JP2002260447A - 透明導電膜形成用材料とその製造方法、透明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 - Google Patents

透明導電膜形成用材料とその製造方法、透明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製品における高効率化、低コスト化を図るこ
とが可能な透明導電膜、透明導電膜形成用材料及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る透明導電膜は、酸化インジ
ウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸
化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセン
ト以下含有する材料からなる透明導電膜であって、前記
材料からスパッタリングターゲットを作製し、このスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により
薄膜を形成して得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気特性、光学特
性等に優れた透明導電膜形成用材料とその製造方法、透
明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマディ
スプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導
電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガラスとその製
造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロ
ルミネッセンス（以下、無機ＥＬ）素子とその製造方
法、及び、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機
ＥＬ）素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電膜は、液晶ディスプレイ
（Liquid Crystal Display）、プラズマディスプレイ
（Plasma Display Panel）、無機ELディスプレイ（Inor
ganic Electro Luminescence Display）、有機ELディス
プレイ（Organic Electro Luminescence Display）、太
陽電池（Solar Cell）、機能性ガラス、導電性フィル
ム、タッチパネル等の製品に使用されている。
【０００３】また、透明導電膜形成用材料として、酸化
インジウム、酸化錫、酸化亜鉛及び酸化インジウムに酸
化錫を５重量パーセント以上１５重量パーセント以下含
有する材料等が使用されている。
【０００４】また、タッチパネル、プラズマディスプレ
イ、太陽電池、導電性フィルム、熱線反射ガラス、無機
ＥＬ素子（無機ＥＬディスプレイ）、有機ＥＬ素子（有
機ＥＬディスプレイ）に使用される透明電極材料として
は、インジウム−錫複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（Ｚ
ｎＯ）等が用いられる。
【０００５】前記透明導電膜形成用材料は、プレス法や
鋳込み法等の焼結法により形成されている。また、透明
導電膜は、形成された透明導電膜形成用材料からスパッ
タリングターゲット若しくはペレット等を作製し、スパ
ッタリング法、蒸着法及びイオンプレーティング法等の
薄膜形成方法により形成されている。
【０００６】プレス法や鋳込み法等の焼結法により得ら
れた透明導電膜形成用材料をスパッタリング法、蒸着法
及びイオンプレーティング法等の方法により薄膜を形成
したときの比抵抗は、２．０×１０-4Ωｃｍ前後であ
り、透明導電膜の透過率は、８０パーセント程度であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、透明導電膜と
して使用する際に、従来の技術で述べた透明導電膜の比
抵抗及び透過率の値では、液晶ディスプレイ等の製品に
おける高効率化、低コスト化を図る上では未だに十分で
はなく、透明導電膜の比抵抗及び透過率等に関する改善
が要求されている。
【０００８】本発明は前記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、製品における高効率化、
低コスト化を図ることが可能な透明導電膜、透明導電膜
形成用材料及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、高効率化、低
コスト化を図ることが可能なタッチパネルとその製造方
法、プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池と
その製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反
射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方
法、無機ＥＬ素子とその製造方法、有機ＥＬ素子とその
製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の請求項１に係る透明導電膜形成用材料は、
酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
重量パーセント以下含有することを特徴とする。
【００１１】尚、スパッタリングターゲットが前記透明
導電膜形成用材料からなることも可能であり、蒸着法で
用いられるターゲット又はペレットが前記透明導電膜形
成用材料からなることも可能であり、イオンプレーティ
ング法で用いられるターゲット又はペレットが前記透明
導電膜形成用材料からなることも可能である。また、透
明導電膜が前記透明導電膜材料からなることも可能であ
る。
【００１２】本発明の請求項２に係る透明導電膜形成用
材料の製造方法は、原料粉末を粉砕して粉末を得る工程
と、前記粉末をプレス成形により成形体を形成する工程
と、前記成形体を焼結して焼結体を得る工程と、前記焼
結体を切削加工する工程と、を具備し、前記原料粉末
は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有するものであることを特徴と
する。
【００１３】すなわち、原料粉末をボールミル等の粉砕
装置を用いて粉末を形成した後、プレス成形により成形
体を形成し、焼結炉内で焼結を行ってから、焼結体を切
削加工するプレス法により透明導電膜形成用材料を製造
する。このように製造した透明導電膜形成用材料をスパ
ッタリングターゲットとして用いることも可能である。
【００１４】本発明の請求項３に係る透明導電膜形成用
材料の製造方法は、原料粉末を粉砕して粉末を得る工程
と、前記粉末を水、バインダー及び分散材と共に混合し
てスラリー化し、鋳込み成形用の型の中へ注入して成形
体を形成する工程と、前記成形体を焼結して焼結体を得
る工程と、前記焼結体を切削加工する工程と、を具備
し、前記原料粉末は、酸化インジウムを主成分とし、酸
化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有することを
特徴とする。
【００１５】すなわち、原料粉末をボールミル等の粉砕
装置を用いて粉末を形成した後、粉末と水、バインダー
及び分散材と共に混合してスラリー化し、鋳込み成形用
の型の中へ注入して成形体を形成し、焼結炉内で焼結を
行ってから、焼結体を切削加工する鋳込み法により透明
導電膜形成用材料を製造する。このように製造した透明
導電膜形成用材料をスパッタリングターゲットとして用
いることも可能である。
【００１６】本発明の請求項４に係る透明導電膜は、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する材料からなる透明導電膜であっ
て、前記材料からスパッタリングターゲットを作製し、
このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング
法により薄膜を形成して得られることを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項５に係る透明導電膜は、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する材料からなる透明導電膜であっ
て、前記材料からターゲット若しくはペレットを作製
し、前記ターゲット若しくはペレットを用いて蒸着法に
より薄膜を形成して得られることを特徴とする。
【００１８】本発明の請求項６に係る透明導電膜は、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する材料からなる透明導電膜であっ
て、前記材料からターゲット若しくはペレットを作製
し、前記ターゲット若しくはペレットを用いてイオンプ
レーティング法により薄膜を形成して得られることを特
徴とする。
【００１９】また、本発明に係る透明導電膜において
は、比抵抗が９．９×１０-5Ω・ｃｍ以下であることが
好ましい。また、本発明に係る透明導電膜においては、
可視光の透過率が８５パーセント以上であることが好ま
しい。これにより、製品における高効率化、低コスト化
を図ることが可能となる。
【００２０】本発明の請求項９に係るタッチパネルは、
座標を検出するための座標検出用抵抗膜として透明電極
を用いたタッチパネルにおいて、前記透明電極は、酸化
インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重
量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
する。
【００２１】前記タッチパネルによれば、座標検出用抵
抗膜として透明電極を用いている。このため、座標検出
用抵抗膜の透過率を非常に高いものとすることができ、
且つ、座標検出用抵抗膜の抵抗率又は比抵抗を低いもの
とすることができる。従って、高効率化、低コスト化を
図ることが可能なタッチパネルを提供することができ
る。
【００２２】本発明の請求項１０に係るタッチパネル
は、基板上に配置された、座標を検出するための座標検
出用抵抗膜としての第１透明電極と、第１透明電極上に
スペーサーを介して配置された、座標を検出するための
座標検出用抵抗膜としての第２透明電極と、第２透明電
極上に配置されたフィルムと、を具備するタッチパネル
であって、前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれ
は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなること
を特徴とする。
【００２３】本発明の請求項１１に係るタッチパネルの
製造方法は、座標を検出するための座標検出用抵抗膜と
して透明電極を用いたタッチパネルを製造する方法にお
いて、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する材料からなる透明電
極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００２４】本発明の請求項１２に係るタッチパネルの
製造方法は、基板を準備し、この基板上に、座標を検出
するための座標検出用抵抗膜としての第１透明電極を形
成する工程と、第１透明電極上にスペーサーを形成する
工程と、フィルムを準備し、このフィルム上に、座標を
検出するための座標検出用抵抗膜としての第２透明電極
を形成する工程と、前記スペーサーと第２透明電極を貼
り合わせる工程と、を具備するタッチパネルの製造方法
であって、前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれ
は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなること
を特徴とする。
【００２５】本発明の請求項１３に係るタッチパネルの
製造方法は、基板を準備し、この基板上に、座標を検出
するための座標検出用抵抗膜としての第１透明電極を形
成する工程と、フィルムを準備し、このフィルム上に、
座標を検出するための座標検出用抵抗膜としての第２透
明電極を形成する工程と、第２透明電極上にスペーサー
を形成する工程と、このスペーサーと第１透明電極を貼
り合わせる工程と、を具備するタッチパネルの製造方法
であって、前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれ
は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなること
を特徴とする。
【００２６】本発明の請求項１４に係るプラズマディス
プレイは、透明電極を備えたプラズマディスプレイにお
いて、前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、
酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重
量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量
パーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透明
導電膜からなることを特徴とする。
【００２７】前記プラズマディスプレイによれば、前記
透明導電膜からなる透明電極を有しているため、透明電
極の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、
透明電極の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
なプラズマディスプレイを提供することができる。
【００２８】本発明の請求項１５に係るプラズマディス
プレイは、背面基板上に配置されたアドレス電極と、こ
のアドレス電極及び背面基板の上に配置された背面誘電
体層と、背面誘電体層上に配置された隔壁と、隔壁の相
互間に配置された蛍光体と、前記隔壁上に配置され、該
隔壁の上面に接合された誘電体保護層と、この誘電体保
護層と前記蛍光体とにより囲まれた空間に封入された放
電ガスと、誘電体保護層上に配置された前面誘電体層
と、前面誘電体層上に配置されたバス電極と、このバス
電極上に配置された透明電極と、この透明電極上に配置
された前面基板と、を具備するプラズマディスプレイで
あって、前記透明電極は、酸化インジウムを主成分と
し、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有する
透明導電膜からなることを特徴とする。
【００２９】本発明の請求項１６に係るプラズマディス
プレイの製造方法は、透明電極を備えたプラズマディス
プレイを製造する方法において、酸化インジウムを主成
分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなる透明電極を形成する工程を有するこ
とを特徴とする。
【００３０】本発明の請求項１７に係るプラズマディス
プレイの製造方法は、前面基板を準備し、この前面基板
上に透明電極を形成する工程と、この透明電極上にバス
電極を形成する工程と、このバス電極及び透明電極を覆
うように前面誘電体層を形成する工程と、前面誘電体層
上に誘電体層を保護する誘電体保護層を形成する工程
と、背面基板を準備し、この背面基板上にアドレス電極
を形成する工程と、このアドレス電極及び背面基板の上
に背面誘電体層を形成する工程と、背面誘電体層上に隔
壁を形成する工程と、隔壁の相互間に蛍光体を配置する
工程と、前記誘電体保護層と前記隔壁とを接合し、この
誘電体保護層と前記蛍光体とにより囲まれた空間に放電
ガスを封入する工程と、を具備するプラズマディスプレ
イの製造方法であって、前記透明電極は、酸化インジウ
ムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセ
ント以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化
珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント
以下含有する透明導電膜からなることを特徴とする。
【００３１】本発明の請求項１８に係る太陽電池は、透
