CN102834939A - 氮化物半导体发光元件 - Google Patents
氮化物半导体发光元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102834939A CN102834939A CN2011800145912A CN201180014591A CN102834939A CN 102834939 A CN102834939 A CN 102834939A CN 2011800145912 A CN2011800145912 A CN 2011800145912A CN 201180014591 A CN201180014591 A CN 201180014591A CN 102834939 A CN102834939 A CN 102834939A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- transparent electrode
- optically transparent
- luminescent element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 258
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 232
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- -1 spinelle Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明的目的在于提供一种氮化物半导体发光元件，其在p侧氮化物半导体层之上具有透光性电极，且具备可获得p侧氮化物半导体层与透光性电极之间的良好的欧姆接触、晶圆内的正向电压(Vf)的偏差较小的新型的电极。本发明的氮化物半导体发光元件的特征在于：具有n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、及与上述p侧氮化物半导体层邻接的透光性电极，且上述透光性电极包含含有Ge与Si的氧化铟。
Description
技术领域
本发明是关于一种具有透光性的导电性氧化物膜作为电极的氮化物半导体发光元件。
背景技术
一直以来，作为氮化物半导体发光元件，众所周知有在基板上层叠有p型半导体层及n型半导体层，并形成有分别与p型及n型半导体层电连接的电极的构造。另外，作为与p型半导体层电连接的电极，众所周知有在p型半导体层上的整个面利用透光性材料形成电极，并在其上形成金属电极的构造。
上述构成的氮化物半导体发光元件中，为使光提取效率提高，作为p型半导体层上的整个面电极，广泛使用ITO(indium tin oxide，氧化铟锡)(氧化铟中含有3～5wt％的SnO2)(例如专利文献1、2)。
然而，由于ITO显示出n型半导体特性，故而与半导体层的欧姆接触性未必良好，根据半导体层的种类、导电型、成膜方法等各种原因，形成肖特基能障，结果有时使接触电阻增大。另外，作为电极若使用ITO，则由一片晶圆(wafe)所制造的多个发光元件之间，正向电压(Vf)存在偏差。因此，需要能够减少多个发光元件之间的正向电压的偏差的透光性电极。
[在先技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2001-210867号公报
[专利文献2]日本专利特开2003-60236号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种具有新型透光性电极的氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件是在p型氮化物半导体层上具有透光性电极的氮化物半导体发光元件，其可使p型氮化物半导体层与透光性电极之间良好地进行欧姆接触，且可减少由一片晶圆所获得的多个发光元件之间的正向电压(Vf)的偏差。
解决问题的技术手段
本发明的氮化物半导体发光元件的特征在于，具有n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、及形成于上述p侧氮化物半导体层上的透光性电极，其中上述透光性电极包含含有Ge与Si的氧化铟。
另外，本发明的氮化物半导体发光元件优选具备以下的1种以上的条件。
(1)上述透光性电极与上述p侧氮化物半导体层中所含的p型氮化物半导体层邻接。
(2)上述透光性电极以氧化铟为主成分，并含有氧化锗0.1重量％以上0.5重量％以下，且含有氧化硅0.1重量％以上5.0重量％以下。
(3)上述p型氮化物半导体层包含GaN。
(4)上述p型氮化物半导体层含有Mg作为p型杂质。
(5)上述透光性电极的膜厚为
以上，
以下。
另外，本发明提供一种制造上述氮化物半导体发光元件的方法，其包括形成上述n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层的半导体形成步骤，以及在上述p侧氮化物半导体层之上形成上述透光性电极的透光性电极形成步骤，并且上述透光性电极形成步骤包括形成含有Ge与Si的氧化铟层的成膜过程以及对形成有上述氧化铟层的上述氮化物半导体发光元件进行退火的退火过程。
发明效果
根据本发明的氮化物半导体发光元件及其制造方法，可获得具有较低正向电压Vf且(由一片晶圆制造的多个发光元件之间)正向电压的偏差较小的氮化物半导体发光元件。
附图说明
图1是本发明的实施形态的氮化物半导体发光元件的示意性俯视图。
图2是图1的A-A′剖面中的示意性剖面图。
具体实施方式
以下，使用附图说明本发明的氮化物半导体发光元件。
图1是本发明的实施形态的氮化物半导体发光元件的示意性俯视图，图2是图1的A-A′剖面中的示意性剖面图。
图1及图2所示的氮化物半导体发光元件具有在基板101之上依序层叠有n侧氮化物半导体层102、发光层103、p侧氮化物半导体层104的层构成。另外，在p侧氮化物半导体层104的表面具有透光性电极105，在透光性电极105的表面的一部分具有p侧焊垫电极106，在n型氮化物半导体层102的一部分切口面之上具有n侧电极107。进而具有使p侧焊垫电极与n侧焊垫电极的一部分开口的绝缘性膜108。
此处，所谓「n侧氮化物半导体层102」意指发挥作为发光元件的n型半导体层的功能的氮化物半导体层。因此，若n侧氮化物半导体层102能够发挥作为n型半导体层的功能，则也可由包含n型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层以外的层(例如，p型氮化物半导体层等)的多层构造体构成n侧氮化物半导体层102。
