JPH11346035A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH11346035A JPH11346035A JP11136251A JP13625199A JPH11346035A JP H11346035 A JPH11346035 A JP H11346035A JP 11136251 A JP11136251 A JP 11136251A JP 13625199 A JP13625199 A JP 13625199A JP H11346035 A JPH11346035 A JP H11346035A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域
における発光素子を得ること。 【解決手段】サファイア基板１の上に、AlN 層２、Siド
ープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）、GaN 層４（活性層）、Mg
ドープGaAlN 層５（ｐ層）を形成する。ドープGaAlN 層
５（ｐ層）上にSiO2層７を堆積した後、縦１mm、横50μ
ｍの短冊状に窓７Ａを開け、ドープGaAlN 層５（ｐ層）
の窓８の部分と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、
それぞれ、金属電極が形成する。
における発光素子を得ること。 【解決手段】サファイア基板１の上に、AlN 層２、Siド
ープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）、GaN 層４（活性層）、Mg
ドープGaAlN 層５（ｐ層）を形成する。ドープGaAlN 層
５（ｐ層）上にSiO2層７を堆積した後、縦１mm、横50μ
ｍの短冊状に窓７Ａを開け、ドープGaAlN 層５（ｐ層）
の窓８の部分と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、
それぞれ、金属電極が形成する。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、可視単波長、特
に、青色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光
可能な発光素子、例えばレーザダイオードの製造方法に
関する。
に、青色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光
可能な発光素子、例えばレーザダイオードの製造方法に
関する。
【０００１】本発明の発光素子、例えば、半導体レーザ
ダイオードは、本発明者らにより初めて明らかにされた
電子線照射処理による（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0
≦y≦1)層のｐ型化技術を基盤として、新たに開発さた
技術を加えて、初めて、（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,
0≦y≦1)半導体レーザダイオードの製作が可能となった
ものである。
ダイオードは、本発明者らにより初めて明らかにされた
電子線照射処理による（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0
≦y≦1)層のｐ型化技術を基盤として、新たに開発さた
技術を加えて、初めて、（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,
0≦y≦1)半導体レーザダイオードの製作が可能となった
ものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、実用化されている最短波長の電流
注入型半導体レーザダイオードは、リン化インジウムガ
リウムアルミニウム（InGaAlP)系結晶により作製されて
いる。その発振波長は可視長波長領域、即ち、赤色領域
である0.6 〜0.7 μｍ帯に属する。
注入型半導体レーザダイオードは、リン化インジウムガ
リウムアルミニウム（InGaAlP)系結晶により作製されて
いる。その発振波長は可視長波長領域、即ち、赤色領域
である0.6 〜0.7 μｍ帯に属する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、更に、
短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域での発光
が可能な半導体レーザを実現するのは、この材料では物
性上困難である。より広い禁制帯幅を持つ半導体材料を
用いる必要がある。(AlxGa1-x)yIn1-yN はその候補の一
つである。
短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域での発光
が可能な半導体レーザを実現するのは、この材料では物
性上困難である。より広い禁制帯幅を持つ半導体材料を
用いる必要がある。(AlxGa1-x)yIn1-yN はその候補の一
つである。
【０００４】(AlxGa1-x)yIn1-yN 、特に、GaN は室温(3
00K)で光励起により誘導放出することが確認されている
(H. Amano 等;Japanese Journal of Applied Physics
第29巻1990年 L205-L206頁）。このことから、上記半導
体でレーザダイオードが構成できる可能性がある。
00K)で光励起により誘導放出することが確認されている
(H. Amano 等;Japanese Journal of Applied Physics
第29巻1990年 L205-L206頁）。このことから、上記半導
体でレーザダイオードが構成できる可能性がある。
【０００５】しかしながら、上記系統の化合物半導体は
ｐ型単結晶薄膜の作製が困難であるため、現在に到るま
で(AlxGa1-x)yIn1-yN を用いた電流注入による半導体レ
ーザダイオードは実現していない。
ｐ型単結晶薄膜の作製が困難であるため、現在に到るま
で(AlxGa1-x)yIn1-yN を用いた電流注入による半導体レ
ーザダイオードは実現していない。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、短波長で
ある青色、紫色領域或いは紫外光領域における発光、例
えば、レーザを出力する素子の製造方法を提供すること
である。
されたものであり、その目的とするところは、短波長で
ある青色、紫色領域或いは紫外光領域における発光、例
えば、レーザを出力する素子の製造方法を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ドナー不純物
を添加してｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導
体（(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成
