JP2010245559A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型AlGaNクラッド層5、n型GaN光導波層6、活性層7、アンドープGaN光導波層17、p型AlGaNキャップ層9、p型GaN光導波層10、p型AlGaN/GaN超格子クラッド層18およびp型GaNコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、n型GaN光導波層6からp型AlGaNキャップ層9まではN2 雰囲気で成長を行い、p型GaN光導波層10からp型GaNコンタクト層まではN2 とH2 との混合ガス雰囲気で成長を行う。
【選択図】図11
Description
一方、上記の特許第2735057号に開示された技術により製造した半導体レーザでは、さらに顕著な初期劣化率の増大が見られた。
より一般的には、この発明が解決しようとする課題は、長寿命で経時変化も極めて少ない、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体装置およびそのような半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、一般的に、InGaNなどからなる活性層上に1000℃程度の高い成長温度でp型光導波層やp型クラッド層を成長させる際に、活性層からのInの脱離による劣化を防止したり、活性層に注入される電子のオーバーフローを防止したりするために、活性層を成長させた後にAl組成が約0.2程度と高い厚さ20nm程度のp型AlGaNからなるキャップ層を活性層と同じ温度で成長させ、その後に成長温度を上げてp型光導波層やp型クラッド層を成長させるようにしている。ところが、本発明者の知見によれば、この構造では、Inの脱離による活性層の劣化は抑えられるものの、キャップ層と活性層との格子定数差がかなり大きいため、キャップ層に接している活性層に大きな応力が発生し、これが活性層の劣化の原因となる。また、p型層のp型ドーパントとしてはMgが一般的に用いられているが、このp型層中のMgが活性層に拡散することも、活性層の劣化の原因となる。
さらに検討を行った結果、多重量子井戸構造の活性層の最上層の障壁層を成長させた後、In原料の流量を同一に保って、InGaNなどのInを含む窒化物系III−V族化合物半導体を成長させる場合、そのIn量を成長温度で良好に制御することができることを見い出した。そして、これを利用すれば、InGaNなどのInを含む窒化物系III−V族化合物半導体を成長させる場合、成長中に成長温度を上昇させることが可能となり、それによってキャップ層の成長温度を高くすることができることにより結晶性がより向上することから、キャップ層の厚さをより小さくすることができ、最も顕著な場合には、活性層からのInの離脱を防止する目的だけに限ると、キャップ層を設ける必要さえなくすことができる。
この発明は、本発明者による以上の検討に基づいてさらに検討を行った結果、案出されたものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、光導波層またはクラッド層として用いられるGaを含む第5の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接したAlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層を成長させた後、成長温度を上昇させながら中間層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、光導波層またはクラッド層として用いられるGaを含む第5の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層を成長させた後、成長温度を上昇させながら中間層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第5の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層を成長させた後、成長温度を上昇させながら中間層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第5の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層を成長させた後、成長温度を上昇させながら中間層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる基板としては、種々のものを用いることができ、具体的には、サファイア基板、SiC基板、Si基板、GaAs基板、GaP基板、InP基板、スピネル基板、酸化シリコン基板などのほか、厚いGaN層などの窒化物系III−V族化合物半導体層からなる基板を用いてもよい。
半導体装置は、具体的には、例えば、半導体レーザや発光ダイオードのような発光素子あるいはFETやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子走行素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、光導波層およびキャップ層をp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、光導波層およびキャップ層をp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、活性層および中間層は、光導波層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、第1の光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第2の光導波層およびp型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、第1の光導波層およびキャップ層を第2の光導波層およびp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、第1の光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第2の光導波層およびp型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、第1の光導波層およびキャップ層を第2の光導波層およびp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、活性層は、中間層、第1の光導波層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、第1の光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第2の光導波層およびp型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、第1の光導波層およびキャップ層を第2の光導波層およびp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、第1の光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第2の光導波層およびp型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
第2の光導波層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、第1の光導波層およびキャップ層を第2の光導波層およびp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、活性層および中間層は、第1の光導波層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、光導波層およびキャップ層をp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、光導波層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
活性層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