同样地，所谓「p侧氮化物半导体层104」意指发挥作为发光元件的p型半导体层的功能的氮化物半导体层。因此，若p侧氮化物半导体层104能够发挥作为p型半导体层的功能，则也可由包含p型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层以外的层(例如，n型氮化物半导体层等)的多层构造体构成p侧氮化物半导体层104。
在本发明中，作为透光性电极105的材料若使用含有Ge与Si的氧化铟，则可获得与p型氮化物半导体层的接触电阻较低、正向电压Vf较低、并且光输出较高的发光元件。获得这些效果的理由并不明确，但认为其原因在于，与以往的作为透光性电极用材料的ITO中所含的Sn相比，Ge与氢原子的键能较大。
氮化物半导体的导电型通常为n型，通过将p型掺杂剂导入氮化物半导体中，进而附加退火等的能量，而获得p型氮化物半导体。该p型氮化物半导体含有氢且认为该氢会引起p型氮化物半导体的电阻上升及p型氮化物半导体与透光性电极的接触电阻上升。
在本发明中，由于形成于p侧氮化物半导体层104之上的透光性电极105中(与氢的键能大于Sn)含有Ge，故而认为Ge吸贮氢。因此，认为自构成p侧氮化物半导体层104的p型氮化物半导体层的表面至表面附近的氢减少，p型氮化物半导体与透光性电极的接触电阻变低。另外，由于透光性电极105中所含的Ga连p型氮化物半导体层的内部所含的氢也吸贮，故而认为p型氮化物半导体层的电阻也变低。
若考虑利用Ga吸贮氢的机制，则为提高自p型氮化物半导体层的表面吸贮氢的效果，优选透光性电极105与p型氮化物半导体层的表面邻接。在p侧氮化物半导体层104由多层构造体构成的情况下，优选多层构造体的最上层为p型氮化物半导体层。
然而，在p型氮化物半导体层与透光性电极105之间存在其他层(例如非掺杂氮化物半导体层或n型氮化物半导体层)的情况下，或在Ge可经由该其他层自p型氮化物半导体层吸贮氢的情况下(例如，其他层较薄的情况下等)，p侧氮化物半导体层104的多层构造体的最上层即便为该其他层，也可实现本发明的目的。由此，应理解本发明的氮化物半导体发光元件中也包含，在p型氮化物半导体层与透光性电极105之间存在其他层的形态。
本发明的氮化物半导体发光元件中，透光性电极105是由含有Ge与Si的氧化铟形成。特别优选以氧化铟为主成分，由含有氧化锗0.1重量％以上5.0重量％以下，且含有氧化硅0.1重量％以上5.0重量％以下的氧化铟形成透光性电极105。
另外，p侧氮化物半导体层104优选由InαAlβGa1-α-βN(0≤α、0≤β、α+β≤1)形成。在p侧氮化物半导体层104由多层构造体构成的情况下，优选由InαAlβGa1-α-βN(0≤α、0≤β、α+β≤1)形成p侧氮化物半导体层104的最上层。
尤其若由GaN(即α＝0、β＝0)形成p侧氮化物半导体层104(在多层构造体的情况下，p侧氮化物半导体层104的最上层)，则可形成结晶性较佳的p侧氮化物半导体层，在p侧氮化物半导体层104与透光性电极105之间可获得良好的欧姆接触，故而特别优选。
作为p侧氮化物半导体层104中所含的p型掺杂剂，可使用Be、Zn、Mn、Cr、Mg、Ca等p型杂质，其中优选使用Mg。另外，p型氮化物半导体层中所含的p型杂质的浓度优选1×1018/cm3以上且5×1021/cm3以下。
透光性电极105的膜厚优选以上且
以下。若膜厚小于
则透光性电极105的薄片电阻过高，电流无法充分地扩展。另外，若膜厚超过
则透光性电极105的透光性过低，光提取效率下降。
基板101由与构成n侧氮化物半导体层102的半导体具有晶格对准性的材料构成，以使该半导体可在基板101上外延成长。基板101的面积及厚度等并无特别限制。作为构成基板101的材料，例如可列举：蓝宝石、尖晶石等绝缘性材料，碳化硅、SiO2、ZnS、ZnO、Si、GaAs、钻石、铌酸锂、镓酸钕等氧化物材料等。
形成于基板101之上的n侧氮化物半导体层102是在包含半导体材料的层中掺杂n型掺杂剂而形成。另外，在n侧氮化物半导体层102的上部经由发光层103而形成的p侧氮化物半导体层104是在包含半导体材料的层中掺杂p型掺杂剂而形成p型半导体层。作为构成该n侧及p侧氮化物半导体层102、104的半导体材料的具体例，可列举InαAlβGa1-α-βN(0≤α、0≤β、α+β≤1)的III-V族氮化物半导体，或将该III-V族氮化物半导体的一部分替换成其他元素的混合晶(例如将III族元素的一部分或全部替换成B及/或将V族元素(N)的一部分替换成P、As、Sb等的混合晶)等。另外，作为掺杂于半导体材料中的n型掺杂剂(n型杂质)，可列举：Si、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr等IV族或VI族元素，作为p型掺杂剂(p型杂质)，可列举：Be、Zn、Mn、Cr、Mg、Ca等。
另外，这些n侧氮化物半导体层102及p侧氮化物半导体层104也可分别形成为多层构造。以这样的多层构造形成的情况下，只要n侧氮化物半导体层102发挥作为发光元件的n型的功能，并且p侧氮化物半导体层104发挥作为发光元件的p型的功能，则n侧氮化物半导体层102的一部分中也可含有p型氮化物半导体层，p侧氮化物半导体层104的一部分中也可含有n型氮化物半导体层。
另外，也可在基板101与n侧氮化物半导体层102之间形成缓冲层。
发光层103是n型或p型氮化物半导体层。在发光层103中，分别自n侧氮化物半导体层102注入电子，自p侧氮化物半导体层104注入空穴，它们复合而生成的能量作为光而放出。发光层103优选具有含有井层与障壁层的量子井构造。再者，若为n侧氮化物半导体层102与p侧氮化物半导体层104直接接触而发光的发光元件，则也可省略发光层103。
继而，对制造本发明的氮化物半导体发光元件的方法进行说明。
氮化物半导体发光元件的制造方法包括：形成上述n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层的半导体形成步骤；及在上述p侧氮化物半导体层之上形成上述透光性电极的透光性电极形成步骤。
上述透光性电极形成步骤包括：形成含有Ge与Si的氧化铟层的成膜过程；及对形成有上述氧化铟层的上述氮化物半导体发光元件进行退火的退火过程。
退火过程(热处理步骤)是在p侧氮化物半导体层104之上形成本发明的透光性电极105的成膜过程之后进行。通过退火过程，在p侧氮化物半导体层104与透光性电极105之间获得良好的欧姆接触。