るｎ層を結晶成長させ、窒化ガリウム系化合物半導体
（(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る
活性層を結晶成長させ、アクセプタ不純物を添加してｐ
型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx33a
1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1)から成るｐ層を結
晶成長させることから成る窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法である。
を添加してｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導
体（(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成
るｎ層を結晶成長させ、窒化ガリウム系化合物半導体
（(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る
活性層を結晶成長させ、アクセプタ不純物を添加してｐ
型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx33a
1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1)から成るｐ層を結
晶成長させることから成る窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法である。
【０００８】又、他の発明は、発光素子は、レーザダイ
オードであることを特徴とする。又、他の発明は、ｐ層
の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に短冊状の窓を形成
し、この窓を介して前記ｐ層に対する金属電極を形成す
ることを特徴とする。又、他の発明は、ｎ層の上に形成
されている層をエッチングして、ｎ層を露出させ、その
露出面にｎ層に対する電極を形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層上の電極形成部にマスクを形
成し、その上の層を選択成長させた後、マスクを除去す
ることでｎ層の電極形成部を露出し、この露出面にｎ層
に対する電極を形成することを特徴とする。又、他の発
明は、活性層はｎ型導電性に形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層、活性層、ｐ層は、サファイ
ア基板上に形成することを特徴とする。又、他の発明
は、ｎ層、活性層、ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又
は、ＧａＮから成る基板上に形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層、活性層、ｐ層は、Ｓｉ、６
Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成し、ｎ
層に対する電極は基板の裏面に形成することを特徴とす
る。さらに、他の発明は、ｎ層は成長初期に高濃度でド
ナー不純物をドーピングして、接合付近ではドーピング
しないか又は低濃度にドーピングすることを特徴とす
る。
オードであることを特徴とする。又、他の発明は、ｐ層
の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に短冊状の窓を形成
し、この窓を介して前記ｐ層に対する金属電極を形成す
ることを特徴とする。又、他の発明は、ｎ層の上に形成
されている層をエッチングして、ｎ層を露出させ、その
露出面にｎ層に対する電極を形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層上の電極形成部にマスクを形
成し、その上の層を選択成長させた後、マスクを除去す
ることでｎ層の電極形成部を露出し、この露出面にｎ層
に対する電極を形成することを特徴とする。又、他の発
明は、活性層はｎ型導電性に形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層、活性層、ｐ層は、サファイ
ア基板上に形成することを特徴とする。又、他の発明
は、ｎ層、活性層、ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又
は、ＧａＮから成る基板上に形成することを特徴とす
る。又、他の発明は、ｎ層、活性層、ｐ層は、Ｓｉ、６
Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成し、ｎ
層に対する電極は基板の裏面に形成することを特徴とす
る。さらに、他の発明は、ｎ層は成長初期に高濃度でド
ナー不純物をドーピングして、接合付近ではドーピング
しないか又は低濃度にドーピングすることを特徴とす
る。
【０００９】以下、次のような構成とするとも可能であ
る。ｎ層及びｐ層を、禁制帯幅が同一な窒化ガリウム系
化合物半導体で構成しても良い。ｐｎ接合を、禁制帯幅
の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体から成る層
と、禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導
体から成る層との接合により構成しても良い。
る。ｎ層及びｐ層を、禁制帯幅が同一な窒化ガリウム系
化合物半導体で構成しても良い。ｐｎ接合を、禁制帯幅
の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体から成る層
と、禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導
体から成る層との接合により構成しても良い。
【００１０】又、禁制帯幅の比較的小さい層（活性層）
を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、そ
の層に対して禁制帯幅の比較的大きい層で挟んだ構造を
有することを特徴とする。
を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、そ
の層に対して禁制帯幅の比較的大きい層で挟んだ構造を
有することを特徴とする。
【００１１】又、禁制帯幅の異なる層を２つ以上積層し
た構造でも良い。
た構造でも良い。
【００１２】又、アクセプタ不純物をドープした窒化ガ
リウム系化合物半導体から成る層に電子線を照射してｐ
型化させた層を有しても良い。
リウム系化合物半導体から成る層に電子線を照射してｐ
型化させた層を有しても良い。
【００１３】又、ｐ型化された窒化ガリウム系化合物半
導体から成る層とその層に対する電極用金属との接触部
分の形状を短冊状としても良い。
導体から成る層とその層に対する電極用金属との接触部
分の形状を短冊状としても良い。
【００１４】基板には、サファイア、Si、6H-SiC又はGa
