JPH08264830A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH08264830A JPH08264830A JP6419995A JP6419995A JPH08264830A JP H08264830 A JPH08264830 A JP H08264830A JP 6419995 A JP6419995 A JP 6419995A JP 6419995 A JP6419995 A JP 6419995A JP H08264830 A JPH08264830 A JP H08264830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- type gan
- layer
- gan
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 あまり大がかりな装置を必要とせずに、ｐ型
ＧａＮ系半導体層に高抵抗部分と低抵抗部分を有する発
光素子の製造方法を提供する。 【構成】 基板１上に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層
３、４およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層５〜７をこの
順に積層してなり、高抵抗部８を有する発光素子の製造
方法において、基板１上にｎ型ＧａＮ系化合物半導体層
３、４およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層５〜７を積層
し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層７の表面
に部分的にマスク９を施し、水素または水素化合物を含
む雰囲気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体
層５〜７を部分的に高抵抗化する。
ＧａＮ系半導体層に高抵抗部分と低抵抗部分を有する発
光素子の製造方法を提供する。 【構成】 基板１上に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層
３、４およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層５〜７をこの
順に積層してなり、高抵抗部８を有する発光素子の製造
方法において、基板１上にｎ型ＧａＮ系化合物半導体層
３、４およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層５〜７を積層
し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層７の表面
に部分的にマスク９を施し、水素または水素化合物を含
む雰囲気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体
層５〜７を部分的に高抵抗化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＮ系の化合物半導
体を用いた発光素子の製造方法に関する。
体を用いた発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、青色発光素子として、ＧａＮ系化
合物半導体（Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ；０≦ｘ＜１およびＩｎ
y Ｇａ1-y Ｎ；０≦ｙ＜１）を用いた発光素子が注目さ
れている。このＧａＮ系の化合物半導体単結晶を成長さ
せることは容易ではないが、有機金属気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）法により高品質な単結晶を得ることが示されてい
る（文献１参照）。ところで、発光素子を製作するため
には、ｐｎ接合を形成することが必要になる。ＭＯＣＶ
Ｄ法で成長直後のｐ型ドーパント（例えばＺｎ、Ｍｇな
ど）を含んだＧａＮ系の層は高抵抗になることが示され
ている。これは、原料のＮＨ3 の水素がドーパントと結
合してドーパントの活性を低下させているものと推察さ
れている。また、窒素源として水素を含まない原料を用
いたＭＢＥなどの方法では、成長直後のｐ型ドーパント
を含む層は低抵抗であることが示されている（文献２参
照）。上記ＭＯＣＶＤ法で形成したｐ型ドーパントを含
む高抵抗（体積抵抗率で１０ 6 Ωｃｍ程度）の層に電子
線を照射するか窒素中で６００℃以上でアニールするこ
とにより、低抵抗（体積抵抗率で数Ωｃｍ程度）にな
り、この低抵抗になった結晶をアンモニア中で５００℃
以上でアニールすると、また高抵抗になることが示され
ている。この現象は、アンモニアの存在下でアニールす
ると、ｐ型ドーパントが結晶中に侵入してきた水素と結
合し、ｐ型ドーパントが不活性になり高抵抗化すると考