明電極を備えた太陽電池において、前記透明電極は、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴
とする。
【００３２】前記太陽電池によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極を有しているため、透明電極の透過率を
非常に高いものとすることができ、且つ、透明電極の抵
抗率又は比抵抗を低いものとすることができる。従っ
て、高効率化、低コスト化を図ることが可能な太陽電池
を提供することができる。
【００３３】本発明の請求項１９に係る太陽電池は、基
板上に配置された下部電極と、この下部電極上に配置さ
れた半導体発電層と、この半導体発電層上に配置された
透明電極と、この透明電極上に配置された反射防止膜
と、を具備する太陽電池であって、前記透明電極は、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴
とする。
【００３４】本発明の請求項２０に係る太陽電池の製造
方法は、透明電極を備えた太陽電池を製造する方法にお
いて、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウム
を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下
含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する材料からなる透明電
極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３５】本発明の請求項２１に係る太陽電池の製造
方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、この下部
電極上に半導体発電層を形成する工程と、この半導体発
電層上に透明電極を形成する工程と、この透明電極上に
反射防止膜を形成する工程と、を具備する太陽電池の製
造方法であって、前記透明電極は、酸化インジウムを主
成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以
上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する透明導電膜からなることを特徴とする。
【００３６】本発明の請求項２２に係る導電性フィルム
は、導電性の膜として透明導電膜を用いた導電性フィル
ムにおいて、前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成
分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなることを特徴とする。
【００３７】前記導電性フィルムによれば、導電性の膜
として前記材料からなる透明導電膜を用いることによ
り、透明導電膜の透過率を非常に高いものとすることが
でき、且つ、透明導電膜５２の抵抗率又は比抵抗を低い
ものとすることができる。
【００３８】本発明の請求項２３に係る導電性フィルム
は、フィルムと、このフィルム上に配置された透明導電
膜と、を具備する導電性フィルムであって、前記透明導
電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する材料からなることを
特徴とする。
【００３９】本発明の請求項２４に係る導電性フィルム
の製造方法は、導電性の膜として透明導電膜を用いた導
電性フィルムを製造する方法において、酸化インジウム
を主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪
素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有する材料からなる透明導電膜を形成する工程を有
することを特徴とする。
【００４０】本発明の請求項２５に係る導電性フィルム
の製造方法は、フィルム上に透明導電膜を形成する工程
を有する導電性フィルムの製造方法であって、前記透明
導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニ
ウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント
以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以
上５．０重量パーセント以下含有する材料からなること
を特徴とする。
【００４１】本発明の請求項２６に係る熱線反射ガラス
は、熱線を反射する膜として透明導電膜を用いた熱線反
射ガラスにおいて、前記透明導電膜は、酸化インジウム
を主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪
素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有する材料からなることを特徴とする。
【００４２】前記熱線反射ガラスによれば、熱線を反射
させる膜として透明導電膜を用いているため、透明導電
膜に光が当てられた際、可視光は通過するが熱線の元で
ある赤外線は透明導電膜によって反射される。赤外線の
反射率は、透明導電膜のシート抵抗値と反比例の関係に
ある。つまり、シート抵抗が下がるほど、反射率が上が
る。このため、シート抵抗を下げるには膜厚を増やすの
が簡単であるが、可視光の透過率が下がってしまうた
め、抵抗率が低く可視光透過率が高い材料膜が求められ
る。透明導電膜は、その透過率が非常に高く、抵抗率が
低いので、この透明導電膜を用いることにより効率の良
い熱線反射ガラスを製作することが可能となる。
【００４３】本発明の請求項２７に係る熱線反射ガラス
は、ガラスと、このガラス上に配置された、熱線を反射
する膜としての透明導電膜と、を具備する熱線反射ガラ
スであって、前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成
分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなることを特徴とする。
【００４４】本発明の請求項２８に係る熱線反射ガラス
の製造方法は、熱線を反射する膜として透明導電膜を用
いた熱線反射ガラスを製造する方法において、酸化イン
ジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、
酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
ント以下含有する材料からなる透明導電膜を形成する工
程を有することを特徴とする。
【００４５】本発明の請求項２９に係る熱線反射ガラス
の製造方法は、ガラス上に透明導電膜を形成する工程を
有する熱線反射ガラスの製造方法であって、前記透明導
電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する材料からなることを
特徴とする。
【００４６】本発明の請求項３０に係る液晶表示装置
は、透明電極を備えた液晶表示装置において、前記透明
電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなる
ことを特徴とする。
【００４７】前記液晶表示装置によれば、前記透明導電
膜からなる透明電極を備えているため、透明電極の透過
率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明電極
の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることができる。従
って、高効率化、低コスト化を図ることが可能な液晶表
示装置を提供することができる。
【００４８】本発明の請求項３１に係る液晶表示装置
は、透光性を有する表面側基板と、この表面側基板に対
向する裏面側基板との間に液晶層を配置し、この液晶層
の表面側基板に透明電極を形成し、前記液晶層の裏面側
基板に反射層を形成して、前記液晶層に電界を印加する
ことにより画素領域毎に液晶層の光学特性を変更し、前
記表面側基板から視認可能な所望の表示を行うように構
成された液晶表示装置において、前記透明電極は、酸化
インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重
量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
する。
【００４９】本発明の請求項３２に係る液晶表示装置
は、透光性を有する表面側基板と、この表面側基板に対
向する裏面側基板との間に液晶層を配置し、この液晶層
の表面側基板に第１透明電極を形成し、前記液晶層の裏
面側基板に第２透明電極を形成して、前記液晶層に電界
を印加することにより画素領域毎に液晶層の光学特性を
変更し、前記表面側基板から視認可能な所望の表示を行
うように構成された液晶表示装置において、 前記第１
透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマ
ニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセン
ト以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント
以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜から
なり、前記第２透明電極は、酸化インジウムを主成分と
し、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有する
透明導電膜からなることを特徴とする。
【００５０】本発明の請求項３３に係る液晶表示装置の
製造方法は、透明電極を備えた液晶表示装置を製造する
方法において、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲル
マニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
ント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
透明電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００５１】本発明の請求項３４に係る液晶表示装置の
製造方法は、透光性を有する表面側基板と、この表面側
基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置し、こ
の液晶層の表面側基板に透明電極を形成し、前記液晶層
の裏面側基板に反射層を形成して、前記液晶層に電界を
印加することにより画素領域毎に液晶層の光学特性を変
更し、前記表面側基板から視認可能な所望の表示を行う
ように構成された液晶表示装置の製造方法において、酸
化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、
更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形成す
る工程を有することを特徴とする。
【００５２】本発明の請求項３５に係る液晶表示装置の
製造方法は、透光性を有する表面側基板と、この表面側
基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置し、こ
の液晶層の表面側基板に第１透明電極を形成し、前記液
晶層の裏面側基板に第２透明電極を形成して、前記液晶
層に電界を印加することにより画素領域毎に液晶層の光
学特性を変更し、前記表面側基板から視認可能な所望の
表示を行うように構成された液晶表示装置の製造方法に
おいて、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する材料からなる第１透
明電極を形成する工程と、酸化インジウムを主成分と
し、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有する
材料からなる第２透明電極を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする。
【００５３】本発明の請求項３６に係る無機ＥＬ素子
は、透明電極を備えた無機ＥＬ素子において、前記透明
電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウ
ムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなる
ことを特徴とする。
【００５４】前記無機ＥＬ素子によれば、前記透明導電
膜からなる透明電極を有しているため、透明電極の透過
率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明電極
の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることができる。従
って、高効率化、低コスト化を図ることが可能な無機Ｅ
Ｌ素子を提供することができる。
【００５５】本発明の請求項３７に係る無機ＥＬ素子
は、基板上に配置された透明電極と、この透明電極及び
基板の上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配
置された発光層と、この発光層及び第１絶縁層の上に配
置された第２絶縁層と、第２絶縁層上に配置された背面
電極と、を具備する無機ＥＬ素子であって、前記透明電
極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウム
を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下
含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなる
ことを特徴とする。
【００５６】本発明の請求項３８に係る無機ＥＬ素子の
製造方法は、透明電極を備えた無機ＥＬ素子の製造方法
において、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニ
ウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント
以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以
上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる透明
電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００５７】本発明の請求項３９に係る無機ＥＬ素子の
製造方法は、基板上に透明電極を形成する工程と、この
透明電極及び基板の上に第１絶縁層を形成する工程と、
第１絶縁層上に発光層を形成する工程と、この発光層及
び第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成する工程と、第２
絶縁層上に背面電極を形成する工程と、を具備する無機
ＥＬ素子の製造方法であって、前記透明電極は、酸化イ
ンジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量
パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
する。
【００５８】本発明の請求項４０に係る有機ＥＬ素子
は、陽極として透明電極を用いた有機ＥＬ素子におい
て、前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸
化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導
電膜からなることを特徴とする。
【００５９】前記有機ＥＬ素子によれば、前記透明導電
膜からなる透明電極を有しているため、透明電極の透過
率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明電極
の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることができる。従
って、高効率化、低コスト化を図ることが可能な有機Ｅ
Ｌ素子を提供することができる。
【００６０】本発明の請求項４１に係る有機ＥＬ素子
は、基板上に配置された陽極としての透明電極と、この
透明電極上に配置された発光層と、この発光層上に配置