活性層、中間層、光導波層およびキャップ層をp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、活性層および中間層は、光導波層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および上記キャップ層をp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層をp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および中間層は、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層を第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層を第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層は、中間層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および上記キャップ層を第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および上記p型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層を第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および中間層は、第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層よりも低い成長温度で成長させる。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層をp型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
p型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、第1の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む中間層と、
中間層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層と、
第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
キャップ層に接した、第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型層とを有する半導体装置の製造方法であって、
第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層、中間層、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層をp型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、典型的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層および中間層は、第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる層およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
この発明の第9〜第56の発明において、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、この発明の第1〜第8の発明に関連して述べたことが成立する。
また、キャップ層を設ける位置の最適化により、活性層にキャップ層を隣接させて設けたり、活性層に中間層を介してキャップ層を設けたりする場合に比べて光導波層あるいは第1の光導波層の結晶性を良好にすることができ、あるいはこれらの光導波層あるいは第1の光導波層の厚さの最適化を図ることができる。
また、キャップ層を設ける位置の最適化により、活性層にキャップ層を隣接させて設けたり、活性層に中間層を介してキャップ層を設けたりする場合に比べて光導波層あるいは第1の光導波層の結晶性を良好にすることができ、あるいはこれらの光導波層あるいは第1の光導波層の厚さの最適化を図ることができることから、長寿命で、しかも特に半導体レーザでは遠視野像における光強度分布の対称性が高く、放射角のアスペクト比の向上を図ることができる、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体発光素子あるいは長寿命の窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体装置を実現することができる。また、この発明による製造方法によれば、このような半導体発光素子および半導体装置を容易に製造することができる。
図1は、この発明の第1の実施形態によるGaN系半導体レーザを示す。このGaN系半導体レーザは、リッジ構造およびSCH(Separate Confinement Heterostructure)構造を有するものである。
次に、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜14をエッチングすることにより、開口14bを形成する。
以上により、目的とするリッジ構造およびSCH構造を有するGaN系半導体レーザが製造される。
この第2の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、アンドープInGaN劣化防止層8のIn組成はその厚さ全体にわたって同一となっており、そのIn組成は活性層7の障壁層のIn組成yより小さい値、例えば0.02に選ばれている。その他の構成は、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
また、このGaN系半導体レーザの製造方法も、アンドープInGaN劣化防止層8の成長時に成長温度を一定にすることを除いて、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザの製造方法と同様である。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の利点を得ることができる。
この第3の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、アンドープInGaN劣化防止層8のIn組成はその厚さ全体にわたって同一となっており、そのIn組成は活性層7の障壁層のIn組成yと同一の値に選ばれている。ここで、このアンドープInGaN劣化防止層8の厚さは、活性層7の、アンドープInGaN劣化防止層8に最も近いところにある障壁層の厚さとの合計の厚さが少なくとも15nm以上、好適には17nm以上、より好適には20nm以上、さらに好適には25nm以上になるように選ばれる。その他の構成は、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
また、このGaN系半導体レーザの製造方法も、アンドープInGaN劣化防止層8の成長時に成長温度を一定にすることを除いて、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザの製造方法と同様である。
この第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の利点を得ることができる。
この第4の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、活性層7に接してアンドープInGaN劣化防止層8が設けられ、このアンドープInGaN劣化防止層8に接してp型GaN光導波層10が設けられ、このp型GaN光導波層10に接してp型AlGaNキャップ層9が設けられた構造を有する。アンドープInGaN劣化防止層8のIn組成の分布は第1の実施形態と同様である。その他の構成は、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
また、このGaN系半導体レーザの製造方法も、第1の実施形態によるGaN系半導体レーザの製造方法と同様である。
この第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の利点を得ることができる。
この第7の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、活性層7に接してアンドープGaN光導波層17が設けられ、このアンドープGaN光導波層17に接してp型AlGaNキャップ層9が設けられ、このp型AlGaNキャップ層9に接してp型GaN光導波層10が設けられ、さらにこのp型GaN光導波層10に接してp型AlGaN/GaN超格子クラッド層18が設けられた構造を有する。その他の構成は、第1および第5の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
この第9の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、活性層7に接してアンドープGaN光導波層17が設けられ、このアンドープGaN光導波層17に接してp型AlGaN/GaN超格子キャップ層19が設けられ、このp型AlGaN/GaN超格子キャップ層19に接してp型GaN光導波層10が設けられ、さらにこのp型GaN光導波層10に接してp型AlGaN/GaN超格子クラッド層18が設けられた構造を有する。p型AlGaN/GaN超格子キャップ層19は、例えば厚さが2.5nmでAl組成が18%のアンドープのAlGaN層を障壁層とし、例えば厚さが同じく2.5nmのMgがドープされたGaN層を井戸層とし、これらを繰り返し積層した構造を有し、全体の厚さは例えば100nmである。その他の構成は、第1および第5の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