在p侧氮化物半导体层104之上形成包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105膜的成膜过程中，通常可使用众所周知的物理蒸镀法或化学蒸镀法等成膜技术(例如溅射法、蒸镀法、激光剥离法、或旋转涂布法、喷涂法、浸涂法等)。特别优选使用包含含有Ge与Si的氧化铟的靶材的溅射法。
就溅射装置内的气体环境而言，关于以往的ITO透光性电极，一边将氧气导入溅射装置中(即含氧气体环境下)一边形成ITO膜。通过溅射成膜的ITO在溅射过程中会引起氧脱附，故而含氧量会明显低于理论值。因此，通过在含氧气体环境下进行溅射，可使成膜的ITO的含氧量接近理论值。如此成膜的ITO透光性电极与氮化物半导体的欧姆接触也良好。
然而，关于包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105，若在含有氧的气体环境下溅射成膜，则可知变得难以取得与p侧氮化物半导体层104的欧姆接触。由此，在本发明中，优选包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105在不含有氧的气体环境下(惰性气体环境下)形成。在惰性气体环境下成膜的透光性电极105与p侧氮化物半导体层104的欧姆接触良好。
再者，所谓「惰性气体环境」应理解成不仅为完全不含有氧的惰性气体的气体环境，也包含含有实质上不受含氧影响的程度的低浓度氧(具体而言，相对惰性气体的体积比小于0.2％的氧浓度)的惰性气体的气体环境。
就退火过程中的退火温度及退火压力而言，关于以往的ITO透光性电极，以退火温度＝300℃～475℃、退火压力＝常压的条件进行退火。若以该温度及压力的条件进行退火，则ITO透光性电极的薄片电阻下降，并且与p侧氮化物半导体层的欧姆接触变得良好。
然而，关于包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105，若在常压下以退火温度300℃～475℃的条件进行退火处理，虽然透光性电极105的薄片电阻略微下降，但无法取得与p侧氮化物半导体层104的欧姆接触。若使退火温度上升至500℃以上，则可取得欧姆接触，但透光性电极105的薄片电阻上升。通常由于薄片电阻的上升与Vf的上升相关联，故而认为500℃以上的退火温度并不合适。然而，令人吃惊的是，若实际测定以500℃以上进行退火的本发明的氮化物半导体发光元件的正向电压(Vf)，则可知Vf下降。为何Vf下降的正确理论不详，但认为透光性电极105中所含的Ge自p型氮化物半导体层吸贮氢的作用在500℃以上能更有效地发挥。
根据该结果，如本发明所述，关于使用包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的氮化物半导体层发光元件，若考虑欧姆接触及Vf的下降，则认为优选将退火温度设为500℃以上。即，对本发明的氮化物半导体发光元件而言，通过以500℃以上进行退火，可获得透光性电极105与p侧氮化物半导体层104的欧姆接触变得良好的效果以及(尽管透光性电极105的薄片电阻上升)透光性电极105的Vf下降的效果。
进而，若着眼于接触电阻，则优选将退火温度设为525℃以上。在将退火温度设为525℃以上时，可降低透光性电阻105与氮化物半导体发光元件的接触电阻。
另外，在退火过程中，无法直接测定氮化物半导体发光元件的温度。因此，退火过程中的温度管理是基于退火处理装置内的加热器温度的测定值。因此，本说明书中将退火处理装置内的加热器的温度作为「退火温度」。
另外，关于退火压力，与以往的ITO透光性电极同样地在常压(0.1MPa)下进行退火的情况下，包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105中，薄片电阻较高。另一方面，若在高真空下(10-4～1Pa)进行退火，则可知透光性电极105的薄片电阻下降，但有透光性电极105与p侧氮化物半导体层104不进行欧姆接触的问题。然而，若在1kPa～30kPa的减压下进行退火，则明确透光性电极105与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触，薄片电阻及正向电压Vf(与常压退火相比)下降。
根据该结果，如本发明所述，关于使用包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的氮化物半导体层发光元件，若考虑欧姆接触及薄片电阻，则认为优选在减压下进行退火。即，对本发明的氮化物半导体发光元件而言，通过在减压下进行退火，可获得透光性电极105与p侧氮化物半导体层104的欧姆接触变得良好的效果、透光性电极105的薄片电阻下降的效果及降低氮化物半导体发光元件的Vf的效果。
另外，本发明中所谓「减压」是指1kPa～30kPa的范围的压力。
在本发明的氮化物半导体发光元件中，为检查使用包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的效果，利用以下方法评价发光元件。
(1)Vf的偏差的评价
对同时制成的多个氮化物半导体发光元件，评价正向电压(Vf)的偏差。
在1片晶圆内，制作多个在p侧氮化物半导体层104之上形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的氮化物半导体发光元件(样品元件S)。并且，抽选n个样品元件S，并测定Vf。为了比较，在1片晶圆内，制作多个在p侧氮化物半导体层之上形成有ITO透光性电极的比较用元件SITO，从其中抽选n个比较用元件SITO，并测定VfITO。
Vf的偏差是以标准偏差(σ)的3倍(3σ)的值进行评价。3σ的值越小，则Vf的偏差越小。
标准偏差(σ)的算法，如以下的顺序(a)～(c)所示。
(a)将抽选的n个发光元件的Vf的测定值设为t1、t2......、tn。另外，将这些的Vf的测定值(t1、t2......、tn)的平均值设为ta。
(b)分别从Vf的测定值(t1、t2......、tn)的中减去ta再乘方。将所得的所有值相加后除以n。
(c)相除所得的值的正的平方根为标准偏差(σ)。
这些的顺序(a)～(c)可由下述式[1]表示。
[数1]
σ＝√[{(t1-ta)2+(t2-ta)2+......+(tn-ta)2}/n]式[1]
(2)Vf的评价
制作在p侧氮化物半导体层104之上形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性105的氮化物半导体发光元件(样品元件S)，测定正向电压Vfs。为了比较，制作在p侧氮化物半导体层之上形成有ITO透光性电极的比较用元件SITO，并测定正向电压VfITO。