され、前記透明電極と電気的に接続された陰極と、を具
備する有機ＥＬ素子であって、前記透明電極は、酸化イ
ンジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量
パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
する。
【００６１】本発明の請求項４２に係る有機ＥＬ素子の
製造方法は、陽極として透明電極を用いた有機ＥＬ素子
の製造方法において、酸化インジウムを主成分とし、酸
化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する材料か
らなる透明電極を形成する工程を有することを特徴とす
る。
【００６２】本発明の請求項４３に係る有機ＥＬ素子の
製造方法は、基板上に陽極としての透明電極を形成する
工程と、この透明電極上に発光層を形成する工程と、こ
の発光層上に陰極を形成する工程と、この陰極と透明電
極を電気的に接続する工程と、を具備する有機ＥＬ素子
の製造方法であって、前記透明電極は、酸化インジウム
を主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪
素を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有する透明導電膜からなることを特徴とする。
【００６３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
透明導電膜形成用材料の製造方法の一例としてのスパッ
タリングターゲットの製造方法について述べる。
【００６４】まず、原料粉末として、酸化インジウム
（以下Ｉｎ2Ｏ3）粉末、酸化ゲルマニウム粉末（以下Ｇ
ｅＯ2）及び酸化珪素粉末（以下ＳｉＯ2）を準備する。
【００６５】次に、焼結体の密度を高めるため、ボール
ミル等の粉砕装置を用いてＩｎ2Ｏ3粉末、ＧｅＯ2粉末
及びＳｉＯ2粉末からなる原料粉末を最大粒径が１μｍ
以下に粉砕しておくことが好ましい。これにより、これ
らの粉末が混合された混合粉末を得ることができる。
【００６６】ここで、スパッタリング等により透明導電
膜を形成した際に抵抗率を低下させるために、混合粉末
中におけるＧｅＯ2粉末の含有量の採りうる範囲は、
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下が
好ましく、より好ましい範囲は１．０重量パーセント以
上４．０重量パーセント以下であり、特に好ましい範囲
は２．０重量パーセント以上３．０重量パーセント以下
である。
【００６７】また、スパッリング等により透明導電膜を
形成した際に抵抗率を低下させるために、混合粉末中に
おけるＳｉＯ2粉末の含有量の採りうる範囲は、０．１
重量パーセント以上５．０重量パーセント以下が好まし
く、より好ましい範囲は１．０重量パーセント以上４．
０重量パーセント以下であり、特に好ましい範囲は２．
０重量パーセント以上３．０重量パーセント以下であ
る。
【００６８】このようにして得られた粉末をプレス法あ
るいは鋳込み法により成形して、透明導電膜形成用の成
形体を製造する。
【００６９】プレス成形により成形体を製造する場合に
は、所定の大きさの金型に前記粉末を充填した後、プレ
ス機を用いて１００〜３００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレ
スを行う。一方、鋳込み法により成形体を製造する場合
には、粉末を水、バインダー及び分散材と共に混合して
スラリー化し、鋳込み成型用の型の中へ注入して成形体
を製造する。
【００７０】次に、前記プレス法及び鋳込み法により成
形された成形体を必要に応じて冷間等方圧プレス（ＣＩ
Ｐ）による圧密化処理を行う。この際、ＣＩＰの圧力
は、十分な圧密こう化を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上
であることが好ましく、より好ましくは２〜５ｔｏｎ／
ｃｍ2である。一方、鋳込み法で行う場合には、ＣＩＰ
による圧密化処理後の成形体中に残存する水分及びバイ
ンダー等の有機物を除去するため３００〜５００℃の温
度で５〜２０時間程度の乾燥処理及び脱バインダー処理
を施すことが好ましい。
【００７１】次に、このようにして得られた成形体の焼
結を行う。焼結は、酸化性雰囲気で行い、酸化性雰囲気
中の酸素濃度は、２０体積パーセント以上であることが
好ましい。焼結温度については適宜選択することができ
るが、十分な密度上昇効果を得るため、また酸化ゲルマ
ニウムと酸化珪素の蒸発を抑制するため、８００℃〜１
２００℃であることが好ましい。また、焼結時間につい
ても十分な密度上昇効果を得るために５時間以上とする
ことが好ましく、より好ましくは５〜３０時間である。
【００７２】次に、得られた焼結体を所望の形状に研削
加工した後、必要に応じて無酸素銅等からなるバッキン
グプレートにインジウム半田等を用いて接合する。これ
により、透明導電膜形成用のスパッタリングターゲット
が製造される。
【００７３】尚、前記実施の形態では、透明導電膜形成
用のスパッタリングターゲットの製造方法として、プレ
ス法と鋳込み法に関して述べているが、本発明の透明導
電膜形成用のスパッタリングターゲットは、プレス法や
鋳込み法に限定されず、焼結法において同様に作製する
ことができる。
【００７４】また、透明導電膜形成用材料においてもス
パッタリングターゲットに限定されず、他の形態の材
料、例えばペレット等の材料に関しても同様の方法によ
り作製することができる。
【００７５】次に、透明導電膜の成膜方法について述べ
る。まず、スパッタリング装置を用いた透明導電膜の成
膜方法について説明する。
【００７６】図示はしないが、プレス法若しくは鋳込み
法等により作製された透明導電膜形成用スパッタリング
ターゲットや、透明導電膜を成膜するための基板を設置
し、成膜室内の真空引きを行う。
【００７７】その後、基板の加熱を行い、基板の温度が
安定するまで待つ。基板の温度は、２００℃〜４００℃
で行うのが好ましい。その後、アルゴン等の希ガスに対
して反応性ガスである酸素ガスを適量添加した混合ガス
を成膜室内に導入する。
【００７８】混合ガス導入後、成膜室内への混合ガスの
導入量あるいは真空排気系のコンダクタンスを制御する
ことにより、成膜室内の内部圧力は所望の圧力に設定さ
れる。この状態で、カソードに負の電圧を印加すると、
プラズマが発生し、生成した正イオンでターゲットをイ
オン衝撃してスパッタを行う。
【００７９】スパッタにより放出されたターゲットを構
成する元素は、酸化反応を伴いながらターゲットに対向
した基板上に到達し、当該基板上に透明導電膜が成膜さ
れる。
【００８０】前記のようにして透明導電膜をガラス基板
の上に１００ｎｍ成膜した場合、その透明導電膜の比抵
抗は９．９×１０-5Ω・ｃｍであり、その時の透明導電
膜の可視光の透過率は、８５％以上を示す。従って、こ
の透明導電膜を液晶ディスプレイなどの製品に適用する
ことにより、製品における高効率化、低コスト化を図る
ことができる。
【００８１】次に、蒸着法の一例として、電子ビーム加
熱蒸着法について説明する。図示はしないが、プレス法
若しくは鋳込み法等により作製された透明導電膜形成用
スパッタリングターゲットやペレットを、銅製の水冷坩
堝の中心部にある炭素やアルミナで作製されているハー
スに設置し、また、透明導電膜を成膜するための基板を
設置してから成膜室内の真空引きを行う。
【００８２】その後、基板の加熱を行い、基板の温度が
安定するまで待つ。基板の温度は、２００℃〜４００℃
で行うのが好ましい。その後、アルゴン等の希ガスに対
して反応性ガスである酸素ガスを適量添加した混合ガス
を成膜室内に導入する。
【００８３】混合ガス導入後、成膜室内への混合ガスの
導入量あるいは真空排気系のコンダクタンスを制御する
ことにより、成膜室内の内部圧力は所望の圧力に設定さ
れる。この状態で、１０ｋｅＶ程度のエネルギーの電子
ビームをターゲット若しくはペレットに当て、ターゲッ
ト若しくはペレットのみを直接加熱して蒸着粒子を作
り、蒸着を行う。
【００８４】電子ビーム加熱蒸着により放出されたター
ゲット若しくはペレットを構成する元素は、酸化反応を
伴いながらターゲット若しくはペレットに対向した基板
上に到達し、当該基板上に透明導電膜が成膜される。
【００８５】前記のようにして透明導電膜をガラス基板
の上に１００ｎｍ成膜した場合、その透明導電膜の比抵
抗は９．９×１０-5Ω・ｃｍであり、その時の透明導電
膜の可視光の透過率は、８５％以上を示す。従って、こ
の透明導電膜を液晶ディスプレイなどの製品に適用する
ことにより、製品における高効率化、低コスト化を図る
ことができる。
【００８６】尚、本実施の形態では、電子ビーム加熱蒸
着法に関して説明しているが、本発明の蒸着法は、電子
ビーム加熱蒸着法に限定されない。
【００８７】次に、イオンプレーティング法の一例とし
て、フォロカソード型イオンプレーティング法について
図１を用いて説明する。図１は、横形フォロカソード型
イオンプレーティング装置の一例を示す構成図である。
【００８８】フォロカソード型イオンプレーティング装
置１は、排気口２ａと反応ガス供給口２ｂを設けた真空
チャンバー２と、この真空チャンバー２内の下部に配設
された陽極（ハース）３と、真空チャンバー２内の上部
に配設された基材ホルダー４と、真空チャンバー２の所
定位置（図示例では真空チャンバー左側壁）に配設され
たプラズマガン５と、陰極６と、中間電極７と、補助コ
イル８と、を備えている。また、陽極３の下方には永久
磁石９が配設されている。
【００８９】前記横形フォロカソード型イオンプレーテ
ィング装置を用いて透明導電膜を形成する方法について
説明する。
【００９０】まず、陽極３に蒸発源１１を配置し、また
透明導電膜の被形成体である基材１２を基材ホルダー４
に保持し、真空チャンバー２内部を１０-6〜１０-5Torr
程度の真空度にする。この状態で、アルゴン（Ａｒ）等
のプラズマ用ガスをプラズマガン５に導入する。そし
て、プラズマガン５で発生したプラズマビーム１５は、
補助コイル８により形成される磁界によって真空チャン
バー２内に引き出され、陽極３の下方の永久磁石９が作
る磁界によって蒸発源１１に収束され、この蒸発源１１
を加熱する。その結果、加熱された部分の蒸発源１１は
蒸発し、プラズマビーム１５の領域を通過する際に一部
電離し、基材ホルダー４に保持されている基材１２に到
達して表面に膜を形成する。
【００９１】前記のようにして透明導電膜をガラス基板
の上に１００ｎｍ成膜した場合、その透明導電膜の比抵
抗は９．９×１０-5Ω・ｃｍであり、その時の透明導電
膜の可視光の透過率は、８５％以上を示す。従って、こ
の透明導電膜を液晶ディスプレイなどの製品に適用する
ことにより、製品における高効率化、低コスト化を図る
ことができる。
【００９２】尚、本実施の形態では、フォロカソード型
のイオンプレーティング法について説明したが、ＤＣ型
イオンプレーティング法若しくはＲＦ型イオンプレーテ
ィング法等の方法もあり、いずれの方法においても同様
の透明導電膜を得ることが可能である。
【００９３】次に、前述した透明導電膜を用いたタッチ
パネルについて図２を参照しつつ説明する。図２は、本
発明の実施の形態によるタッチパネルを概略的に示す構
成断面図である。
【００９４】タッチパネルは基板２１を備えており、こ
の基板上にはＸ座標を検出するためのＸ座標検出用抵抗
膜（第１透明電極）２２が配置されている。このＸ座標
検出用抵抗膜２２はＸ座標を検出するために作用するも
のである。Ｘ座標検出用抵抗膜２２の上にはスペーサー
２３が配置されており、このスペーサー２３の相互間に
は間隔が設けられている。スペーサー２３の上にはＹ座
標を検出するためのＹ座標検出用抵抗膜（第２透明電
極）２４が配置されている。Ｙ座標検出用抵抗膜とＸ座
標検出用抵抗膜はスペーサーによって互いに非接触の状
態とされている。Ｙ座標検出用抵抗膜２４の上には全面
フィルム２５が配置されている。
【００９５】前記タッチパネルは、前面フィルム２５に
おける所望の部分を押すと、押したところのＹ座標検出
用抵抗膜２４がＸ座標検出用抵抗膜２２に接触し、それ
により電気回路が形成され、このときのＸ・Ｙ座標検出
用抵抗膜にかかる電圧を測定することで、押されたとこ
ろの位置を検出できるようになっている。
【００９６】Ｘ座標検出用抵抗膜２２及びＹ座標検出用
抵抗膜２４それぞれは、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、ＧｅＯ
2を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以
下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜からなる
ものである。
【００９７】前記タッチパネルによれば、前記透明導電
膜からなる第１、第２透明電極をＸ・Ｙ座標検出用抵抗
膜２２，２４として用いている。このため、Ｘ・Ｙ座標
検出用抵抗膜の透過率を非常に高いものとすることがで
き、且つ、Ｘ・Ｙ座標検出用抵抗膜の抵抗率又は比抵抗
を低いものとすることができる。従って、高効率化、低
コスト化を図ることが可能なタッチパネルを製作するこ
とができる。
【００９８】尚、本発明は前述したタッチパネルに限定
されるものではなく、透明電極を備えたタッチパネルで
あれば、種々のタッチパネルを適宜実施することも可能
である。
【００９９】次に、前述した透明導電膜を備えたプラズ
マディスプレイについて図３（ａ）を参照しつつ説明す
る。図３（ａ）は、本発明の実施の形態によるプラズマ
ディスプレイを概略的に示す構成断面図である。
【０１００】プラズマディスプレイは、大型薄型のテレ
ビ、ディスプレイに使用されることが多く、発光型であ
って広い視野角を持ち、表示品質が良く、製作プロセス
が比較的簡単で大型化が容易であるといった特徴を持っ
ている。
【０１０１】プラズマディスプレイは背面ガラス基板２
９を有しており、この背面基板上にはアドレス電極３０
がストライプ状に配置されている。このアドレス電極３
０及び背面ガラス基板２９の上には背面誘電体層３９が
配置されている。この背面誘電体層３９上には隔壁３８
が配置されており、この隔壁３８はアドレス電極３０と
隣接した位置に形成されている。この隔壁の相互間には
赤、緑、青の各蛍光体３７が交互に塗り分けられてい
る。各蛍光体３７は、アドレス電極３０の上方に位置
し、アドレス電極３０を被覆するように配置されてい
る。また、隔壁３８はアドレス放電時の隣接セルへの影
響を断つためと光のクロストークを防ぐための二つの働
きをする。
【０１０２】隔壁３８には、該隔壁を覆うように誘電体
保護層３５が接合されている。この誘電体保護層３５と
蛍光体３７とにより囲まれた空間には放電ガス（混合ガ
ス）３６が封入されている。誘電体保護層３５上には前
面誘電体層３４が配置されており、この前面誘電体層上
にはバス電極３３が配置されている。このバス電極上に
は表示電極（透明電極）３２が配置されており、この透
明電極３２上には前面ガラス基板３１が配置されてい
る。バス電極３３は、透明電極３２の抵抗を下げるため
のものである。
【０１０３】前記透明電極３２は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分と
し、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電
膜からなるものである。
【０１０４】前記プラズマディスプレイによれば、前記
透明導電膜からなる透明電極３２を有しているため、透
明電極３２の透過率を非常に高いものとすることがで
き、且つ、透明電極３２の抵抗率又は比抵抗を低いもの
とすることができる。従って、高効率化、低コスト化を
図ることが可能なプラズマディスプレイを製作すること
ができる。
【０１０５】尚、本発明は前述したプラズマディスプレ
イに限定されるものではなく、透明電極を備えたプラズ
マディスプレイであれば、種々のプラズマディスプレイ
を適宜実施することも可能である。
【０１０６】次に、前述した透明導電膜を備えた太陽電
池について図４を参照しつつ説明する。図４は、本発明
の実施の形態による太陽電池を概略的に示す構成断面図
である。
【０１０７】太陽電池は、光を直接電気に変換するの
で、光があたるところならどこででも使用でき、完全固
体素子であるので、使い勝手が良く、二酸化炭素（ＣＯ
2）などが発生しない完全クリーンエネルギーであると
いった特徴を持っている。