えられ、窒素中でアニールすると、水素が分離してドー
パントが活性になり、低抵抗化すると推測されている
（文献３）。
合物半導体（Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ；０≦ｘ＜１およびＩｎ
y Ｇａ1-y Ｎ；０≦ｙ＜１）を用いた発光素子が注目さ
れている。このＧａＮ系の化合物半導体単結晶を成長さ
せることは容易ではないが、有機金属気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）法により高品質な単結晶を得ることが示されてい
る（文献１参照）。ところで、発光素子を製作するため
には、ｐｎ接合を形成することが必要になる。ＭＯＣＶ
Ｄ法で成長直後のｐ型ドーパント（例えばＺｎ、Ｍｇな
ど）を含んだＧａＮ系の層は高抵抗になることが示され
ている。これは、原料のＮＨ3 の水素がドーパントと結
合してドーパントの活性を低下させているものと推察さ
れている。また、窒素源として水素を含まない原料を用
いたＭＢＥなどの方法では、成長直後のｐ型ドーパント
を含む層は低抵抗であることが示されている（文献２参
照）。上記ＭＯＣＶＤ法で形成したｐ型ドーパントを含
む高抵抗（体積抵抗率で１０ 6 Ωｃｍ程度）の層に電子
線を照射するか窒素中で６００℃以上でアニールするこ
とにより、低抵抗（体積抵抗率で数Ωｃｍ程度）にな
り、この低抵抗になった結晶をアンモニア中で５００℃
以上でアニールすると、また高抵抗になることが示され
ている。この現象は、アンモニアの存在下でアニールす
ると、ｐ型ドーパントが結晶中に侵入してきた水素と結
合し、ｐ型ドーパントが不活性になり高抵抗化すると考
えられ、窒素中でアニールすると、水素が分離してドー
パントが活性になり、低抵抗化すると推測されている
（文献３）。
【０００３】上述のＧａＮ系結晶層の低抵抗化の方法を
用いて、高抵抗なｐ型ＧａＮ系結晶層の一部に電子線を
照射すれば、図３に示すように、電流通路を制限できる
半導体レーザ素子を製作することができる。その製作工
程は以下の通りである。即ち、 １）ＭＯＣＶＤ法で、ＧａＮに近い格子定数を有するサ
ファイア基板１上に、ＧａＮバッファー層２、Ｓｉドー
プしたｎ−ＧａＮ層３、Ｓｉドープしたｎ−ＡｌＧａＮ
層４、Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープした
ｐ−ＡｌＧａＮ層６、Ｍｇドープしたｐ−ＧａＮ層７を
順次積層する（図３（ａ））。ここで、積層されたＺｎ
ドープＩｎＧａＮ層５、ＭｇドープＡｌＧａＮ層６およ
びＭｇドープＧａＮ層７の各層は高抵抗（体積抵抗率で
１０6 Ωｃｍ程度）になっている。 ２）次いで、ＭｇドープＧａＮ層７上に部分的にマスク
９をして、選択的に電子線を照射し、２〜３Ωｃｍ程度
に低抵抗になった低抵抗部分１３を形成する（図３
（ｂ））。この低抵抗部分１３は電流通路となり、その
周りの部分（ハッチング部分）は電流狭窄の機能を持
つ。 ３）次いで、ｐ側電極１０、およびサイドをＭｇドープ
ＧａＮ層７からｎ−ＧａＮ層３までエッチングしてｎ側
電極１１を形成する（図３（ｃ））。 文献１：Appl.Phys.Lett.,64,p1687(1994). 文献２：Mat.res.Sos.Symp.Proc.281,p753(1993). 文献３：Jpn.J.Appl.Phys.vol.31,pp1258(1992).
用いて、高抵抗なｐ型ＧａＮ系結晶層の一部に電子線を
照射すれば、図３に示すように、電流通路を制限できる
半導体レーザ素子を製作することができる。その製作工
程は以下の通りである。即ち、 １）ＭＯＣＶＤ法で、ＧａＮに近い格子定数を有するサ
ファイア基板１上に、ＧａＮバッファー層２、Ｓｉドー
プしたｎ−ＧａＮ層３、Ｓｉドープしたｎ−ＡｌＧａＮ
層４、Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープした
ｐ−ＡｌＧａＮ層６、Ｍｇドープしたｐ−ＧａＮ層７を
順次積層する（図３（ａ））。ここで、積層されたＺｎ
ドープＩｎＧａＮ層５、ＭｇドープＡｌＧａＮ層６およ
びＭｇドープＧａＮ層７の各層は高抵抗（体積抵抗率で
１０6 Ωｃｍ程度）になっている。 ２）次いで、ＭｇドープＧａＮ層７上に部分的にマスク
９をして、選択的に電子線を照射し、２〜３Ωｃｍ程度
に低抵抗になった低抵抗部分１３を形成する（図３
（ｂ））。この低抵抗部分１３は電流通路となり、その
周りの部分（ハッチング部分）は電流狭窄の機能を持
つ。 ３）次いで、ｐ側電極１０、およびサイドをＭｇドープ
ＧａＮ層７からｎ−ＧａＮ層３までエッチングしてｎ側
電極１１を形成する（図３（ｃ））。 文献１：Appl.Phys.Lett.,64,p1687(1994). 文献２：Mat.res.Sos.Symp.Proc.281,p753(1993). 文献３：Jpn.J.Appl.Phys.vol.31,pp1258(1992).