当Vfs≤VfITO时，判断为样品元件S的Vf良好。
(3)欧姆接触的评价
制作在p侧氮化物半导体层104之上形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性105的氮化物半导体发光元件(样品元件S)，测定施加-5V～+5V的电压时的电流，并制成V-I曲线。在V-I曲线为直线的情况下，判断为透光性电极105与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触。
(4)接触电阻的评价
制作在p侧氮化物半导体层104之上形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性105的氮化物半导体发光元件(样品元件S)，并测定接触电阻ρcs。为了比较，制作在p侧氮化物半导体层之上形成有ITO透光性电极的比较用元件SITO，并测定接触电阻ρcITO。
当ρcs≤ρcITO时，判断为样品元件S的接触电阻良好。
(5)薄片电阻的评价
在虚设基板(玻璃基板)之上制作包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极，并测定薄片电阻Rs。为了比较，在虚设基板(玻璃基板)之上形成ITO透光性电极，并测定薄片电阻RITO。
当Rs≤RITO时，判断为包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极的薄片电阻良好。
[实施例1]
为评价Vf的偏差，同时制作多个样品元件S。
在2英寸的蓝宝石基板101之上，经由AlGaN缓冲层，层叠n型氮化物半导体层102、活性层103及p侧氮化物半导体层104。
n型氮化物半导体层102是由未掺杂的GaN(1.5μm)、掺杂Si的GaN(4.2μm)、未掺杂的GaN(0.15μm)、掺杂Si的GaN(0.01μm)、未掺杂的GaN(0.15μm)、掺杂Si的GaN(0.03μm)、未掺杂的GaN(5nm)、依序将GaN与InGaN反复层叠20次并最后层叠有GaN的超晶格层(120nm)形成。
活性层103是将GaN(8nm)与InGaN(3nm)反复层叠6次，最后形成有GaN(8nm)。另外，最初层叠的GaN层中掺杂有Si，最后层叠的GaN层未掺杂。
作为p侧氮化物半导体层104，依序形成有将掺杂Mg的AlGaN与掺杂Mg的InGaN反复层叠3次最后层叠有掺杂Mg的AlGaN的超晶格层(24nm)、未掺杂的GaN(0.11μm)、掺杂Mg的GaN(0.11μm)。
在n侧氮化物半导体层102的一部分的区域中，除去层叠于其上的活性层103及p侧半导体层104，进而除去n侧氮化物半导体层102本身的厚度方向的一部分而使其露出，在该露出的n侧氮化物半导体层上形成有n侧焊垫电极107。n侧焊垫电极107是由Ti/Rh/W/Au依序以2nm/100nm/50nm/550nm的膜厚层叠的层叠构造体形成。
在p侧氮化物半导体层104的表面大致整个面形成有透光性电极105，在该透光性电极105的表面的一部分形成有p侧焊垫电极106。p侧焊垫电极106由与n侧焊垫电极107相同的层叠构造体形成。进而在除去p侧焊垫电极106与n侧焊垫电极107的一部分的氮化物半导体发光元件的表面形成有绝缘性膜108。
透光性电极105是使用含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射法，以170nm的膜厚形成。
在形成透光性电极105膜后，对氮化物半导体发光元件进行退火。退火条件为：退火温度：525℃，退火气体环境：N2气体环境，退火压力：3kPa。
Vf的偏差的评价是从处于分割前的状态(晶圆的状态)的很多氮化物半导体发光元件中，随机抽选130个发光元件(样品元件S)而进行。测定该130个氮化物半导体发光元件的正向电压(Vf)，使用式[1]算出Vf的标准偏差σ，并且将σ提高3倍求出3σ。
将该操作进行3次(相当于3片晶圆)。
分别从3片晶圆所求出的样品元件S的3σ的值为0.100、0.100及0.062。
进而根据从晶圆单片化成各个发光元件的发光元件的平均值评价特性，结果以20mA的电流输入计，Vf为3.18V，光输出为24.0mW。
另外，为了比较，制作将样品元件S的透光性电极变更成ITO的发光元件(比较用元件SITO)。ITO透光性电极是使用ITO靶材，通过溅射法，以170nm的膜厚形成。
为评价该比较用元件SITO的Vf的偏差，从处于分割前的状态(晶圆的状态)的很多氮化物半导体发光元件中，随机抽选130个发光元件，并测定正向电压(Vf)。由这些Vf的测定值，使用式[1]算出Vf的标准偏差σ，并且将σ提高3倍算出偏差(3σ)。从3片晶圆所得的3σ的值为0.280、0.337及0.156。
若比较样品元件S的3σ的值(0.100、0.100及0.062)与比较用元件SITO的3σ的值(0.280、0.337及0.156)，则可知本发明的氮化物半导体发光元件与以往的具有ITO透光性电极的氮化物半导体发光元件相比，Vf的偏差明显较小。
另外，根据从晶圆分别单片化成各个发光元件的发光元件的平均值评价特性，结果以20mA的电流输入计，Vf为3.24V，光输出为21.9mW。即，本发明的发光元件与以往的具有ITO透光性电极的氮化物半导体发光元件相比，Vf下降0.05V。另外，光输出提高约10％。
[实施例2]
评价透光性电极105的退火条件对正向电压Vf的影响。
在本实施例中，就对晶圆晶片化后进行测定的方面而言，与实施例1不同。关于其以外方面与实施例1相同。
以与实施例1相同的方式，层叠n型氮化物半导体层102、活性层103及p侧氮化物半导体层10后，形成透光性电极105膜。
透光性电极105是使用含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射法，在Ar气体环境下形成为170nm的膜厚。
在形成透光性电极105膜之后，对氮化物半导体发光元件进行退火。退火条件(退火温度、退火气体环境及退火压力)如表1及表2所示
退火后，以与实施例1相同的方式，制作n侧焊垫电极107、p侧焊垫电极106及绝缘性膜108，进而分割成各发光元件，获得样品元件S。
测定形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极的氮化物半导体发光元件(样品元件S)的正向电压Vfs。为了比较，制作形成有ITO透光性电极的比较用元件SITO，并测定正向电压VfITO。测定结果示于表1及表2。