この第11の実施形態によるGaN系半導体レーザにおいては、活性層7に接してアンドープGaN光導波層17が設けられ、このアンドープGaN光導波層17に接してp型AlGaN/GaN超格子キャップ層19が設けられ、このp型AlGaN/GaN超格子キャップ層19に接してp型AlGaN/GaN超格子クラッド層18が設けられた構造を有する。その他の構成は、第1、第5および第9の実施形態によるGaN系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
Claims (6)
- InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
上記第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
上記第2の光導波層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記第1の光導波層および上記キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
上記第2の光導波層および上記p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
上記第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
上記第2の光導波層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記第1の光導波層および上記キャップ層を上記第2の光導波層および上記p型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
上記第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
上記第2の光導波層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記第1の光導波層および上記キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
上記第2の光導波層および上記p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第8の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の光導波層と、
上記第1の光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Gaを含む第9の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の光導波層と、
上記第2の光導波層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記第1の光導波層および上記キャップ層を上記第2の光導波層および上記p型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
上記光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、
上記p型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - InおよびGaを含む第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層と、
上記活性層に接した、Gaを含む第6の窒化物系III−V族化合物半導体からなる光導波層と、
上記光導波層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III−V族化合物半導体により障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体と異なるAlおよびGaを含む第7の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層を上記p型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010157512A JP2010245559A (ja) | 2000-12-28 | 2010-07-12 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000401998 | 2000-12-28 | ||
JP2010157512A JP2010245559A (ja) | 2000-12-28 | 2010-07-12 | 半導体発光素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303673A Division JP4969210B2 (ja) | 2000-12-28 | 2006-11-09 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119695A Division JP5874689B2 (ja) | 2000-12-28 | 2013-06-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245559A true JP2010245559A (ja) | 2010-10-28 |
Family
ID=43098147
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010157512A Pending JP2010245559A (ja) | 2000-12-28 | 2010-07-12 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2013119695A Expired - Lifetime JP5874689B2 (ja) | 2000-12-28 | 2013-06-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119695A Expired - Lifetime JP5874689B2 (ja) | 2000-12-28 | 2013-06-06 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2010245559A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9372307B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-06-21 | International Business Machines Corporation | Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6176141B2 (ja) | 2014-02-19 | 2017-08-09 | 豊田合成株式会社 | Iii 族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3420028B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2003-06-23 | 株式会社東芝 | GaN系化合物半導体素子の製造方法 |
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2010
- 2010-07-12 JP JP2010157512A patent/JP2010245559A/ja active Pending
-
2013
- 2013-06-06 JP JP2013119695A patent/JP5874689B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5874689B2 (ja) | 2016-03-02 |
JP2013175790A (ja) | 2013-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130128 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130308 |
|
A02 | Decision of refusal |
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