JP5526712B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5526712B2 JP5526712B2 JP2009253928A JP2009253928A JP5526712B2 JP 5526712 B2 JP5526712 B2 JP 5526712B2 JP 2009253928 A JP2009253928 A JP 2009253928A JP 2009253928 A JP2009253928 A JP 2009253928A JP 5526712 B2 JP5526712 B2 JP 5526712B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- bonding
- semiconductor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 176
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 625
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 68
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 60
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 15
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNRYQGINUXUWLV-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Fe].[Zn] Chemical compound [Mn].[Fe].[Zn] LNRYQGINUXUWLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Mg++].[Al+3] GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZMPWQGNGPZWRV-UHFFFAOYSA-N aluminum strontium lanthanum(3+) oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Al+3].[Sr+2].[La+3] HZMPWQGNGPZWRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[In+3].[Ce+3] UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
また、第1の半導体層、発光層および第2の半導体層が、III族窒化物半導体にて構成され、透明電極が、インジウム酸化物および亜鉛酸化物を含んで構成されることを特徴とすることができる。
さらに、第1の接続電極は、Ptにて構成され、第1の接合層の上に積層される第1の拡散防止層と、AuまたはAuを含む合金にて構成され、第1の拡散防止層の上に積層されるとともに第1の半導体層に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第1の接続電極層とを備え、第2の接続電極は、第1の拡散防止層と同じPtにて構成され、第2の接合層の上に積層される第2の拡散防止層と、第1の接続電極層と同じAuまたはAuを含む合金にて構成され、第2の拡散防止層の上に積層されるとともに透明電極に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第2の接続電極層とを備えることを特徴とすることができる。
図1は本実施の形態が適用される半導体発光素子(発光ダイオード)1の断面模式図の一例であり、図2は図1に示す半導体発光素子1の平面模式図であり、図3は半導体発光素子1を構成する積層半導体層100の断面模式図の概略図の一例である。
本実施の形態の半導体発光素子1は、基板110と、基板110上に積層される中間層120と、中間層120上に積層される下地層130とを備える。また、半導体発光素子1は、下地層130上に積層されるn型半導体層140と、n型半導体層140上に積層される発光層150と、発光層150上に積層されるp型半導体層160とをさらに備える。なお、以下の説明においては、必要に応じて、これらn型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160を、まとめて積層半導体層100と呼ぶ。
<基板>
基板110としては、III族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板であれば、特に限定されず、各種の基板を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等からなる基板を用いることができる。
また、上記基板の中でも、特に、c面を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。サファイア基板を用いる場合は、サファイアのc面上に中間層120(バッファ層)を形成するとよい。
積層半導体層100は、例えば、III族窒化物半導体からなる層であって、図1に示すように、基板110上に、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160の各層がこの順で積層されて構成されている。ここで、第1の半導体層の一例としてのn型半導体層140は、第1の導電型の一例としての電子をキャリアとするものである。これに対し、第2の半導体層の一例としてのp型半導体160は、第2の導電型の一例としての正孔をキャリアとするものである。
また、図3に示すように、n型半導体層140、発光層150及びp型半導体層160の各層は、それぞれ、複数の半導体層から構成してもよい。さらにまた、積層半導体層100は、さらに下地層130、中間層120を含めて呼んでもよい。
なお、積層半導体層100は、MOCVD法で形成すると結晶性の良いものが得られるが、スパッタ法によっても条件を最適化することで、MOCVD法よりも優れた結晶性を有する半導体層を形成できる。以下、順次説明する。
中間層120は、多結晶のAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなるものが好ましく、単結晶のAlxGa1-xN(0≦x≦1)のものがより好ましい。
