JP2019207925A - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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- n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層と、
前記n型半導体層上の一部領域に設けられるn側電極と、
前記n型半導体層上の前記一部領域とは異なる領域に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、
前記活性層上に設けられるp型AlGaN系半導体材料のp型半導体層と、
前記p型半導体層上に設けられるp側電極と、を備え、
前記n側電極は、アルミニウム(Al)層を含むn側コンタクト層と、前記n側コンタクト層上のn側インジウム錫酸化物(ITO)層と、前記n側ITO層上のn側パラジウム(Pd)層と、前記n側Pd層上のn側パッド電極層と、を含み、
前記p側電極は、p側インジウム錫酸化物(ITO)層と、前記p側ITO層上のp側パラジウム(Pd)層と、前記p側Pd層上のp側パッド電極層と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記p側ITO層は、前記p型半導体層上に接して設けられるp型第1インジウム錫酸化物(ITO)層と、前記p型第1ITO層上を被覆するように前記p型第1ITO層上および前記p型半導体層上の双方に接して設けられるp型第2インジウム錫酸化物(ITO)層と、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記n側ITO層は、前記n型コンタクト層を被覆するように前記n型コンタクト層上および前記n側半導体層上の双方に接して設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記n側ITO層は、前記n型コンタクト層の前記Al層上に接して設けられることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記n型コンタクト層は、金(Au)を含まないことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層、n型半導体層上のAlGaN系半導体材料の活性層、活性層上のp型AlGaN系半導体材料のp型半導体層を順に積層する工程と、
前記n型半導体層の一部が露出するように前記p型半導体層、前記活性層および前記n型半導体層の一部を除去する工程と、
前記n型半導体層の露出領域上にアルミニウム(Al)層を含むn型コンタクト層を形成する工程と、
前記n型コンタクト層上にn側開口が設けられ、前記p型半導体層上にp側開口が設けられるマスクを前記n型半導体層の露出領域上および前記p型半導体層上に形成する工程と、
前記マスクの前記n側開口内および前記p側開口内にインジウム酸化物(ITO)層を形成する工程と、
前記マスクの前記n側開口内および前記p側開口内の前記ITO層上にパラジウム(Pd)層を形成する工程と、
前記Pd層上にパッド電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記ITO層を形成する工程は、第1ITO層を形成する工程と、前記第1ITO層に比べて高成膜レートの条件で第2ITO層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記ITO層の形成前に前記p型半導体層上に第1ITO層を形成する工程をさらに備え、
前記ITO層を形成する工程は、前記マスクの前記n側開口内の前記n型コンタクト層上に第2ITO層を形成し、かつ、前記マスクの前記p側開口内の前記第1ITO層上に第2ITO層を形成する工程であり、前記第2ITO層は、前記第1ITO層に比べて高成膜レートの条件で形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1ITO層は、2nm/分以上5nm/分以下の成膜レートで形成されることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記マスクの除去後、前記ITO層および前記Pd層を被覆するように前記n型半導体層の露出領域上および前記p型半導体層上に酸化シリコン(SiO2)、酸窒化シリコン(SiON)または窒化シリコン(SiN)で構成される保護層を形成する工程と、
前記保護層の一部を除去して前記Pd層を露出させる工程と、をさらに備え、
前記パッド電極層は、前記保護層の一部除去により露出した前記Pd層上に形成されることを特徴とする請求項6から9のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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