【０１０８】太陽電池はガラス又はフィルムなどの基板
４０を有しており、この基板上にはアルミニウム（以
下、Ａｌ）などからなる下部電極４１が配置されてい
る。この下部電極上にはアモルファスシリコンなどから
なるｐ型半導体層４２が配置されており、このｐ型半導
体層の上にはアモルファスシリコンなどからなるｉ型半
導体層４３が配置されている。このｉ型半導体層の上に
はｎ型半導体層４４が配置されている。これらｐ型半導
体層４２、ｉ型半導体層４３及びｎ型半導体層４４によ
って半導体発電層が形成されている。ｎ型半導体層４４
の上には透明電極４５が配置されており、この透明電極
の上には反射防止膜４６が配置されている。
【０１０９】前記透明電極４５は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分と
し、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電
膜からなることが好ましい。
【０１１０】この太陽電池において、反射防止膜４６に
光を当てると、下部電極４１と透明電極４５との間に電
圧が発生するので、下部電極４１と透明電極４５に負荷
４７をつなぐと、その負荷に電流が流れるものである。
【０１１１】前記太陽電池によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極４５を有しているため、透明電極４５の
透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明
電極４５の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
な太陽電池を製作することができる。
【０１１２】図５は、本実施の形態による太陽電池の他
の例を示す断面図であり、図４と同一部分には同一符号
を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１１３】下部電極４１上には半導体発電層が配置さ
れており、この半導体発電層上には透明電極４５が配置
されている。この透明電極４５上には基板４０が配置さ
れており、この基板上には反射防止膜４６が配置されて
いる。
【０１１４】前記他の例の太陽電池においても本実施の
形態による太陽電池と同様の効果を得ることができる。
【０１１５】尚、本発明は前述した太陽電池に限定され
るものではなく、透明電極を備えた太陽電池であれば、
種々の太陽電池を適宜実施することも可能である。
【０１１６】次に、前述した透明導電膜を用いた導電性
フィルムについて図６を参照しつつ説明する。図６は、
本発明の実施の形態による導電性フィルムを概略的に示
す構成断面図である。
【０１１７】導電性フィルムはポリイミドなどの絶縁性
のフィルム５１を備えており、このフィルム５１上には
透明導電膜５２が形成されている。この透明導電膜５２
は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、ＧｅＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有し、更に、Ｓ
ｉＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセン
ト以下含有する材料からなるものである。
【０１１８】前記導電性フィルムによれば、絶縁性のフ
ィルム５１に導電性を持たせるために導電性の膜を形成
する。この導電性の膜として前記材料からなる透明導電
膜５２を用いることにより、フィルム５１の透光性を生
かし、透明導電膜５２の透過率を非常に高いものとする
ことができ、且つ、透明導電膜５２の抵抗率又は比抵抗
を低いものとすることができる。
【０１１９】尚、本発明は前述した導電性フィルムに限
定されるものではなく、透明電極を備えた導電性フィル
ムであれば、種々の導電性フィルムを適宜実施すること
も可能である。
【０１２０】次に、前述した透明導電膜を用いた熱線反
射ガラスについて図７を参照しつつ説明する。図７は、
本発明の実施の形態による熱線反射ガラスを概略的に示
す構成断面図である。
【０１２１】熱線反射ガラスは、通常のガラスの代わり
に使用することによって熱効率を良くすることができる
ので、省エネに適している。
【０１２２】熱線反射ガラスはガラス５３を備えてお
り、このガラス５３上には透明導電膜５４が形成されて
いる。この透明導電膜５４は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、
ＧｅＯ 2を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
ント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
ものである。
【０１２３】前記熱線反射ガラスによれば、ガラス５３
上に透明導電膜５４を形成しているため、透明導電膜と
ガラスに光が当てられた際、可視光は通過するが熱線の
元である赤外線は透明導電膜によって反射される。赤外
線の反射率は、透明導電膜のシート抵抗値と反比例の関
係にある。つまり、シート抵抗が下がるほど、反射率が
上がる。このため、シート抵抗を下げるには膜厚を増や
すのが簡単であるが、可視光の透過率が下がってしまう
ため、抵抗率が低く可視光透過率が高い材料が求められ
る。透明導電膜５４は、その透過率が非常に高く、抵抗
率が低いので、この透明導電膜を用いることにより効率
の良い熱線反射ガラスを製作することが可能となる。
【０１２４】尚、本発明は前述した熱線反射ガラスに限
定されるものではなく、透明電極を備えた熱線反射ガラ
スであれば、種々の熱線反射ガラスを適宜実施すること
も可能である。
【０１２５】次に、前述した透明導電膜を用いた反射型
液晶表示装置について図８（ａ）を参照しつつ説明す
る。図８（ａ）は、本発明の実施の形態による反射型液
晶表示装置を概略的に示す構成断面図である。
【０１２６】反射型液晶表示装置は、バックライトが不
要で薄型化、小型化が容易であり、消費電力を低減でき
るといった特徴を持っている。
【０１２７】反射型液晶表示装置は、透光性を有する表
面側基板６１と、この表面側基板６１に対向する裏面側
基板６２とを有しており、表面側基板６１と裏面側基板
６２との間には液晶層６９が配置されている。この液晶
層６９の表面側基板には透明電極６３が形成されてお
り、前記液晶層６９の裏面側基板に金属電極層（反射
層）６７が形成されている。液晶層６９に電界を印加す
ることにより画素領域毎に液晶層の光学特性を変更し、
前記表面側基板６１から視認可能な所望の表示を行うよ
うに構成されている。
【０１２８】前記透明電極６３は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分と
し、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電
膜からなるものである。
【０１２９】前記反射型液晶表示装置によれば、液晶層
６９の表面側基板に透明電極６３を形成しているため、
透明電極６３の透過率を非常に高いものとすることがで
き、且つ、透明電極６３の抵抗率又は比抵抗を低いもの
とすることができる。従って、高効率化、低コスト化を
図ることが可能な反射型液晶表示装置を製作することが
できる。
【０１３０】尚、本発明は前述した反射型液晶表示装置
に限定されるものではなく、透明電極を備えた液晶表示
装置であれば、種々の液晶表示装置を適宜実施すること
も可能である。例えば、反射型液晶表示装置の中にも、
使用する液晶の種類や駆動方法により多くの種類があ
り、ねじれネマチック（ＴＮ）型液晶表示体や超ねじれ
ネマチック（ＳＴＮ）型液量表示体においては、２枚の
偏向軸が互いに直行する偏向板を液晶層を狭持する２枚
の透明基板の外側に配置し、液晶層を透過する光の偏向
状態の変化によりオンオフ駆動するようになっている。
このような反射型液晶表示装置を本発明に適用すること
も可能である。また、カラーフィルターを備えた液晶表
示装置に本発明を適用することも可能である。
【０１３１】次に、前述した透明導電膜を用いた透過型
液晶表示装置について図８（ｂ）を参照しつつ説明す
る。図８（ｂ）は、本発明の実施の形態による透過型液
晶表示装置を概略的に示す構成断面図である。
【０１３２】透過型液晶表示装置は、高輝度であるとい
った特徴を持っている。
【０１３３】透過型液晶表示装置は、透光性を有する表
面側基板６１と、この表面側基板６１に対向する裏面側
基板６２とを有しており、表面側基板６１と裏面側基板
６２との間には液晶層６９が配置されている。この液晶
層６９の表面側基板には透明電極６３が形成されてお
り、前記液晶層６９の裏面側基板に透明電極７７が形成
されている。また、裏面側基板６２における透明電極７
７が形成された面とは反対側の面、即ち裏面側基板の内
側の面にはバックライト（図示せず）が配置されてい
る。液晶層６９に電界を印加することにより画素領域毎
に液晶層の光学特性を変更し、前記表面側基板６１から
視認可能な所望の表示を行うように構成されている。
【０１３４】前記透明電極６３、７７は、Ｉｎ2Ｏ3を主
成分とし、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０
重量パーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重
量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透
明導電膜からなるものである。
【０１３５】前記反射型液晶表示装置によれば、液晶層
６９の表面側基板に透明電極６３を形成し、裏面側基板
に透明電極７７を形成しているため、透明電極６３、７
７の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、
透明電極６３、７７の抵抗率又は比抵抗を低いものとす
ることができる。従って、高効率化、低コスト化を図る
ことが可能な透過型液晶表示装置を製作することができ
る。
【０１３６】尚、本発明は前述した透過型液晶表示装置
に限定されるものではなく、透明電極を備えた液晶表示
装置であれば、種々の液晶表示装置を適宜実施すること
も可能である。また、カラーフィルターを備えた液晶表
示装置に本発明を適用することも可能である。
【０１３７】次に、前述した透明導電膜を備えた無機Ｅ
Ｌ素子（inorganic electro luminescence display）に
ついて図９を参照しつつ説明する。図９（ａ）は、本発
明の実施の形態による無機ＥＬ素子を概略的に示す平面
図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す無機ＥＬ素
子の構成断面図である。
【０１３８】無機ＥＬ素子は、どの角度からも見やす
く、高い精細度を有し、部品は全て固体であるため振動
に強いといった特徴を持っている。
【０１３９】図９（ｂ）に示すように、無機ＥＬ素子は
ガラス基板７１を有しており、このガラス基板上には透
明電極７２が配置されている。この透明電極７２及びガ
ラス基板７１の上には第１絶縁層７３が配置されてお
り、この第１絶縁層上には発光層７４が配置されてい
る。この発光層７４及び第１絶縁層７３の上には第２絶
縁層７５が配置されており、この第２絶縁層は段差部を
有している。第２絶縁層上には背面電極７６が配置され
ており、この背面電極７６の相互間には図９（ａ）に示
すように第２絶縁層７５が露出している。
【０１４０】前記透明電極７２は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分と
し、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電
膜からなることが好ましい。
【０１４１】前記無機ＥＬ素子によれば、前記透明導電
膜からなる透明電極７２を有しているため、透明電極７
２の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、
透明電極７２の抵抗率又は比抵抗を低いものとすること
ができる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが
可能な無機ＥＬ素子を製作することができる。
【０１４２】尚、本発明は前述した無機ＥＬ素子に限定
されるものではなく、透明電極を備えた無機ＥＬ素子で
あれば、種々の無機ＥＬ素子を適宜実施することも可能
である。
【０１４３】次に、前述した透明導電膜を備えた有機Ｅ
Ｌ素子（organic electro luminescence display）につ
いて図１０を参照しつつ説明する。図１０は、本発明の
実施の形態による有機ＥＬ素子を概略的に示す構成断面
図である。
【０１４４】有機ＥＬ素子は、自己発光のため視認性が
高く（視野角が広く）、２〜３ｍｍ程度の厚さの薄型表
示装置を容易に作製でき、偏向板を使用する必要がない
ので自然な発光色を得ることができ、明暗のダイナミッ
クレンジが広いのでより鮮明な表示が可能となり、広い
温度範囲で有機ＥＬ素子を動作させることができ、有機
ＥＬ素子の応答速度が液晶素子のそれよりも３桁以上も
速いので、動画像表示を容易に行うことができるといっ
た特徴を持っている。
【０１４５】図１０に示すように、有機EL素子はガラス
基板８１を有しており、このガラス基板上には陽極とし
ての透明電極８２が配置されている。この透明電極８２
の上には有機化合物からなる発光層８３が配置されてお
り、この発光層８３の上には陰極８４が配置されてい
る。この陰極８４と透明電極８２とは直流電源を介して
電気的に接続されている。なお、陰極８４としては、仕
事関数の少ない金属電極を用いることも可能であり、ま
た透明導電膜を用いることも可能である。
【０１４６】前記透明電極８２は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分と
し、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
ーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パー
セント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電
膜からなることが好ましい。
【０１４７】前記有機ＥＬ素子によれば、前記透明導電
膜からなる透明電極８２を有しているため、透明電極８
２の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、
透明電極８２の抵抗率又は比抵抗を低いものとすること
ができる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが
可能な有機ＥＬ素子を製作することができる。
【０１４８】尚、本発明は前述した有機ＥＬ素子に限定
されるものではなく、透明電極を備えた有機ＥＬ素子で
あれば、種々の有機ＥＬ素子を適宜実施することも可能
である。
【０１４９】また、実施の形態による有機ＥＬ素子で
は、有機化合物からなる単層構造の発光層を用いている
が、ホール輸送層と発光層の２層構造を用いることも可
能であり、ホール輸送層と発光層と電子輸送層の３層構
造を用いることも可能である。
【０１５０】
【実施例】（実施例１）Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2等
の透明導電膜形成用材料からφ５０．８×５ｔの大きさ
のスパッタリングターゲットを作製する。作製されたタ
ーゲットをRFスパッタリング装置に設置し、真空引きを
行う。真空引き後、基板温度を２５０℃、成膜圧力０．
５Ｐａ、Ｏ2分圧０．５％の成膜条件で、φ７６．２×
２ｔのガラス基板にスパッタリングを行い、透明導電膜
を１００ｎｍ成膜する。
【０１５１】ガラス基板上に成膜された透明導電膜の比
抵抗を４探針法にて測定し、測定結果を表１に示す。比
較例としては、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2と同様な方
法で、ガラス基板上にＩｎ2Ｏ3‐ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3−
ＧｅＯ2の透明導電膜形成用材料からなる透明導電膜を
成膜し、比抵抗を４探針法にて測定した。
【０１５２】
【表１】
【０１５３】表１によれば、比抵抗を測定した結果、Ｉ
ｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2の材料からなる透明導電膜
は、従来のＩｎ2Ｏ3‐ＳｎＯ2等の材料からなる透明導
電膜よりも全体的に低い抵抗が得られた。特に、Ｉｎ2
Ｏ3９５．０ＧｅＯ2３．０ＳｉＯ2２．０の材料からな
る透明導電膜の比抵抗は低く、９．８０×１０-5Ω・ｃ
ｍの値が得られた。
【０１５４】本実施例は、スパッタリング法で得られた
透明導電膜の比抵抗を比較する実験を行ったが、蒸着法
やイオンプレーティング法等の方法で成膜を行った場合
においても、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2の材料からな
る透明導電膜は、従来のＩｎ 2Ｏ3‐ＳｎＯ2等の材料か
らなる透明導電膜よりも優れた比抵抗を得ることができ
る。
【０１５５】また、本実施例では、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2
−ＳｉＯ2の材料からなる透明導電膜を用いているが、
ＳｉＯ2の代わりにスカンジウム（以下、Ｓｃ）、イッ
トリウム（以下、Ｙ）、チタン（以下、Ｔｉ）、ジルコ
ニウム（以下、Ｚｒ）、ハフニウム（以下、Ｈｆ）、バ
ナジウム（以下、Ｖ）、ニオブ（以下、Ｎｂ）、タンタ
ル（以下、Ｔａ）、亜鉛（以下、Ｚｎ）、ホウ素（以
下、Ｂ）、Ａｌ、ガリウム（以下、Ｇａ）、炭素（以
下、Ｃ）などの金属若しくは酸化物を少なくとも１種類
添加した材料からなる透明導電膜を用いることも可能で
ある。
【０１５６】また、透明導電膜の機能を損なわない程度
であれば、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2にＳｃ、Ｙ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｃ、Ｓｉ、アンチモン（以下、Ｓｂ）、フッ素（以
下、Ｆ）、塩素（以下、Ｃｌ）、臭素（以下、Ｂｒ）な
どの元素を少なくとも１種類添加する材料を透明導電膜
形成用材料として用いることも可能である。
【０１５７】（実施例２）Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2
等の透明導電膜形成用材料からφ５０．８×５ｔの大き
さのスパッタリングターゲットを作製する。作製された
ターゲットをRFスパッタリング装置に設置し、真空引き
を行う。真空引き後、基板温度を２５０℃、成膜圧力
０．５Ｐａ、Ｏ2分圧０．５％の成膜条件で、φ７６．
２×２ｔのガラス基板にスパッタリングを行い、透明導
電膜を１００ｎｍ成膜する。
【０１５８】ガラス基板上に成膜された透明導電膜の透
過率を分光光度計にて測定し、測定結果を表２に示す。
比較例としては、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2と同様な
方法で、ガラス基板上にＩｎ2Ｏ3‐ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3
−ＧｅＯ2の透明導電膜形成用材料からなる透明導電膜
を成膜し、この透明導電膜における光の透過率を分光光
度計にて測定した。
【０１５９】
【表２】
【０１６０】表２によれば、透過率を測定した結果、５
５０ｎｍの可視光領域において、Ｉｎ2Ｏ3‐ＧｅＯ2‐
ＳｉＯ2の透過率は、すべての組成において９３％以上
の高い透過率が得られた。特に、表１において最も低い
抵抗が得られたＩｎ2Ｏ3９５．０ＧｅＯ2３．０ＳｉＯ2
２．０では、３８０ｎｍの短波長領域での透過率が向上
しており、従来のＩｎ2Ｏ3‐ＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3‐Ｇｅ
Ｏ2の比抵抗や透過率より優れていることが判明した。
【０１６１】本実施例は、スパッタリング法で得られた
透明導電膜の透過率を比較する実験を行ったが、蒸着法
やイオンプレーティング法等の方法で成膜を行った場合
においても、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2の透明導電膜
は、従来のＩｎ2Ｏ3‐ＳｎＯ 2等の透明導電膜よりも優
れた透過率を得ることができる。
【０１６２】また、本実施例では、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2
−ＳｉＯ2の材料からなる透明導電膜を用いているが、
ＳｉＯ2の代わりにＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃなどの金属若し
くは酸化物を少なくとも１種類添加した材料からなる透
明導電膜を用いることも可能である。
【０１６３】また、透明導電膜の機能を損なわない程度
であれば、Ｉｎ2Ｏ3−ＧｅＯ2−ＳｉＯ2にＳｃ、Ｙ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒなどの元素を少な
くとも１種類添加する材料を透明導電膜形成用材料とし
て用いることも可能である。
【０１６４】（実施例３）本発明の実施例３によるタッ
チパネルの製造方法について図２を参照しつつ説明す
る。
【０１６５】まず、ガラス又はフィルムからなる基板２
１を準備する。次いで、この基板２１上に透明導電膜を
成膜する。この透明導電膜は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、
ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
ント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
ものである。
【０１６６】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。
【０１６７】次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッ
チング技術などを用いて、この透明導電膜をパターニン
グすることにより、基板２１の上にはＸ座標検出用抵抗
膜（第１透明電極）２２が形成される。第１透明電極は
Ｘ座標を検出するための抵抗膜として作用するものであ
る。なお、第１透明電極を形成する際の透明導電膜の加
工方法は、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術以
外の他の加工方法を用いることも可能である。
【０１６８】次いで、第１透明電極２２の上に絶縁物か
らなるスペーサー２３を例えばスクリーン印刷などによ
り成膜する。次いで、前面フィルム２５を準備し、この
前面フィルム２５上に透明導電膜を成膜する。この際の
成膜方法は、第１透明電極の場合と同様に種々の成膜方
法を用いることができる。次いで、この透明導電膜をパ
ターニングすることにより、前面フィルム２５の上には
Ｙ座標検出用抵抗膜（第２透明電極）２４が形成され
る。第２透明電極はＹ座標を検出するための抵抗膜とし
て作用するものである。なお、第２透明電極を形成する
際の透明導電膜の加工方法は、第１透明電極の場合と同
様である。
【０１６９】次いで、スペーサー２３と第２透明電極２
４を有機接着剤などにより貼り合わせる。このようにし
てタッチパネルを製造することができる。
【０１７０】前記実施例３によれば、前記透明導電膜か
らなる第１、第２透明電極をＸ・Ｙ座標検出用抵抗膜２
２，２４として用いている。このため、Ｘ・Ｙ座標検出
用抵抗膜の透過率を非常に高いものとすることができ、
且つ、Ｘ・Ｙ座標検出用抵抗膜の抵抗率又は比抵抗を低
いものとすることができる。従って、高効率化、低コス
ト化を図ることが可能なタッチパネルを製作することが
できる。
【０１７１】尚、本発明は前記実施例３に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更したタッチパネルの製造方法を実施することも
可能である。
【０１７２】（実施例４）本発明の実施例４によるプラ
ズマディスプレイの製造方法について図３を参照しつつ
説明する。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す前面ガラス
基板、透明電極及びバス電極を示す平面図である。
【０１７３】まず、図３（ａ）に示すように、前面ガラ
ス基板３１を準備する。次いで、この前面ガラス基板３
１上に透明導電膜を成膜する。この透明導電膜は、Ｉｎ
2Ｏ3を主成分とし、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以
上５．０重量パーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなるものである。
【０１７４】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。
【０１７５】次いで、フォトリソグラフィ技術、エッチ
ング技術、マスクなどを用いて、この透明導電膜をパタ
ーニングする。又はリフトオフでの成膜をする。これに
より、前面ガラス基板３１の上には表示電極（透明電
極）３２が形成される。透明電極の膜厚は、材料や透過
率、抵抗率によって異なるが、５〜１００ｎｍ程度が好
ましい。なお、透明電極を形成する際の透明導電膜の加
工方法は、前記フォトリソグラフィ技術などに限られる
ものではなく、他の加工方法を用いることも可能であ
る。
【０１７６】次いで、この透明電極３２上にバス電極３
３を形成する。この際の形成方法としては、フォトリソ
グラフィ技術、エッチング技術などを用いた方法、スク
リーン印刷法等が挙げられる。バス電極３３の材料及び
膜構造としては、銀（以下、Ａｇ）等の金属膜や銅‐ク
ロム‐銅（Ｃｕ‐Ｃｒ‐Ｃｕ）等の積層膜を用いること
が好ましい。また、バス電極の厚さは４μｍ程度が好ま
しい。なお、バス電極３３及び透明電極３２は、図３
（ｂ）に示すように、互いに相対して対をなすように配
置されている。
【０１７７】次いで、このバス電極３３及び透明電極３
２を覆うように前面誘電体層３４を形成する。この際の
形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
【０１７８】次いで、前面誘電体層３４の上に前面誘電
体層を保護する誘電体保護層３５を形成する。この際の
形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ
(化学気相成長法；Chemical Vapor Deposition)法等が
挙げられる。誘電体保護層３５の材料としては、酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）を用いることが好ましい。
【０１７９】次いで、背面ガラス基板２９を準備し、こ
の背面ガラス基板２９上にストライプ状のアドレス電極
３０を形成する。この際の形成方法としては、スパッタ
リング法、電子ビーム蒸着法、無電解メッキ法、スクリ
ーン印刷法等が挙げられる。アドレス電極３０の材料と
しては、クロム−金（Ｃｒ−Ａｕ）、銅−金（Ｃｕ−Ａ
ｕ）、銅−クロム（Ｃｕ−Ｃｒ）、インジウム・錫複合
酸化物−金（ＩＴＯ−Ａｕ）、Ａｇ、クロム（以下、Ｃ
ｒ）等を用いることが好ましい。
【０１８０】次いで、アドレス電極３０及び背面ガラス
基板２９の上に背面誘電体層３９を形成する。この際の
形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
【０１８１】次いで、背面誘電体層３９上に互いに間隔
をあけて隔壁３８を形成する。この際の形成方法として
は、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、溶射法（例
えばプラズマ溶射法）等が挙げられる。隔壁３８の材料
としては、酸化アルミニウム（以下、Ａｌ2Ｏ3）、スピ
ネル、酸化クロム（以下、ＣｒＯ2）、酸化チタン（以
下、ＴｉＯ2）、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2等を用いることが好
ましい。また、隔壁の厚さは１２０μｍ程度であること
が好ましい。
【０１８２】次いで、隔壁３８の相互間に赤、緑、青色
を交互に塗り分けた蛍光体３７を配置する。この際の配
置方法としては、例えば、蛍光インクを塗布し、これを
乾燥・焼成するものが挙げられる。また、蛍光インクの
塗布方法としては、スクリーン印刷法、メニスカス法等
を用いることが好ましい。メニスカス法とは、極細ノズ
ルからメニスカス（表面張力による架橋）を形成しなが
ら蛍光体インクを吐出する方法である。蛍光体３７の材
料としては、青色がＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ、赤色が
（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、緑色がＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
等を用いることが好ましい。
【０１８３】次いで、誘電体保護層３５と隔壁３８とを
接合する。この際の接合方法としては、前面ガラス基板
３１と背面ガラス基板２９を保護層３５と隔壁３８とを
対向させるように重ね、高熱炉に投入し、約４５０℃の
温度で０．５時間の焼成を行い、その後、冷却工程を施
し、封止部材を冷却固着させることが好ましい。
【０１８４】次いで、誘電体保護層３５と蛍光体３７と
により囲まれた空間に放電ガス（混合ガス）３６を封入
する。この際の封入方法としては、放電空間の内部を高
真空（１０-5Ｐａ台）になるまで真空引きを行い、所定
の圧力（２．７×１０5Ｐａ程度）でＮｅ−Ｘｅ系、Ｈ
ｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系のガスを
封入することが好ましい。このようにしてプラズマディ
スプレイを製作する。
【０１８５】前記実施例４によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極を表示電極として用いている。このた
め、表示電極の透過率を非常に高いものとすることがで
き、且つ、表示電極の抵抗率又は比抵抗を低いものとす
ることができる。従って、高効率化、低コスト化を図る
ことが可能なプラズマディスプレイを製作することがで
きる。
【０１８６】尚、本発明は前記実施例４に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更したプラズマディスプレイの製造方法を実施す
ることも可能である。
【０１８７】（実施例５）本発明の実施例５による太陽
電池の製造方法について図４を参照しつつ説明する。
【０１８８】まず、ガラス又はフィルムなどの基板４０
を準備する。次いで、この基板上に下部電極４１を形成
する。この際の形成方法としては、スパッタリング法、
抵抗加熱式蒸着法、電子ビーム蒸着法等が挙げられる。
下部電極４１の材料としては、Ａｌなどの金属を用いる
ことが好ましい。
【０１８９】次いで、この下部電極４１上にｐ型半導体
層４２を形成し、このｐ型半導体層上にｉ型半導体層４
３を形成し、このｉ型半導体層上にｎ型半導体層４４を
形成する。これらｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半
導体層によって半導体発電層が構成される。ｐ型半導体
層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層それぞれの形成方法と
しては、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。また、これ
らｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層それぞれ
の材料としては、多結晶シリコン、アモルファスシリコ
ン、硫化カドミウム（以下、ＣｄＳ）などを用いること
が好ましい。
【０１９０】次いで、ｎ型半導体層４４上に透明導電膜
を成膜する。この透明導電膜は、酸化インジウムを主成
分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上
５．０重量パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなるものである。
【０１９１】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。
【０１９２】次いで、透明電極４５上に反射防止膜４６