中間層120は、上述のように、例えば、多結晶のAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる厚さ0.01μm〜0.5μmのものとすることができる。中間層120の厚みが0.01μm未満であると、中間層120により基板110と下地層130との格子定数の違いを緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、中間層120の厚みが0.5μmを超えると、中間層120としての機能には変化が無いのにも関わらず、中間層120の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下するおそれがある。
下地層130としては、AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)を用いることができるが、AlxGa1-xN(0≦x<1)を用いると結晶性の良い下地層130を形成できるため好ましい。
下地層130の膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が、結晶性の良好な下地層130を得やすい。
下地層130の結晶性を良くするためには、下地層130には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、p型あるいはn型の導電性が必要な場合は、アクセプター不純物あるいはドナー不純物を添加することができる。
図3に示すように、n型半導体層140は、nコンタクト層140aとnクラッド層140bとから構成されるのが好ましい。なお、nコンタクト層140aがnクラッド層140bを兼ねることも可能である。また、前述の下地層130をn型半導体層140に含めてもよい。
また、nクラッド層140bは、n側第1層とn側第2層とが交互に繰返し積層された構造を含んだものであってもよく、この場合には、GaInNとGaNとの交互構造又は組成の異なるGaInN同士の交互構造であることが好ましい。
n型半導体層140の上に積層される発光層150としては、単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造などを採用することができる。本実施の形態では、図3に示すように、発光層150を、障壁層150aと井戸層150bとが交互に積層されてなる多重量子井戸構造で構成している。そして、発光層150のうち、nクラッド層140bと接する側およびpクラッド層160aと接する側は、それぞれ障壁層150aとなっている。
また、多重量子井戸構造の発光層150の場合は、上記Ga1-yInyNを井戸層150bとし、井戸層150bよりバンドギャップエネルギーが大きいAlzGa1-zN(0≦z<0.3)を障壁層150aとする。井戸層150bおよび障壁層150aには、設計により不純物をドープしてもしなくてもよい。
図3に示すように、p型半導体層160は、通常、pクラッド層160aおよびpコンタクト層160bから構成される。また、pコンタクト層160bがpクラッド層160aを兼ねることも可能である。
pクラッド層160aのp型不純物濃度は、1×1018/cm3〜1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019/cm3〜1×1020/cm3である。p型不純物濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。
また、pクラッド層160aは、上述したnクラッド層140bと同様に超格子構造としてもよく、この場合には、組成比が異なるAlGaNと他のAlGaNとの交互構造または組成が異なるAlGaNとGaNとの交互構造であることが好ましい。
pコンタクト層160bでは、p型不純物を1×1018/cm3〜1×1021/cm3の濃度、好ましくは5×1019/cm3〜5×1020/cm3の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。p型不純物としては、特に限定されないが、例えば好ましくはMgが挙げられる。
pコンタクト層160bの膜厚は、特に限定されないが、0.01μm〜0.5μmが好ましく、より好ましくは0.05μm〜0.2μmである。pコンタクト層160bの膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。
図1に示すように、p型半導体層160の上には透明電極170が積層されている。
図2に示すように平面視したときに、透明電極170(図1参照)は、n側電極400を形成するために、エッチング等の手段によって一部が除去されたp型半導体層160の上面160cのほぼ全面を覆うように形成されているが、このような形状に限定されるわけでなく、隙間を開けて格子状や樹形状に形成してもよい。なお、透明電極170の構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
例えば、六方晶構造のIn2O3結晶を含むIZOを透明電極170として使用する場合、エッチング性に優れたアモルファスのIZO膜を用いて特定形状に加工することができ、さらにその後、熱処理等によりアモルファス状態から結晶を含む構造に転移させることで、アモルファスのIZO膜よりも透光性の優れた電極に加工することができる。透明電極170の膜厚は、特に制限されないが、例えば10〜500nmの範囲であればよい。
保護層180は、半導体発光素子1の内部への水分等の進入を抑制するために設けられている。また、本実施の形態では、発光層150からの光を、保護層180を介して取り出すことから、保護層180は発光層150からの光に対する透過性に優れたものであることが望ましい。そこで、本実施の形態では、保護層180をSiO2で構成している。ただし、保護層180を構成する材料についてはこれに限られるものではなく、SiO2に代えて、TiO2、Si3N4、SiO2−Al2O3、Al2O3、AlN等を用いることができる。
次に、p側電極300の構成について詳細に説明する。このp側電極300は、上述したように、p側接合層310、p側ボンディングパッド電極320(p側拡散防止層321およびp側接続電極層322)、およびp側密着層330を備えている。このp側電極300は所謂ボンディングパッドを兼ねており、外部に露出するp側接続面323に図示しないボンディングワイヤが接続されるようになっている。
第2の接合層の一例としてのp側接合層310は、透明電極170に対するp側ボンディングパッド電極320の接合強度を高め、且つ、透明電極170とp側ボンディングパッド電極320とのオーミックコンタクトを確保するために、透明電極170とp側ボンディングパッド電極320との間に設けられる。
第2の接続電極の一例としてのp側ボンディングパッド電極320は、p側接合層310側から順に、p側拡散防止層321とp側接続電極層322とが積層された構成を有している。ここで、p側拡散防止層321は、p側接合層310を形成する元素(この例では特にTa)のマイグレーションを抑制する作用、および、p側接続電極層322を形成する元素(この例では後述するAu)のマイグレーションを抑制する作用を有する。また、p側接続電極層322は、給電用の外部端子材料との密着性を高める作用もある。
