JP2790235B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はｐ型ドーパントをドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法に係り、
特に同一窒化ガリウム系化合物半導体層内で抵抗率に差
を設ける方法に関する。
した窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法に係り、
特に同一窒化ガリウム系化合物半導体層内で抵抗率に差
を設ける方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパント（ｐ型不純物）をドープした
高抵抗なｉ（insulator）型の窒化ガリウム系化合物半
導体を積層したいわゆるＭＩＳ構造の青色発光ダイオー
ドが知られている。
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパント（ｐ型不純物）をドープした
高抵抗なｉ（insulator）型の窒化ガリウム系化合物半
導体を積層したいわゆるＭＩＳ構造の青色発光ダイオー
ドが知られている。
【０００３】ＭＩＳ構造の発光素子は、一般に発光出力
が非常に低く、実用化するには未だ不十分であった。高
抵抗なｉ型を低抵抗なｐ型とし、発光出力を向上させた
ｐ−ｎ接合の発光素子を実現するための技術として、例
えば特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−２１８
３２５号公報において、ｉ型窒化ガリウム系化合物半導
体層に電子線を照射する技術が開示されている。また我
々は、特願平３−３５７０４６号でｉ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を４００℃以上でアニーリングすること
により低抵抗なｐ型とする技術を提案した。
が非常に低く、実用化するには未だ不十分であった。高
抵抗なｉ型を低抵抗なｐ型とし、発光出力を向上させた
ｐ−ｎ接合の発光素子を実現するための技術として、例
えば特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−２１８
３２５号公報において、ｉ型窒化ガリウム系化合物半導
体層に電子線を照射する技術が開示されている。また我
々は、特願平３−３５７０４６号でｉ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を４００℃以上でアニーリングすること
により低抵抗なｐ型とする技術を提案した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のようにｐ型化方
法には大別して電子線照射とアニーリングと二種類の方
法があるが、電子線照射による方法では電子線を照射し
た部分を選択的にｐ型化できるという利点があるが、電
子線が照射される深さ方向のみしか低抵抗にできないと
いう欠点がある。一方、アニーリングではｐ型ドーパン
トをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層深さ方向
均一にｐ型化できるというという利点はあるが、全体を
ｐ型化してしまい選択的にｐ型化することが困難である
という欠点がある。ｐ型ドーパントをドープした窒化ガ
リウム系化合物半導体層を選択的にｐ型化することがで
きれば、発光素子とした場合に例えば電流狭窄層を形成
することができ、レーザーダイオード等を実現すること
が可能となる。従って本発明はこのような事情を鑑みて
成されたもので、その目的とするところはｐ型ドーパン
トをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗
にすると共に、深さ方向均一に、しかも選択的にｐ型化
することにある。
法には大別して電子線照射とアニーリングと二種類の方
法があるが、電子線照射による方法では電子線を照射し
た部分を選択的にｐ型化できるという利点があるが、電
子線が照射される深さ方向のみしか低抵抗にできないと
いう欠点がある。一方、アニーリングではｐ型ドーパン
トをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層深さ方向
均一にｐ型化できるというという利点はあるが、全体を
ｐ型化してしまい選択的にｐ型化することが困難である
という欠点がある。ｐ型ドーパントをドープした窒化ガ
リウム系化合物半導体層を選択的にｐ型化することがで
きれば、発光素子とした場合に例えば電流狭窄層を形成
することができ、レーザーダイオード等を実現すること
が可能となる。従って本発明はこのような事情を鑑みて
成されたもので、その目的とするところはｐ型ドーパン
トをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗
にすると共に、深さ方向均一に、しかも選択的にｐ型化
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体のｐ型化方法は、ｐ型ドーパントをドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護
膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を
４００℃以上でアニーリングすることにより低抵抗にす
ると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率
の差を設けることを特徴とする。
化合物半導体のｐ型化方法は、ｐ型ドーパントをドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護
膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を
４００℃以上でアニーリングすることにより低抵抗にす
ると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率
の差を設けることを特徴とする。
【０００６】本発明のｐ型化方法において、ｐ型ドーパ
ントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体とは、例
えばＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ等公知のｐ型ドーパ
ントをドープした一般式ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X
≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体をいう。
この窒化ガリウム系化合物半導体はｐ型ドーパントがド
ープされた状態で通常は高抵抗なｉ型を示す。さらに、
この高抵抗な窒化ガリウム系化合物半導体を４００℃以
上でアニーリングすることにより、窒化ガリウム系化合
物半導体は低抵抗化して、ｐ型特性を示すようになる。
我々は特願平３−３５７０４６号でこのｉ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層に保護膜としてのキャップ層を設
け、アニーリングすることにより、窒化ガリウム系化合
物半導体の分解を防止すると共に、低抵抗なｐ型とする
技術を開示したが、この保護膜をｉ層均一に設けるので
はなく、選択的に形成することにより、また違ったｐ型
特性が得られることを見いだした。つまり、ｉ層が一部
露出するように保護膜を選択的に形成すると、その露出
した部分のｉ層が特に低抵抗なｐ型となり、保護膜を形
成した部分の窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗率と、
露出した部分の窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗率と
に差を設けることができる。
ントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体とは、例
えばＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ等公知のｐ型ドーパ
ントをドープした一般式ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X
≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体をいう。
この窒化ガリウム系化合物半導体はｐ型ドーパントがド
ープされた状態で通常は高抵抗なｉ型を示す。さらに、
この高抵抗な窒化ガリウム系化合物半導体を４００℃以
上でアニーリングすることにより、窒化ガリウム系化合
物半導体は低抵抗化して、ｐ型特性を示すようになる。
我々は特願平３−３５７０４６号でこのｉ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層に保護膜としてのキャップ層を設
け、アニーリングすることにより、窒化ガリウム系化合
物半導体の分解を防止すると共に、低抵抗なｐ型とする
技術を開示したが、この保護膜をｉ層均一に設けるので
はなく、選択的に形成することにより、また違ったｐ型
特性が得られることを見いだした。つまり、ｉ層が一部
露出するように保護膜を選択的に形成すると、その露出
した部分のｉ層が特に低抵抗なｐ型となり、保護膜を形
成した部分の窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗率と、
露出した部分の窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗率と
に差を設けることができる。
【０００７】保護膜の種類は４００℃以上で分解する材
料でなければ特に問うものではないが、蒸着、スパッタ
等のＣＶＤ技術により窒化ガリウム系化合物半導体の上
に形成しやすく、後にエッチングにより保護膜を剥しや
すく、かつ４００℃以上に耐える材料として、シリカ、
窒化ケイ素のいずれかを好ましく用いることができる。
料でなければ特に問うものではないが、蒸着、スパッタ
等のＣＶＤ技術により窒化ガリウム系化合物半導体の上
に形成しやすく、後にエッチングにより保護膜を剥しや
すく、かつ４００℃以上に耐える材料として、シリカ、
窒化ケイ素のいずれかを好ましく用いることができる。
【０００８】保護膜の形状は、電流を集中させようとす
る窒化ガリウム系化合物半導体の位置、形状等によって