N を用いることができる。
N を用いることができる。
【００１５】
【作用及び効果】（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦
1)半導体において、本発明者等により、初めてｐ型電導
性を示す層の製作が可能となった。これにより、上記の
窒化ガリウム系化合物半導体で構成されたキャリア注入
型の発光素子、例えば、レーザダイオードの製作及びそ
の発振が可能となった。
1)半導体において、本発明者等により、初めてｐ型電導
性を示す層の製作が可能となった。これにより、上記の
窒化ガリウム系化合物半導体で構成されたキャリア注入
型の発光素子、例えば、レーザダイオードの製作及びそ
の発振が可能となった。
【００１６】本発明のように電子線照射処理による(Alx
Ga1-x)yIn1-yN のｐ型化効果と、構造を工夫することに
より、青色から紫色及び紫外光領域の発振波長を持つ、
発光素子、例えば、半導体レーザダイオードが実現され
た。
Ga1-x)yIn1-yN のｐ型化効果と、構造を工夫することに
より、青色から紫色及び紫外光領域の発振波長を持つ、
発光素子、例えば、半導体レーザダイオードが実現され
た。
【００１７】
【発明の概要】上記発明において、窒化アルミニウムガ
リウムインジウム(AlxGa1-x)yIn1-yN単結晶作製用基板
には、サファイア, 珪素(Si),6H 炭化珪素(6H-SiC)ない
し窒化ガリウム(GaN) を用いることができる。
リウムインジウム(AlxGa1-x)yIn1-yN単結晶作製用基板
には、サファイア, 珪素(Si),6H 炭化珪素(6H-SiC)ない
し窒化ガリウム(GaN) を用いることができる。
【００１８】サファイアを基板とする場合には少なくと
も低温（例えば約600 ℃) で堆積したAlN 薄膜を含む層
を緩衝層とするのが望ましい。
も低温（例えば約600 ℃) で堆積したAlN 薄膜を含む層
を緩衝層とするのが望ましい。
【００１９】Siを基板とする場合には少なくとも3C-SiC
薄膜一層か或いは3C-SiC薄膜及びAlN 薄膜の二層を含む
層を緩衝層とするのが望ましい。
薄膜一層か或いは3C-SiC薄膜及びAlN 薄膜の二層を含む
層を緩衝層とするのが望ましい。
【００２０】6H-SiCを基板とする場合には直接ないしGa
N を緩衝層とするのが望ましい。GaN を基板とする場合
には直接単結晶作製が行なわれる。Si,6H-SiC 及びGaN
を基板とする場合にはｎ型単結晶が用いられる。
N を緩衝層とするのが望ましい。GaN を基板とする場合
には直接単結晶作製が行なわれる。Si,6H-SiC 及びGaN
を基板とする場合にはｎ型単結晶が用いられる。
【００２１】まず、同一組成同士の結晶によるｐｎ接合
構造を作製する場合につき述べる。サファイアを基板と
する場合、(AlxGa1-x)yIn1-yN を成長させる直前に、基
板温度を所望の値（例えば 600℃）に設定し、成長炉内
に少なくともアルミニウム(Al) を含む化合物及び窒素
の水酸化物を導入し、サファイア基板表面にAlN 薄膜緩
衝層を形成する。
構造を作製する場合につき述べる。サファイアを基板と
する場合、(AlxGa1-x)yIn1-yN を成長させる直前に、基
板温度を所望の値（例えば 600℃）に設定し、成長炉内
に少なくともアルミニウム(Al) を含む化合物及び窒素
の水酸化物を導入し、サファイア基板表面にAlN 薄膜緩
衝層を形成する。
【００２２】その後、Alを含む化合物の導入を止め、基
板温度の再設定を行う。そして、所望の混晶組成となる
ようにAlを含む化合物、ガリウム(Ga)を含む化合物及び
インジウム(In)を含む化合物を導入してｎ型(AlxGa1-x)
yIn1-yN 単結晶の成長を行う。
板温度の再設定を行う。そして、所望の混晶組成となる
ようにAlを含む化合物、ガリウム(Ga)を含む化合物及び
インジウム(In)を含む化合物を導入してｎ型(AlxGa1-x)
yIn1-yN 単結晶の成長を行う。
【００２３】なお、この場合ｎ型単結晶の抵抗率を下げ
るためにSi, 酸素(O),硫黄(S),セレン(Se), テルル(Te)
などドナー不純物となる元素を含む化合物を同時に導入
しても良い。
るためにSi, 酸素(O),硫黄(S),セレン(Se), テルル(Te)
などドナー不純物となる元素を含む化合物を同時に導入
しても良い。
【００２４】ドナー不純物をドーピングする場合、その
濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。
又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成
長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドー
ピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。
濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。
又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成
長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドー
ピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。
【００２５】次に、一度、ウエハを成長炉から取り出
し、試料表面の一部を選択成長用マスクとなる物質、例
えば酸化珪素(SiO2 ) により覆い、再びウエハを成長炉
に戻す。又は、ウエハを取り出さずそのまま成長を続け
る。
し、試料表面の一部を選択成長用マスクとなる物質、例
えば酸化珪素(SiO2 ) により覆い、再びウエハを成長炉
に戻す。又は、ウエハを取り出さずそのまま成長を続け
る。
【００２６】少なくとも所望の混晶組成となるようなAl
を含む化合物、Gaを含む化合物、Inを含む化合物及び窒
素の水素化物及びアクセプタ不純物となる元素、例えば
ベリリウム(Be), マグネシウム(Mg), 亜鉛(Zn), カドミ
ウム(cd), 炭素(C) を含む化合物を成長炉に導入してア
クセプタ不純物をドープした(AlxGa1-x)yIn1-yN 単結晶
（ｐ層) の成長を行う。
を含む化合物、Gaを含む化合物、Inを含む化合物及び窒
素の水素化物及びアクセプタ不純物となる元素、例えば
ベリリウム(Be), マグネシウム(Mg), 亜鉛(Zn), カドミ
ウム(cd), 炭素(C) を含む化合物を成長炉に導入してア
クセプタ不純物をドープした(AlxGa1-x)yIn1-yN 単結晶
（ｐ層) の成長を行う。
【００２７】アクセプタドープ層の成長膜厚は電子線照
射処理する場合の電子線侵入長を考慮して決定する。次
にウェハを成長炉から取り出し、アクセプタドープ(Alx
Ga1- x)yIn1-yN 層の電子線照射処理を行う。
射処理する場合の電子線侵入長を考慮して決定する。次