第2の拡散防止層の一例としてのp側拡散防止層321は、前述のマイグレーション防止作用の他にp側ボンディングパッド電極320全体の強度を強化する役割を有している。このため、比較的強固な金属材料を使用することが好ましく、例えば、Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、W、Mo、Ni、Co、Zr、Hf、Ta、Nbのうちの何れかまたはこれら金属の何れかを含む合金からなるものが選べる。なかでも、Al、Ag、Ptおよびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金は、電極用の材料として一般的であり、入手のし易さ、取り扱いの容易さなどの点から優れており、特にPtが好ましい。
また、p側拡散防止層321の膜厚は、20nm〜500nmの範囲より選択することすることが望ましい。p側拡散防止層321が20nmよりも薄いとマイグレーション抑制の効果が得にくくなる。一方、p側拡散防止層321を500nmより厚くしても特に利点は生じず、工程時間の長時間化と材料の無駄を生じるおそれがある。更に望ましいp側拡散防止層321の厚さは、50nm〜200nmである。
第2の接続電極の一例としてのp側接続電極層322は、AuまたはAuを含む合金からなることが好ましい。Auはボンディングボールとして使用されることが多い金ボールとの密着性の良い金属なので、AuまたはAuを含む合金を用いることにより、ボンディングワイヤとの密着性に優れたものとすることができる。
また、p側接続電極層322の厚みは、50nm以上2000nm以下の範囲であることが好ましく、更に望ましくは500nm以上1500nm以下である。
p側接続電極層322が50nmよりも薄いとボンディングボールとの密着性が悪くなり、1500nmよりも厚くても特に利点は生ぜず、コスト増大を招くおそれがある。
また、p側ボンディングパッド電極320の電極面積、より具体的にはp側接続電極層322の上面であるp側接続面323の面積としては、できるだけ大きいほうがボンディング作業はしやすいものの、発光の取り出しの妨げになる。例えば、チップ面の面積の半分を超えるような面積を覆っては、発光の取り出しの妨げとなり、出力が著しく低下する。逆に小さすぎるとボンディング作業がしにくくなり、製品の収率を低下させる。
具体的には、p側接続面323はボンディングボールの直径よりもわずかに大きい程度が好ましく、直径100μm程度の円形状とすることが一般的である。
第2の密着層の一例としてのp側密着層330は、保護層180に対するp側ボンディングパッド電極320の接合強度を高めるために、p側ボンディングパッド電極320と保護層180との間に積層される。
続いて、n側電極400の構成について詳細に説明する。このn側電極400は、上述したように、n側接合層410、n側ボンディングパッド電極420(n側拡散防止層421およびn側接続電極層422)、およびn側密着層430を備えている。このn側電極400は所謂ボンディングパッドを兼ねており、外部に露出するn側接続面423に図示しないボンディングワイヤが接続されるようになっている。
次に、図1に示す半導体発光素子1の製造方法の一例について説明する。
本実施形態における半導体発光素子1の製造方法は、基板110上に、発光層150を含む積層半導体層100を形成する積層半導体層形成工程と、積層半導体層100の一部を切り欠いて半導体層露出面140cを形成する露出面形成工程と、半導体層露出面140cを除く積層半導体層100上に透明電極170を形成する透明電極形成工程と、透明電極170上にp側電極300を形成し且つ半導体層露出面140c上にn側電極400を形成する電極形成工程と、さらに保護層180を形成する保護層形成工程とを有している。
<積層半導体層形成工程>
積層半導体層形成工程は、中間層形成工程と、下地層形成工程と、n型半導体層形成工程と、発光層形成工程と、p型半導体層形成工程とからなる。
<中間層形成工程>
先ず、サファイア基板等の基板110を用意し、前処理を施す。前処理としては、例えば、スパッタ装置のチャンバ内に基板110を配置し、中間層120を形成する前にスパッタするなどの方法によって行うことができる。具体的には、チャンバ内において、基板110をArやN2のプラズマ中に曝す事によって上面を洗浄する前処理を行なってもよい。ArガスやN2ガスなどのプラズマを基板110に作用させることで、基板110の上面に付着した有機物や酸化物を除去することができる。
スパッタ法によって、単結晶構造を有する中間層120を形成する場合、チャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が50%〜100%、望ましくは75%となるようにすることが望ましい。
また、スパッタ法によって、柱状結晶(多結晶)を有する中間層120を形成する場合、チャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が1%〜50%、望ましくは25%となるようにすることが望ましい。なお、中間層120は、上述したスパッタ法だけでなく、MOCVD法で形成することもできる。
次に、中間層120を形成した後、中間層120が形成された基板110の上面に、単結晶の下地層130を形成する。下地層130は、スパッタ法で形成してもよく、MOCVD法で形成してもよい。
下地層130の形成後、nコンタクト層140a及びnクラッド層140bを積層してn型半導体層140を形成する。nコンタクト層140a及びnクラッド層140bは、スパッタ法で形成してもよく、MOCVD法で形成してもよい。
発光層150の形成は、スパッタ法、MOCVD法のいずれの方法でもよいが、特にMOCVD法が好ましい。具体的には、障壁層150aと井戸層150bとを交互に繰り返して積層し、且つ、n型半導体層140側及びp型半導体層160側に障壁層150aが配される順で積層すればよい。
また、p型半導体層160の形成は、スパッタ法、MOCVD法のいずれの方法でもよい。具体的には、pクラッド層160aと、pコンタクト層160bとを順次積層すればよい。
透明電極170の形成に先立ち、公知のフォトリソグラフィーの手法によってパターニングして、所定の領域の積層半導体層100の一部をエッチングしてnコンタクト層140aの一部を露出させ、半導体層露出面140cを形成させる。
