JP5237274B2 - 発光素子及び照明装置 - Google Patents
発光素子及び照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5237274B2 JP5237274B2 JP2009520381A JP2009520381A JP5237274B2 JP 5237274 B2 JP5237274 B2 JP 5237274B2 JP 2009520381 A JP2009520381 A JP 2009520381A JP 2009520381 A JP2009520381 A JP 2009520381A JP 5237274 B2 JP5237274 B2 JP 5237274B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- light
- layer
- semiconductor layer
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 126
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 74
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims description 55
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 44
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 20
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 305
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N gold zinc Chemical compound [Zn].[Au] SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態に係る発光素子について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で変更、改良等を施すことは何ら差し支えない。
<第1の実施形態>
図1(a),(b)は本実施の形態の発光素子(発光ダイオード:LED)について一例を示す模式的な断面図である。図1(a),(b)において、7はサファイア等から成る基板、8は窒化ガリウム系化合物半導体層を複数層積層して成る半導体層(積層体)であり、8aは第1導電型(n型)窒化ガリウム系化合物半導体層、8bは窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光層、8cは第2導電型(p型)窒化ガリウム系化合物半導体層、9は第1導電型電極としての、あるいは第1導電型電極を形成するための第1導電型導電層、20aは第2導電型電極としての、あるいは第2導電型電極を形成するための第2導電型導電層を構成する第1の透明導電層、20bは第2の透明導電層、20は透明導電層である。
<第2の実施形態>
図2(a),(b)は本実施の形態の発光素子(発光ダイオード:LED)について他例を示す模式的な断面図である。本実施の形態の発光素子は、第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層8a、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層8b、及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層8cが積層された半導体層8と、半導体層8の主面に形成された、半導体層8側から厚み方向に屈折率が小さくなっている透明導電層21とを具備している。
<第3の実施形態>
また、本実施の形態の発光素子は、発光部と、発光部の光放射面に形成された、発光部側から厚み方向に気孔率が大きくなっている多孔質の透明導電層とを具備している。この構成により、透明導電層の屈折率が発光部側から厚み方向に徐々に小さくなって行く。その結果、透明導電層の全体で厚み方向に緩やかに屈折率を小さくしていき、空気の屈折率に近づけることができ、屈折率の異なる媒質間の界面における光の反射が減少し、光取り出し効率を向上させることが可能となる。
<第4の実施形態>
また、本実施の形態の発光素子は、発光部と、発光部の光放射面に形成された、発光部側から厚み方向に屈折率が小さくなっている透明導電層とを具備している。この構成により、従来のように透明導電層の屈折率は一定で透明導電層の表面に凹凸構造を形成する場合と比較して、屈折率の変化を緩やかにすることができる。その結果、屈折率の異なる媒質間の界面における光の反射が減少し、光取り出し効率を向上させることが可能となる。
≪照明装置≫
また、本実施の形態の発光素子は照明装置に適用できるものであり、その照明装置は、本実施の形態の発光素子と、発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備している構成である。この構成により、輝度及び照度の高い照明装置を得ることができる。この照明装置は、本実施の形態の発光素子を透明樹脂等で覆うか内包するようにし、その透明樹脂等に蛍光体や燐光体を混入させた構成とすればよく、蛍光体や燐光体によって発光素子の紫外光〜近紫外光を白色光等に変換するものとすることができる。また、集光性を高めるために透明樹脂等に凹面鏡等の光反射部材を設けることもできる。このような照明装置は、従来の蛍光灯等よりも消費電力が小さく、小型であることから、小型で高輝度の照明装置として有効である。
Claims (13)
- 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層、及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された半導体層と、前記半導体層の主面に形成された、前記半導体層側から厚み方向に気孔率が大きくなっている多孔質の透明導電層とを具備しており、前記透明導電層はナノワイヤ状結晶の集合体から成ることを特徴とする発光素子。
- 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層、及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された半導体層と、前記半導体層の主面に形成された、前記半導体層側から厚み方向に気孔率が大きくなっている多孔質の透明導電層とを具備しており、前記透明導電層は、前記半導体層側に形成された導電性微粒子の集合体から成る第1の透明導電層と、前記第1の透明導電層上に形成されたナノワイヤ状結晶の集合体から成る第2の透明導電層とを有することを特徴とする発光素子。
- 前記第1の透明導電層は、前記半導体層側から厚み方向に気孔率が大きくなっていることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
- 前記透明導電層は、亜鉛,インジウム,錫及びマグネシウムのうちの少なくとも1種の酸化物から成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光素子と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備していることを特徴とする照明装置。
- 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層、及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された半導体層と、前記半導体層の主面に形成された、前記半導体層側から厚み方向に屈折率が小さくなっている透明導電層とを具備しており、前記透明導電層はナノワイヤ状結晶の集合体から成ることを特徴とする発光素子。
- 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層、及び第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された半導体層と、前記半導体層の主面に形成された、前記半導体層側から厚み方向に屈折率が小さくなっている透明導電層とを具備しており、前記透明導電層は、前記半導体層側に形成された導電性微粒子の集合体から成る第1の透明導電層と、前記第1の透明導電層上に形成されたナノワイヤ状結晶の集合体から成る第2の透明導電層とを有することを特徴とする発光素子。
- 前記透明導電層は前記半導体層側から厚み方向に気孔率が大きくなっていることを特徴とする請求項6記載の発光素子。
- 前記第1の透明導電層は、前記半導体層側から厚み方向に気孔率が大きくなっていることを特徴とする請求項7記載の発光素子。
- 前記透明導電層は、亜鉛,インジウム,錫及びマグネシウムのうちの少なくとも1種の酸化物から成ることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1つに記載の発光素子。
- 発光部と、前記発光部の光放射面に形成された、前記発光部側から厚み方向に気孔率が大きくなっている多孔質のナノワイヤ状結晶の集合体から成る透明導電層とを具備していることを特徴とする発光素子。
- 発光部と、前記発光部の光放射面に形成された、前記発光部側から厚み方向に屈折率が小さくなっているナノワイヤ状結晶の集合体から成る透明導電層とを具備していることを特徴とする発光素子。
- 請求項6〜12のいずれか1つに記載の発光素子と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備していることを特徴とする照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009520381A JP5237274B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-03-27 | 発光素子及び照明装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007171014 | 2007-06-28 | ||
JP2007171014 | 2007-06-28 | ||
PCT/JP2008/055967 WO2009001596A1 (ja) | 2007-06-28 | 2008-03-27 | 発光素子及び照明装置 |
JP2009520381A JP5237274B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-03-27 | 発光素子及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009001596A1 JPWO2009001596A1 (ja) | 2010-08-26 |
JP5237274B2 true JP5237274B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=40185419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009520381A Expired - Fee Related JP5237274B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-03-27 | 発光素子及び照明装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100200881A1 (ja) |
JP (1) | JP5237274B2 (ja) |
WO (1) | WO2009001596A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101449005B1 (ko) | 2007-11-26 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5526712B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2014-06-18 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
KR101550117B1 (ko) * | 2011-02-18 | 2015-09-03 | 에피스타 코포레이션 | 광전 소자 및 그 제조 방법 |