にウェハを成長炉から取り出し、アクセプタドープ(Alx
Ga1- x)yIn1-yN 層の電子線照射処理を行う。
【００２８】電子線照射処理する領域は試料表面全体或
いは一部、例えば短冊状とする。試料表面全体に電子線
を照射する場合には、更に、アクセプタドープ層（ｐ
層）の上に絶縁層を堆積し、その絶縁層の一部に短冊状
の窓を開け、その窓の上に金属を接触させ、ｐ層に対す
るオーム性電極を形成する。 短冊状に電子線照射処理
する場合には、電子線の照射された領域の一部或いは全
部を覆うように金属を接触させ、ｐ層に対するオーム性
電極を形成する。
いは一部、例えば短冊状とする。試料表面全体に電子線
を照射する場合には、更に、アクセプタドープ層（ｐ
層）の上に絶縁層を堆積し、その絶縁層の一部に短冊状
の窓を開け、その窓の上に金属を接触させ、ｐ層に対す
るオーム性電極を形成する。 短冊状に電子線照射処理
する場合には、電子線の照射された領域の一部或いは全
部を覆うように金属を接触させ、ｐ層に対するオーム性
電極を形成する。
【００２９】最終的に、ｐ層と金属の接触する部分の形
状は短冊である。ｎ層の電極は選択成長用マスクを取り
外して、その後に形成するか、或いはアクセプタドープ
層（ｐ層）の一部を表面側からエッチングして下層のｎ
層に対して窓を開け、金属を接触させオーム性電極を形
成する。
状は短冊である。ｎ層の電極は選択成長用マスクを取り
外して、その後に形成するか、或いはアクセプタドープ
層（ｐ層）の一部を表面側からエッチングして下層のｎ
層に対して窓を開け、金属を接触させオーム性電極を形
成する。
【００３０】ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として
用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。し
かし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極
は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板
裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。
用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。し
かし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極
は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板
裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。
【００３１】以上が同一組成の結晶によるｐｎ接合構造
の発光素子、例えば、半導体レーザダイオードを作製す
る場合の基本的方法である。異種混晶組成の結晶の接
合、いわゆるヘテロ接合を利用した素子を作製する場合
にも、ｐｎ接合を形成するという点では上記同一混晶組
成の結晶の接合を利用する場合と同様である。
の発光素子、例えば、半導体レーザダイオードを作製す
る場合の基本的方法である。異種混晶組成の結晶の接
合、いわゆるヘテロ接合を利用した素子を作製する場合
にも、ｐｎ接合を形成するという点では上記同一混晶組
成の結晶の接合を利用する場合と同様である。
【００３２】単一のヘテロ接合を形成する場合、同一混
晶組成の結晶によるｐｎ接合に加え、更にｎ層側に禁制
帯幅が大きいｎ型の結晶を接合して少数キャリアである
正孔の拡散阻止層とする。
晶組成の結晶によるｐｎ接合に加え、更にｎ層側に禁制
帯幅が大きいｎ型の結晶を接合して少数キャリアである
正孔の拡散阻止層とする。
【００３３】(AlxGa1-x)yIn1-yN 系単結晶の禁制帯幅付
近の発光はｎ層で特に強いため、活性層はｎ型結晶を用
いる必要がある。(AlxGa1-x)yIn1-yN 系単結晶のバンド
構造は(AlxGa1-x)yIn1-yAs系単結晶や(AlxGa1-x)yIn1-y
P 系単結晶と似ており、バンド不連続の割合は価電子帯
よりも伝導帯の方が大きいと考えられる。しかし、(Alx
Ga1-x)yIn1-yN 系単結晶では正孔の有効質量が比較的大
きいためｎ型同士のヘテロ接合は正孔拡散阻止として有
効に作用する。
近の発光はｎ層で特に強いため、活性層はｎ型結晶を用
いる必要がある。(AlxGa1-x)yIn1-yN 系単結晶のバンド
構造は(AlxGa1-x)yIn1-yAs系単結晶や(AlxGa1-x)yIn1-y
P 系単結晶と似ており、バンド不連続の割合は価電子帯
よりも伝導帯の方が大きいと考えられる。しかし、(Alx
Ga1-x)yIn1-yN 系単結晶では正孔の有効質量が比較的大
きいためｎ型同士のヘテロ接合は正孔拡散阻止として有
効に作用する。
【００３４】二つのヘテロ接合を形成する場合、禁制帯
幅の比較的小さいｎ型の結晶（活性層）の両側に各々禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶（ｎ層、ｐ層）を接
合し禁制帯幅の小さいｎ型の結晶を挟む構造とする。
幅の比較的小さいｎ型の結晶（活性層）の両側に各々禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶（ｎ層、ｐ層）を接
合し禁制帯幅の小さいｎ型の結晶を挟む構造とする。
【００３５】多数のヘテロ接合を形成する場合、ｎ型の
比較的禁制帯幅の大きい薄膜結晶と比較的禁制帯幅の小
さい薄膜結晶を複数接合し、その両側にそれぞれ更に禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し、多数のヘ
テロ接合を挟む。
比較的禁制帯幅の大きい薄膜結晶と比較的禁制帯幅の小
さい薄膜結晶を複数接合し、その両側にそれぞれ更に禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し、多数のヘ
テロ接合を挟む。
【００３６】(AlxGa1-x)yIn1-yN 系単結晶の禁制帯幅付
近での光の屈折率は禁制帯幅が小さい程大きいため、他
の(AlxGa1-x)yIn1-yAs系単結晶や(AlxGa1-x)yIn1-yP 系
単結晶による半導体レーザダイオードと同様、禁制帯幅
の大きい結晶で挟むヘテロ構造は光の閉じ込めにも効果
がある。
近での光の屈折率は禁制帯幅が小さい程大きいため、他
の(AlxGa1-x)yIn1-yAs系単結晶や(AlxGa1-x)yIn1-yP 系
単結晶による半導体レーザダイオードと同様、禁制帯幅
の大きい結晶で挟むヘテロ構造は光の閉じ込めにも効果
がある。
【００３７】ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成の
結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成
を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃
度は高濃度にしても良い。
結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成
を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃
度は高濃度にしても良い。
【００３８】ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物の
ドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度は
アクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理
条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易
にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との
接触用に更に接合してもよい。
ドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度は
アクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理
条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易
にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との
接触用に更に接合してもよい。
【００３９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)半導体
レーザダイオード用単結晶の作製には横型有機金属化合
物気相成長装置を用いた。以下基板としてサファイア，
Si，6H-SiC及びGaN を用いた場合各々について成長手順
を示す。
明する。（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)半導体
レーザダイオード用単結晶の作製には横型有機金属化合
物気相成長装置を用いた。以下基板としてサファイア，
Si，6H-SiC及びGaN を用いた場合各々について成長手順
を示す。
【００４０】(1) サファイア基板の場合 図１は、サファイア基板を用いた半導体レーザダイオー
ドの構造を示した断面図である。図１において、(0001)
面を結晶成長面とするサファイア基板１を有機洗浄の
後、結晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長炉を真
空排気の後、水素を供給し1200℃程度まで昇温する。こ
れによりサファイア基板１の表面に付着していた炭化水
素系ガスがある程度取り除かれる。
ドの構造を示した断面図である。図１において、(0001)
面を結晶成長面とするサファイア基板１を有機洗浄の
後、結晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長炉を真
空排気の後、水素を供給し1200℃程度まで昇温する。こ
れによりサファイア基板１の表面に付着していた炭化水
素系ガスがある程度取り除かれる。
【００４１】次に、サファイア基板１の温度を 600℃程
度まで降温し、トリメチルアルミニウム(TMA) 及びアン
モニア(NH3) を供給して、サファイア基板１上に50nm程
度の膜厚を持つAlN 層２を形成する。 次に、TMA の供
給のみを止め、基板温度を1040℃まで上げ、TMA,トリメ
チルガリウム(TMG) 及びシラン(SiH4 ) を供給しSiドー
プｎ型GaAlN 層３（ｎ層）を成長する。
度まで降温し、トリメチルアルミニウム(TMA) 及びアン
モニア(NH3) を供給して、サファイア基板１上に50nm程
度の膜厚を持つAlN 層２を形成する。 次に、TMA の供
給のみを止め、基板温度を1040℃まで上げ、TMA,トリメ
チルガリウム(TMG) 及びシラン(SiH4 ) を供給しSiドー
プｎ型GaAlN 層３（ｎ層）を成長する。
【００４２】一旦、ウェハを成長炉から取り出し、GaAl
N 層３の表面の一部をSiO2 でマスクした後、再び成長
炉に戻して真空排気して水素及びNH3 を供給し1040℃ま
で昇温する。次に、TMG を供給して、SiO2 でマスクさ
れていない部分に厚さ 0.5μｍのGaN層４（活性層）を
成長させる。次に、TMA 及びビスシクロペンタディエニ
ルマクネシウム(Cp2Mg) を更に供給してドープGaAlN 層
５（ｐ層）を 0.5μｍ成長する。
N 層３の表面の一部をSiO2 でマスクした後、再び成長
炉に戻して真空排気して水素及びNH3 を供給し1040℃ま
で昇温する。次に、TMG を供給して、SiO2 でマスクさ
れていない部分に厚さ 0.5μｍのGaN層４（活性層）を
成長させる。次に、TMA 及びビスシクロペンタディエニ
ルマクネシウム(Cp2Mg) を更に供給してドープGaAlN 層
５（ｐ層）を 0.5μｍ成長する。
【００４３】次に、マスクとして使用したSiO2 を弗酸
系エッチャントにより除去する。次に、ドープGaAlN 層
５（ｐ層）上にSiO2層７を堆積した後、縦１mm、横50μ
ｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チャンバに移して、ド
ープGaAlN 層５（ｐ層）に電子線照射処理を行う。典型
的な電子線照射処理条件を表に示す。
系エッチャントにより除去する。次に、ドープGaAlN 層
５（ｐ層）上にSiO2層７を堆積した後、縦１mm、横50μ
ｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チャンバに移して、ド
ープGaAlN 層５（ｐ層）に電子線照射処理を行う。典型
的な電子線照射処理条件を表に示す。
【表１】
【００４４】次に、ドープGaAlN 層５（ｐ層）の窓８の
部分と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、それぞ
れ、金属電極を形成する。結晶成長は以上である。
部分と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、それぞ
れ、金属電極を形成する。結晶成長は以上である。
【００４５】(2)Si 基板の場合 Si基板上に作成したレーザダイオードの構造を図２に示
す。低抵抗ｎ型Siの(111) 面基板８を有機洗浄の後、弗
酸系エッチャントにより表面の酸化物を取り除き結晶成
長部に設置する。成長炉を真空排気の後水素を導入し基
板を1000℃まで昇温して、基板８の表面を洗浄化し、更
に、プロパン(C3H8) 又はアセチレン(C2H2 ) を供給す
る。これにより表面に3C-SiC薄膜９が形成される。
す。低抵抗ｎ型Siの(111) 面基板８を有機洗浄の後、弗
酸系エッチャントにより表面の酸化物を取り除き結晶成
長部に設置する。成長炉を真空排気の後水素を導入し基
板を1000℃まで昇温して、基板８の表面を洗浄化し、更