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
電子線を照射してＧａＮ系結晶層を部分的に低抵抗化す
る方法は、大がかりな電子線照射装置を必要とし、ま
た、電子線が結晶にダメージを与えるなどの悪影響を及
ぼす恐れがあった。また、図３（ｂ）の状態で、窒素中
で６００℃以上でアニールすれば、結晶にダメージを与
えずに低抵抗化するように思われるが、この方法では結
晶全体が昇温されるため、ドーパントと結合している水
素がマスクの有無にかかわらず表面方向にでていくた
め、部分的に低抵抗化して電流狭窄の構造を形成するの
は不可能である。そこで、本発明では、あまり大がかり
な装置を必要とせずに、ｐ型ＧａＮ系半導体層に高抵抗
部分と低抵抗部分を設けた発光素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
電子線を照射してＧａＮ系結晶層を部分的に低抵抗化す
る方法は、大がかりな電子線照射装置を必要とし、ま
た、電子線が結晶にダメージを与えるなどの悪影響を及
ぼす恐れがあった。また、図３（ｂ）の状態で、窒素中
で６００℃以上でアニールすれば、結晶にダメージを与
えずに低抵抗化するように思われるが、この方法では結
晶全体が昇温されるため、ドーパントと結合している水
素がマスクの有無にかかわらず表面方向にでていくた
め、部分的に低抵抗化して電流狭窄の構造を形成するの
は不可能である。そこで、本発明では、あまり大がかり
な装置を必要とせずに、ｐ型ＧａＮ系半導体層に高抵抗
部分と低抵抗部分を設けた発光素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した発光素子の製造方法を提供するもので、基板上
に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化
合物半導体層をこの順に積層してなり、高抵抗部を有す
る発光素子の製造方法において、基板上にｎ型ＧａＮ系
化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を積
層し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層の表面
を部分的にマスクし、水素または水素化合物を含む雰囲
気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を部
分的に高抵抗化する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
決した発光素子の製造方法を提供するもので、基板上
に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化
合物半導体層をこの順に積層してなり、高抵抗部を有す
る発光素子の製造方法において、基板上にｎ型ＧａＮ系
化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を積
層し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層の表面
を部分的にマスクし、水素または水素化合物を含む雰囲
気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を部
分的に高抵抗化する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
【０００６】
【作用】上述のような方法で、ｐ型ＧａＮ系化合物半導
体層を部分的に高抵抗化して、ｐ型ＧａＮ系半導体層に
高抵抗部分と低抵抗部分を設けると、電子照射装置のよ
うな大がかりの装置を必要とせず、また、電子照射によ
る損傷を受けることもない。
体層を部分的に高抵抗化して、ｐ型ＧａＮ系半導体層に
高抵抗部分と低抵抗部分を設けると、電子照射装置のよ
うな大がかりの装置を必要とせず、また、電子照射によ
る損傷を受けることもない。
【０００７】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。 （実施例１）図１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明に
かかる発光素子の製造方法の一実施例の工程説明図であ
る。その工程は以下の通りである。即ち、 １）先ず、ＭＯＣＶＤ法でサファイア基板１上に、低温
（５００℃）でＧａＮバッファー層２を０．０５μｍ厚
さ形成した後、厚さ４μｍのＳｉドープしたｎ−ＧａＮ
層３、厚さ０．５μｍのＳｉドープしたｎ−ＡｌＧａＮ
層４、厚さ０．１μｍのＺｎドープしたｐ−ＩｎＧａＮ
層５、厚さ０．５μｍのＭｇドープしたｐ−ＡｌＧａＮ
層６、厚さ０．５μｍのＭｇドープしたｐ−ＧａＮ層７
を順次積層する（図１（ａ））。ここで、Ｚｎドープｐ
−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ−ＡｌＧａＮ層６およ
びＭｇドープｐ−ｌＧａＮ層７の各層は高抵抗（体積抵
抗率で１０6 Ωｃｍ程度）になっている（ハッチング部
分）。 ２）次いで、上記積層体を窒素雰囲気中で６００℃でア
ニールし、Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープ
ｐ−ＡｌＧａＮ層６、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７を低抵
抗化（２〜３Ωｃｍ程度）する（図１（ｂ））。 ３）次いで、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７上に選択的にマ
スク９（Ｃｒ）を形成し、アンモニア雰囲気中で８００
℃、２０分のアニールを施し、マスク９下以外の部分の
Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ−ＡｌＧ