マスク等で半導体層露出面140cをカバーして、エッチング除去せずに残したp型半導体層160上に、スパッタ法などの公知の方法を用いて透明電極170を形成させる。なお、p型半導体層160上に先に透明電極170を形成した後、所定の領域から透明電極170の一部と共に積層半導体層100の一部もエッチングで除去し、半導体層露出面140cを形成するようにしてもかまわない。
電極形成工程は、接合層形成工程と、拡散防止層形成工程と、接続電極層形成工程と、密着層形成工程からなる。
まず、図4(a)に示すように、透明電極170の上に、透明電極170側に近づくほど横方向の径が拡がる開口部501を設けた逆テーパ型マスク(以下、必要に応じて硬化部と称することがある)500を形成する。この開口部501は、p側電極300を形成する領域に対応する部位に形成される。このとき、図示はしないが、半導体層露出面140cにおいてn側電極400を形成するための部位にも、同様の開口部501を設けた逆テーパ型マスク500を形成する。
<マスク形成工程>
マスク形成工程は、透明電極170(および半導体層露出面140c)にレジストを塗布して不溶性レジスト部510を形成するレジスト塗布工程と、不溶性レジスト部510の一部をマスクして露光を行うことにより、露光された不溶性レジスト部510を可溶性レジスト部520にする一部露光工程と、加熱により可溶性レジスト部520を硬化させる硬化工程と、レジスト部を全面露光することにより不溶性レジスト部510を可溶性レジスト部520とする全面露光工程と、レジスト剥離液に浸漬することにより可溶性レジスト部520を剥離する剥離工程と、を有する。
まず、図5(a)に示すように、透明電極170の上にレジストを塗布し、その後乾燥させて不溶性レジスト部510を形成する。ネガ型フォトレジストとしては、たとえば、AZ5200NJ(製品名:AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)などを用いることができる。
次に、図5(b)に示すように、不溶性レジスト部510の前面にp側電極300を形成する位置をカバーするようにマスク600を配置して、マスク600側から透明電極170側へ矢印に示すように所定強さ及び波長の光を照射することにより、光が照射された部分の不溶性レジスト部510を光反応させて、可溶性レジスト部520とする。
この光反応は光の強さに応じて進行するので、光照射面側では光反応の進行が早く、透明電極170側では光反応の進行が遅くなる。そのため、可溶性レジスト部520は、断面視したときに、図5(b)に示すように、マスク600でカバーされた部分から透明電極170に向けて、透明電極170に近づくほど横方向の間隔が拡がる逆テーパ形状となるように形成される。
なお、マスクされた部分は、そのまま不溶性レジスト部510として残される。
次に、たとえば、ホットプレートまたはオーブンなどを用いて、この透明電極170上の不溶性レジスト部510および可溶性レジスト部520を加熱することにより、図5(c)に示すように、可溶性レジスト部520を熱反応により架橋させて硬化させ、硬化部530とする。このとき、不溶性レジスト部510はそのままの状態を維持する。
続いて、図5(d)に示すように、マスクを用いず、不溶性レジスト部510および架橋高分子からなる硬化部530の表面側から光を照射することにより、図5(b)において可溶性レジスト部520に変換されなかった不溶性レジスト部510を光反応させて、可溶性レジスト部520とする。
最後に、所定の現像液を用いて、可溶性レジスト部520を溶解させて除去することにより、図5(e)に示すように、透明電極170上に、逆テーパ形状の開口部501を有する硬化部530すなわち逆テーパ型マスク500(図4(a)参照)を形成することができる。
本実施の形態では、スパッタ法を用い、同一のバッチ処理において、p側接合層310およびn側接合層410、p側拡散防止層321およびn側拡散防止層421、p側接続電極層322およびn側接続電極層422を、この順で連続的に形成する。すなわち、接続層形成工程、拡散防止層形成工程、および接続電極層形成工程が一連で行われる。より具体的に説明すると、スパッタ装置のチャンバ内に、p側接合層310およびn側接合層410を形成するためのスパッタターゲットと、p側拡散防止層321およびn側拡散防止層421を形成するためのスパッタターゲットと、p側接続電極層322およびn側接続電極層422を形成するためのスパッタターゲットと、p側密着層330およびn側密着層430を形成するためのスパッタターゲットとを予め設置しておく。この状態で、このチャンバ内に、積層半導体層100、透明電極170および逆テーパ型マスク500が形成された基板110をセットし、プラズマ化させるスパッタターゲットを順次切り替えながら各層の形成を行う。なお、以下では、透明電極170側における各層の形成について説明を行うが、各工程は、同時に半導体層露出面140c側に対しても行われる。
p側接合層310のスパッタターゲットと逆テーパ型マスク500と対向させた状態で、スパッタ法により、図4(b)に示すように、透明電極170の上面および逆テーパ型マスク500の上にp側接合層310を形成する。本実施の形態では、スパッタターゲットとしてTaターゲットおよびPtターゲットを用い、少量のN2ガスを含むArガス雰囲気下においてコスパッタを行うことで、TaN−Pt混在層からなるp側接合層320を形成している。なお、Taターゲットに代えて、TaNターゲットを用いてもよく、この場合には、Ptターゲットとともに、少量のN2ガスを含むArガス雰囲気下あるいはArガス雰囲気下においてコスパッタを行えばよい。
続いて、p側拡散防止層321用のスパッタターゲットと逆テーパ型マスク500とを対向させた状態で、スパッタ法により、図4(c)に示すように、透明電極170および逆テーパ型マスク500上のp側接合層310の上面にp側拡散防止層321を形成する。本実施の形態では、スパッタターゲットとしてPtターゲットを用い、Arガス雰囲気下においてスパッタを行っている。
さらに続いて、p側接続電極層322用のスパッタターゲットと逆テーパ型マスク500とを対向させた状態で、スパッタ法により、図4(d)に示すように、透明電極170および逆テーパ型マスク500上のp側拡散防止層321の上面にp側接続電極層322を形成する。本実施の形態では、スパッタターゲットしてAuターゲットを用い、Arガス雰囲気下においてスパッタを行っている。
続いて、p側密着層321用のスパッタターゲットと逆テーパ型マスク500とを対向させた状態で、スパッタ法などの公知の方法を用いてp側密着層330を形成させる。スパッタ法によってp側密着層323を形成する場合には、スパッタターゲットとしてTaターゲットを用い、Arガス雰囲気下においてスパッタを行うようにすればよい。
続いて、レジスト剥離液に浸漬することにより、架橋高分子からなる逆テーパ型マスク500を剥離する。これにより、図4(e)に示すように、透明電極170の上には、p側接合層310を内包するp側ボンディングパッド電極320(p側拡散防止層321およびp側接続電極層322からなる)p側ボンディングパッド電極320が露出した状態となる。