に、プロパン(C3H8) 又はアセチレン(C2H2 ) を供給す
る。これにより表面に3C-SiC薄膜９が形成される。
【００４６】この後、成長炉内を一旦真空排気して余分
なガスを取り除く。次に成長炉に水素を供給し基板温度
を 600℃にし、TMA 及びNH3 を供給してAlN 薄膜１０を
3C-SiC薄膜９上に形成する。次に、TMA の供給のみを止
め基板温度を1040℃にして、TMG,TMA 及びSiH4を供給し
てｎ型GaAlN 層１１（ｎ層）を成長する。
なガスを取り除く。次に成長炉に水素を供給し基板温度
を 600℃にし、TMA 及びNH3 を供給してAlN 薄膜１０を
3C-SiC薄膜９上に形成する。次に、TMA の供給のみを止
め基板温度を1040℃にして、TMG,TMA 及びSiH4を供給し
てｎ型GaAlN 層１１（ｎ層）を成長する。
【００４７】次に、TMA 及びSiH4 のみの供給を止めGaN
層１２（活性層）を 0.5μｍ成長し、再びTMA 及びCP2
Mgを加えMgドープGaAlN 層１３（ｐ層）を 0.5μｍ成長
する。次に、MgドープGaAlN 層１３（ｐ層）上にSiO2層
１５を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短冊状に窓１５
Ａを開け、真空チャンバに移して、MgドープGaAlN 層１
３（ｐ層）に電子線を照射する。電子線の照射条件は前
実施例と同様である。その後、SiO2層１５側からMgドー
プGaAlN 層１３（ｐ層）に対する電極１４Ａを形成し、
他方、基板８の裏面にｎ型GaAlN 層１１（ｎ層）に対す
る電極１４Ｂを形成した。
層１２（活性層）を 0.5μｍ成長し、再びTMA 及びCP2
Mgを加えMgドープGaAlN 層１３（ｐ層）を 0.5μｍ成長
する。次に、MgドープGaAlN 層１３（ｐ層）上にSiO2層
１５を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短冊状に窓１５
Ａを開け、真空チャンバに移して、MgドープGaAlN 層１
３（ｐ層）に電子線を照射する。電子線の照射条件は前
実施例と同様である。その後、SiO2層１５側からMgドー
プGaAlN 層１３（ｐ層）に対する電極１４Ａを形成し、
他方、基板８の裏面にｎ型GaAlN 層１１（ｎ層）に対す
る電極１４Ｂを形成した。
【００４８】(3)6H-SiC 基板の場合 6H-SiC基板上に作成したレーザダイオードを図３に示
す。低抵抗ｎ型6H-SiCの(0001)面基板１６を有機洗浄の
後、王水系エッチャントによりエッチングの後、結晶成
長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給
し、1200℃まで昇温する。次に、成長炉に水素を供給し
基板温度を1040℃にして、TMG,SiH4及びNH3 を供給して
ｎ型GaN 緩衝層１７を 0.5〜 1μｍ程度成長する。次
に、TMA を加え、ｎ型GaN 緩衝層１７の上にｎ型GaAlN
層１８（ｎ層）を成長する。
す。低抵抗ｎ型6H-SiCの(0001)面基板１６を有機洗浄の
後、王水系エッチャントによりエッチングの後、結晶成
長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給
し、1200℃まで昇温する。次に、成長炉に水素を供給し
基板温度を1040℃にして、TMG,SiH4及びNH3 を供給して
ｎ型GaN 緩衝層１７を 0.5〜 1μｍ程度成長する。次
に、TMA を加え、ｎ型GaN 緩衝層１７の上にｎ型GaAlN
層１８（ｎ層）を成長する。
【００４９】次に、ｎ型GaAlN 層１８の上に、前記のSi
基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガス
を用いて、同一成長条件で、それぞれ、GaN 層１９（活
性層）を 0.5μｍ、MgドープGaAlN 層２０（ｐ層）を
0.5μｍの厚さに形成した。次に、MgドープGaAlN 層２
０上にSiO2層２２を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短
冊状に窓２２Ａを開け、真空チャンバに移して、Mgドー
プGaAlN 層２０（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の
照射条件は前実施例と同様である。
基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガス
を用いて、同一成長条件で、それぞれ、GaN 層１９（活
性層）を 0.5μｍ、MgドープGaAlN 層２０（ｐ層）を
0.5μｍの厚さに形成した。次に、MgドープGaAlN 層２
０上にSiO2層２２を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短
冊状に窓２２Ａを開け、真空チャンバに移して、Mgドー
プGaAlN 層２０（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の
照射条件は前実施例と同様である。
【００５０】その後、SiO2層２２側からMgドープGaAlN
層２０（ｐ層）に対する電極２１Ａを形成し、他方、基
板１６の裏面にｎ型GaAlN 層１８（ｎ層）に対する電極
２１Ｂを形成した。
層２０（ｐ層）に対する電極２１Ａを形成し、他方、基
板１６の裏面にｎ型GaAlN 層１８（ｎ層）に対する電極
２１Ｂを形成した。
【００５１】(4)GaN基板の場合 GaN 基板上に作成したレーザダイオードを図４に示す。
低抵抗ｎ型GaN の(0001)面基板２３を有機洗浄の後、リ
ン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチングの後、この
基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成長炉を真空
排気の後、水素及びNH3 を供給し、基板温度を１０４０
℃にして、５分間放置する。次に、TMG 及びSiH4 を更
に加えてｎ型GaN 緩衝層２４を0.5 〜1 μｍの厚さに形
成した。
低抵抗ｎ型GaN の(0001)面基板２３を有機洗浄の後、リ
ン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチングの後、この
基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成長炉を真空
排気の後、水素及びNH3 を供給し、基板温度を１０４０
℃にして、５分間放置する。次に、TMG 及びSiH4 を更
に加えてｎ型GaN 緩衝層２４を0.5 〜1 μｍの厚さに形
成した。
【００５２】次に、TMA を加え、n 型GaAlN 層２５を成
長させた。次に、ｎ型GaAN層２５の上に、前記のSi基板
を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用
いて、同一成長条件で、それぞれ、GaN 層２６（活性