当Vfs≤VfITO时，判断为样品元件S的Vf良好。
Vf的比较是在以相同的溅射装置成膜的样品元件S及比较用元件SITO之间进行。表1的6个样品元件S(No.1～6)及1个SITO(No.7)是使用相同的溅射装置。另外，表2的4个样品元件S(No.8～11)及1个SITO(No.12)是使用相同的溅射装置。
[表1]
*IGS：由含有Ge与Si的氧化铟膜形成透光性电极105
ITO：由ITO膜形成透光性电极(比较样品)
p-GaN：p侧氮化物半导体层
[表2]
*IGS：由含有Ge与Si的氧化铟膜形成透光性电极105
ITO：由ITO膜形成透光性电极(比较样品)
p-GaN：p侧氮化物半导体层
[实施例3]
评价透光性电极105的成膜条件及退火条件对欧姆接触的影响。
在本实施例中，透光性电极105的成膜条件与实施例1不同。另外，在本实施例中，就对晶圆晶片化后进行测定的方面而言，与实施例1不同。关于其此外的方面与实施例1相同。
以与实施例1相同的方式，层叠n型氮化物半导体层102、活性层103及p侧氮化物半导体层10后，形成透光性电极105膜。
透光性电极105是使用含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射法，形成为170nm的膜厚。此时，制作成膜时的溅射装置内的气体环境不同的样品。各样品的气体环境是仅为Ar(样品No.13、16～19)、Ar与O2(Ar流量：60sccm，O2流量：0.27sccm)(样品No.14)及Ar与O2(Ar流量：60sccm，O2流量：0.6sccm)(样品No.15)。
形成透光性电极105膜后，对氮化物半导体发光元件进行退火。退火条件(退火温度、退火气体环境及退火压力)如表3所示。
退火后，以与实施例1相同的方式，制作n侧焊垫电极107、p侧焊垫电极106及绝缘性膜108，进而分割成各发光元件，获得6个样品元件S。
测定对6个样品元件S施加-5V～+5V的电压时的电流，制作V-I曲线。在V-I曲线为直线的情况下，评价欧姆接触良好(○)，在V-I曲线弯曲(例如，弯曲成s字状)的情况下，评价欧姆接触不良(×)。评价结果示于表3。
[表3]
*IGS：由含有Ge与Si的氧化铟膜形成透光性电极105
p-GaN：p侧氮化物半导体层104
[实施例4]
评价透光性电极105的退火条件对接触电阻的影响。
在本实施例中，就对晶圆晶片化后进行测定的方面而言，与实施例1不同。在其以外的方面与实施例1相同。
以与实施例1相同的方式，层叠n型氮化物半导体层102、活性层103及p侧氮化物半导体层10后，形成透光性电极105膜。
透光性电极105是使用含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射法，在Ar气体环境下成膜为170nm的膜厚。
形成透光性电极105膜后，对氮化物半导体发光元件进行退火。退火条件(退火温度、退火气体环境及退火压力)如表4所示。
退火后，以与实施例1相同的方式，制作n侧焊垫电极107、p侧焊垫电极106及绝缘性膜108，进而分割成各发光元件，获得样品元件S。
测定形成有包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极的氮化物半导体发光元件(样品元件S)的接触电阻ρcs。为了比较，制作形成有ITO透光性电极的比较用元件SITO，并测定接触电阻ρcITO。测定结果示在表4。
当ρcs≤ρcITO时，判断为样品元件S的接触电阻良好。
[表4]
*IGS：由含有Ge与Si的氧化铟膜形成透光性电极105
ITO：由ITO膜形成透光性电极(比较样品)
p-GaN：p侧氮化物半导体层104
[实施例5]
评价透光性电极105的退火条件对薄片电阻的影响。
在本实施例中，在虚设基板(玻璃基板)上制作包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105。
透光性电极105是使用含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射法，在Ar气体环境下成膜为170nm的膜厚。
形成透光性电极105膜后，对氮化物半导体发光元件进行退火。退火条件(退火温度、退火气体环境及退火压力)如表5所示。
测定形成在虚设基板(玻璃基板)之上的包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的薄片电阻Rs。为了比较，在虚设基板(玻璃基板)之上形成ITO透光性电极，并测定薄片电阻RITO。测定结果示在表5。
当Rs≤RITO时，判断为包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极的薄片电阻良好。
[表5]
*IGS：由含有Ge与Si的氧化铟膜形成透光性电极105
ITO：由ITO膜形成透光性电极(比较样品)
根据表3的样品No.13～15的结果可知，在含有氧的气体环境下成膜的透光性电极105不与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触。另一方面可知在不含有氧的惰性气体环境下成膜的透光性电极105与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触。
根据表5的样品No.24～26的结果可知，在常压退火中，若退火温度上升(500℃→550℃→600℃)，则薄片电阻上升。另外，根据表5的样品No.27、28的结果可知，在真空退火中，若退火温度上升(500℃→600℃)，则薄片电阻上升。
根据表3的样品No.16～18的结果可知，在常压退火中，若以退火温度500℃以上进行退火，则透光性电极105与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触。
并且，根据表1的样品No.1～6的结果可知，减压退火(3kPa)中，若以退火温度500℃以上进行退火，则氮化物半导体发光元件的V地会低于以往的ITO氮化物半导体发光元件(样品No.7)的Vf。
根据这些结果可知，在本发明的氮化物半导体发光元件中，若使退火温度上升至500℃以上，则透光性电极105的薄片电阻上升，但透光性电极105会与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触，并且正向电压(Vf)下降。
根据表4的样品No.20～22的结果可知，若以退火温度525℃以上进行退火，则氮化物半导体发光元件的接触电阻ρc会低于以往的ITO氮化物半导体发光元件(样品No.23)的接触电阻ρc。