ａＮ層６、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７を高抵抗化（体積
抵抗率で１０6 Ωｃｍ程度）して電流狭窄部８（ハッチ
ング部分）とする（図１（ｃ））。 ４）次いで、マスク９を除去してｐ側電極１０、Ｍｇド
ープｐ−ＧａＮ層７からＳｉドープｎ−ＧａＮ層３まで
をエッチングにより部分的に除去してｎ側電極１１を形
成する（図１（ｄ））。 ５）最後に、図２に示すように、ドライエッチングによ
り共振器面１２を形成してＧａＮ系の発光素子とする。
を詳細に説明する。 （実施例１）図１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明に
かかる発光素子の製造方法の一実施例の工程説明図であ
る。その工程は以下の通りである。即ち、 １）先ず、ＭＯＣＶＤ法でサファイア基板１上に、低温
（５００℃）でＧａＮバッファー層２を０．０５μｍ厚
さ形成した後、厚さ４μｍのＳｉドープしたｎ−ＧａＮ
層３、厚さ０．５μｍのＳｉドープしたｎ−ＡｌＧａＮ
層４、厚さ０．１μｍのＺｎドープしたｐ−ＩｎＧａＮ
層５、厚さ０．５μｍのＭｇドープしたｐ−ＡｌＧａＮ
層６、厚さ０．５μｍのＭｇドープしたｐ−ＧａＮ層７
を順次積層する（図１（ａ））。ここで、Ｚｎドープｐ
−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ−ＡｌＧａＮ層６およ
びＭｇドープｐ−ｌＧａＮ層７の各層は高抵抗（体積抵
抗率で１０6 Ωｃｍ程度）になっている（ハッチング部
分）。 ２）次いで、上記積層体を窒素雰囲気中で６００℃でア
ニールし、Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープ
ｐ−ＡｌＧａＮ層６、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７を低抵
抗化（２〜３Ωｃｍ程度）する（図１（ｂ））。 ３）次いで、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７上に選択的にマ
スク９（Ｃｒ）を形成し、アンモニア雰囲気中で８００
℃、２０分のアニールを施し、マスク９下以外の部分の
Ｚｎドープｐ−ＩｎＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ−ＡｌＧ
ａＮ層６、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層７を高抵抗化（体積
抵抗率で１０6 Ωｃｍ程度）して電流狭窄部８（ハッチ
ング部分）とする（図１（ｃ））。 ４）次いで、マスク９を除去してｐ側電極１０、Ｍｇド
ープｐ−ＧａＮ層７からＳｉドープｎ−ＧａＮ層３まで
をエッチングにより部分的に除去してｎ側電極１１を形
成する（図１（ｄ））。 ５）最後に、図２に示すように、ドライエッチングによ
り共振器面１２を形成してＧａＮ系の発光素子とする。
【０００８】（実施例２）本発明の第２の実施例の製造
工程を以下に説明する。即ち、 １）先ず、ＭＢＥ法を用いて実施例１と同様に、サファ
イア基板１上に、低温（５００℃）でＧａＮバッファー
層２を０．０５μｍ厚さ形成した後、厚さ４μｍのＳｉ
ドープしたｎ−ＧａＮ層３、厚さ０．５μｍのＳｉドー
プしたｎ−ＡｌＧａＮ層４、厚さ０．１μｍのＺｎドー
プしたｐ−ＩｎＧａＮ層５、厚さ０．５μｍのＭｇドー
プしたｐ−ＡｌＧａＮ層６、厚さ０．５μｍのＭｇドー
プしたｐ−ＧａＮ層７を順次積層する。この場合、窒素
源としてＮ2 をプラズマで分解したものを用いているの
で、水素を含んでいないため、ｐ型ドーパントを含む層
（符号５〜７）は、低抵抗（数Ωｃｍ程度）である。こ
の状態は、図１（ｂ）と同様である。 ２）以下、実施例１の 図１（ｃ）、（ｄ）の場合と同
様にして部分的にｐ型ドーパントを含む層（符号５〜
７）を高抵抗化して発光素子を形成する。なお、上記実
施例では、アンモニア雰囲気中でアニールすることでｐ
−ＧａＮ系化合物を高抵抗化する場合について説明した
が、ｐ−ＧａＮ系化合物層中に水素を供給できる雰囲気
下でアニールすれば、本発明の目的は達成される。従っ
て、Ｈ2 雰囲気、ジメチルヒドラジン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ
ＮＨ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）など、水素または水素化合物雰囲気下、あるい
は、これらのうち少なくとも一つのガスを含む雰囲気下
でアニールを行っても、同様の効果が得られる。
工程を以下に説明する。即ち、 １）先ず、ＭＢＥ法を用いて実施例１と同様に、サファ
イア基板１上に、低温（５００℃）でＧａＮバッファー
層２を０．０５μｍ厚さ形成した後、厚さ４μｍのＳｉ
ドープしたｎ−ＧａＮ層３、厚さ０．５μｍのＳｉドー
プしたｎ−ＡｌＧａＮ層４、厚さ０．１μｍのＺｎドー
プしたｐ−ＩｎＧａＮ層５、厚さ０．５μｍのＭｇドー
プしたｐ−ＡｌＧａＮ層６、厚さ０．５μｍのＭｇドー
プしたｐ−ＧａＮ層７を順次積層する。この場合、窒素
源としてＮ2 をプラズマで分解したものを用いているの
で、水素を含んでいないため、ｐ型ドーパントを含む層
（符号５〜７）は、低抵抗（数Ωｃｍ程度）である。こ
の状態は、図１（ｂ）と同様である。 ２）以下、実施例１の 図１（ｃ）、（ｄ）の場合と同
様にして部分的にｐ型ドーパントを含む層（符号５〜
７）を高抵抗化して発光素子を形成する。なお、上記実
施例では、アンモニア雰囲気中でアニールすることでｐ
−ＧａＮ系化合物を高抵抗化する場合について説明した
が、ｐ−ＧａＮ系化合物層中に水素を供給できる雰囲気
下でアニールすれば、本発明の目的は達成される。従っ
て、Ｈ2 雰囲気、ジメチルヒドラジン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ
ＮＨ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）など、水素または水素化合物雰囲気下、あるい
は、これらのうち少なくとも一つのガスを含む雰囲気下
でアニールを行っても、同様の効果が得られる。
【０００９】上述のように、本実施例ではアニールとエ
ッチングの工程のみで電流狭窄部を有する発光素子を形
成することができる。なお、本発明の高抵抗化する工程
は、電流狭窄部の形成のみでなく、素子分離などにも適
用できる。
ッチングの工程のみで電流狭窄部を有する発光素子を形
成することができる。なお、本発明の高抵抗化する工程
は、電流狭窄部の形成のみでなく、素子分離などにも適
用できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板上に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ
系化合物半導体層をこの順に積層してなり、高抵抗部を
有する発光素子の製造方法において、基板上にｎ型Ｇａ
Ｎ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層
を積層し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層の
表面を部分的にマスクし、水素または水素化合物を含む
雰囲気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層
を部分的に高抵抗化する工程を含むため、電子線照射装
置のような大がかりな装置を必要とせず、また、素子に
ダメージを与えることなく、ｐ型ＧａＮ系半導体層に高
抵抗部分と低抵抗部分を有する発光素子を製造すること
ができるという優れた効果がある。
板上に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ
系化合物半導体層をこの順に積層してなり、高抵抗部を
有する発光素子の製造方法において、基板上にｎ型Ｇａ
Ｎ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層
を積層し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層の
表面を部分的にマスクし、水素または水素化合物を含む
雰囲気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層
を部分的に高抵抗化する工程を含むため、電子線照射装
置のような大がかりな装置を必要とせず、また、素子に
ダメージを与えることなく、ｐ型ＧａＮ系半導体層に高
抵抗部分と低抵抗部分を有する発光素子を製造すること
ができるという優れた効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、本発明にかかる発
光素子の製造方法の一実施例の工程説明図である。
光素子の製造方法の一実施例の工程説明図である。
【図２】上記実施例で製作した発光素子の斜視図であ
る。
る。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、従来のＧａＮ系発
光素子の製造方法の工程説明図である。
光素子の製造方法の工程説明図である。
１ サファイア基板 ２ ＧａＮバッファー層 ３ ｎ−ＧａＮ層 ４ ｎ−ＡｌＧａＮ層 ５ ｐ−ＩｎＧａＮ層 ６ ｐ−ＡｌＧａＮ層 ７ ｐ−ＧａＮ層 ８ 電流狭窄部 ９ マスク １０ ｐ側電極 １１ ｎ側電極 １２ 共振器面
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層
およびｐ型ＧａＮ系化合物半導体層をこの順に積層して
なり、高抵抗部を有する発光素子の製造方法において、
基板上にｎ型ＧａＮ系化合物半導体層およびｐ型ＧａＮ
系化合物半導体層を積層し、次いで、前記ｐ型ＧａＮ系
化合物半導体層の表面を部分的にマスクし、水素または
水素化合物を含む雰囲気でアニールし、前記ｐ型ＧａＮ
系化合物半導体層を部分的に高抵抗化する工程を含むこ
とを特徴とする発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6419995A JPH08264830A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6419995A JPH08264830A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264830A true JPH08264830A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13251170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6419995A Pending JPH08264830A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264830A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314202A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Ricoh Co Ltd | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法およびｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体および半導体素子 |
| JP2007142410A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Sharp Corp | 半導体層構造の成長方法 |