透明電極170の形成部、p側ボンディングパッド電極320およびn側ボンディングパッド電極420、および半導体層露出面140cに、SiO2からなる保護層180をスパッタ法により形成する。
次にマスクによってp側接続面323およびn側接続面423の形成対象部位以外をカバーして、これらの部位の保護層180および密着層(p側密着層330、n側密着層430)をエッチングして、p側接続電極層322およびn側密着層423のそれぞれの一部を露出させる。これにより、p側接続面323を除くp側接続電極層322がp側密着層330で覆われ、p側密着層330の中央部にp側接続面323が露出した状態となる。
そして、このようにして得られた半導体発光素子1を、例えば窒素などの還元雰囲気下において、150℃以上600℃以下、より好ましくは200℃以上500℃以下でアニール処理する。このアニール工程は、p側接合層310を介した透明電極170とp側ボンディングパッド電極320との密着性、および、n側接合層410を介した半導体層露出面140cとn側ボンディングパッド電極420との密着性を高めるために行われることがある。
以上により、半導体発光素子1が得られる。
本発明者は、p側電極300を構成するp側接合層310およびn側電極400を構成するn側接合層410の製造条件を異ならせた半導体発光素子1の製造を行い、p側電極300における透明電極170とp側ボンディングパッド電極320との密着性、p側電極における透明電極170とp側ボンディングパッド電極320とのオーミックコンタクト性、そして、各半導体発光素子1の順方向電圧Vfについて、以下に説明する手法を用いて検討を行った。
図6には、接合層の製造条件として、接合層形成工程すなわちTaターゲットおよびPtターゲットを用いたコスパッタ時におけるスパッタガス中のN2ガス濃度を示している。さらに、図6には、得られた接合層の構成として、接合層におけるTaとPtとの組成比(接合層組成比)と、接合層の膜厚とを示している。
したがって、n電極接触比抵抗NNの値が0に近いほど、金属とn側電極400との間のオーミックコンタクトが取れていることを意味する。
そして、図6には、さらに他の評価結果として、半導体発光素子1に20mAの順方向電流を供給した際の順方向電圧Vfを示した。
なお、電極における接合層の構成の分析等には、X線光電子分析装置(ESCA、XPS)を使用し、Ta、Nb、Ti、W、Mo等の金属の窒化物や酸化物の状態を確認した。
まず、実施例1〜14においては、電極剥がれ個数がサンプル数300に対して10個以下であり、n電極接触比抵抗NNが0.005以下であり、順方向電圧Vfは3.35V以下であった。
これに対し、比較例1においては、n電極接触比抵抗NNおよび順方向電圧Vfについては実施例1〜14と同等の結果が得られたものの、電極剥がれ個数がサンプル数300に対して49個となり、実施例1〜14よりも悪化することがわかった。
また、比較例2においては、電極剥がれ個数および順方向電圧Vfについては実施例1〜14と同等の結果が得られたものの、順方向電圧Vfが4.12Vとなり、実施例1〜14よりも悪化することがわかった。
実施例1、2、7、12、13は、スパッタガス中のN2ガス濃度(2.5mol.%)および接合層膜厚(4.0nm)を一定とし、接合層組成比(Ta:Pt)を90:10〜30:70の範囲で変化させた関係を示している。これらより、接合層に占めるPtの組成比が増加していくことにより、電極剥がれ発生個数が減少する一方、順方向電圧Vfが増加することがわかる。なお、n電極接触比抵抗NNについては、接合層に占めるPtの組成比の増加に関わらず、あまり変化していない。ただし、接合層組成比が90:10〜30:70となる範囲では、すべて良好な結果が得られている。
実施例3〜5および7は、接合層組成比(50:50)および接合層膜厚(4.0nm)を一定とし、スパッタガス中のN2ガス濃度を2.5mol.%〜10.0mol.%の範囲で変化させた関係を示している。また、実施例11は、実施例3、4、5、7と接合層組成比(50:50)および接合層膜厚(4.0nm)を一定とし、スパッタガス中のN2ガス濃度を0.0mol.%とした場合を示している。これらより、スパッタガス中のN2ガス濃度が減少することにより、n電極接触比抵抗NNが減少し、順方向電圧Vfも減少することがわかる。なお、電極剥がれ発生個数については、スパッタガス中のN2ガス濃度の減少に関わらず、ほとんど変化していない。ただし、スパッタガス中のN2ガス濃度が0.0mol.%〜10.0%となる範囲では、すべて良好な結果が得られている。
実施例6〜10は、接合層組成比(50:50)およびスパッタガス中のN2ガス濃度(2.5mol.%)を一定とし、接合層の膜厚を1.0nm〜100nmの範囲で変化させた関係を示している。これらより、接合層の膜厚が増加していくことにより、n電極接触比抵抗NNが減少する一方、順方向電圧Vfは増加することがわかる。なお、電極剥がれ発生個数については、接合層の膜厚の増加にかかわらず、ほとんど変化していない。ただし、接合層の膜厚が1.0nm〜100nmとなる範囲では、すべて良好な結果が得られている。
Claims (4)
- 第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の一方の面に当該一方の面の一部を露出させるように積層される発光層と、
前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し前記発光層に積層される第2の半導体層と、
インジウム酸化物を含むとともに前記発光層から出力される光に対する透光性を有し前記第2の半導体層の上に積層される透明電極と、
TaおよびPt、または、Ta、NおよびPtを含んで構成され、前記第1の半導体層の上に積層される第1の接合層と、
Auを含んで構成され、前記第1の接合層の上に積層されるとともに前記第1の半導体層に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第1の接続電極と、
Taを含んで構成され、前記第1の接続電極のうち外部との電気的な接続に用いられる部位を除く領域の上に積層されるとともに前記第1の半導体層に接続される第1の密着層と、
前記第1の接合層と同じ材質で構成され、前記透明電極の上に積層される第2の接合層と、
前記第1の接続電極と同じ材質で構成され、前記第2の接合層の上に積層されるとともに前記透明電極に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第2の接続電極と、