を形成する。この際の形成方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。反射防止膜４６の材料
としては、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、五酸化タンタル（以下、
Ｔａ2Ｏ5）などの積層膜を用いることが好ましい。ま
た、反射防止膜の膜構成は、所望の波長で反射率がゼロ
に近くなるように設計されることが好ましい。このよう
にしてタッチパネルを製造することができる。
【０１９３】前記実施例５によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極４５を有しているため、透明電極４５の
透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明
電極４５の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
な太陽電池を製作することができる。
【０１９４】尚、本発明は前記実施例５に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更した太陽電池の製造方法を実施することも可能
である。
【０１９５】（実施例６）本発明の実施例６による導電
性フィルムの製造方法について図６を参照しつつ説明す
る。
【０１９６】まず、ポリイミドなどの絶縁性のフィルム
５１を準備する。次いで、このフィルム上に透明導電膜
５２を成膜する。この透明導電膜は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分
とし、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する材料か
らなるものである。
【０１９７】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。このようにしてタッチパネルを製造すること
ができる。
【０１９８】前記実施例６によれば、前記材料からなる
透明導電膜５２を有しているため、透明導電膜５２の透
過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明導
電膜５２の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
な導電性フィルムを製作することができる。
【０１９９】尚、本発明は前記実施例６に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更した導電性フィルムの製造方法を実施すること
も可能である。
【０２００】（実施例７）本発明の実施例７による熱線
反射ガラスの製造方法について図７を参照しつつ説明す
る。
【０２０１】まず、ガラス５４を準備し、このガラス上
に透明導電膜５４を成膜する。この透明導電膜は、Ｉｎ
2Ｏ3を主成分とし、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以
上５．０重量パーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有する材料からなるものである。
【０２０２】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。このようにして熱線反射ガラスを製造するこ
とができる。
【０２０３】前記実施例７によれば、前記材料からなる
透明導電膜５４を有しているため、透明導電膜５４の透
過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明導
電膜５４の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
な熱線反射ガラスを製作することができる。
【０２０４】尚、本発明は前記実施例７に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更した熱線反射ガラスの製造方法を実施すること
も可能である。
【０２０５】（実施例８）本発明の実施例８による反射
型液晶表示装置の製造方法について図８（ａ）を参照し
つつ説明する。
【０２０６】まず、透明な表面側基板６１の内面に透明
電極６３を被着する。次いで、その透明電極上に配向膜
６４を形成し、ラビング処理を施す。一方、裏面側基板
６２の内面上にＴａから成る配線層６５を形成し、この
配線層の接続部上を陽極酸化してＴａ2Ｏ5の薄膜を絶縁
層６６として形成する。次いで、この絶縁層６６の上に
Ｃｒから成る金属電極層６７を形成し、絶縁層の上に金
属電極層の接続部が接するようにする。配線層６５の接
続部、絶縁層６６及び金属電極層６７の接続部は、ＭＩ
Ｍ（金属−絶縁体−金属）素子を構成している。金属電
極層６７は画素領域内のほぼ全体を覆うように形成さ
れ、画素電極であると同時に反射層としても機能する。
【０２０７】次いで、金属電極層６７の表面上に配向膜
６８を形成し、所定方向にラビング処理を施す。次い
で、配向膜６４と配向膜６８との間に液晶層６９を注入
する。次いで、液晶層６９に、透明電極６３と金属電極
層６７とによって垂直方向の電界を印加する。
【０２０８】液晶層６９としては、液晶中に高分子前駆
体（モノマー）を相溶させた溶液を用い、その高分子前
駆体を重合させることにより液晶と高分子とを相分離さ
せることによって、液晶中に高分子粒子が分散した高分
子分散型の液晶層を構成する場合がある。この場合、電
界の有無により液晶分子の配向方向を変えることによっ
て液晶層の光学特性を変化させることができる。
【０２０９】ここで、光の進行方向に対する液晶分子の
屈折率と高分子粒子の屈折率とがほぼ同様である場合に
は光透過状態となり、液晶分子の屈折率と高分子粒子の
屈折率とが相違する場合には光散乱状態となる。
【０２１０】透明電極６３は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、
ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
ント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パーセン
ト以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜か
らなるものである。
【０２１１】この透明導電膜の成膜方法としては、スパ
ッタリング法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレ
ーティング法等を用いることが好ましい。ここで、透明
導電膜をスパッタリング法により成膜する場合、次の成
膜条件を用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が
５×１０-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程
度、基板加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５
ｎｍ／ｍｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合
が０％である成膜条件を用いることが好ましい。ただ
し、装置によって好ましい成膜条件が異なるので、ここ
での成膜条件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用す
ることも可能である。
【０２１２】前記実施例８によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極６３を有しているため、透明電極６３の
透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透明
電極６３の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることがで
きる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可能
な液晶表示装置を製作することができる。
【０２１３】尚、本発明は前記実施例８に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更した液晶表示装置の製造方法を実施することも
可能である。
【０２１４】（実施例９）本発明の実施例９による透過
型液晶表示装置の製造方法について図８（ｂ）を参照し
つつ説明する。
【０２１５】まず、透明な表面側基板６１の内面に透明
電極６３を被着する。次いで、その透明電極上に配向膜
６４を形成し、ラビング処理を施す。一方、裏面側基板
６２の内面上にＴａから成る配線層６５を形成し、この
配線層の接続部上を陽極酸化してＴａ2O5の薄膜を絶縁
層６６として形成する。次いで、この絶縁層６６の上に
透明電極７７を形成し、絶縁層の上に透明電極の接続部
が接するようにする。透明電極７７は画素領域内のほぼ
全体を覆うように形成され、画素電極であると同時に反
射層としても機能する。
【０２１６】次いで、透明電極７７の表面上に配向膜６
８を形成し、所定方向にラビング処理を施す。次いで、
配向膜６４と配向膜６８との間に液晶層６９を注入す
る。次いで、液晶層６９に、透明電極６３と透明電極７
７とによって垂直方向の電界を印加する。
【０２１７】液晶層６９としては、液晶中に高分子前駆
体（モノマー）を相溶させた溶液を用い、その高分子前
駆体を重合させることにより液晶と高分子とを相分離さ
せることによって、液晶中に高分子粒子が分散した高分
子分散型の液晶層を構成する場合がある。この場合、電
界の有無により液晶分子の配向方向を変えることによっ
て液晶層の光学特性を変化させることができる。
【０２１８】ここで、光の進行方向に対する液晶分子の
屈折率と高分子粒子の屈折率とがほぼ同様である場合に
は光透過状態となり、液晶分子の屈折率と高分子粒子の
屈折率とが相違する場合には光散乱状態となる。
【０２１９】透明電極６３、７７は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分
とし、ＧｅＯ2を０．１重量パーセント以上５．０重量
パーセント以下含有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パ
ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導
電膜からなるものである。
【０２２０】この透明導電膜の成膜方法としては、スパ
ッタリング法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレ
ーティング法等を用いることが好ましい。ここで、透明
導電膜をスパッタリング法により成膜する場合、次の成
膜条件を用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が
５×１０-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程
度、基板加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５
ｎｍ／ｍｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合
が０％である成膜条件を用いることが好ましい。ただ
し、装置によって好ましい成膜条件が異なるので、ここ
での成膜条件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用す
ることも可能である。
【０２２１】前記実施例９によれば、前記透明導電膜か
らなる透明電極６３、７７を有しているため、透明電極
６３、７７の透過率を非常に高いものとすることがで
き、且つ、透明電極６３、７７の抵抗率又は比抵抗を低
いものとすることができる。従って、高効率化、低コス
ト化を図ることが可能な液晶表示装置を製作することが
できる。
【０２２２】尚、本発明は前記実施例９に限定されるも
のではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において
適宜変更した液晶表示装置の製造方法を実施することも
可能である。
【０２２３】（実施例１０）本発明の実施例１０による
無機ＥＬ素子の製造方法について図９を参照しつつ説明
する。
【０２２４】まず、ガラス基板７１を準備する。次い
で、このガラス基板７１上に透明導電膜を成膜する。こ
の透明導電膜は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、ＧｅＯ2を
０．１重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含
有し、更に、ＳｉＯ2を０．１重量パーセント以上５．
０重量パーセント以下含有する材料からなるものであ
る。
【０２２５】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。
【０２２６】次いで、フォトリソグラフィ技術、エッチ
ング技術、マスクなどを用いて、この透明導電膜をパタ
ーニングする。又はリフトオフでの成膜をする。これに
より、前面ガラス基板７１の上には透明電極７２が形成
される。透明電極の膜厚は、材料や透過率、抵抗率によ
って異なるが、５〜１００ｎｍ程度が好ましい。なお、
透明電極を形成する際の透明導電膜の加工方法は、前記
フォトリソグラフィ技術などに限られるものではなく、
他の加工方法を用いることも可能である。
【０２２７】次いで、透明電極７２及びガラス基板７１
の上に第１絶縁層７３を形成する。この際の形成方法と
しては、スパッタリング法、化学蒸着法、イオンプレー
ティング法等が挙げられる。また、第１絶縁層の材料と
しては、Ｔａ2Ｏ5等を用いることが好ましい。
【０２２８】次いで、第１絶縁層７３の上に発光層７４
を形成する。この際の形成方法としては、蒸着法、スク
リーン印刷法、スパッタ法等が挙げられる。発光層の材
料としては、硫化亜鉛（以下、ＺｎＳ）、ＣｄＳ、セレ
ン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等を用いることが好ましい。ま
た、発光層の厚みは２〜５００ｎｍ程度が好ましい。
【０２２９】次いで、発光層７４及び第１絶縁層７３の
上に第２絶縁層７５を形成する。この際の形成方法とし
ては、スパッタリング法、化学蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等が挙げられる。また、第２絶縁層の材料とし
ては、Ｔａ2Ｏ5等を用いることが好ましい。
【０２３０】次いで、第２絶縁層７５上に背面電極７６
を形成する。この際の形成方法としては、スパッタリン
グ法、抵抗加熱式蒸着法、電子ビーム蒸着法等が挙げら
れる。背面電極の材料としては、Ａｌなどの低抵抗の金
属を用いることが好ましいが、電流が流れる材料であれ
ば他の材料を用いることも可能である。このようにして
無機ＥＬ素子を製造することができる。
【０２３１】前記実施例１０によれば、前記透明導電膜
からなる透明電極７２を有しているため、透明電極７２
の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透
明電極７２の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることが
できる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可
能な無機ＥＬ素子を製作することができる。
【０２３２】尚、本発明は前記実施例１０に限定される
ものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内におい
て適宜変更した無機ＥＬ素子の製造方法を実施すること
も可能である。
【０２３３】（実施例１１）本発明の実施例１１による
有機ＥＬ素子の製造方法について図１０を参照しつつ説
明する。
【０２３４】まず、ガラス基板８１を準備する。次い
で、このガラス基板８１上に透明導電膜を成膜する。こ
の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
ント以上５．０重量パーセント以下含有する材料からな
るものである。
【０２３５】この際の成膜方法としては、スパッタリン
グ法、化学蒸着法、ゾル−ゲル法、イオンプレーティン