層）を 0.5μｍ、MgドープGaAlN 層２７（ｐ層）を 0.5
μｍの厚さに形成した。次に、MgドープGaAlN 層２７上
にSiO2層２９を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短冊状
に窓２９Ａを開け、真空チャンバに移して、MgドープGa
AlN 層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射
条件は前実施例と同様である。
長させた。次に、ｎ型GaAN層２５の上に、前記のSi基板
を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用
いて、同一成長条件で、それぞれ、GaN 層２６（活性
層）を 0.5μｍ、MgドープGaAlN 層２７（ｐ層）を 0.5
μｍの厚さに形成した。次に、MgドープGaAlN 層２７上
にSiO2層２９を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短冊状
に窓２９Ａを開け、真空チャンバに移して、MgドープGa
AlN 層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射
条件は前実施例と同様である。
【００５３】その後、SiO2層２９側からMgドープGaAlN
層２７（ｐ層）に対する電極２８Ａを形成し、他方、基
板２３の裏面にｎ型GaAlN 層２５（ｎ層）に対する電極
２８Ｂを形成した。
層２７（ｐ層）に対する電極２８Ａを形成し、他方、基
板２３の裏面にｎ型GaAlN 層２５（ｎ層）に対する電極
２８Ｂを形成した。
【００５４】上記のいづれの構造のレーザダイオード
も、室温においてレーザ発振した。
も、室温においてレーザ発振した。
【図１】サファイア基板上に作製した本発明の具体的な
一実施例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)
系半導体レーザダイオードの構成を示した断面図。
一実施例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)
系半導体レーザダイオードの構成を示した断面図。
【図２】Si基板上に作製した本発明の具体的な一実施例
に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半導体
レーザダイオードの構成を示した断面図。
に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半導体
レーザダイオードの構成を示した断面図。
【図３】6H-SiC基板上に作製した本発明の具体的な一実
施例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半
導体レーザダイオードの構成を示した断面図。
施例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半
導体レーザダイオードの構成を示した断面図。
【図４】GaN 基板上に作製した本発明の具体的な一実施
例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半導
体レーザダイオードの構成を示した断面図。
例に係る（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)系半導
体レーザダイオードの構成を示した断面図。
１…サファイアの(0001)面基板 ２，９，１７…AlN 緩衝層 ３，１１，１８，２５…ｎ型AlGaN 層（ｎ層） ４，１２，１９，２６…GaN 層（活性層） ５，１３，２０，２７…MgドープAlGaN 層（ｐ層） ７，１５，２２，２９…SiO2 層 ６Ａ，１４Ａ，２１Ａ，２８Ａ…電極（MgドープAlGaN
層（ｐ層）に対する） ６Ｂ，１４Ｂ，２１Ｂ，２８Ｂ…電極（ｎ型AlGaN 層
（ｎ層）に対する）
層（ｐ層）に対する） ６Ｂ，１４Ｂ，２１Ｂ，２８Ｂ…電極（ｎ型AlGaN 層
（ｎ層）に対する）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡崎 伸夫 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 真部 勝英 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市西区浄心１丁目１番38− 805 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市名東区神丘町二丁目21 虹 ケ丘東団地25号棟505号室
Claims (10)
- 【請求項１】 ドナー不純物を添加してｎ型導電性を示
す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1
N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成るｎ層を結晶成長させ、 窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:
0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る活性層を結晶成長させ、 アクセプタ不純物を添加してｐ型導電性を示す窒化ガリ
ウム系化合物半導体（(Alx33a1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦
1,0≦y3≦1)から成るｐ層を結晶成長させることから成
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記発光素子は、レーザダイオードであ
ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記ｐ層の上に絶縁膜を形成し、この絶
縁膜に短冊状の窓を形成し、この窓を介して前記ｐ層に
対する金属電極を形成することを特徴とする請求項２に
記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記ｎ層の上に形成されている層をエッ
チングして、前記ｎ層を露出させ、その露出面に前記ｎ
層に対する電極を形成することを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記ｎ層上の電極形成部にマスクを形成
し、その上の層を選択成長させた後、マスクを除去する
ことで前記ｎ層の電極形成部を露出し、この露出面に前
記ｎ層に対する電極を形成することを特徴とする請求項
１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記活性層はｎ型導電性に形成すること
を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記
載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、サ