自由に変えることができる。ただ、保護膜の大きさは窒
化ガリウム系化合物半導体に少なくとも２０μｍ以上の
幅で形成することが好ましい。２０μｍより少ない幅で
形成しても同一窒化ガリウム系化合物半導体に抵抗率の
差を設けることはできるが、形成した部分と形成してい
ない部分との抵抗率の差が小さくなるため、発光素子に
した場合、低抵抗部分に電流を集中させて流すという目
的では、その目的を達成するには不十分となる傾向にあ
る。
る窒化ガリウム系化合物半導体の位置、形状等によって
自由に変えることができる。ただ、保護膜の大きさは窒
化ガリウム系化合物半導体に少なくとも２０μｍ以上の
幅で形成することが好ましい。２０μｍより少ない幅で
形成しても同一窒化ガリウム系化合物半導体に抵抗率の
差を設けることはできるが、形成した部分と形成してい
ない部分との抵抗率の差が小さくなるため、発光素子に
した場合、低抵抗部分に電流を集中させて流すという目
的では、その目的を達成するには不十分となる傾向にあ
る。
【０００９】アニーリング時間はアニーリング温度によ
る窒化ガリウム系化合物半導体の分解を考慮して適宜変
更する。保護膜を設けることによりある程度の分解を抑
制することはできるが、高温で長時間行うと保護膜を設
けた部分の抵抗率と、設けていない部分の抵抗率とが接
近しやすくなり、同じく前記目的を達成するには不十分
となる傾向にある。
る窒化ガリウム系化合物半導体の分解を考慮して適宜変
更する。保護膜を設けることによりある程度の分解を抑
制することはできるが、高温で長時間行うと保護膜を設
けた部分の抵抗率と、設けていない部分の抵抗率とが接
近しやすくなり、同じく前記目的を達成するには不十分
となる傾向にある。
【００１０】
【作用】ＺｎドープＧａＮ層の上にＳｉＯ2よりなる保
護膜を選択的に形成し、そのＺｎドープＧａＮ層をアニ
ーリングした後、ＳｉＯ2膜を取り除き、保護膜を形成
した部分と、保護膜を形成していない部分とにそれぞれ
２つの電極を付着して、アニーリング温度によるＺｎド
ープＧａＮ層の抵抗率を測定した結果を図１に示す。こ
の図において（ａ）は保護膜を形成していない部分、
（ｂ）は保護膜を形成した部分のＺｎドープＧａＮ層の
抵抗率を示している。この図に示すように４００℃以上
でアニーリングすることにより、ＺｎドープＧａＮ層の
抵抗率は急激に減少するが、保護膜を形成した部分と保
護膜を形成していない部分とでは、同一ＺｎドープＧａ
Ｎ層中で抵抗率の差が現れていることがわかる。従っ
て、アニーリングによって低抵抗になったこのｐ型Ｇａ
Ｎ層に電極を形成して通電すると、電流はより低抵抗な
（ａ）の領域に集中して流れるため、例えばレーザー素
子を実現した場合に、ここで電流狭窄層を形成すること
ができる。
護膜を選択的に形成し、そのＺｎドープＧａＮ層をアニ
ーリングした後、ＳｉＯ2膜を取り除き、保護膜を形成
した部分と、保護膜を形成していない部分とにそれぞれ
２つの電極を付着して、アニーリング温度によるＺｎド
ープＧａＮ層の抵抗率を測定した結果を図１に示す。こ
の図において（ａ）は保護膜を形成していない部分、
（ｂ）は保護膜を形成した部分のＺｎドープＧａＮ層の
抵抗率を示している。この図に示すように４００℃以上
でアニーリングすることにより、ＺｎドープＧａＮ層の
抵抗率は急激に減少するが、保護膜を形成した部分と保
護膜を形成していない部分とでは、同一ＺｎドープＧａ
Ｎ層中で抵抗率の差が現れていることがわかる。従っ
て、アニーリングによって低抵抗になったこのｐ型Ｇａ
Ｎ層に電極を形成して通電すると、電流はより低抵抗な
（ａ）の領域に集中して流れるため、例えばレーザー素
子を実現した場合に、ここで電流狭窄層を形成すること
ができる。
【００１１】アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層が得られるようになる理由は次の
とおりである。気相成長法により窒化ガリウム系化合物
半導体を成長させる場合、Ｎ源としてアンモニア、キャ
リアガスとして水素等の水素または水素を含む化合物が
使用される。この水素がｐ型ドーパント（Ｍ）をドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体の中でｐ型ドーパント
とＭ−Ｈの形で結合して正常なｐ型ドーパントとして作
用するのを妨げていると考えられる。そこでアニーリン
グによりＭ−Ｈの形で結合したｐ型ドーパントからＨを
熱的に解離することによりｐ型ドーパントが正常にアク
セプターとして作用して抵抗率が減少する。本発明のよ
うに保護膜を選択的に形成した場合、保護膜の下の窒化
ガリウム系化合物半導体は加熱による分解が防止される
とともに、水素が出ていき抵抗率が減少する。一方、保
護膜のない方の窒化ガリウム系化合物半導体表面は多少
分解するが、外部に露出されているため、水素が抜ける
量が圧倒的に多くなり、抵抗率に差が現れると考えられ
る。しかし、保護膜の幅を狭くすると、保護膜の下の水
素が多少移動して抜けるため、保護膜を形成した部分と
形成していない部分との抵抗率の差が小さくなると考え
られる。
ウム系化合物半導体層が得られるようになる理由は次の
とおりである。気相成長法により窒化ガリウム系化合物
半導体を成長させる場合、Ｎ源としてアンモニア、キャ
リアガスとして水素等の水素または水素を含む化合物が
