JP3394488B2 - 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青色発光が可能な
発光ダイオード、レーザーダイオードの窒化ガリウム系
半導体発光素子と、この窒化ガリウム系半導体発光素子
の製造方法とに関する。
発光ダイオード、レーザーダイオードの窒化ガリウム系
半導体発光素子と、この窒化ガリウム系半導体発光素子
の製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系半導体（ＧａＮ系半導
体）は、かねてから困難であった青色発光を実現して発
光ダイオード素子に用いられるものである。Ｐ型ＧａＮ
系半導体は実現可能ではあるものの、比抵抗が２Ωｃｍ
程度と他の半導体に比べて非常に大きい。なお、Ｐ型Ｇ
ａＡｓ系半導体型では、比抵抗が０．００１Ωｃｍ程度
と低いものが簡単に得られる。
体）は、かねてから困難であった青色発光を実現して発
光ダイオード素子に用いられるものである。Ｐ型ＧａＮ
系半導体は実現可能ではあるものの、比抵抗が２Ωｃｍ
程度と他の半導体に比べて非常に大きい。なお、Ｐ型Ｇ
ａＡｓ系半導体型では、比抵抗が０．００１Ωｃｍ程度
と低いものが簡単に得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来の発光ダ
イオードのようなボンディングパッド兼用の金属電極を
付けると、その金属電極の真下部分しか発光しない。さ
らに金属電極に遮られるため、取り出させる光はごく僅
かになってしまう。そこで、例えば、Ｎｉ／Ａｕ薄膜か
らなる半透明補助電極を使用して取り出せる光を多くし
ようとしているが、Ｎｉ／Ａｕ薄膜も５０％程度の透過
率であるので、光の外部への取り出し効率はそれほど高
くない。また、Ｎｉ／Ａｕ薄膜の膜厚は１００Å程度と
非常に薄いため、機械的強度も弱く、高温高湿度環境下
での劣化等の問題点を有している。
イオードのようなボンディングパッド兼用の金属電極を
付けると、その金属電極の真下部分しか発光しない。さ
らに金属電極に遮られるため、取り出させる光はごく僅
かになってしまう。そこで、例えば、Ｎｉ／Ａｕ薄膜か
らなる半透明補助電極を使用して取り出せる光を多くし
ようとしているが、Ｎｉ／Ａｕ薄膜も５０％程度の透過
率であるので、光の外部への取り出し効率はそれほど高
くない。また、Ｎｉ／Ａｕ薄膜の膜厚は１００Å程度と
非常に薄いため、機械的強度も弱く、高温高湿度環境下
での劣化等の問題点を有している。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みて創案されたも
ので、機械的強度に優れ、高温高湿度環境下でも劣化し
にくく、光の外部への取り出し効率の高い窒化ガリウム
系半導体発光素子と、その製造方法とを提供することを
目的としている。
ので、機械的強度に優れ、高温高湿度環境下でも劣化し
にくく、光の外部への取り出し効率の高い窒化ガリウム
系半導体発光素子と、その製造方法とを提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る窒化ガリウ
ム系半導体発光素子は、Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に電流
拡散層として一層目がスパッタリング法以外の方法によ
り形成した酸化物である下側透明導電膜と、この下側透
明導電膜の上にスパッタリング法で形成された酸化物で
ある上側透明導電膜とを有している。
ム系半導体発光素子は、Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に電流
拡散層として一層目がスパッタリング法以外の方法によ
り形成した酸化物である下側透明導電膜と、この下側透
明導電膜の上にスパッタリング法で形成された酸化物で
ある上側透明導電膜とを有している。
【０００６】また、前記スパッタリング法以外の方法
が、真空蒸着法、レーザーアブレーション法又はゾルゲ
ル法のいずれかであることが望ましい。
が、真空蒸着法、レーザーアブレーション法又はゾルゲ
ル法のいずれかであることが望ましい。
【０００７】さらに、前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、酸
化錫膜、酸化インジウム膜又は酸化亜鉛膜のいずれかか
らなることが望ましい。
化錫膜、酸化インジウム膜又は酸化亜鉛膜のいずれかか
らなることが望ましい。
【０００８】図１は本発明の実施の形態に係る窒化ガリ
ウム系半導体発光素子の概略的断面図である。
ウム系半導体発光素子の概略的断面図である。
【０００９】まず、ＧａＮ系半導体発光素子のＰ型Ｇａ
Ｎ半導体層用の電流拡散層として要求される条件は、
Ｐ型ＧａＮ半導体層との密着性が優れていること、Ｐ
型ＧａＮ半導体層との接触抵抗が小さいこと、膜形成