ファイア基板上に形成することを特徴とする請求項１乃
至請求項６のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓ
ｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成
することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか
１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製
造方法。 - 【請求項９】 前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓ
ｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成
し、前記ｎ層に対する電極は前記基板の裏面に形成する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１
項、又は、請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ｎ層は成長初期に高濃度でドナー
不純物をドーピングして、接合付近ではドーピングしな
いか又は低濃度にドーピングすることを特徴とする請求
項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11136251A JPH11346035A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11136251A JPH11346035A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41484390A Division JP3160914B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346035A true JPH11346035A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15170824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11136251A Withdrawn JPH11346035A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11346035A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203386A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-27 | Lumileds Lighting Us Llc | 光生成能力を高めたｉｉｉ−窒化物発光デバイス |
| US6475882B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-11-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
| US6610606B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-26 | Shiro Sakai | Method for manufacturing nitride compound based semiconductor device using an RIE to clean a GaN-based layer |
| US6861270B2 (en) | 2000-06-01 | 2005-03-01 | Shiro Sakai | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element |
| US6884647B2 (en) | 2000-09-22 | 2005-04-26 | Shiro Sakai | Method for roughening semiconductor surface |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
| US7015511B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-03-21 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Gallium nitride-based light emitting device and method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-05-17 JP JP11136251A patent/JPH11346035A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475882B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-11-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
| JP2001203386A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-27 | Lumileds Lighting Us Llc | 光生成能力を高めたｉｉｉ−窒化物発光デバイス |
| US6861270B2 (en) | 2000-06-01 | 2005-03-01 | Shiro Sakai | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element |
| US6884647B2 (en) | 2000-09-22 | 2005-04-26 | Shiro Sakai | Method for roughening semiconductor surface |
| US6610606B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-26 | Shiro Sakai | Method for manufacturing nitride compound based semiconductor device using an RIE to clean a GaN-based layer |
| US7015511B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-03-21 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Gallium nitride-based light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040615 |