使用される。この水素がｐ型ドーパント（Ｍ）をドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体の中でｐ型ドーパント
とＭ−Ｈの形で結合して正常なｐ型ドーパントとして作
用するのを妨げていると考えられる。そこでアニーリン
グによりＭ−Ｈの形で結合したｐ型ドーパントからＨを
熱的に解離することによりｐ型ドーパントが正常にアク
セプターとして作用して抵抗率が減少する。本発明のよ
うに保護膜を選択的に形成した場合、保護膜の下の窒化
ガリウム系化合物半導体は加熱による分解が防止される
とともに、水素が出ていき抵抗率が減少する。一方、保
護膜のない方の窒化ガリウム系化合物半導体表面は多少
分解するが、外部に露出されているため、水素が抜ける
量が圧倒的に多くなり、抵抗率に差が現れると考えられ
る。しかし、保護膜の幅を狭くすると、保護膜の下の水
素が多少移動して抜けるため、保護膜を形成した部分と
形成していない部分との抵抗率の差が小さくなると考え
られる。
【００１２】
［実施例１］サファイア基板上に成長された５００μｍ
角のＭｇドープＧａＡｌＮ層２の両側に、図２、および
図３に示すように２４０μｍの幅のＳｉＯ2よりなる保
護膜１を蒸着により、厚さ２μｍで形成する。
角のＭｇドープＧａＡｌＮ層２の両側に、図２、および
図３に示すように２４０μｍの幅のＳｉＯ2よりなる保
護膜１を蒸着により、厚さ２μｍで形成する。
【００１３】保護膜を形成した後、アニーリング装置で
窒素雰囲気中、７００℃、２分間のアニーリングを行
う。アニーリング後、フッ酸でＳｉＯ2膜を除去し、保
護膜を形成した部分と、形成していない部分とにそれぞ
れ２つずつ電極を形成し、その抵抗率を測定したとこ
ろ、保護膜を形成した部分は１００Ω・cmであったのに
対し、保護膜を形成していない部分は２Ω・cmであっ
た。
窒素雰囲気中、７００℃、２分間のアニーリングを行
う。アニーリング後、フッ酸でＳｉＯ2膜を除去し、保
護膜を形成した部分と、形成していない部分とにそれぞ
れ２つずつ電極を形成し、その抵抗率を測定したとこ
ろ、保護膜を形成した部分は１００Ω・cmであったのに
対し、保護膜を形成していない部分は２Ω・cmであっ
た。
【００１４】［実施例２］ＭＯＣＶＤ法により、サファ
イア基板上にＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層と、Ｓｉドープｎ型ＩｎＧａＮ層と、ＭｇドープＧ
ａＮ層とを順に積層し、発光素子の構造としたウエハー
を用意する。
イア基板上にＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層と、Ｓｉドープｎ型ＩｎＧａＮ層と、ＭｇドープＧ
ａＮ層とを順に積層し、発光素子の構造としたウエハー
を用意する。
【００１５】次にそのウエハーの最上層であるＭｇドー
プＧａＮ層上に、実施例１と同様に５００μｍ角のチッ
プに、窒化ケイ素よりなる保護膜を形成した後、アニー
リング時間を５分とする他は実施例１と同様にしてアニ
ーリングを行った。
プＧａＮ層上に、実施例１と同様に５００μｍ角のチッ
プに、窒化ケイ素よりなる保護膜を形成した後、アニー
リング時間を５分とする他は実施例１と同様にしてアニ
ーリングを行った。
【００１６】その後、常法に従いウエハーをチップ上に
カットし、ｎ型ＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層に電極を形成し
て発光ダイオードとして発光させたところ、保護膜を形
成せずに全面ｐ型化したものに比して、順方向電圧は１
／３以下に減少し、発光出力は２倍以上向上した。
カットし、ｎ型ＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層に電極を形成し
て発光ダイオードとして発光させたところ、保護膜を形
成せずに全面ｐ型化したものに比して、順方向電圧は１
／３以下に減少し、発光出力は２倍以上向上した。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
るとｐ型ドーパントをドープした高抵抗な窒化ガリウム
系化合物半導体を低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウ
ム系化合物半導体層内で抵抗率の差を設けることができ
る。そのため、実施例２に示すように本発明の方法を用
いて発光素子のｐ型層内で特に低抵抗部分を設けると、
電流はこの低抵抗な部分を集中して流れ、電流密度が増
大して、注入キャリアが集中する。その結果、発光素子
の順方向電圧が下がり、発光出力を増大させることがで
きる。
るとｐ型ドーパントをドープした高抵抗な窒化ガリウム
系化合物半導体を低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウ
ム系化合物半導体層内で抵抗率の差を設けることができ
る。そのため、実施例２に示すように本発明の方法を用
いて発光素子のｐ型層内で特に低抵抗部分を設けると、
電流はこの低抵抗な部分を集中して流れ、電流密度が増
大して、注入キャリアが集中する。その結果、発光素子
の順方向電圧が下がり、発光出力を増大させることがで
きる。
【００１８】