グ法等を用いることが好ましい。ここで、透明導電膜を
スパッタリング法により成膜する場合、次の成膜条件を
用いることが好ましい。成膜前の到達真空度が５×１０
-4Ｐａ程度、成膜時の成膜圧力が０．５Ｐａ程度、基板
加熱温度が２５０℃程度、スパッタレートが５ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度、不活性ガスに対する酸素ガスの割合が０％で
ある成膜条件を用いることが好ましい。ただし、装置に
よって好ましい成膜条件が異なるので、ここでの成膜条
件は一例であり、他の成膜条件を適宜採用することも可
能である。
【０２３６】次いで、フォトリソグラフィ技術、エッチ
ング技術、マスクなどを用いて、この透明導電膜をパタ
ーニングする。又はリフトオフでの成膜をする。これに
より、前面ガラス基板８１の上には陽極としての透明電
極８２が形成される。透明電極の膜厚は、材料や透過
率、抵抗率によって異なるが、５〜１００ｎｍ程度が好
ましい。なお、透明電極を形成する際の透明導電膜の加
工方法は、前記フォトリソグラフィ技術などに限られる
ものではなく、他の加工方法を用いることも可能であ
る。
【０２３７】次いで、透明電極８２の上に発光層８３を
形成する。この際の形成方法としては、蒸着法、スクリ
ーン印刷法、インクジェット印刷法等が挙げられる。発
光層の材料としては、優れた電子輸送性を持つ緑色発光
材料であるアルミニウム−キノリノール錯体（Ａｌ
ｑ）、優れた電子輸送性を持つ緑色発光材料であるベリ
リウム−ベンゾキシノール錯体（Ｂｅｂｑ）、高輝度青
色発光材料であるジスチリルアリーレン誘導体（ＢＰＶ
Ｂｉ）等を用いることが好ましい。また、発光層の厚み
は２〜５００ｎｍ程度が好ましい。
【０２３８】次いで、発光層８３の上に陰極８４を形成
する。この際の形成方法としては、スパッタリング法、
抵抗加熱式蒸着法、電子ビーム蒸着法等が挙げられる。
また、陰極の材料としては、低仕事関数の物質が好まし
く、例えば、カリウム（以下、Ｋ）、リチウム（以下、
Ｌｉ）、ナトリウム（以下、Ｎａ）、ランタン（以下、
Ｌａ）、セレン（以下、Ｃｅ）、カルシウム（以下、Ｃ
ａ）、ストロンチウム（以下Ｓｒ）、バリウム（以下、
Ｂａ）、Ａｌ、Ａｇ、インジウム（以下、Ｉｎ）、錫
（以下、Ｓｎ）、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属体、銀−マグネシ
ウム（Ａｇ−Ｍｇ）（Ａｇ：０．１〜５０ａｔ％）、ア
ルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）（Ｌｉ：０．０１
〜１４ａｔ％）、インジウム−マグネシウム（Ｉｎ−Ｍ
ｇ）（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、アルミニウム−カル
シウム（Ａｌ−Ｃａ）（Ｃａ：０．０１〜２０ａｔ％）
等、低抵抗の半導体（ＺｎＯ、ＩＴＯ、窒化ガリウム
（ＧａＮ））等を用いることが好ましい。また、陰極の
厚みは１〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。
【０２３９】次いで、陰極８４と透明導電膜８２を直流
電源を介して電気的に接続する。このようにして有機Ｅ
Ｌ素子を製造することができる。
【０２４０】前記実施例１１によれば、前記透明導電膜
からなる透明電極８２を有しているため、透明電極８２
の透過率を非常に高いものとすることができ、且つ、透
明電極８２の抵抗率又は比抵抗を低いものとすることが
できる。従って、高効率化、低コスト化を図ることが可
能な有機ＥＬ素子を製作することができる。
【０２４１】尚、本発明は前記実施例１１に限定される
ものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内におい
て適宜変更した有機ＥＬ素子の製造方法を実施すること
も可能である。
【０２４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
膜形成用材料を用いて透明導電膜を作製すると、その透
明導電膜の比抵抗を従来のそれよりも低くすることがで
き、その透明導電膜の光の透過率を従来のそれよりも高
くすることができる。したがって、この透明導電膜を液
晶ディスプレイ等の製品に適用すると、高効率で低コス
トの透明導電膜を備えた製品を提供することができる。
【０２４３】また、本発明によれば、高効率化、低コス
ト化を図ることが可能なタッチパネルとその製造方法、
プラズマディスプレイとその製造方法、太陽電池とその
製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反射ガ
ラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無
機ＥＬ素子とその製造方法、有機ＥＬ素子とその製造方
法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による透明導電膜の成膜に
使用できる横型フォロカソード型イオンプレーティング
装置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態によるタッチパネルを概略
的に示す構成断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施の形態によるプラズマ
ディスプレイを概略的に示す構成断面図であり、（ｂ）
は、（ａ）に示す前面ガラス基板、透明電極及びバス電
極を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態による太陽電池を概略的に
示す構成断面図である。
【図５】本実施の形態による太陽電池の他の例を示す断
面図である。
【図６】本発明の実施の形態による導電性フィルムを概
略的に示す構成断面図である。
【図７】本発明の実施の形態による熱線反射ガラスを概
略的に示す構成断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の実施の形態による反射型液
晶表示装置を概略的に示す構成断面図であり、（ｂ）
は、本発明の実施の形態による透過型液晶表示装置を概
略的に示す構成断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態による無機ＥＬ
素子を概略的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に
示す無機ＥＬ素子の構成断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態による有機ＥＬ素子を概
略的に示す構成断面図である。
【符号の説明】
１…フォロカソード型イオンプレーティング装置、２…
真空チャンバー、２ａ…排気口、２ｂ…反応ガス供給
口、３…陽極（ハース）、４…基板ホルダー、５…プラ
ズマガン、６…陰極、７…中間電極、８…補助コイル、
９…永久磁石、１１…蒸発源、１２…基材、１５…プラ
ズマビーム、２１…基板、２２…Ｘ座標検出用抵抗膜、
２３…スペーサー、２４…Ｙ座標検出用抵抗膜、２５…
前面フィルム、２９…背面ガラス基板、３０…アドレス
電極、３１…前面ガラス基板、３２…表示電極（透明電
極）、３３…バス電極、３４…前面誘電体層、３５…誘
電体保護層、３６…放電ガス（混合ガス）、３７…蛍光
体、３８…隔壁、３９…背面誘電体層、４０…基板、４
１…下部電極、４２…ｐ型半導体層、４３…ｉ型半導体
層、４４…ｎ型半導体層、４５…透明電極、４６…反射
防止膜、４７…負荷、５１…フィルム、５２…透明導電
膜、５３…ガラス、５４…透明導電膜、６１…表面側基
板、６２…裏面側基板、６３…透明電極、６４…配向
膜、６５…配線層、６６…絶縁層、６７…金属電極層、
６８…配向膜、６９…液晶層、７１…ガラス基板、７２
…透明電極、７３…第１絶縁膜、７４…発光層、７５…
第２絶縁膜、７６…背面電極、７７…透明電極、８１…
ガラス基板、８２…透明電極（陽極）、８３…発光層、
８４…陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３７ Ｈ０１Ｈ 1/02 Ｚ ５Ｆ０５１ Ｈ０１Ｈ 1/02 11/00 Ｇ ５Ｇ０２３ 11/00 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ ５Ｇ０５０ Ｈ０１Ｌ 31/04 33/28 ５Ｇ３０７ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ 33/28 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 CB01 EB00 EC00 FA01 4G030 AA34 AA37 AA38 BA02 BA15 BA16 GA14 GA22 GA25 GA27 4G059 AA01 AA08 AC06 AC12 EA01 EA03 EA05 EB04 4K029 BA45 BC07 BC09 BD00 CA03 CA05 DB05 DB08 DC05 DC09 5C094 AA44 BA27 BA31 BA43 EA05 5F051 AA05 FA02 FA06 GA03 HA01 5G023 AA01 CA19 5G050 AA16 AA19 AA43 BA12 CA05 CA13 CA16 DA10 EA09 5G307 FA01 FA02 FB01 FC09 (54)【発明の名称】 透明導電膜形成用材料とその製造方法、透明導電膜、タッチパネルとその製造方法、プラズマデ ィスプレイとその製造方法、太陽電池とその製造方法、導電性フィルムとその製造方法、熱線反 射ガラスとその製造方法、液晶表示装置とその製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子と その製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲル
    マニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
    ント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセン
    ト以上５．０重量パーセント以下含有することを特徴と
    する透明導電膜形成用材料。
  2. 【請求項２】 原料粉末を粉砕して粉末を得る工程と、 前記粉末をプレス成形により成形体を形成する工程と、 前記成形体を焼結して焼結体を得る工程と、 前記焼結体を切削加工する工程と、を具備し、 前記原料粉末は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有するものである
    ことを特徴とする透明導電膜形成用材料の製造方法。
  3. 【請求項３】 原料粉末を粉砕して粉末を得る工程と、 前記粉末を水、バインダー及び分散材と共に混合してス
    ラリー化し、鋳込み成形用の型の中へ注入して成形体を
    形成する工程と、 前記成形体を焼結して焼結体を得る工程と、 前記焼結体を切削加工する工程と、を具備し、 前記原料粉末は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有することを特徴
    とする透明導電膜形成用材料の製造方法。
  4. 【請求項４】 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲル
    マニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
    ント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセン
    ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
    透明導電膜であって、 前記材料からスパッタリングターゲットを作製し、この
    スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法に
    より薄膜を形成して得られることを特徴とする透明導電
    膜。
  5. 【請求項５】 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲル
    マニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
    ント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセン
    ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
    透明導電膜であって、 前記材料からターゲット若しくはペレットを作製し、前
    記ターゲット若しくはペレットを用いて蒸着法により薄
    膜を形成して得られることを特徴とする透明導電膜。
  6. 【請求項６】 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲル
    マニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パーセ
    ント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセン
    ト以上５．０重量パーセント以下含有する材料からなる
    透明導電膜であって、 前記材料からターゲット若しくはペレットを作製し、前
    記ターゲット若しくはペレットを用いてイオンプレーテ
    ィング法により薄膜を形成して得られることを特徴とす
    る透明導電膜。
  7. 【請求項７】 比抵抗が９．９×１０-5Ω・ｃｍ以下で
    あることを特徴とする請求項４〜６のうちいずれか１項
    記載の透明導電膜。
  8. 【請求項８】 可視光の透過率が８５パーセント以上で
    あることを特徴とする請求項４〜６のうちいずれか１項
    記載の透明導電膜。
  9. 【請求項９】 座標を検出するための座標検出用抵抗膜
    として透明電極を用いたタッチパネルにおいて、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とするタッチパネル。
  10. 【請求項１０】 基板上に配置された、座標を検出する
    ための座標検出用抵抗膜としての第１透明電極と、 第１透明電極上にスペーサーを介して配置された、座標
    を検出するための座標検出用抵抗膜としての第２透明電
    極と、 第２透明電極上に配置されたフィルムと、 を具備するタッチパネルであって、 前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれは、酸化イ
    ンジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量
    パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
    に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
    するタッチパネル。
  11. 【請求項１１】 座標を検出するための座標検出用抵抗
    膜として透明電極を用いたタッチパネルを製造する方法
    において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とするタッチパネルの製
    造方法。
  12. 【請求項１２】 基板を準備し、この基板上に、座標を
    検出するための座標検出用抵抗膜としての第１透明電極
    を形成する工程と、 第１透明電極上にスペーサーを形成する工程と、 フィルムを準備し、このフィルム上に、座標を検出する
    ための座標検出用抵抗膜としての第２透明電極を形成す
    る工程と、 前記スペーサーと第２透明電極を貼り合わせる工程と、 を具備するタッチパネルの製造方法であって、 前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれは、酸化イ
    ンジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量
    パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