根据表3的样品No.19的结果可知，若在高真空下(0.001Pa)进行退火，则透光性电极105与p侧氮化物半导体层104无法进行欧姆接触。另外，根据表3的样品No.13、18可知，在525℃下，无论常压或减压(3kPa)，透光性电极105与p侧氮化物半导体层104均进行欧姆接触。
根据表5的样品No.27、28的结果可知，若在高真空下(0.001Pa)进行退火，则包含含有Ge与Si的氧化铟的透光性电极105的薄片电阻R会低于以往的包含ITO的透光性电极(样品电极No.30)的薄片电阻R。另外，可知在减压下进行退火的透光性电极105(样品No.29)相比于常压下进行退火的透光性电极105(样品No.26)，薄片电阻变低。
根据表2的样品No.8～11的结果可知，在退火压力60kPa下进行退火的样品元件S(样品No.10)的Vf高于常压下进行退火的样品元件S(No.11)的Vf。另一方面，可知在减压下进行退火的样品元件S(样品No.8、9)的Vf，低于常压下进行退火的样品元件S(样品No.11)的Vf。
在退火压力1kPa下进行退火的样品元件S(样品No.8)的Vf与以往的ITO氮化物半导体发光元件(样品No.12)相同。另外，在退火压力3kPa下进行退火的样品元件S(样品No.9)的Vf虽略高于以往的ITO氮化物半导体发光元件(样品No.12)，但Vf值充分良好。
根据这些结果可知，通过将退火压力设为1k～30kPa，获得对半导体发光元件而言所有重要的特性(欧姆接触、透光性电极的薄片电阻及正向电压Vf)均较佳的结果。即，在1k～30kPa的减压下进行退火的氮化物半导体发光元件中，透光性电极105可与p侧氮化物半导体层104进行欧姆接触，可降低透光性电极105的薄片电阻(与常压退火相比)，并且可降低正向电压Vf(与常压退火相比)。
产业上的可利用性
本发明的氮化物半导体发光元件可用于构成背光光源、显示器、照明、车辆用灯等各种光源的半导体发光元件。
符号说明
101 基板
102 n侧氮化物半导体层
103 发光层
104 p侧氮化物半导体层
105 透光性电极
106 p侧焊垫电极
107 n侧焊垫电极
108 绝缘性膜
Claims (13)
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于具有n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、及形成于所述p侧氮化物半导体层之上的透光性电极，其中所述透光性电极包含含有Ge与Si的氧化铟。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中所述透光性电极与所述p侧氮化物半导体层中所含的p型氮化物半导体层邻接。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其中所述透光性电极以氧化铟为主成分，含有氧化锗0.1重量％以上且5.0重量％以下，并含有氧化硅0.1重量％以上且5.0重量％以下。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的氮化物半导体发光元件，其中所述p侧氮化物半导体层中所含的p型氮化物半导体层包含GaN。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的氮化物半导体发光元件，其中所述p侧氮化物半导体层中所含的p型氮化物半导体层含有Mg作为p型杂质。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的氮化物半导体发光元件，其中所述透光性电极的膜厚为以上且
以下。
7.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于该氮化物半导体发光元件具有n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、及形成于所述p侧氮化物半导体层之上的透光性电极，该制造方法包括：
形成所述n侧氮化物半导体层与所述p侧氮化物半导体层的半导体形成步骤，及
在所述p侧氮化物半导体层之上形成所述透光性电极的透光性电极形成步骤，
其中所述透光性电极形成步骤包括：
形成含有Ge与Si的氧化铟层的成膜过程，及
对形成有所述氧化铟层的所述氮化物半导体发光元件进行退火的退火过程。
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述成膜过程中，使用包含含有Ge与Si的氧化铟的靶材，通过溅射形成所述氧化铟层膜。
9.根据权利要求7或8所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述成膜过程中，在惰性气体环境下进行成膜。
10.根据权利要求7～9中任意一项所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述退火过程中，退火温度为500℃以上。
11.根据权利要求7～9中任意一项所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述退火过程中，退火温度为525℃以上。
12.根据权利要求7～11中任意一项所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述退火过程中，在减压下进行退火。
13.根据权利要求7～12中的任意一项所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中在所述退火过程中，在1kPa～30kPa的减压下进行退火。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-066737 | 2010-03-23 | ||
| JP2010066737 | 2010-03-23 | ||
| PCT/JP2011/056976 WO2011118629A1 (ja) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102834939A true CN102834939A (zh) | 2012-12-19 |
Family