【図１】 ｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウム
系化合物半導体のアニーリング温度と抵抗率との関係を
示す図。
系化合物半導体のアニーリング温度と抵抗率との関係を
示す図。
【図２】 本発明の一実施例による保護膜が形成された
窒化ガリウム系化合物半導体の構造を示す模式断面図。
窒化ガリウム系化合物半導体の構造を示す模式断面図。
【図３】 図２の窒化ガリウム系化合物半導体の構造を
示す斜視図。
示す斜視図。
１・・・・・保護膜 ２・・・・・ｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウ
ム系化合物半導体
ム系化合物半導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 21/205 H01L 21/324 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型ドーパントをドープした窒化ガリウ
ム系化合物半導体層表面に選択的に保護膜を形成した
後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を４００℃以上
でアニーリングすることにより低抵抗にすると共に、同
一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率の差を設ける
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化
方法。 - 【請求項２】 前記保護膜はシリカまたは窒化ケイ素の
いずれかであることを特徴とする請求項１に記載の窒化
ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法。 - 【請求項３】 前記保護膜の幅は少なくとも２０μｍ以
上であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウ
ム系化合物半導体のｐ型化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488993A JP2790235B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488993A JP2790235B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314821A JPH06314821A (ja) | 1994-11-08 |
| JP2790235B2 true JP2790235B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=14896611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12488993A Expired - Lifetime JP2790235B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790235B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3254931B2 (ja) * | 1994-10-17 | 2002-02-12 | 松下電器産業株式会社 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| DE69610482T2 (de) | 1995-07-14 | 2001-02-01 | Seiko Epson Corp | Laminierter druckkopf für das tintenstrahlaufzeichnen, herstellungsverfahren dafür und mit dem aufzeichnungskopf ausgerüsteter drucker |
| JP3561057B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2004-09-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP2000031084A (ja) * | 1998-05-08 | 2000-01-28 | Samsung Electron Co Ltd | 化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 |
| JP4581198B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP2007173854A (ja) * | 2007-01-29 | 2007-07-05 | Sony Corp | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12488993A patent/JP2790235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06314821A (ja) | 1994-11-08 |
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