| JP2007305744A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積半導体光素子およびその製造方法 |
| JP2008510298A (ja) * | 2004-08-15 | 2008-04-03 | インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク | 窒化物を用いたレーザーダイオード、並びに該レーザーダイオードの製造方法 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP6419995A patent/JPH08264830A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314202A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Ricoh Co Ltd | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法およびｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体および半導体素子 |
| JP2008510298A (ja) * | 2004-08-15 | 2008-04-03 | インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク | 窒化物を用いたレーザーダイオード、並びに該レーザーダイオードの製造方法 |
| JP2007142410A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Sharp Corp | 半導体層構造の成長方法 |
| JP2007305744A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積半導体光素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7760785B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
| JP3688843B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
| JP5028640B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| US6853663B2 (en) | Efficiency GaN-based light emitting devices | |
| US8304756B2 (en) | Deep ultraviolet light emitting device and method for fabricating same | |
| US7714350B2 (en) | Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing same | |
| JP3778609B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3438674B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP2000232238A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US20070008998A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP4444230B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子 | |
| JPH08115880A (ja) | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP2001068786A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2004088054A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003046201A (ja) | 半導体レーザー素子の製造方法及び半導体レーザー素子 | |
| JPH10154829A (ja) | ｐ型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JPH09167857A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH10144960A (ja) | ｐ型窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP2790235B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 | |
| JPH08264830A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JPH10303502A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3219231B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2995186B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3347633B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP7319559B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 |