JP2012216753A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JPWO2012144046A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2014-07-28 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子 |
DE102011117381A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
KR20140036396A (ko) * | 2012-09-13 | 2014-03-26 | 포항공과대학교 산학협력단 | 다공성 투명 전극을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
DE102012111573A1 (de) * | 2012-11-29 | 2014-03-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
US10957816B2 (en) * | 2013-02-05 | 2021-03-23 | International Business Machines Corporation | Thin film wafer transfer and structure for electronic devices |
US8916451B2 (en) | 2013-02-05 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Thin film wafer transfer and structure for electronic devices |
US9059013B2 (en) | 2013-03-21 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-formation of high-density arrays of nanostructures |
KR102351099B1 (ko) * | 2014-12-23 | 2022-01-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 자외선 발광소자 및 조명시스템 |
DE102015109786A1 (de) | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement |
KR20170108321A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-27 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 |
CN107681035B (zh) * | 2017-09-18 | 2019-12-17 | 厦门三安光电有限公司 | 一种透明导电层及其制作方法、发光二极管 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210867A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2005209733A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005244129A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005244128A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006128631A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多層電極及びこれを備える化合物半導体の発光素子 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3026087B2 (ja) * | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
JP2005005557A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
US7615798B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-11-10 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device having an electrode made of a conductive oxide |
JP4977957B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2012-07-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
CN1725521B (zh) * | 2004-07-16 | 2010-10-27 | 国际商业机器公司 | 光电子器件及其制造方法 |
JP2006049350A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Fujikura Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
WO2006011497A1 (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Fujikura Ltd. | 発光素子及びその製造方法 |
US20060054919A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-16 | Kyocera Corporation | Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same |
JP4812369B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-11-09 | 京セラ株式会社 | 発光素子の製造方法 |
KR20070087706A (ko) * | 2005-05-10 | 2007-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법 |
KR100720101B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법 |
KR100750933B1 (ko) * | 2005-08-14 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 희토류 금속이 도핑된 투명 전도성 아연산화물의나노구조를 사용한 탑에미트형 질화물계 백색광 발광소자및 그 제조방법 |
CN100550446C (zh) * | 2005-08-19 | 2009-10-14 | 浦项工科大学 | 以传导纳米棒作为透明电极的发光装置 |
-
2008
- 2008-03-27 US US12/667,001 patent/US20100200881A1/en not_active Abandoned
- 2008-03-27 WO PCT/JP2008/055967 patent/WO2009001596A1/ja active Application Filing
- 2008-03-27 JP JP2009520381A patent/JP5237274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210867A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2005209733A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005244129A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005244128A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006128631A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多層電極及びこれを備える化合物半導体の発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100200881A1 (en) | 2010-08-12 |
WO2009001596A1 (ja) | 2008-12-31 |
JPWO2009001596A1 (ja) | 2010-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5237274B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
JP4148264B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP4977957B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
EP2410582B1 (en) | Nano rod type light emitting diode and method for fabricating a nano rod type light emitting diode | |
US8519430B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
US20110133208A1 (en) | Semiconductor element | |
US8344409B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
JP2008182110A (ja) | 窒化物半導体発光装置 | |
JP5038382B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5227334B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
US8946736B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
CN111628057A (zh) | 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 | |
JP5116291B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
KR101317632B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR101158126B1 (ko) | 질화 갈륨계 발광 다이오드 | |
JP2008159894A (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
JP2008277430A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2009289947A (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
JP5037980B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2011082248A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ | |
JP2008091664A (ja) | 発光素子及び照明装置並びに光ピックアップ | |
JP2007250714A (ja) | 発光素子 | |
JP5057774B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
JP2009182010A (ja) | 3族窒化物化合物半導体の製造方法、発光素子、照明装置及び3族窒化物化合物半導体成長用の基板 | |
WO2010113903A1 (ja) | 発光素子および照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5237274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |