JP2005005557A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一導電型の基板1の上に、第二導電型若しくはアンドープ活性層4を互いに導電型が異なる第一クラッド層3と第二クラッド層5で挟んだ発光部を形成し、該発光部の上に第二導電型のコンタクト層6を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層7を形成し、その表面側の一部に表面電極9を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極8を形成した半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層の半導体側の第一層10を真空蒸着法により形成し、その上の第二層11をスプレー熱分解法により形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化物窓層を具備した半導体発光素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体発光素子であるLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)はGaPの緑色、AlGaAsの赤色がほとんどであった。しかし、最近GaN系やAlGaInP系の結晶層をMOVPE法(有機金属気相成長法)で成長できるようになったことから、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度LEDが製作できるようになってきた。MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:有機金属化学気相エピタキシー)法で形成したエピタキシャルウェハは、これまでに無かった短波長の発光や、高輝度を示すLEDの製作を可能とした。
【0003】
しかし、高輝度を得るためには、窓層(電流分散層)の膜厚を厚く成長させる必要がある。このためLED用エピタキシャルウェハの製造コストが高くなってしまうことが問題であった。これらの問題を解決する方法としては、窓層としてできるだけ抵抗の低い値が得られる材料を用いる手法が常套となっている。例えばAlGaInP4元系の場合には、窓層としてGaPやAlGaAsが用いられたりしている。しかしこれらの抵抗率の低い材料を用いてもやはり電流分散効果を良くするためには、窓層の膜厚を8μm以上まで厚くする必要がある。
【0004】
従って、LED全体の製造コストの内、大部分を窓層のエピタキシャル成長が占めていた。この窓層を薄くするためには、窓層自体の抵抗率をさらに低くすることが考えられる。移動度を大幅に変えることは困難であることから、キャリア濃度を高くしようと試みられているが、現段階では窓層を薄くできるほどキャリア濃度を高くすることはできない。
【0005】
この解決手段としては、半導体による窓層の代わりに、キャリア濃度が非常に高く、薄い膜厚で十分な電流分散効果を得ることができる方法として、金属酸化物である透明導電膜を用いる方法が開示されている(ELECTORONICSLETTERS、7Th December1995、2210〜2212項参照)。
【0006】
更にLEDとして充分な特性を達成させるための方法として、半導体最上層、つまり透明電極とクラッド層の間に、CをドープしたGaAsコンタクト層を用いることにより、ITO電極との接触抵抗を低下させる技術が開示されている(特開平11−307810号公報:特許文献1参照)。このような技術により、LED特性を悪くすることなく、前記金属酸化物である透明導電膜をLEDに用いることが出来るようになった。このため金属酸化物窓層の膜厚が薄くできるため、低コスト化に成功した。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−307810号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術において、金属酸化物である透明導電膜の形成方法はスパッタリング法である。このスパッタリング法は、装置が高価であることや生産性に問題がある。
【0009】
そこで、スパッタリング法よりも低価格の装置を用い、且つ生産性の良い方法である、スプレー熱分解法や真空蒸着法で、該金属酸化物である透明導電膜を形成すれば、より一層の低コスト化が実現できる。
【0010】
本発明者等が、スプレー熱分解法で金属酸化物透明導電膜を形成したところ、該スプレー熱分解法で形成した金属酸化物透明導電膜自体は、比抵抗が2.9×10−6Ωmと、非常に低抵抗な膜を得ることが出来た。
【0011】
また、スプレー熱分解法で形成した金属酸化物透明導電膜は、電子移動度が良いので、非常に良い電流分散効果を得ることが出来、望ましいものとなった。
【0012】
しかし、電子移動度が良いということは、逆に言えば、それ程高キャリア濃度ではない。半導体と金属酸化物透明導電膜にトンネル電流を流れ易くする、つまり順方向電圧を低くするという観点からは、キャリア濃度は高ければ高いほど、トンネル電流が流れやすくなり、好ましいことになる。つまり、電流を分散させるためには電子移動度を高くし、またトンネル電流を流れ易くするにはキャリア濃度を高くすることが望まれる。因みに、この時のスプレー熱分解法で形成した金属酸化物透明導電膜のキャリア濃度は、5×1020cm−3、電子移動度は39.3cm2/V・sである。
【0013】
また金属酸化物である透明導電膜をスプレー熱分解法で形成する場合、温度を350℃以上に昇温してから、該金属酸化物透明導電膜の形成を始める。このため、どうしても半導体層表面に熱酸化層が出来てしまう。よって、絶縁物である熱酸化層の影響で、順方向電圧が高くなるという問題もあった。
【0014】
因みに成膜温度を低くすれば、熱酸化を抑制できる。しかし、この方法にすると、該金属酸化物である透明導電膜の比抵抗が高くなる。つまり、スプレー熱分解法で金属酸化物である透明導電膜を形成する場合、熱酸化と金属酸化物透明導電膜の比抵抗は、トレードオフの関係である。
【0015】
以上のことから、LEDの窓層である金属酸化物透明導電膜をスプレー熱分解法で形成することが困難であった。
【0016】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、LED用の金属酸化物である透明導電膜をスプレー熱分解法で良好に形成することが出来、更には、その形成中に透明導電膜の表面を凸凹にして光の取り出し効率を向上させ、高出力、低動作電圧、且つ低コストの半導体発光素子を得ることのできる製造方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0018】
請求項1の発明に係る半導体発光素子の製造方法は、第一導電型の基板の上に、第二導電型若しくはアンドープ活性層を互いに導電型が異なる第一クラッド層と第二クラッド層で挟んだ発光部を形成し、該発光部の上に第二導電型のコンタクト層を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極を形成した半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層の半導体側の第一層を真空蒸着法により形成し、その上の第二層をスプレー熱分解法により形成することを特徴とする。
【0019】
請求項2の発明は、請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層の第二層の最大表面粗さRmaxを10nm以上にすることを特徴とする。
【0020】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層の第二層を、その形成中に表面が凸凹になる様に形成することを特徴とする。
【0021】
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層における真空蒸着法で形成する第一層の膜厚が2nm以上であり、且つ前記金属酸化物窓層の全膜厚が200nm以上であることを特徴とする。
【0022】
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、スプレー熱分解法で前記金属酸化物窓層の第二層を形成する際、スプレー圧力を0.2MPaとし、1回のスプレー時間を1.0秒よりも短い時間とすることを特徴とする。
【0023】
請求項6の発明は、請求項5記載の半導体発光素子の製造方法において、前記1回のスプレー時間が0.1秒〜1.0秒未満、好ましくは0.1秒〜0.5秒以下、最適には0.1秒〜0.3秒以下であることを特徴とする。
【0024】
請求項7の発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記第一導電型クラッド層、第二導電型若しくはアンドープ活性層、第二導電型クラッド層を形成する主たる材料が、AlInP、GaInP又はAlGaInPのいずれかであることを特徴とする。
【0025】
請求項8の発明は、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記スプレー熱分解法で前記金属酸化物窓層の第二層を形成するための原材料として、溶液を用いることを特徴とする。
【0026】
請求項9の発明は、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記真空蒸着法及び前記スプレー熱分解法で形成する前記金属酸化物窓層がITOであることを特徴とする。
【0027】
請求項10の発明は、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記スプレー熱分解法で形成する前記金属酸化物窓層の形成温度が350℃以上であることを特徴とする。
【0028】
<発明の要点>
本発明者等は、上記目的を達成するために、前記金属酸化物である透明導電膜の形成初期において、真空蒸着法により金属酸化物である透明導電膜を形成すれば、当該金属酸化物透明導電膜を形成する前の半導体表面に、熱酸化層が形成されないことを見出した。
【0029】
また、この真空蒸着法で形成した金属酸化物透明導電膜が、高キャリア濃度であり比抵抗の低い膜として形成できることを確認すると共に、該金属酸化物透明導電膜を形成する前の半導体表面と該金属酸化物透明導電膜との間で、トンネル電流を流すのに適した膜であることを見出した。
【0030】
ただし、真空蒸着法で形成した金属酸化物透明導電膜の窓層は、ある程度の電流分散効果はあるが、それ程LEDの発光出力を高くすることが出来なかった。本来ならば金属酸化物透明導電膜を窓層に用いたことにより、屈折率の関係から、光取り出し効率が高くなる。つまり、発光出力が向上するはずである。しかし発光出力は向上せず、高出力化が出来なかった。因みに、金属酸化物透明導電膜の窓層を形成したことにより、高出力化出来るのは、該金属酸化物である透明導電膜である窓層の屈折率が半導体と空気の屈折率の間にあり、光の反射を少なくすることが出来、光取り出しが多くなるからである。
【0031】
一方、金属酸化物透明導電膜窓層の形成をスプレー熱分解法で行なうに際し、1回に成膜される金属酸化物透明導電膜窓層の膜厚を薄くしてドット的に形成することにより、その金属酸化物透明導電膜窓層の形成中に、当該金属酸化物透明導電膜窓層の表面を凹凸にできることを見出した。また、この凹凸の付加により、発光した光の内、反射して外部に取り出されなかった光を、有効に外部に取り出して、発光出力を高く出来ることを見出した。
【0032】
つまり、一方では、金属酸化物透明導電膜窓層の半導体に接する側(第一層)を真空蒸着法で形成することで、高キャリア化させてトンネル電流が流れ易くし、且つ半導体表面の熱酸化層が出来ないようにして、順方向電圧が高くなるのを防止する。更に、他方では、この真空蒸着法で形成した金属酸化物透明導電膜窓層の上に、電子移動度が良く、従って電流分散の良いスプレー熱分解法で、金属酸化物透明導電膜窓層(第二層)を形成し、その金属酸化物透明導電膜窓層の第二層の形成速度を遅くして表面を凹凸化させ、光取り出しを多くする。これにより真空蒸着法で形成した金属酸化物透明導電膜窓層よりも電流分散を良くすることができ、且つ発光出力の向上を図ることができることを見出した。これらにより、低コストであり、且つ高出力のLEDを製作可能になった。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0034】
本実施形態においては、第一導電型の半導体基板上に、第一導電型クラッド層、アンドープ活性層、第二導電型クラッド層、第二導電型コンタクト層、更に金属酸化物窓層が積層された半導体発光素子の製造方法において、金属酸化物である透明導電膜窓層を半導体層と接する側の第一層とその上の第二層に分け、第一層を真空蒸着法で形成する工程と、第二層をスプレー熱分解法で形成する工程を有し、半導体層と接する側の第一層を真空蒸着法で形成することにより、順方向動作電圧を低くし、且つスプレー熱分解法による第二層の形成中に、その表面を凸凹にすることにより、発光した光を効率良く外部に取り出し、発光出力を向上させ、且つ順方向電圧を低くすることを可能にする。
【0035】
また、本実施形態において用いる真空蒸着法とスプレー熱分解法という2種類の金属酸化物透明導電膜窓層の形成方法は、非常に安価な装置で実施することができる。
【0036】
更に、本実施形態においては、金属酸化物透明導電膜窓層の形成後に表面を加工して凸凹を形成するのではなく、金属酸化物透明導電膜窓層の第二層の形成中にその表面が凸凹になるので、製造工程の増加などが無いことから、コストが高くならない。
【0037】
よって、低コストであり、順方向動作電圧が低く、且つ発光出力の優れた半導体発光素子用エピタキシャルウェハを得ることができる。
【0038】
【実施例】
本発明の効果を確認するため、金属酸化物窓層の形成手段が、スプレー熱分解法による従来の試作例(比較例1)、真空蒸着法による従来の試作例(比較例2)、及び真空蒸着法とスプレー熱分解法の双方を用いた本発明の試作例(実施例1〜4)を作製した。説明の便宜上、比較例1及び比較例2から先に説明する。
【0039】
[比較例1]
図8は、比較例1として試作対象とした従来の赤色帯AlGaInP系LEDの素子構造を示す断面図である。
【0040】
図8においてn−GaAs基板1上にMOVPE法により、n−GaAsバッファー層(厚さ500nm、Seドープ1×1018cm−3)2、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ500nm、Seドープ:1×l018cm−3)3、アンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層(厚さ600nm)4、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1000nm、Znドープ:5×1017cm−3)5、p−GaAsコンタクト層(厚さ10nm、Znドープ:3×1018cm−3)6を順次成長させて成膜する。
【0041】
このエピタキシャルウェハに、金属酸化物の透明導電膜窓層となるITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫)膜7をスプレー熱分解法にて、約200nm形成した。この時の成膜温度(基板表面温度)は400℃に設定し、1回のスプレー時間を1.0秒にした。またスプレーする時の圧力(溶液を噴霧する時の圧力)は、0.2MPaである。因みに、ITO溶液は、In濃度:2.375%、Sn濃度:5wt%である。粘度は1.5cpである。
【0042】
更に、上記n−GaAs基板1の成長層とは反対側表面全面に裏面電極8を形成し、また前記ITO膜7上表面に直径0.125mmの円形電極(上面電極)9を形成した。上面電極9は、ニッケル、金を、それぞれ20nm、1000nmの順に蒸着した。前記円形電極9のパターン作製方法は、フォトリソ法である。更に裏面電極8は、金・ゲルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ60nm、10nm、500nmの順に蒸着したものである。電極形成後、合金化であるアロイを、窒素ガス雰囲気中400℃で5分行った。
【0043】
この様にして構成された電極付きLED用エピタキシャルウェハを、円形電極9が中心になる様に0.3mm角に切断し、更にTO−18ステム上にマウント(ダイボンディング)した。更にマウントされたLEDベアチップに、ワイヤボンディングを行い、LEDを製作した。
【0044】
上記の様にして製作したLEDは、電子移動度が良く非常に低抵抗なITO膜7が形成されていることから、非常に良い電流分散効果を得ることが出来た。その結果、LEDの発光パターンは、図9に示すように、良好であった。
【0045】
しかし、このLEDの他の特性を調べた結果、20mA通電時の発光出力は、2.2mW、順方向動作電圧は、2.74Vであり、順方向動作電圧が高かった。このため、全て良好な特性のLEDを製作できなかった。このLEDの表面状態を、図11に示す。
【0046】
[比較例2]
比較例2として試作対象とした赤色帯AlGaInP系LEDの素子構造は、透明導電膜窓層のITO膜7を真空蒸着にて形成している点を除き、基本的に比較例1の場合と同じである。図8に、この従来の赤色帯AlGaInP系LEDの素子構造を示す。
【0047】
図8において、n−GaAs基板1上にMOVPE法により、n−GaAsバッファー層(厚さ500nm、Seドープ1×1018cm−3)2、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ500nm、Seドープ:1×1018cm−3)3、アンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層(厚さ600nm)4、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1000nm、Znドープ:5×1017cm−3)5、p−GaAsコンタクト層(厚さ10nm、Znドープ:3×1018cm−3)6を順次成長させて成膜する。
【0048】
このエピタキシャルウェハに、前記金属酸化物である透明導電膜窓層となるITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫)膜7を、真空蒸着にて、約200nm形成した。この時の成膜温度(基板表面温度)は250℃に設定し、成膜中には酸素を導入し、真空度3×10−3Torrにして行った。この時のITO膜7の成膜速度(蒸着速度)は、0.05nm/秒とした。上面電極9及び裏面電極8の形成方法は、比較例1と同じにし、更にLED素子製作も、比較例1と同じで行った。
【0049】
このLEDの特性を調べた結果、20mA通電時の発光出力が、2.2mW、順方向動作電圧が、2.00Vであった。この結果、実用レベルのITO膜付LEDを製作することが出来た。
【0050】
しかし、このITO膜付LEDの発光パターンを評価した所、図10に示す様に、充分な電流分散が起こっていないことが解った。また本来ならば、ITO膜7のもう一つの効果である光取り出しの向上があり、発光出力が高くなるはずである。しかし、このITO膜付LEDには、発光出力の向上が認められなかった。この時のLEDの表面状態(図示せず)は、光学顕微鏡での観察において、表面での凹凸は見られなかった。
【0051】
[実施例1〜4]
次に、本発明の試作例(実施例1〜4)のLEDを作製した。図1に、実施例1〜4で製造対象とした赤色帯AlGaInP系LEDの素子構造を示す。このLEDは、図8のITO膜7の代わりに、真空蒸着法にて形成したITO膜10と、スプレー熱分解法にて形成したITO膜11の二層を備えている点で、図8と異なる。
【0052】
図1において、比較例1、2の場合と同様に、n−GaAs基板1上に、MOVPE法により、n−GaAsバッファー層(厚さ500nm、Seドープ1×1018cm−3)2、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P下部クラッド層(厚さ500nm、Seドープ:1×l018cm−3)3、アンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層(厚さ600nm)4、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P上部クラッド層(厚さ1000nm、Znドープ:5×1017cm−3)5、p−GaAsコンタクト層(厚さ10nm、Znドープ:3×1018cm−3)6を順次成長させて成膜する。