前記第1の密着層と同じ材質で構成され、前記第2の接続電極のうち外部との電気的な接続に用いられる部位を除く領域の上に積層されるとともに前記透明電極に接続される第2の密着層と、
シリコン酸化物を含んで構成され、前記透明電極、前記第1の密着層および前記第2の密着層を覆うように設けられる保護層と
を含む半導体発光素子。 - 前記第1の接合層および前記第2の接合層における前記Taと前記Ptとの組成比が、重量比で90:10〜30:70の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1の半導体層、前記発光層および前記第2の半導体層が、III族窒化物半導体にて構成され、
前記透明電極が、前記インジウム酸化物および亜鉛酸化物を含んで構成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。 - 前記第1の接続電極は、Ptにて構成され、前記第1の接合層の上に積層される第1の拡散防止層と、AuまたはAuを含む合金にて構成され、当該第1の拡散防止層の上に積層されるとともに前記第1の半導体層に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第1の接続電極層とを備え、
前記第2の接続電極は、前記第1の拡散防止層と同じPtにて構成され、前記第2の接合層の上に積層される第2の拡散防止層と、前記第1の接続電極層と同じAuまたはAuを含む合金にて構成され、当該第2の拡散防止層の上に積層されるとともに前記透明電極に接続され、外部との電気的な接続に用いられる第2の接続電極層とを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体発光素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009253928A JP5526712B2 (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 半導体発光素子 |
US13/505,973 US8748903B2 (en) | 2009-11-05 | 2010-10-27 | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element |
PCT/JP2010/069075 WO2011055664A1 (ja) | 2009-11-05 | 2010-10-27 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
TW099137940A TWI496321B (zh) | 2009-11-05 | 2010-11-04 | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009253928A JP5526712B2 (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100824A JP2011100824A (ja) | 2011-05-19 |
JP5526712B2 true JP5526712B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=43969904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009253928A Active JP5526712B2 (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 半導体発光素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748903B2 (ja) |
JP (1) | JP5526712B2 (ja) |
TW (1) | TWI496321B (ja) |
WO (1) | WO2011055664A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103797591A (zh) * | 2011-08-17 | 2014-05-14 | 三星电子株式会社 | 制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件 |
JP5961359B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2016-08-02 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US8907356B2 (en) * | 2012-03-21 | 2014-12-09 | Fleda Technology Corporation | LED package structure |
JP5888132B2 (ja) * | 2012-06-08 | 2016-03-16 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE102014102029A1 (de) * | 2014-02-18 | 2015-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement |
KR102333773B1 (ko) | 2014-05-27 | 2021-12-01 | 실라나 유브이 테크놀로지스 피티이 리미티드 | 광전자 디바이스 |
WO2015181656A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | The Silanna Group Pty Limited | Electronic devices comprising n-type and p-type superlattices |
JP6636459B2 (ja) | 2014-05-27 | 2020-01-29 | シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドSilanna Uv Technologies Pte Ltd | 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス |
US11322643B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-05-03 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Optoelectronic device |
CN104409601A (zh) * | 2014-11-05 | 2015-03-11 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 具有双反射层的倒装发光二极管芯片 |
