter Betriebsstrom fließt in der Kontaktschicht 4 zunächst vorwiegend parallel zur Halbleiteroberfläche 2 und wird nachfolgend über die Kontaktmetallisierung 3 in den Halbleiterkörper eingeleitet. Die entsprechenden Strompfade 13 sind in 1 schematisch dargestellt. Damit wird bereits in der Kontaktschicht 4 eine ausreichende Stromaufweitung und -gleichverteilung erreicht, so daß in der darunterliegenden Kontaktmetallisierung 3 eine weitgehend homogene laterale Stromverteilung vorliegt.
  • In 2 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. 2a zeigt eine schematische Schnittansicht, 2b die zugehörige Aufsicht.
  • Im Unterschied zu dem in 1 gezeigten Halbleiterbauelement ist bei dem in 2 gezeigten Halbleiterbauelement das Halbleiterbauelement als Dünnschichtbauelement ausgeführt und weist kein Substrat auf.
  • Dabei ist der Halbleiterkörper 1 zur mechanischen Stabilisierung mit der Kontaktschicht 4 auf einen Träger 12 montiert. Zweckmäßigerweise ist der Träger 12 elektrisch leitfähig und dient zugleich zur Stromeinleitung.
  • Ein derartiges Bauelement kann beispielsweise hergestellt werden, indem der Halbleiterkörper epitaktisch auf einem Epitaxiesubstrat aufgewachsen, nachfolgend mit der Kontaktmetallisierung 3 und der Kontaktschicht 4 versehen und dann auf dem Träger 12 befestigt wird. Danach kann das Epitaxiesubstrat abgelöst und die Gegenkontaktmetallisierung aufgebracht werden.
  • Die Gegenkontaktmetallisierung 9 ist somit direkt auf dem Halbleiterkörper 1 bzw. der darin enthaltene Mantelschicht 7 angeordnet, die wie im vorigen Ausführungsbeispiel GaN, AlGaN oder AlInGaN enthalten und/oder n-dotiert sein kann. Aufbau und Zusammensetzung der aktiven Schicht 8 und der Mantelschicht 6 entsprechen ebenfalls dem vorigen Ausführungsbeispiel.
  • Weiterhin ist die Gegenkontaktmetallisierung im Unterschied zu dem in 1 gezeigten Beispiel als Anschlußfläche für einen Drahtanschluß 11 ausgelegt und bedeckt die Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 nur teilweise.
  • Der Träger 12 kann ein Metall- oder Halbleiterträger sein, wobei eine Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Trägers 12 an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterkörpers 1 zur Vermeidung thermisch induzierter mechanischer Spannungen vorteilhaft ist. Hierunter ist zu verstehen, das die Differenz der Ausdehnungskoeffizienten so gering ist, daß in dem bei der Herstellung und im Betrieb auftretenden bzw. vorgesehenen Temperaturbereich keine Schäden an dem Halbleiterkörper auftreten. Vorzugsweise sollte die relative Abweichung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Trägers 12 von dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterkörpers 1 kleiner als 50%, besonders bevorzugt kleiner als 30% sein.
  • Der Gegenelektrode 9 gegenüberliegend ist auf der Oberfläche 2 des Halbleiterkörpers 1 eine Kontaktmetallisierung 3 in Form mehrerer nebeneinander angeordneter, in der Aufsicht 2b kreisförmiger Kontaktinseln aufgebracht. Die erzeugte Strahlung kann so durch die mit der Kontaktmetallisierung 3 nicht bedeckten Bereiche zwischen den Kontaktinseln hindurchtreten und in Richtung der Strahlungsauskoppelflächen zurückreflektiert werden, wie im Folgenden noch genauer erläutert wird.
  • Durch diese Strukturierung der Kontaktmetallisierung 3 in eine Mehrzahl nicht zusammenhängender Kontaktinseln wird ein geringer Bedeckungsgrad der Halbleiteroberfläche und in der Folge eine hohe Strahlungsauskopplung erreicht. Die Dicke der Kontaktmetallisierung 3 ist wie bei dem ersten Beispiel gewählt, so daß zusätzlich die Kontaktinseln selbst strahlungsdurchlässig sind.
  • Alternativ kann die Dicke der Kontaktmetallisierung 3 bei dem zweiten Beispiel auch deutlich größer als bei dem in 1 gezeigten Beispiel gewählt werden, da eine Strahlungsdurchlässigkeit der Kontaktinseln selbst zwar vorteilhaft, aber nicht zwingend erforderlich ist.
  • Ebenso kann bei dem in 1 gezeigten Beispiel die Kontaktmetallisierung 3 derart in Form einzelner Kontaktinseln ausgebildet sein. Die Querleitfähigkeit zwischen den Kontaktinseln ist dabei so gering, daß in der Regel zusätzliche Mittel nötig sind, die eine gleichmäßige Stromverteilung gewährleisten. Dies wird bei der Erfindung durch die elektrisch leitfähige, strahlungsdurchlässige Kontaktschicht 4 erreicht. Als Material für die Kontaktschicht wird vorzugsweise Zinkoxid verwendet.
  • Ein weiterer Vorteil einer Ausführung des Bauelements als Dünnschichtbauelement, wie in 2 dargestellt, besteht darin, daß eine Absorption der erzeugten Strahlung in einem Substrat vermieden wird. Insbesondere können so auch Strah lungsanteile, die in Richtung des Trägers 12 emittiert werden, effizient genutzt werden.
  • Auf der Kontaktschicht 4 ist reine Reflektorschicht 14 angeordnet, die einen möglichst hohen Reflexionsgrad aufweist, und der Halbleiterkörper ist mit der Reflektorschicht 14 auf den Träger 12 montiert. Alternativ kann auch der Träger 12 selbst reflektierend, vorzugsweise spiegelnd, ausgeführt sein. In beiden Fällen werden Strahlungsanteile, die in Richtung des Trägers 12 emittiert werden, in Richtung der Strahlungsauskoppelflächen zurückreflektiert, wodurch die Strahlungsausbeute gesteigert wird.
  • Die Abdeckung der Kontaktmetallisierung 3 mit der strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht 4 erleichtert dabei die Ausbildung einer Grenzfläche mit hohem Reflexionsgrad. Dieser Reflexionsgrad ist deutlich größer ist als der Reflexionsgrad, der üblicherweise an der Grenzfläche zwischen Halbleiterkörper und Kontaktmetallisierung erreicht werden kann.
  • Selbstverständlich können bei den beiden Ausführungsbeispielen auch andere strahlungserzeugende Strukturen, beispielsweise auch ein zweischichtiger Aufbau mit einer p-leitenden und einer n-leitenden Schicht mit dazwischenliegendem pn-Übergang oder eine VCSEL-Struktur (vertical cavity surface emitting laser) verwendet werden.
  • Die Erfindung ist insbesondere bei einem VCSEL vorteilhaft, der aufgrund des vergleichsweise hohen Betriebsstroms eine homogene Stromverteilung, einen niedrigen Kontaktwiderstand und eine verlustarme Strahlungsauskopplung senkrecht zur den Halbleiterschichten erfordert.

Claims (16)

  1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper (1), – auf dessen p-seitige Oberfläche (2) eine für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässige Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, die zumindest teilweise mit einer für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (4) bedeckt ist, – der eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (6, 7, 8) umfaßt, die mittels eines Epitaxieverfahrens hergestellt sind, wobei das für das Epitaxieverfahren verwendete Substrat von dem Halbleiterkörper abgelöst ist, und – der auf einem Träger (12) befestigt ist, wobei die Kontaktschicht (4) zwischen dem Träger (12) und der Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, und wobei zwischen dem Träger (12) und der Kontaktschicht (4) eine reflektierende Grenzfläche ausgebildet ist.
  2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper (1), – auf dessen p-seitige Oberfläche (2) eine Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, die zumindest teilweise mit einer für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (4) bedeckt ist, – der eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (6, 7, 8) umfaßt, die mittels eines Epitaxieverfahrens hergestellt sind, wobei das für das Epitaxieverfahren verwendete Substrat von dem Halbleiterkörper abgelöst ist, und – der auf einem Träger (12) befestigt ist, wobei die Kontaktmetallisierung (3) eine vorgegebene Struktur in Form einer Mehrzahl von Öffnungen oder einer Mehrzahl voneinander beabstandeter Kontaktinseln aufweist, wobei die Kontaktschicht (4) zwischen dem Träger (12) und der Kontaktmetallisierung (3) angeordnet ist, und wobei zwischen dem Träger (12) und der Kontaktschicht (4) eine reflektierende Grenzfläche ausgebildet ist.
  3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktmetallisierung (3) oder die Kontaktinseln für die von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung durchlässig sind.
  4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Nitrid-Verbindungshalbleiter eine Nitridverbindung von Elementen der dritten und fünften Hauptgruppe des Periodensystems ist.
  5. Strahlungsemittierndes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Nitrid-Verbindungshalbleiter mindestens eine der Verbindungen GaN, AlN, InN, AlxGa1-xN, 0 ≤ x ≤ 1, InxGa1-xN, 0 ≤ x ≤ 1 oder AlxInyGa1-x-yN, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1 enthält.
  6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Leitfähigkeit in paralleler Richtung zu der Oberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) in der strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (4) größer ist als in der Kontaktmetallisierung (3).
  7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktmetallisierung (4) Palladium oder Platin enthält.
  8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktmetallisierung (4) als Schicht mit einer Schichtdicke unter 20 nm ausgebildet ist.
  9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktmetallisierung (4) als Schicht mit einer Schichtdicke unter 10 nm ausgebildet ist.
  10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (1) p-seitig einen p-dotierten Bereich (6) aufweist und die Kontaktmetallisierung (3) auf eine Oberfläche des p-dotierten Bereichs (6) aufgebracht ist, wobei der p-dotierte Bereich (6) des Halbleiterkörpers (1) mit Magnesium oder Zink dotiert ist.
  11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die strahlungsdurchlässige, elektrisch leitfähige Kontaktschicht (4) Zinkoxid enthält.
  12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die strahlungsdurchlässige, elektrisch leitfähige Kontaktschicht (4) Indiumoxid, Zinnoxid oder ITO enthält.
  13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (1) auf der der Kontaktschicht gegenüberliegenden Seite eine Gegenkontaktmetallisierung (9) aufweist.
  14. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement eine Lumineszenzdiode ist.
  15. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode ist.
  16. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement ein VCSEL ist.
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