JP5057774B2 - 発光素子及び照明装置 - Google Patents
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硼化ジルコニウム(ZrB2)単結晶から成る基板20を、まずフッ酸を1体積%程度含むフッ酸水溶液で1分間洗浄し、その後MOVPE装置中に基板20を設置し、1000℃〜1300℃程度まで加熱してサーマルエッチングを行う。
アルミニウムからなる光反射層21を形成した後、トリメチルアルミニウムの供給を中止し、窒化物層22を形成するためにアンモニアガスを供給する。窒化処理の際の基板20の温度は高い方が窒化しやすいが、あまり基板20の温度を高くすると、アルミニウムが再蒸発する可能性がある。そのため、1000℃以下の950℃程度で窒化処理を行う必要がある。アンモニアガスの供給量は3slm(standard L/min)程度であり、窒化処理に要する時間は1分〜10分程度あればよい。
また、n型窒化ガリウム系化合物半導体層23としては、例えば、基板20の温度を950〜1150℃とし、窒化ガリウム(GaN)を数μm程度(例えば1〜5μm)の厚さで形成すればよい。この際、n型とするためにSiをドープする。
p型窒化ガリウム系化合物半導体層25上に形成されるp型電極26は、Ni,Au層を積層したもの、酸化インジウム錫(ITO)層から成るもの等を用いることができる。
21,32:光反射層
22,33:窒化物層
23:n型窒化ガリウム系化合物半導体層
24,35:発光層
25,36:p型窒化ガリウム系化合物半導体層
26,37:p型電極
31:第1のn型窒化ガリウム系化合物半導体層
34:第2のn型窒化ガリウム系化合物半導体層
Claims (7)
- 基板上に発光層を含む半導体層が形成されている発光素子において、前記基板と前記発光層との間に、縦断面形状が凸型曲面である複数の島状部から成るとともに金属から成る光反射層が形成されていること
を特徴とする発光素子。 - 前記半導体層は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層とが積層された積層体を含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記光反射層は、表層部に窒化物層が形成されていることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
- 前記光反射層は前記基板上に直接形成されており、前記光反射層上に前記半導体層が積層されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子。
- 前記光反射層上に前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層が接していることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか記載の発光素子。
- 前記基板は、化学式XB2(ただし、XはTi及びZrの少なくとも1種を含む。)で表される二硼化物単結晶から成り、前記光反射層はアルミニウムから成ることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか記載の発光素子。
- 請求項1乃至5のいずれかの発光素子と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備していることを特徴とする照明装置。
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