JP6811293B1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-01-13 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2021144833A (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ計測装置、及びプラズマ計測方法 |
JP6839320B1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-03-03 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP6892538B1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-06-23 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
CN112820808A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-18 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片 |
CN113782682A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-12-10 | 信利半导体有限公司 | 一种有机光伏电池及其制备方法 |
JP7269414B1 (ja) | 2022-04-28 | 2023-05-08 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5874364A (en) * | 1995-03-27 | 1999-02-23 | Fujitsu Limited | Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same |
JP3511970B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2004-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP3512659B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2004-03-31 | シャープ株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置 |
JP3846150B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-11-15 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法 |
US6693352B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-02-17 | Emitronix Inc. | Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same |
JP4055503B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5800452B2 (ja) | 2001-07-24 | 2015-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
US7148520B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-12-12 | Lg Electronics Inc. | Diode having vertical structure and method of manufacturing the same |
US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
JP4004378B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2007-11-07 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US7122841B2 (en) * | 2003-06-04 | 2006-10-17 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices |
EP1686629B1 (en) * | 2003-11-19 | 2018-12-26 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same |
US7615798B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-11-10 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device having an electrode made of a conductive oxide |
US7018859B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-03-28 | Epistar Corporation | Method of fabricating AlGaInP light-emitting diode and structure thereof |
KR100750933B1 (ko) | 2005-08-14 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 희토류 금속이 도핑된 투명 전도성 아연산화물의나노구조를 사용한 탑에미트형 질화물계 백색광 발광소자및 그 제조방법 |
KR100661614B1 (ko) | 2005-10-07 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100854328B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2008-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP2008041866A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
TWI418054B (zh) | 2006-08-08 | 2013-12-01 | Lg Electronics Inc | 發光裝置封裝與製造此封裝之方法 |