【0053】
このエピタキシャルウェハに、金属酸化物である透明導電膜窓層となるITO膜10を、真空蒸着法にて、5nm形成した。このITO膜10の成膜は、酸素を導入した状態で行い、その時の真空度は、3×10−3Torrとした。また成膜速度(蒸着速度)は、0.05nm/秒とした。
【0054】
その後、上記真空蒸着法によりITO膜10が形成されているLED用エピタキシャルウェハの上に、スプレー熱分解法を用いて、約195nmのITO膜11を形成させた。
【0055】
この時の成膜温度(基板表面温度)は400℃に設定し、1回のスプレー時間は0.1秒(実施例1)、0.3秒(実施例2)、0.5秒(実施例3)、0.8秒(実施例4)と、変えて行なった。またスプレーする時の圧力(溶液を噴霧する時の圧力)は、0.2MPaである。このITO膜11の成膜条件である1回のスプレー時間は1.0秒未満であるため、膜の形成中にITO膜11の表面が凸凹になる。図1には、このITO膜11の表面の凸凹状態を誇張して描いてある。
【0056】
更に、上記n−GaAs基板1の成長層とは反対側の表面全面に電極(裏面電極)8を形成し、またITO膜11の上表面に、直径0.125mmの円形電極(上面電極)9を形成した。この上面電極9としては、ニッケル、金を、それぞれ20nm、1000nmの順に蒸着した。円形電極9のパターン作製方法は、フォトリソ法である。更に裏面電極8としては、金・ゲルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ60nm、10nm、500nmの順に蒸着した。電極形成後、合金化であるアロイを、窒素ガス雰囲気中400℃で5分行った。
【0057】
この様にして構成された電極付きLED用エピタキシャルウェハを、該円形電極が中心になる様に0.3mm角に切断し、更にTO−18ステム上にマウント(ダイボンディング)した。更にマウントされたLEDベアチップに、ワイヤボンディングを行い、LEDを製作した。
【0058】
上記した上面電極9及び裏面電極8の形成方法は、比較例1と同じであり、またLED素子の製作の仕方も比較例1と同じである。
【0059】
次に、このLED素子の特性を、比較例1と同じ評価方法で調べた。つまり上記のようにITO膜10とITO膜11が順次成膜され、そのうちのITO膜11の成膜条件(1回のスプレー時間)が異なる上記4種類のLED(実施例1〜4)について、LEDベアチップの特性(20mA通電時の発光出力と順方向動作電圧)を調べた。その結果を、上述した比較例1、2の結果と共に、まとめて表1に示す。
【0060】
また、このうち1回のスプレー時間と発光出力の関係を図2に、そして1回のスプレー時間と順方向動作電圧の関係を図3に示す。この図2及び図3には、参考のため、比較例1、2のLEDの特性結果も同時に示す。
【0061】
更に、1回のスプレー時間が0.1秒(実施例1)、0.3秒(実施例2)、0.5秒(実施例3)、0.8秒(実施例4)の時の表面状態を、図4〜図7に写真で示す。
【0062】
【表1】
【0063】
本実施例では、スプレー熱分解法による1回のスプレー時間を1.0秒より短くしてITO膜11の成膜速度を遅くし、これにより図1に示したようにITO膜11の表面を凸凹にしている。このため、表1及び図2(1回のスプレー時間と発光出力の関係)に示した様に、本実施例のLEDでは、1回のスプレー時間を1.0秒とした場合や真空蒸着法によった場合(比較例2)に較べ、発光出力を1.12(実施例4)〜1.25倍(実施例1)にすることが出来た。
【0064】
また、本実施例では、スプレー熱分解法により形成するITO膜11と第二導電型コンタクト層6の間に、真空蒸着法で形成したITO膜10を設けたことにより、順方向動作電圧も低くすることが出来た。このため、安価な装置を用いて高発光出力及び低順方向動作電圧のLEDを製作できた。
【0065】
<最適条件について>
スプレー熱分解法による1回のスプレー時間を1.0秒より短くしてITO膜11の成膜速度を遅くし、そのITO膜11の表面が凸凹になるようにすれば、発光した光の反射が少なくなり、発光した光を外部に取り出す効率が高くなる。このため、凸凹が多ければ多いほど、発光した光の反射を抑えて、有効に外部に取り出せるようになる。つまり、該ITO膜11の表面の凸凹が多ければ多いほど、発光出力が高くなる。
【0066】
したがって、発光出力については、1回のスプレー時間を1.0秒より短くし、好ましくは図2に示すように、0.2秒〜1.0秒未満の間に設定することにより、ITO膜11の成膜速度が対応して遅くなり、ITO膜11の表面の凸凹が多くなって、発光出力がより一層高くなる。この0.2秒〜1.0秒未満という範囲の中でも、1回のスプレー時間は短ければ短いほど、すなわち成膜速度が遅ければ遅いほど高出力になる。特に、図2から分かるように、1回のスプレー時間が0.5秒以下と短くなった付近から発光出力が高くなり、0.3秒付近から飽和状態になる。