時にＰ型ＧａＮ半導体層を高抵抗化させないこと、比
抵抗値が低く薄いものでも電流を拡散できること、光
の透過率が高いこと、等が挙げられる。
Ｎ半導体層用の電流拡散層として要求される条件は、
Ｐ型ＧａＮ半導体層との密着性が優れていること、Ｐ
型ＧａＮ半導体層との接触抵抗が小さいこと、膜形成
時にＰ型ＧａＮ半導体層を高抵抗化させないこと、比
抵抗値が低く薄いものでも電流を拡散できること、光
の透過率が高いこと、等が挙げられる。
【００１０】そこで、透過率が高く、導電性もよく、す
でに液晶ディスプレイパネル等で実用化されているＩＴ
Ｏ膜であるならば、前記条件及びは充足できると考
えられる。しかし、ＩＴＯ膜を形成する手法として現在
一般的に用いられているスパッタリング法では、前記条
件は充足できるが、プラズマの高エネルギー状態に晒
されるＰ型ＧａＮ半導体層が損傷を受けるためか、接触
抵抗が高いためか、低動作電圧の素子を得ることはでき
なかった。
でに液晶ディスプレイパネル等で実用化されているＩＴ
Ｏ膜であるならば、前記条件及びは充足できると考
えられる。しかし、ＩＴＯ膜を形成する手法として現在
一般的に用いられているスパッタリング法では、前記条
件は充足できるが、プラズマの高エネルギー状態に晒
されるＰ型ＧａＮ半導体層が損傷を受けるためか、接触
抵抗が高いためか、低動作電圧の素子を得ることはでき
なかった。
【００１１】
【００１２】そこで、スパッタリング法は前記条件を
充足させられないと考えられた。そこで、スパッタリン
グ法以外で比抵抗の十分低いＩＴＯ膜の形成方法を検討
したところ、真空蒸着法により可能であることが判明し
た。この真空蒸着法で形成されたＩＴＯ膜は動作電圧が
十分低いものであることが確認できた。
充足させられないと考えられた。そこで、スパッタリン
グ法以外で比抵抗の十分低いＩＴＯ膜の形成方法を検討
したところ、真空蒸着法により可能であることが判明し
た。この真空蒸着法で形成されたＩＴＯ膜は動作電圧が
十分低いものであることが確認できた。
【００１３】また、膜厚が約１００Å以上のＩＴＯ膜を
真空蒸着膜で形成しておき、その上に比抵抗の小さいＩ
ＴＯ膜をスパッタリング法でさらに形成してみたとこ
ろ、動作電圧が十分に低いものを得ることができた。
真空蒸着膜で形成しておき、その上に比抵抗の小さいＩ
ＴＯ膜をスパッタリング法でさらに形成してみたとこ
ろ、動作電圧が十分に低いものを得ることができた。
【００１４】以下に、実際に実験によって判明した事実
を説明する。
を説明する。
【００１５】次に、本発明の第１の実施の形態に係る窒
化ガリウム系半導体発光素子の製造方法について説明す
る。まず、サファイア基板１００にサーマルクリーニン
グを施す。すなわち、減圧ＭＯＣＶＤ装置（減圧有機金
属気相成長装置）内で水素を供給しながら、サファイア
基板１００を１０５０℃に加熱することでクリーニング
するのである。
化ガリウム系半導体発光素子の製造方法について説明す
る。まず、サファイア基板１００にサーマルクリーニン
グを施す。すなわち、減圧ＭＯＣＶＤ装置（減圧有機金
属気相成長装置）内で水素を供給しながら、サファイア
基板１００を１０５０℃に加熱することでクリーニング
するのである。
【００１６】次に、サファイア基板１００の温度を５１
０℃にまで低下させ、窒素、水素をキャリアガスとして
アンモニア、トリメチルアルミニウムを供給してサファ
イア基板１００の表面に低温ＡｌＮバッファ層２００を
形成する。このＡｌＮバッファ層２００は約２００Åで
ある。
０℃にまで低下させ、窒素、水素をキャリアガスとして
アンモニア、トリメチルアルミニウムを供給してサファ
イア基板１００の表面に低温ＡｌＮバッファ層２００を
形成する。このＡｌＮバッファ層２００は約２００Åで
ある。
【００１７】次に、サファイア基板１００の温度を１０
００℃に上昇させて、前記キャリアガスを用いてアンモ
ニア、トリメチルガリウムを流す。この時、同時にＮ型
不純物としてのシリコンを用いてＮ型ＧａＮであるＳｉ
ドープＧａＮ層３００を約１．２μｍ成長させる。
００℃に上昇させて、前記キャリアガスを用いてアンモ
ニア、トリメチルガリウムを流す。この時、同時にＮ型
不純物としてのシリコンを用いてＮ型ＧａＮであるＳｉ
ドープＧａＮ層３００を約１．２μｍ成長させる。
【００１８】次に、トリメチルインジウムを断続的に流
しつつ、Ｎ型ＧａＮとＮ型ＩｎＧａＮの多重量子井戸
（ＭＱＷ）からなる活性層４００をＳｉドープＧａＮ層
３００の上に約４００Å成長させる。
しつつ、Ｎ型ＧａＮとＮ型ＩｎＧａＮの多重量子井戸
（ＭＱＷ）からなる活性層４００をＳｉドープＧａＮ層
３００の上に約４００Å成長させる。
【００１９】さらに、サファイア基板１００の温度を９
５０℃として、ＡｌＮとＰ型ＧａＮの超格子からなるキ
ャップ層５００を前記活性層４００の上に成長させる。
このキャップ層５００は約２００Åの厚さである。
