CN111628057A - 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 - Google Patents
一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111628057A CN111628057A CN202010461449.3A CN202010461449A CN111628057A CN 111628057 A CN111628057 A CN 111628057A CN 202010461449 A CN202010461449 A CN 202010461449A CN 111628057 A CN111628057 A CN 111628057A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sub
- type
- ohmic electrode
- wavelength grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，包括：由上而下依次设置的衬底、AlN成核层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa(1‑x)N/AlyGa(1‑y)N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层、在p型AlGaN层下方设置p型欧姆电极，并在p型AlGaN层的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜，在n型AlGaN层下方设置n型欧姆电极，在p型欧姆电极和n型欧姆电极正下方分别设置两个凸点，在两个凸点下设置基座。本发明其结构中的亚波长光栅反射镜具有制备工艺简单、成本低廉的优点，通过优化相关参数，反射率可以达到99％以上；能够有效地提高多量子阱有源区发出的原本向下发出的紫外光被反射向上的反射效率，增加衬底测的出光，从而提高紫外LED的发光强度和发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及紫外发光二极管制造技术领域，尤其是一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管。
背景技术
紫外LED与传统的紫外光源相比具有体积小、能耗低、寿命长等优势。特别是波长在200-400nm的紫外LED被广泛地应用于杀菌、照明、印刷、医疗、生化检测、聚合物固化、保密通信、环境保护和高密度信息存储等领域。以AlGaN为代表的III族氮化物半导体材料是制备紫外LED的核心材料。尽管经过科研人员多年的努力，对AlGaN基紫外LED的研究取得了很大进展，但仍存在着极化强度大、缺陷密度高、出光少、高质量AlGaN材料生长困难等科学和技术难题，导致现有技术制备的AlGaN基紫外LED的内量子效率、载流子注入效率和发光效率仍然普遍偏低。
业界普遍采用倒装结构以提高紫外LED的发光强度和发光效率，现有技术通常采用高反射率的金属电极或如图3所示的布拉格反射镜(DBR)结构，以提高多量子阱发出的紫外光的反射效率。但高反射率的金属电极由于通常采用Ag、Al和Rh等作为单层或多层金属反射层，反射率普遍低于90％；而DBR的反射率和带宽依赖于两种组成材料的折射率和每层厚度控制的精度，因此DBR的生长控制是个巨大挑战。实际上，形成高反射率的DBR所需的材料层的总厚度一般会高达数微米，考虑到晶格失配因素，过厚的DBR会造成紫外LED的结构崩溃。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，能够显著地提高多量子阱有源区原本向下发出的紫外光被反射向上的反射效率，增加衬底侧的出光，从而提高紫外LED的发光强度和发光效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，包括：由上而下依次设置的衬底101、AlN成核层102、非掺杂AlGaN缓冲层103、n型AlGaN层104、AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层105、AlGaN电子阻挡层106、p型AlGaN层107、在p型AlGaN层107下方设置p型欧姆电极108，并在p型AlGaN层107的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜1071，在n型AlGaN层104下方设置n型欧姆电极109，在p型欧姆电极108和n型欧姆电极109正下方分别设置两个凸点110，在两个凸点110下设置基座111。
优选的，所述衬底101为可外延生长GaN基材料的蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、氮化铝、氮化镓衬底中的任意一种。
优选的，所述AlN成核层102的厚度为5～30nm；所述非掺杂AlGaN缓冲层103的厚度为50～5000nm；所述n型AlGaN层104的厚度为200～5000nm；所述AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层105具有3～50对量子阱，量子阱的阱厚度为1～10nm，量子阱的势垒厚度为5～30nm；所述AlGaN电子阻挡层106的厚度为2～30nm；所述p型AlGaN层107的厚度为200～2000nm。
优选的，所述的在p型AlGaN层107下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜1071是一维条形光栅或者二维矩形光栅结构；一维条形光栅结构图形深度为400～700nm，条形宽度为50～200nm，周期长度为100～300nm；二维矩形光栅结构图形深度为400～700nm，矩形的边长为50～200nm，周期长度为100～300nm，且光栅周期长度小于多量子阱发射的紫外光波长，而具体数值需依据严格的耦合波理论，通过仿真优化相关参数得到。
优选的，所述p型欧姆电极108和n型欧姆电极109的材料为Ni、Al、In、Au或Ti中的任何一种金属或上述金属中任意几种金属组成的合金材料，凸点110的材料选择Au，基座111的材料选择二维陶瓷基板。
本发明的有益效果为：本发明提供一种具有亚波长光栅反射镜的倒装型紫外LED，其结构中的亚波长光栅反射镜具有制备工艺简单、成本低廉的优点，通过优化相关参数，反射率可以达到99％；能够有效地提高多量子阱有源区发出的原本向下发出的紫外光被反射向上的反射效率，增加衬底测的出光，从而提高紫外LED的发光强度和发光效率。
附图说明
图1为本发明提供的一种具有亚波长光栅反射镜的倒装型紫外LED的断面结构示意图。
图2(a)为本发明在p型AlGaN层107下表面刻蚀形成的一维条形结构亚波长光栅反射镜1071的水平面截图。
图2(b)为本发明在p型AlGaN层107下表面刻蚀形成的二维矩形结构亚波长光栅反射镜1071的水平面截图。
图3为现有技术制备的具有DBR反射镜的倒装型紫外LED的断面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，包括：由上而下依次设置的衬底101、AlN成核层102、非掺杂AlGaN缓冲层103、n型AlGaN层104、AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层105、AlGaN电子阻挡层106、p型AlGaN层107、在p型AlGaN层107下方设置p型欧姆电极108，并在p型AlGaN层107的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜1071，在n型AlGaN层104下方设置n型欧姆电极109，在p型欧姆电极108和n型欧姆电极109正下方分别设置两个凸点110，在两个凸点110下设置基座111。
图2(a)和图2(b)为在p型AlGaN层107下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜1071的水平横截面图，其中，图2(a)是一维条形结构亚波长光栅反射镜结构示意图；图2(b)是二维矩形结构亚波长光栅反射镜结构示意图，1070是光栅间隙。
所述衬底101为可外延生长GaN基材料的蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、氮化铝、氮化镓衬底中的任意一种。
所述非掺杂AlN成核层102的厚度为5～30nm；所述非掺杂AlGaN缓冲层103的厚度为50～5000nm；所述n型AlGaN层104的厚度为200～5000nm；所述AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层105具有3～50对量子阱，量子阱的阱厚度为1～10nm，量子阱的势垒厚度为5～30nm；所述AlGaN电子阻挡层106的厚度为2～30nm；所述p型AlGaN层107的厚度为200～2000nm。
所述的在p型AlGaN层下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜1071是一维条形光栅或者二维矩形光栅结构。一维条形光栅结构图形深度为400～700nm，条形宽度为50～200nm，周期长度为100～300nm；二维矩形光栅结构图形深度为400～700nm，矩形的边长为50～200nm，周期长度为100～300nm，且光栅周期长度小于多量子阱发射的紫外光波长，而具体数值需依据严格的耦合波理论，通过仿真优化相关参数得到。
所述p型欧姆电极108和n型欧姆电极109的材料为Ni、Al、In、Au或Ti中的任何一种金属或上述金属中任意几种金属组成的合金材料，凸点110的材料选择Au，基座111的材料选择二维陶瓷基板。
实施例1：
一种具有亚波长光栅反射镜的倒装型紫外LED，其断面结构如图1所示，由上至下依次设置的蓝宝石衬底101、AlN成核层102、非掺杂Al0.4Ga0.6N缓冲层103、n型Al0.5Ga0.5N层104、Al0.5Ga0.5N/Al0.35Ga0.65N多量子阱层105、AlGaN电子阻挡层106、p型Al0.6Ga0.4N层107、在p型Al0.6Ga0.4N层下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜1071和设置的p型欧姆电极108、在n型Al0.5Ga0.5N层下方设置的n型欧姆电极109、凸点110、基座111。
其中：
所述非掺杂AlN成核层102的厚度为20nm；所述非掺杂Al0.4Ga0.6N缓冲层103的厚度为1000nm；所述n型Al0.5Ga0.5N层104的厚度为2000nm；所述Al0.5Ga0.5N/Al0.35Ga0.65N多量子阱层105具有6对量子阱，Al0.35Ga0.65N量子阱的阱厚度为3nm，Al0.5Ga0.5N势垒的厚度为10nm；所述Al0.65Ga0.35N电子阻挡层106的厚度为5nm；所述p型Al0.6Ga0.4N层107的厚度为600nm。
所述的在p型Al0.6Ga0.4N层107下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜1071的水平横截面如图2(a)所示为一维条形光栅结构。一维条形光栅结构的图形深度为475nm，条形宽度为152nm，周期长度为220nm。
所述p型欧姆电极108和n型欧姆电极109的材料选用Ni-Au合金材料，凸点110的材料选择Au，基座111的材料选择二维陶瓷基板。
本发明提供的亚波长光栅是一种重要的二元光学元件，由于其特征尺寸小于入射光的波长，其反射率、透射率、偏振性质和光谱结构都与常规的二元光学元件截然不同。通过合理的参数设计和优化，其反射率可以高于99％，且相对于高反射率的金属电极或DBR，亚波长光栅具有制备工艺简单、成本低廉、反射效率高等优势。
Claims (5)
1.一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，包括：由上而下依次设置的衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层(105)、AlGaN电子阻挡层(106)、p型AlGaN层(107)，在p型AlGaN层(107)下方设置p型欧姆电极(108)，并在p型AlGaN层(107)的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜(1071)，在n型AlGaN层(104)下方设置n型欧姆电极(109)，在p型欧姆电极(108)和n型欧姆电极(109)正下方分别设置两个凸点(110)，在两个凸点(110)下设置基座(111)。
2.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底(101)为可外延生长GaN基材料的蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、氮化铝、氮化镓衬底中的任意一种。
3.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述AlN成核层(102)的厚度为5～30nm；所述非掺杂AlGaN缓冲层(103)的厚度为50～5000nm；所述n型AlGaN层(104)的厚度为200～5000nm；所述AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层(105)具有3～50对量子阱，量子阱的阱厚度为1～10nm，量子阱的势垒厚度为5～30nm；所述AlGaN电子阻挡层(106)的厚度为2～30nm；所述p型AlGaN层(107)的厚度为200～2000nm。
4.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述的在p型AlGaN层(107)下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜(1071)是一维条形光栅或者二维矩形光栅结构；一维条形光栅结构图形深度为400～700nm，条形宽度为50～200nm，周期长度为100～300nm；二维矩形光栅结构图形深度为400～700nm，矩形的边长为50～200nm，周期长度为100～300nm，且光栅周期长度小于多量子阱发射的紫外光波长。
5.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述p型欧姆电极(108)和n型欧姆电极(109)的材料为Ni、Al、In、Au或Ti中的任何一种金属或上述金属中任意几种金属组成的合金材料，凸点(110)的材料选择Au，基座(111)的材料选择二维陶瓷基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010461449.3A CN111628057A (zh) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010461449.3A CN111628057A (zh) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111628057A true CN111628057A (zh) | 2020-09-04 |
Family
ID=72272681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010461449.3A Pending CN111628057A (zh) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111628057A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112542533A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-23 | 北京大学 | 一种高电光转换率倒装结构深紫外micro-LED及其制备方法 |
| CN113451464A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-28 | 厦门大学 | 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法 |
| CN113690347A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-11-23 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005089098A3 (en) * | 2004-01-14 | 2006-03-02 | Univ California | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
| CN102109625A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-06-29 | 中国科学院半导体研究所 | 高反射率高带宽的亚波长光栅反射镜的制作方法 |
| US20110163336A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Zhen Peng | Light emitting diode device |
| CN106684198A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-17 | 聊城大学 | 基于亚波长光栅的谐振增强型紫外光探测器及制备方法 |
| CN110931609A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-03-27 | 北京中科优唯科技有限公司 | 一种倒装紫外发光二极管及其制备方法 |
-
2020
- 2020-05-27 CN CN202010461449.3A patent/CN111628057A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005089098A3 (en) * | 2004-01-14 | 2006-03-02 | Univ California | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
| US20110163336A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Zhen Peng | Light emitting diode device |
| CN102109625A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-06-29 | 中国科学院半导体研究所 | 高反射率高带宽的亚波长光栅反射镜的制作方法 |
| CN106684198A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-17 | 聊城大学 | 基于亚波长光栅的谐振增强型紫外光探测器及制备方法 |
| CN110931609A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-03-27 | 北京中科优唯科技有限公司 | 一种倒装紫外发光二极管及其制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112542533A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-23 | 北京大学 | 一种高电光转换率倒装结构深紫外micro-LED及其制备方法 |
| CN113451464A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-28 | 厦门大学 | 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法 |
| CN113451464B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-07-19 | 厦门大学 | 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法 |
| CN113690347A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-11-23 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5550078B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100896576B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US7745843B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP5237274B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
| US7732822B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| CN100379043C (zh) | 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 | |
| US7521329B2 (en) | Semiconductor light emitting diode having textured structure and method of manufacturing the same | |
| CN111628057A (zh) | 一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管 | |
| WO2006132013A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR20110069157A (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광장치 | |
| US20100289047A1 (en) | Light Emitting Element and Illumination Device | |
| US20130207147A1 (en) | Uv light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| CN114583026A (zh) | 一种新型半导体深紫外光源结构 | |
| KR101981119B1 (ko) | 자외선 반도체 발광 소자 | |
| KR101317632B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP5116291B2 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
| JP4824129B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR101158126B1 (ko) | 질화 갈륨계 발광 다이오드 | |
| CN109037267B (zh) | 金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法 | |
| Chiu et al. | Fabrication and characteristics of thin-film InGaN–GaN light-emitting diodes with TiO2/SiO2 omnidirectional reflectors | |
| KR100965242B1 (ko) | 복수의 절연층들이 적층된 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2011082248A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ | |
| CN101226980A (zh) | 一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件 | |
| KR101189162B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP2008091664A (ja) | 発光素子及び照明装置並びに光ピックアップ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200904 |