【0067】
よって、スプレー熱分解法による1回のスプレー時間は、発光出力を高める上で0.5秒以下が好ましく、またより好ましいのは0.3秒以下であり、そしてその下限は実用性を考慮すると0.1秒である。
【0068】
<他の実施例、変形例>
上記実施例では、1回のスプレー時間を短くして成膜速度を遅くしたが、1回のスプレー時間を一定とし、代わりにITO溶液のIn濃度を薄くすることによっても、成膜速度を遅くすることが出来る。
【0069】
また、スプレーする圧力を低くすることによっても、1回に噴霧されるITO溶液の量を減らすことが可能である。このため、1回のスプレー時間を短くする代わりに、スプレーする圧力を低くして成膜速度を遅くすることも出来る。この方法でも、本発明の効果を容易に得ることができる。
【0070】
上記実施例では、金属酸化物透明導電膜窓層の第一層であるITO膜10を、真空蒸着法にて5nm形成し、第二層であるITO膜11をスプレー熱分解法にて約195nm形成させた。しかし、金属酸化物窓層の第一層を真空蒸着法で形成する理由は、高キャリア化させ、且つ半導体表面の熱酸化層が出来ないようにして順方向電圧を低くするためであるので、かかる目的を達成する上で、真空蒸着法で形成する第一層の膜厚は2nm以上あれば良い。「2nm以上」としたのは、第一層であるITO膜10の膜厚が2nmより薄くなると、スプレー熱分解法により形成した第二層のITO膜11と半導体間でトンネル電流が流れるようになり、順方向電圧が高くなるためである。また、金属酸化物窓層の全膜厚としては200nm以上あれば良い。「200nm以上」としたのは、全膜厚が200nm未満では、チップ全面に電流分散しないためである。
【0071】
また上記実施例では、金属酸化物窓層の第二層をスプレー熱分解法により形成するに際し、その1回のスプレー時間を1.0秒より短くして、第二層であるITO膜11の成膜速度を遅くし、これによりITO膜11の表面を凸凹にした。これは発光出力の向上を図るためであるので、かかる効果を得る上で、第二層であるITO膜11の表面の凸凹は、最大表面粗さRmaxが10nm以上であれば十分である。最大表面粗さRmaxが10nm未満では、表面粗さが小さくて凹凸が小さいということになり、あまり発光出力が向上しない。
【0072】
上記実施例では、金属酸化物窓層の第二層であるITO膜11のスプレー熱分解法による成膜温度を400℃とした。これは、真空蒸着法による第一層がなければ半導体層表面に熱酸化層が出来てしまう温度であるが、真空蒸着法による第一層が存在するため、その心配がない。この関係は、スプレー熱分解法で金属酸化物窓層を形成する通常の温度350℃以上においても変わりがない。よって、スプレー熱分解法による一般的な金属酸化物窓層の形成温度である350℃以上において熱酸化の発生なしに金属酸化物窓層を形成することができる。
【0073】
また実施例では、上面電極9の形状が円形であるとしたが、異形状、例えば四角,菱形,多角形等とすることもでき、これらによっても円形電極の場合と同様の効果を得ることができる。
【0074】
さらに実施例ではAlGaInP系赤色LEDの例について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記第一導電型クラッド層、第二導電型若しくはアンドープ活性層、第二導電型クラッド層を形成する主たる材料が、AlInP、GaInP又はAlGaInPのいずれかであるLEDに対しても適用することができる。
【0075】
つまり、AlGaInP系の緑色(555nm)〜赤色(650nm)LEDに適用することができる。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【0077】
本発明によれば、半導体発光素子の金属酸化物窓層の半導体側の第一層を真空蒸着法により形成し、その上の第二層をスプレー熱分解法により形成する。このため、半導体層と接する金属酸化物窓層の第一層を真空蒸着法で形成することにより、高キャリア化を図り、且つ熱酸化膜の生成を回避して、順方向動作電圧を低くすることができると共に、スプレー熱分解法により金属酸化物窓層の第二層を形成するので電流分散が良い。また、その第二層の形成中にその表面を凸凹にするので、これにより発光した光を効率良く外部に取り出すことができる。よって、発光出力を向上させ、且つ順方向電圧を低くすることができる。
【0078】
また、本発明において用いる真空蒸着法とスプレー熱分解法という2種類の金属酸化物窓層の形成方法は、非常に安価な装置で実施することができる。
【0079】
更に、本発明においては、金属酸化物窓層の形成後に表面を加工して表面を凸凹にするのではなく、金属酸化物窓層の第二層の形成中にその表面が凸凹になるようにするので、製造工程の増加などが無いことから、コストが高くならない。
【0080】
よって、本発明の製造方法によれば、低コストであり、順方向動作電圧が低く、且つ発光出力の優れた半導体発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法によったAlGaInP系赤色LEDの断面構造図である。
【図2】本発明の製造方法によったAlGaInP系赤色LEDの発光出力と1回のスプレー時間との関係を、真空蒸着法及びスプレー法との比較において示した図である。
【図3】本発明の製造方法によったAlGaInP系赤色LEDの順方向電圧と1回のスプレー時間との関係を、真空蒸着法及びスプレー法との比較において示した図である。
【図4】本発明の製造方法により、1回のスプレー時間を0.1秒で製作したLEDチップの表面状態を示す図面代用写真である。
【図5】本発明の製造方法により、1回のスプレー時間を0.3秒で製作したLEDチップの表面状態を示す図面代用写真である。
【図6】本発明の製造方法により、1回のスプレー時間を0.5秒で製作したLEDチップの表面状態を示す図面代用写真である。
【図7】本発明の製造方法により、1回のスプレー時間を0.8秒で製作したLEDチップの表面状態を示す図面代用写真である。
【図8】比較例の製造方法によったAlGaInP系赤色LEDの断面構造図である。
【図9】比較例1の製造方法によった発光素子の発光強度分布を示したものであり、(a)は発光素子の概略平面図、(b)はその平面図のX−X′線に沿った発光強度分布を表す図である。
【図10】比較例2の製造方法によった発光素子の発光強度分布を示したものであり、(a)は発光素子の概略平面図、(b)はその平面図のX−X′線に沿った発光強度分布を表す図である。
【図11】比較例1の製造方法により、1回のスプレー時間を1.0秒で製作したLEDチップの表面写真である。
【符号の説明】
1 n型GaAs基板
2 n型GaAsバッファ層
3 n型AlGaInP下部クラッド層
4 アンドープAlGaInP活性層
5 p型AlGaInP上部クラッド層
6 p型GaAsコンタクト層
7 ITO膜(金属酸化物窓層)
8 裏面電極
9 上面電極
10 ITO膜(金属酸化物窓層の第一層:真空蒸着法で形成)
11 ITO膜(金属酸化物窓層の第二層:スプレー熱分解法で形成)
Claims (10)
- 第一導電型の基板の上に、第二導電型若しくはアンドープ活性層を互いに導電型が異なる第一クラッド層と第二クラッド層で挟んだ発光部を形成し、該発光部の上に第二導電型のコンタクト層を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極を形成した半導体発光素子の製造方法において、
前記金属酸化物窓層の半導体側の第一層を真空蒸着法により形成し、その上の第二層をスプレー熱分解法により形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属酸化物窓層の第二層の最大表面粗さRmaxを10nm以上にすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1又は2記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属酸化物窓層の第二層を、その形成中に表面が凸凹になる様に形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属酸化物窓層における真空蒸着法で形成する第一層の膜厚が2nm以上であり、且つ前記金属酸化物窓層の全膜厚が200nm以上であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
スプレー熱分解法で前記金属酸化物窓層の第二層を形成する際、スプレー圧力を0.2MPaとし、1回のスプレー時間を1.0秒よりも短い時間とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記1回のスプレー時間が0.1秒〜1.0秒未満、好ましくは0.1秒〜0.5秒以下、最適には0.1秒〜0.3秒以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第一導電型クラッド層、第二導電型若しくはアンドープ活性層、第二導電型クラッド層を形成する主たる材料が、AlInP、GaInP又はAlGaInPのいずれかであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、前記スプレー熱分解法で前記金属酸化物窓層の第二層を形成するための原材料として、溶液を用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記真空蒸着法及び前記スプレー熱分解法で形成する前記金属酸化物窓層がITOであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記スプレー熱分解法で形成する前記金属酸化物窓層の形成温度が350℃以上であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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