５０℃として、ＡｌＮとＰ型ＧａＮの超格子からなるキ
ャップ層５００を前記活性層４００の上に成長させる。
このキャップ層５００は約２００Åの厚さである。
【００２０】次に、キャリアガスに不純物としてマグネ
シウムを加え、ＭｇドープＧａＮ層６００を約０．２μ
ｍ成長させる。
シウムを加え、ＭｇドープＧａＮ層６００を約０．２μ
ｍ成長させる。
【００２１】次に、サファイア基板１００の温度を８０
０℃にし、減圧ＭＯＣＶＤ装置内の圧力を６６５０Ｐａ
（５０ｔｏｒｒ）とする。これと同時に、アンモニア等
の水素原子を含む混合ガスの雰囲気から、速やかに減圧
ＭＯＣＶＤ装置内の雰囲気を不活性ガスである窒素ガス
に切り替える。
０℃にし、減圧ＭＯＣＶＤ装置内の圧力を６６５０Ｐａ
（５０ｔｏｒｒ）とする。これと同時に、アンモニア等
の水素原子を含む混合ガスの雰囲気から、速やかに減圧
ＭＯＣＶＤ装置内の雰囲気を不活性ガスである窒素ガス
に切り替える。
【００２２】そして、キャリアガスとして窒素ガスを用
い、トリメチルジンクを流して、膜厚が数十ÅのＺｎ膜
７００を形成する。そして、このままの状態、すなわち
窒素雰囲気下でサファイア基板１００の温度を約１００
℃以下にまで低下させる。
い、トリメチルジンクを流して、膜厚が数十ÅのＺｎ膜
７００を形成する。そして、このままの状態、すなわち
窒素雰囲気下でサファイア基板１００の温度を約１００
℃以下にまで低下させる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】この後、真空蒸着装置にＺｎ膜７００まで
が形成されたサファイア基板１００を入れ、ＳｎＯ2 が
１０％のＩＴＯを電子銃で加熱、蒸発させて膜厚が約１
００Åの下側透明導電膜である下側ＩＴＯ膜８１０を形
成する。そして、この下側ＩＴＯ膜８１０の上に上側透
明導電膜である約０．５μｍの上側ＩＴＯ膜８２０を形
成する。なお、下側ＩＴＯ膜８１０と上側ＩＴＯ膜８２
０とを総称してＩＴＯ膜８００とする。
が形成されたサファイア基板１００を入れ、ＳｎＯ2 が
１０％のＩＴＯを電子銃で加熱、蒸発させて膜厚が約１
００Åの下側透明導電膜である下側ＩＴＯ膜８１０を形
成する。そして、この下側ＩＴＯ膜８１０の上に上側透
明導電膜である約０．５μｍの上側ＩＴＯ膜８２０を形
成する。なお、下側ＩＴＯ膜８１０と上側ＩＴＯ膜８２
０とを総称してＩＴＯ膜８００とする。
【００３３】この方法で製造された窒化ガリウム系半導
体発光素子のＩＴＯ膜８００の比抵抗は、０．０００２
Ωｃｍ以下になっていることが確認された。しかも、上
述したものと同様のＮ型電極９１０とＰ型電極９２０と
を形成すると、２０ｍＡの電流で動作電圧が３．４Ｖと
非常に低く、光の外部への取り出し効率も、従来のＮｉ
／Ａｕ薄膜からなる半透明補助電極よりも約６０％以上
も向上していることが確認された。
体発光素子のＩＴＯ膜８００の比抵抗は、０．０００２
Ωｃｍ以下になっていることが確認された。しかも、上
述したものと同様のＮ型電極９１０とＰ型電極９２０と
を形成すると、２０ｍＡの電流で動作電圧が３．４Ｖと
非常に低く、光の外部への取り出し効率も、従来のＮｉ
／Ａｕ薄膜からなる半透明補助電極よりも約６０％以上
も向上していることが確認された。
【００３４】このように、単にスパッタリング法のみで
ＩＴＯ膜を形成すると良質な電流拡散層が形成されず、
真空蒸着法や、真空蒸着法の後にスパッタリング法によ
る２層構造のＩＴＯ膜とすると良質なものとなる理由は
以下のようなものと考えることができる。
ＩＴＯ膜を形成すると良質な電流拡散層が形成されず、
真空蒸着法や、真空蒸着法の後にスパッタリング法によ
る２層構造のＩＴＯ膜とすると良質なものとなる理由は
以下のようなものと考えることができる。
【００３５】すなわち、スパッタリング法では、Ｍｇが
ドープされたＭｇドープＧａＮ層６００がプラズマとい
う高エネルギー状態に晒されるため、結晶欠陥が生じ、
その結果、ＭｇドープＧａＮ層６００の表層が高抵抗化
するためと考えられる。また、Ｐ型Ｇａ層であるＭｇド
ープＧａＮ層６００の表面からプラズマ中の水素イオン
が侵入し、高抵抗化するためと考えることもできる。
ドープされたＭｇドープＧａＮ層６００がプラズマとい
う高エネルギー状態に晒されるため、結晶欠陥が生じ、
その結果、ＭｇドープＧａＮ層６００の表層が高抵抗化
するためと考えられる。また、Ｐ型Ｇａ層であるＭｇド
ープＧａＮ層６００の表面からプラズマ中の水素イオン
が侵入し、高抵抗化するためと考えることもできる。
【００３６】一方、真空蒸着法では、スパッタリング法
よりはるかに低いエネルギー状態の粒子が衝突するだけ
であり、しかも水素イオンも存在しない。このため、Ｍ
ｇドープＧａＮ層６００の表層等の高抵抗化が生じない
ために、良質な電流拡散層が形成されると考えれらる。
特に、２層構造のＩＴＯ膜８００では、先に真空蒸着法
によって下側ＩＴＯ膜８１０を形成するため、スパッタ
リング法によって上側ＩＴＯ膜８２０を形成しても、下
側ＩＴＯ膜８１０のプラズマの内部への侵入を防ぐた
め、ＭｇドープＧａＮ層６００の表層の結晶欠陥等が生
じないためと考えられる。
よりはるかに低いエネルギー状態の粒子が衝突するだけ
であり、しかも水素イオンも存在しない。このため、Ｍ
ｇドープＧａＮ層６００の表層等の高抵抗化が生じない
ために、良質な電流拡散層が形成されると考えれらる。
特に、２層構造のＩＴＯ膜８００では、先に真空蒸着法
によって下側ＩＴＯ膜８１０を形成するため、スパッタ
リング法によって上側ＩＴＯ膜８２０を形成しても、下
側ＩＴＯ膜８１０のプラズマの内部への侵入を防ぐた
め、ＭｇドープＧａＮ層６００の表層の結晶欠陥等が生
じないためと考えられる。
【００３７】この考察から、ＩＴＯ膜８００の形成にあ
たっては、プラズマのような高エネルギー状態の粒子を
Ｐ型ＧａＮ層であるＭｇドープＧａＮ層６００を直撃し
ないようなすればよいと考えられる。従って、必ずしも
電子銃によって蒸着源を加熱する真空蒸着法ではなく、
レーザーアブレーション法やＣＶＤ法であってもよいと
考えられる。
たっては、プラズマのような高エネルギー状態の粒子を
Ｐ型ＧａＮ層であるＭｇドープＧａＮ層６００を直撃し
ないようなすればよいと考えられる。従って、必ずしも
電子銃によって蒸着源を加熱する真空蒸着法ではなく、
レーザーアブレーション法やＣＶＤ法であってもよいと
考えられる。
【００３８】
【００４１】
【００４２】
【発明の効果】本発明に係る窒化ガリウム系半導体発光
素子は、窒化ガリウム系半導体発光素子において、Ｐ型
ＧａＮ半導体層の上に電流拡散層として一層目が真空蒸
着法によって形成された下側透明電極膜としてのＩＴＯ
膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング法で形成され
た上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有している。
素子は、窒化ガリウム系半導体発光素子において、Ｐ型
ＧａＮ半導体層の上に電流拡散層として一層目が真空蒸
着法によって形成された下側透明電極膜としてのＩＴＯ
膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング法で形成され
た上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有している。
【００４３】真空蒸着法で形成された下側透明電極膜と
してのＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング
法で形成された上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有
する窒化ガリウム系半導体発光素子は、動作電圧が十分
に低く、光の取り出し効率も従来のものより高いことが
確認されている。
してのＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング
法で形成された上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有
する窒化ガリウム系半導体発光素子は、動作電圧が十分
に低く、光の取り出し効率も従来のものより高いことが
確認されている。
【００４４】
【００４５】
【００４６】特に、前記電流拡散層は、少なくとも一層
目が真空蒸着法により形成されたＩＴＯ膜であり、この
ＩＴＯ膜はＳｎＯ2 が２〜２０％であることが望まし
い。
目が真空蒸着法により形成されたＩＴＯ膜であり、この
ＩＴＯ膜はＳｎＯ2 が２〜２０％であることが望まし
い。
【００４７】一層目の透明電極膜としてのＩＴＯ膜を真
空蒸着法で成膜し、その膜厚を１００Å以上とすると、
さらにその上にスパッタリング法で二層目以降を成膜し
ても、動作電圧は低く、また機械的強度や高温高湿度環
境下であっても耐久性に優れているものになっているこ
とが確認できた。
空蒸着法で成膜し、その膜厚を１００Å以上とすると、
さらにその上にスパッタリング法で二層目以降を成膜し
ても、動作電圧は低く、また機械的強度や高温高湿度環
境下であっても耐久性に優れているものになっているこ
とが確認できた。
【図１】本発明の実施の形態に係る窒化ガリウム系半導
体発光素子の概略的断面図である。
体発光素子の概略的断面図である。
１００ サファイア基板
２００ ＡｌＮバッファ層
３００ ＳｉドープＧａＮ層
４００ 活性層
５００ キャップ層
６００ ＭｇドープＧａＮ層
７００ Ｚｎ層
８００ ＩＴＯ膜
８１０ 下側ＩＴＯ膜
８２０ 上側ＩＴＯ膜
９００ Ｐ型電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｚ
Ｈ０１Ｓ 5/343 Ｈ０１Ｓ 5/343
(56)参考文献 特開 平２−162721（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−88973（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−173224（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−129919（ＪＰ，Ａ)
実開 平６−38265（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 21/28 301
H01L 21/285
H01S 5/00 - 5/50
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 窒化ガリウム系半導体発光素子におい
て、Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に電流拡散層として一層目
が真空蒸着法によって形成された下側透明電極膜として
のＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング法で
形成された上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有する
ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜
は、膜厚が約１００Åであることを特徴とする請求項１
記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜
は、ＳｎＯ2 が２〜２０％であることを特徴とする請求
項１又は２記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。 - 【請求項４】 窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方
法において、Ｐ型ＧａＮ半導体素子の上に電流拡散層と
して真空蒸着法によって下側透明電極膜としてのＩＴＯ
膜を形成する工程と、前記下側透明電極膜の上にスパッ
タリング法で上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜を形成す
る工程とを具備したことを特徴とする窒化ガリウム系半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜
は、膜厚が約１００Åであることを特徴とする請求項４
記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜
は、ＳｎＯ2 が２〜２０％であることを特徴とする請求
項４又は５記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000014390A JP3394488B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000014390A JP3394488B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002270126A Division JP3683560B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210867A JP2001210867A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3394488B2 true JP3394488B2 (ja) | 2003-04-07 |
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ID=18541853
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000014390A Expired - Fee Related JP3394488B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3394488B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7683379B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-03-23 | Fujikura Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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