ID=44673180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011800145912A Pending CN102834939A (zh) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 氮化物半导体发光元件 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130026487A1 (zh) |
| EP (1) | EP2551925B1 (zh) |
| JP (1) | JP5633560B2 (zh) |
| KR (1) | KR101530418B1 (zh) |
| CN (1) | CN102834939A (zh) |
| BR (1) | BR112012024203B1 (zh) |
| TW (1) | TWI553910B (zh) |
| WO (1) | WO2011118629A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140339700A1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-11-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Graphene-based metal diffusion barrier |
| JP6582738B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
| JP7044587B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-03-30 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260447A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-09-13 | Furuya Kinzoku:Kk | 透明導電膜形成用材料とその製造方法、透明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| US20040113156A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2007305975A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ｉｉｉ族酸化物半導体を含む半導体素子 |
| CN101573804A (zh) * | 2006-12-20 | 2009-11-04 | 昭和电工株式会社 | 氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2683219A1 (fr) * | 1991-10-30 | 1993-05-07 | Saint Gobain Vitrage Int | Substrat en verre muni d'une couche mince conductrice. |
| JP3634394B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2005-03-30 | 日本曹達株式会社 | 高抵抗化酸化インジウム膜 |
| US5825052A (en) * | 1994-08-26 | 1998-10-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emmitting device |
| JPH11251634A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ素子 |
| JP3394488B2 (ja) | 2000-01-24 | 2003-04-07 | 星和電機株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3915400B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2007-05-16 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
| JP4246404B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2009-04-02 | パイオニア株式会社 | 移動体通信装置 |
| TW493287B (en) | 2001-05-30 | 2002-07-01 | Epistar Corp | Light emitting diode structure with non-conductive substrate |
| JP4506088B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2010-07-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 光素子の製造方法 |
| JP4137936B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2008-08-20 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP5624712B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-12 | 豊田合成株式会社 | ＴｉＯ２からなる導電性透明層の製造方法及び当該導電性透明層の製造方法を利用した半導体発光素子の製造方法 |
-
2011
- 2011-03-23 EP EP11759434.1A patent/EP2551925B1/en active Active
- 2011-03-23 BR BR112012024203-2A patent/BR112012024203B1/pt active IP Right Grant
- 2011-03-23 CN CN2011800145912A patent/CN102834939A/zh active Pending
- 2011-03-23 KR KR1020127027590A patent/KR101530418B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-23 TW TW100109956A patent/TWI553910B/zh active
- 2011-03-23 JP JP2012507032A patent/JP5633560B2/ja active Active
- 2011-03-23 WO PCT/JP2011/056976 patent/WO2011118629A1/ja active Application Filing
- 2011-03-23 US US13/636,590 patent/US20130026487A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260447A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-09-13 | Furuya Kinzoku:Kk | 透明導電膜形成用材料とその製造方法、透明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| US20040113156A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2007305975A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ｉｉｉ族酸化物半導体を含む半導体素子 |
| CN101573804A (zh) * | 2006-12-20 | 2009-11-04 | 昭和电工株式会社 | 氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2551925B1 (en) | 2018-08-22 |
| EP2551925A1 (en) | 2013-01-30 |
| US20130026487A1 (en) | 2013-01-31 |
| WO2011118629A1 (ja) | 2011-09-29 |
| JP5633560B2 (ja) | 2014-12-03 |
| KR101530418B1 (ko) | 2015-06-19 |
| TWI553910B (zh) | 2016-10-11 |
| EP2551925A4 (en) | 2016-03-16 |
| JPWO2011118629A1 (ja) | 2013-07-04 |
| KR20130036738A (ko) | 2013-04-12 |
| BR112012024203B1 (pt) | 2020-11-10 |
| BR112012024203A2 (pt) | 2016-07-05 |
| TW201143145A (en) | 2011-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101252387B1 (ko) | 반도체 발광 소자 | |
| US8865591B2 (en) | N-type contact electrode formed on an N-type semiconductor layer and method of forming same using a second metal electrode layer heat-treated after being formed on a first, heat-treated metal electrode layer | |
| KR101257572B1 (ko) | 반도체 발광 소자 | |
| CN101981710B (zh) | 半导体发光装置及半导体发光装置制造方法 | |
| TW201526287A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| JP2005191575A (ja) | 窒化ガリウム系発光ダイオードの構造とその製造方法 | |
| TW565933B (en) | Method of forming ohmic electrode | |
| JP5471485B2 (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子のパッド電極の製造方法 | |
| CN102834939A (zh) | 氮化物半导体发光元件 | |
| CN100438101C (zh) | 基于氮化镓的化合物半导体发光器件 | |
| JP2010238802A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 | |
| CN106935692A (zh) | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
| CN116072781A (zh) | 发光元件 | |
| JP5342970B2 (ja) | 酸化亜鉛系半導体発光素子の製造方法及び酸化亜鉛系半導体発光素子 | |
| JP4212599B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
| JP2010147097A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP2010141262A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 | |
| TW201234647A (en) | Illumination device, forming method of transparent conductive film, manufacturing method of the illumination device and electrical machine | |
| JP2014110300A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2000101134A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体素子 | |
| JP5433507B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100564912B1 (ko) | 아연산화물을 이용한 ｐ－ＡｌＧａＩｎＮ 화합물 반도체의오믹접촉 투명전극층 형성방법 | |
| JP2011086855A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20121219 |