    に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
    するタッチパネルの製造方法。
  13. 【請求項１３】 基板を準備し、この基板上に、座標を
    検出するための座標検出用抵抗膜としての第１透明電極
    を形成する工程と、 フィルムを準備し、このフィルム上に、座標を検出する
    ための座標検出用抵抗膜としての第２透明電極を形成す
    る工程と、 第２透明電極上にスペーサーを形成する工程と、 このスペーサーと第１透明電極を貼り合わせる工程と、 を具備するタッチパネルの製造方法であって、 前記第１透明電極及び第２透明電極それぞれは、酸化イ
    ンジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．１重量
    パーセント以上５．０重量パーセント以下含有し、更
    に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有する透明導電膜からなることを特徴と
    するタッチパネルの製造方法。
  14. 【請求項１４】 透明電極を備えたプラズマディスプレ
    イにおいて、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とするプラズマディスプレイ。
  15. 【請求項１５】 背面基板上に配置されたアドレス電極
    と、 このアドレス電極及び背面基板の上に配置された背面誘
    電体層と、 背面誘電体層上に配置された隔壁と、 隔壁の相互間に配置された蛍光体と、 前記隔壁上に配置され、該隔壁の上面に接合された誘電
    体保護層と、 この誘電体保護層と前記蛍光体とにより囲まれた空間に
    封入された放電ガスと、 誘電体保護層上に配置された前面誘電体層と、 前面誘電体層上に配置されたバス電極と、 このバス電極上に配置された透明電極と、 この透明電極上に配置された前面基板と、 を具備するプラズマディスプレイであって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とするプラズマディスプレイ。
  16. 【請求項１６】 透明電極を備えたプラズマディスプレ
    イを製造する方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とするプラズマディスプ
    レイの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前面基板を準備し、この前面基板上に
    透明電極を形成する工程と、 この透明電極上にバス電極を形成する工程と、 このバス電極及び透明電極を覆うように前面誘電体層を
    形成する工程と、 前面誘電体層上に誘電体層を保護する誘電体保護層を形
    成する工程と、 背面基板を準備し、この背面基板上にアドレス電極を形
    成する工程と、 このアドレス電極及び背面基板の上に背面誘電体層を形
    成する工程と、 背面誘電体層上に隔壁を形成する工程と、 隔壁の相互間に蛍光体を配置する工程と、 前記誘電体保護層と前記隔壁とを接合し、この誘電体保
    護層と前記蛍光体とにより囲まれた空間に放電ガスを封
    入する工程と、 を具備するプラズマディスプレイの製造方法であって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とするプラズマディスプレイの製造
    方法。
  18. 【請求項１８】 透明電極を備えた太陽電池において、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする太陽電池。
  19. 【請求項１９】 基板上に配置された下部電極と、 この下部電極上に配置された半導体発電層と、 この半導体発電層上に配置された透明電極と、 この透明電極上に配置された反射防止膜と、 を具備する太陽電池であって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする太陽電池。
  20. 【請求項２０】 透明電極を備えた太陽電池を製造する
    方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 基板上に下部電極を形成する工程と、 この下部電極上に半導体発電層を形成する工程と、 この半導体発電層上に透明電極を形成する工程と、 この透明電極上に反射防止膜を形成する工程と、 を具備する太陽電池の製造方法であって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする太陽電池の製造方法。
  22. 【請求項２２】 導電性の膜として透明導電膜を用いた
    導電性フィルムにおいて、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする導電性フィルム。
  23. 【請求項２３】 フィルムと、 このフィルム上に配置された透明導電膜と、 を具備する導電性フィルムであって、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする導電性フィルム。
  24. 【請求項２４】 導電性の膜として透明導電膜を用いた
    導電性フィルムを製造する方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明導電膜を
    形成する工程を有することを特徴とする導電性フィルム
    の製造方法。
  25. 【請求項２５】 フィルム上に透明導電膜を形成する工
    程を有する導電性フィルムの製造方法であって、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする導電性フィルムの製造方法。
  26. 【請求項２６】 熱線を反射する膜として透明導電膜を
    用いた熱線反射ガラスにおいて、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする熱線反射ガラス。
  27. 【請求項２７】 ガラスと、 このガラス上に配置された、熱線を反射する膜としての
    透明導電膜と、 を具備する熱線反射ガラスであって、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする熱線反射ガラス。
  28. 【請求項２８】 熱線を反射する膜として透明導電膜を
    用いた熱線反射ガラスを製造する方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明導電膜を
    形成する工程を有することを特徴とする熱線反射ガラス
    の製造方法。
  29. 【請求項２９】 ガラス上に透明導電膜を形成する工程
    を有する熱線反射ガラスの製造方法であって、 前記透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、酸化
    ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パ
    ーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パー
    セント以上５．０重量パーセント以下含有する材料から
    なることを特徴とする熱線反射ガラスの製造方法。
  30. 【請求項３０】 透明電極を備えた液晶表示装置におい
    て、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 透光性を有する表面側基板と、この表
    面側基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置
    し、この液晶層の表面側基板に透明電極を形成し、前記
    液晶層の裏面側基板に反射層を形成して、前記液晶層に
    電界を印加することにより画素領域毎に液晶層の光学特
    性を変更し、前記表面側基板から視認可能な所望の表示
    を行うように構成された液晶表示装置において、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】 透光性を有する表面側基板と、この表
    面側基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置
    し、この液晶層の表面側基板に第１透明電極を形成し、
    前記液晶層の裏面側基板に第２透明電極を形成して、前
    記液晶層に電界を印加することにより画素領域毎に液晶
    層の光学特性を変更し、前記表面側基板から視認可能な
    所望の表示を行うように構成された液晶表示装置におい
    て、 前記第１透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸
    化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量
    パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パ
    ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導
    電膜からなり、 前記第２透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸
    化ゲルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量
    パーセント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パ
    ーセント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導
    電膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】 透明電極を備えた液晶表示装置を製造
    する方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製
    造方法。
  34. 【請求項３４】 透光性を有する表面側基板と、この表
    面側基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置
    し、この液晶層の表面側基板に透明電極を形成し、前記
    液晶層の裏面側基板に反射層を形成して、前記液晶層に
    電界を印加することにより画素領域毎に液晶層の光学特
    性を変更し、前記表面側基板から視認可能な所望の表示
    を行うように構成された液晶表示装置の製造方法におい
    て、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製
    造方法。
  35. 【請求項３５】 透光性を有する表面側基板と、この表
    面側基板に対向する裏面側基板との間に液晶層を配置
    し、この液晶層の表面側基板に第１透明電極を形成し、
    前記液晶層の裏面側基板に第２透明電極を形成して、前
    記液晶層に電界を印加することにより画素領域毎に液晶
    層の光学特性を変更し、前記表面側基板から視認可能な
    所望の表示を行うように構成された液晶表示装置の製造
    方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる第１透明電極
    を形成する工程と、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる第２透明電極
    を形成する工程と、 を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  36. 【請求項３６】 透明電極を備えた無機エレクトロルミ
    ネッセンス素子において、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする無機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  37. 【請求項３７】 基板上に配置された透明電極と、 この透明電極及び基板の上に配置された第１絶縁層と、 第１絶縁層上に配置された発光層と、 この発光層及び第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層
    と、 第２絶縁層上に配置された背面電極と、 を具備する無機エレクトロルミネッセンス素子であっ
    て、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする無機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  38. 【請求項３８】 透明電極を備えた無機エレクトロルミ
    ネッセンス素子の製造方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とする無機エレクトロル
    ミネッセンス素子の製造方法。
  39. 【請求項３９】 基板上に透明電極を形成する工程と、 この透明電極及び基板の上に第１絶縁層を形成する工程
    と、 第１絶縁層上に発光層を形成する工程と、 この発光層及び第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成する
    工程と、 第２絶縁層上に背面電極を形成する工程と、 を具備する無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
    法であって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする無機エレクトロルミネッセン
    ス素子の製造方法。
  40. 【請求項４０】 陽極として透明電極を用いた有機エレ
    クトロルミネッセンス素子において、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  41. 【請求項４１】 基板上に配置された陽極としての透明
    電極と、 この透明電極上に配置された発光層と、 この発光層上に配置され、前記透明電極と電気的に接続
    された陰極と、 を具備する有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
    て、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  42. 【請求項４２】 陽極として透明電極を用いた有機エレ
    クトロルミネッセンス素子の製造方法において、 酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを０．
    １重量パーセント以上５．０重量パーセント以下含有
    し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセント以上５．０
    重量パーセント以下含有する材料からなる透明電極を形
    成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロル
    ミネッセンス素子の製造方法。
  43. 【請求項４３】 基板上に陽極としての透明電極を形成
    する工程と、 この透明電極上に発光層を形成する工程と、 この発光層上に陰極を形成する工程と、 この陰極と透明電極を電気的に接続する工程と、 を具備する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
    法であって、 前記透明電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲ
    ルマニウムを０．１重量パーセント以上５．０重量パー
    セント以下含有し、更に、酸化珪素を０．１重量パーセ
    ント以上５．０重量パーセント以下含有する透明導電膜
    からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
    ス素子の製造方法。
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