WO2009001596A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Kyocera Corporation | 発光素子及び照明装置 |
KR20090032207A (ko) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광다이오드 소자 |
JP5289791B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-09-11 | 日本オクラロ株式会社 | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5085369B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2012-11-28 | 日本オクラロ株式会社 | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
KR101221281B1 (ko) | 2008-03-13 | 2013-01-11 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP5288852B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-09-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-11-05 JP JP2009253928A patent/JP5526712B2/ja active Active
-
2010
- 2010-10-27 US US13/505,973 patent/US8748903B2/en active Active
- 2010-10-27 WO PCT/JP2010/069075 patent/WO2011055664A1/ja active Application Filing
- 2010-11-04 TW TW099137940A patent/TWI496321B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201126761A (en) | 2011-08-01 |
TWI496321B (zh) | 2015-08-11 |
US8748903B2 (en) | 2014-06-10 |
US20120217534A1 (en) | 2012-08-30 |
JP2011100824A (ja) | 2011-05-19 |
WO2011055664A1 (ja) | 2011-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5526712B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4999696B2 (ja) | GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5522032B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
TWI412159B (zh) | 半導體發光元件、其電極以及製造方法、及燈 | |
TWI528588B (zh) | 半導體發光元件及半導體發光裝置 | |
JP5332882B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5235866B2 (ja) | 金属電極の形成方法、半導体発光素子の製造方法及び窒化物系化合物半導体発光素子 | |
WO2010073539A1 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ | |
US8829555B2 (en) | Semiconductor light emission element | |
JP2019207925A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2010267797A (ja) | 半導体発光素子、ランプ、照明装置、電子機器及び電極 | |
JP5178383B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ | |
JP5434288B2 (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を備えたランプ、照明装置および電子機器 | |
JP2011034989A (ja) | 半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置 | |
JP5471485B2 (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子のパッド電極の製造方法 | |
JP2010062425A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ | |
JP5323468B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法、半導体発光素子、電極構造 | |
JP4868821B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び発光素子 | |
JP5515431B2 (ja) | 半導体発光素子、その電極並びに製造方法及びランプ | |
JP5353809B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
JP2010238802A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 | |
JP5573138B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2010147097A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
WO2009154191A1 (ja) | 半導体発光素子、その電極並びに製造方法及びランプ | |
JP2010141262A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120801 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5526712 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |