JP3304787B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子及びその製造方法

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史郎 山崎
潤一 梅崎
誠二 永井
慎也 浅見
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豊田合成株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体発光素子及
びその製造方法に関する。この半導体発光素子は例えば
発光ダイオードやレーザダイオードとして利用できる。

【0002】

【従来の技術】可視光短波長領域の発光素子として化合
物半導体を用いたものが知られている。中でもIII族窒
化物半導体は直接遷移型であることから発光効率が高く
かつ光の3原色の1つである青色を発光することから、
昨今特に注目を集めている。

【0003】このような発光素子のひとつとして、サフ
ァイア基板の上に、AlN製のバッファ層、第1のクラ
ッド層、発光層及び第2のクラッド層を順に積層して形
成されたものがある。ここに、第1及び第2のクラッド
層はAlXInYGa1-X-YN(X=0、Y=0、X=Y
=0を含む)からなる。発光層は例えばInY1Ga1-Y1
N(Y1≧0)からなるバリア層、InY2Ga1-Y2
(Y2>Y1かつY2>0)からなる量子井戸層を繰り
返し積層して形成した超格子構造である。これら半導体
層は有機金属化合物気相成長法(以下、「MOVPE
法」という。)により、定法に従い形成される。

【0004】

【発明が解決しようとする課題】このような超格子構造
の発光層は、バリア層と量子井戸層との間で組成の違い
に急峻性が求められるため、比較的低い成長温度で形成
される。また、一般的に、バリア層はそれぞれが同じ厚
さになるように形成され、同様に各量子井戸層もそれぞ
れが同じ厚さになるように形成される。これは、各層の
厚さに違いがあると、量子効果により、量子井戸層から
発生する光が波長の点で微妙に変化するおそれがあるか
らである。一方、発光層の上に形成される第2のクラッ
ド層はその厚さ(バリア層や量子井戸層より厚い)や組
成の関係から、発光層よりも高い温度で形成される。本
発明者らはこのようにして半導体発光素子を製造すると
き、以下の課題のあることに気が付いた。

【0005】超格子構造の発光層において、各クラッド
層に接する層が量子井戸層であると、以下の課題が生じ
る。クラッド層がp伝導型の場合これに量子井戸層が連
続していると、クラッド層とバリア層とではエネルギ順
位が異なるので、当該量子井戸層のいわゆる井戸の深さ
が他の量子井戸層のそれと比べて異なることとなる。従
って、光の波長がシフトするおそれがる。また、クラッ
ド層がn伝導型の場合これに量子井戸層が連続している
と、クラッド層のエネルギ順位は量子井戸層のそれより
低いため、当該量子井戸層においていわゆる井戸が形成
されなくなり、そこでの発光が期待できなくなる。

【0006】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、第1の発明によれば、n伝導型のGaNからなる第
1の半導体層と、該第1の半導体層の上に形成され、意
図的な不純物がドープされていないInY1Ga1-Y1
(Y1≧0)からなるバリア層、意図的な不純物がドー
プされていないInY2Ga1-Y2N(Y2>Y1かつY2
>0)からなる量子井戸層を積層してなる超格子構造の
発光層と、該発光層の上に形成され、p伝導型のAlG
aNからなる第2の半導体層と、を含む半導体発光素子
において、発光層の各クラッド層に接する層をバリア層
とすることとした。即ち、発光層の構成を、バリア層−
量子井戸層− … −量子井戸層−バリア層とした。な
お、この明細書において第1の半導体層及び第2の半導
体層にはクラッド層若しくは光ガイド層が該当する。ま
た、バリア層及び量子井戸層等の半導体層を成長させる
ときのバックグラウンドに起因する不純物は意図的な不
純物に該当しない。

【0007】しかしながら、本願発明者が更に検討を重
ねたところ、以下の課題が更に見つかった。即ち、超格
子構造の発光層の上に第2のクラッド層を形成すると、
発光層の最上層にくるバリア層(以下、「最上バリア
層」という。」)が薄くなることである。これは、第2
のクラッド層の形成温度が最上バリア層の形成温度より
も高いため、第2のクラッド層形成時に最上バリア層の
材料がその上面から飛ばされてしまうためと考えられ
る。最上バリア層が薄くなると量子効果により光の波長
が短波長側にシフトするので好ましくない。また、バリ
ア層が薄く(例えば厚さ数nm)設計されていた場合、
最上バリア層が実質的に存在しなくなるおそれもある。

【0008】このような課題を解決するため、第2の発
明によれば、AlXInYGa1-X-YN(X=0、Y=
0、X=Y=0を含む)からなる第1の半導体層を形成
するステップと、該第1の半導体層の上に、InY1Ga
1-Y1N(Y1≧0)からなるバリア層、InY2Ga1-Y2
N(Y2>Y1かつY2>0)からなる量子井戸層を積
層して超格子構造の発光層を形成するステップと、該発
光層の上にAlAInBGa1-A-BN(A=0、B=0、
A=B=0を含む)からなる第2の半導体層を形成する
ステップと、を含んでいる半導体発光素子の製造方法に
おいて、発光層の最上層となる最上バリア層を他のバリ
ア層よりも厚く形成する。

【0009】第3の発明によれば、上記第2の発明にお
いて、第2の形成するとき、前記最上バリア層の上面を
消失させ、該最上バリア層の厚さを他のバリア層の厚さ
と実質的に同一とする。

【0010】

【0011】

【0012】

【0013】

【発明の作用・効果】第1の発明によれば、発光層にお
いて第1の半導体層及び第2の半導体層と接する層がバ
リア層となるので、各半導体層に最も近い量子井戸層に
おいてもいわゆる量子井戸の形、即ちポテンシャルの窪
みが他の量子井戸層と実質的に同じとなる。よって、各
量子井戸から放出される光の波長は実質的に等しくな
る。また、第1の発明によれば、n伝導型のGaNから
なる第1の半導体層の上に発光層のInY1Ga1-Y1Nか
らなるバリア層が結晶成長される。バリア層におけるI
nの組成比は0若しくは量子井戸層に比べて比較的小さ
いので、その組成はGaNからなる第1の半導体層に近
く、もって発光層の結晶に歪みが入り難くなる。

【0014】第2の発明によれば、最上バリア層が他の
バリア層よりも厚く形成されるので、第2の半導体層を
形成するとき当該最上バリア層の表面の材料が消失して
も、その全体が実質的に存在しなくなることはない。そ
のためには、勿論、第2の半導体層の形成時に消失する
厚さを見越して最上バリア層の厚さが設計される。

【0015】第3の発明によれば、第2の半導体層形成
後、最上バリア層の厚さが他のバリア層の厚さと同じと
なるように、第2の半導体層の形成時に消失する厚さを
見越して最上バリア層の厚さが設計される。これによ
り、超格子構造の発光層において各バリア層の厚さが実
質的に同一となり、量子効果による波長のシフトを未然
に防止できることとなる。

【0016】

【0017】

【0018】

【0019】第1実施例 この実施例の半導体発光素子は青色発光ダイオードであ
る。図1に実施例の発光ダイオード20の断面図を示
す。

【0020】厚さ100μm のサファイア基板1のa面
上に厚さ20 nmのAlNからなるバッファ層2が形成
されている。このバッファ層2の膜厚は20〜50nm
とすることができ、膜の成長温度は400℃である。

【0021】バッファ層2の上にはn伝導型の半導体層
3が2層に形成されている。このn層3は、下から、厚
さ2.5μm のシリコンが高濃度にドープされたn+
GaN層3a(キャリア密度:2 X 1018/cm3、)
と厚さ0.5μm のシリコンがドープされたn−GaN
層3b(第1のクラッド層(第1の半導体層)、キャリ
ア密度:2 X 1017/cm3)とで構成される。

【0022】このn層3はAlXInYGa1-X-YN(X
=0、Y=0、X=Y=0を含む)からなる化合物半導
体で形成することができる。このn層3を1層から構成
することもできる。

【0023】n層3の上には超格子構造の発光層5が形
成されている。発光層5は厚さ3.5 nm 意図的な不純
物がドープされていないGaNからなるバリア層5aと
厚さ3.5 nm の意図的な不純物がドープされていない
In0.16Ga0.84Nからなる量子井戸層5bを繰り返し
積層した構成である。この実施例では繰り返し数を5と
した。そして、最も上に形成されるバリア層5cは厚さ
が3.5 nm の意図的な不純物がドープされていないG
aNからなる。

【0024】上記において、バリア層5aと量子井戸層
5bの繰り返し数は特に限定されるものではない。バリ
ア層5a、5cはInY1Ga1-Y1N(Y1≧0)からな
る化合物半導体、量子井戸層5bはInY2Ga1-Y2
(Y2>Y1かつY2>0)からなる化合物半導体でそ
れぞれ形成することができる。最上バリア層5cの厚さ
を他のバリア層5aの厚さと実質的に等しくすること
が、量子効果の影響を排除することから、好ましい。バ
リア層5a、5c及び量子井戸層5bにはこれへ不純分
をドープすることもできる。

【0025】本発明者らの検討によれば、量子井戸層5
bの膜厚を3〜5nmとしたとき、発光層から強い発光
の得られることがわかった。該検討を以下に説明する。
実施例の素子において、量子井戸層の膜厚を10nm、
7nm、5nm及び3nmと変化させ、それらの発光強
度を測定する。なお、バリア層の膜厚も量子井戸層の膜
厚と同じになるよう変化させる。発光強度は電解発光
(electroluminescence、単位;a.
u.)の強度である。本発明者らの検討によれば、量子井
戸層の膜厚が10nmのときの発光強度に対して、量子
井戸層の膜厚を7nmとすると約10倍の発光強度が得
られ、同じく膜厚を5nmとすると約60倍、膜厚を3
nmとすると約150倍の発光強度がそれぞれ得られ
た。以上の結果から、バリア層をノンドープトGaNと
し、量子井戸層をノンドープトInGaNとしたとき、
量子井戸層の膜厚を3〜5nmとすることが好ましいこ
とがわかる。バリア層の厚さは3nm以上とすることが
好ましい。

【0026】この実施例では発光層5において第1のク
ラッド層3bと接する層がバリア層5aであり、p伝導
型の第2のクラッド層7と接する層が最上バリア層5c
とされる。従って、各クラッド層に最も近い量子井戸層
5bにおいてもいわゆる量子井戸の形、即ちポテンシャ
ルの窪みが他の量子井戸層と実質的に同じとなる。よっ
て、各量子井戸層から発生する光の波長は実質的に等し
くなる。

【0027】発光層5の上にはバリア層5aよりも広い
バンドギャップを持つ第2のクラッド層(第2の半導体
層)7が2層に形成されている。この第2のクラッド層
7は、下から、厚さ30.0 nm のマグネシウムがドー
プされたp−Al0.15Ga0.85N層7a(キャリア密
度:1〜2 X 1017/cm3)と厚さ75.5 nm のマ
グネシウムがドープされたp−GaN層7b(キャリア
密度:2 X 1017/cm3)とで構成される。Alを含
むクラッド層7aはその膜厚を20nm以上とすること
が好ましい。20nm未満ではヘテロバリアによる電子
の閉じ込め効果が弱くなる。このクラッド層7aを10
0nmを超えて厚くする必要はない。

【0028】この第2のクラッド層7はAlAInBGa
1-A-BN(X=0、Y=0、X=Y=0を含む)からな
る化合物半導体で形成することができる。この第2のク
ラッド層7を1層から構成することもできる。

【0029】第2のクラッド層7の上には厚さ25.0
nm のマグネシウムがp−GaN層7bより高濃度にド
ープされたGaN層8(キャリア濃度:1 X 1017
cm3)が形成されている。この層は電極に対するコン
タクト抵抗を下げるために設けられる。このGaN層8
の膜厚は20〜50nmとすることが好ましい。この膜
厚が20nmに満たないとコンタクト層の効果が弱くな
り抵抗が高くなる。また、この膜厚を50nmを超えて
厚くする必要はない。

【0030】電極パッド9はAl、Ti又はこれらを含
む合金からなる。符号10は透明電極でありGaN層8
の上にそのほぼ全面に渡って形成される。透明電極10
の上に電極パッド11が形成される。透明電極10及び
電極パッド11の形成材料として、Au、Pt、Pd、
Ni又はこれらを含む合金が挙げられる。

【0031】次に、実施例の発光ダイオード20の製造
方法を説明する。発光ダイオードの各半導体層はMOV
PE法により形成される。この成長法においては、アン
モニアガスとIII族元素のアルキル化合物ガス、例えば
トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウ
ム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適
当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応さ
せ、もって所望の結晶を基板の上に成長させる。なお、
キャリアガス、アンモニアガス及びIII族元素のアルキ
ル化合物ガスの流量、反応時間は目的とする結晶に応じ
て適宜調節する。

【0032】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
a面を主面とする単結晶サファイア基板1を図示しない
気相反応装置内のサセプタに装着する。次に、常圧でN
2を当該反応装置に流しながら温度1100℃でサファ
イア基板1を気相エッチングする。

【0033】次に、温度を400℃まで低下させて、N
2、NH3及びTMAを供給して基板上にAlNのバッフ
ァ層2を約20nmの厚さに形成する。

【0034】次に温度を上げて、N2、シラン、TM
G、NH3を導入し、n伝導型の半導体層において下側
の層3aを形成し、更にシランの流量を下げて上側の層
3bを形成する。

【0035】続いて、温度を900℃に保持し、N2
TMG、NH3を導入して厚さ3.5nm のGaNからな
るバリア層5aを形成する。次に温度を750℃に保持
し、N2、NH3、TMG及びTMIを導入して厚さ3.
5 nm のIn0.16Ga0.84Nからなる量子井戸層5bを
形成する。これを繰り返して、図に示すとおり、それぞ
れ5層のバリア層5aと量子井戸層5bを得る。反応時
間を調整することによりバリア層5a及び量子井戸層5
bの膜厚が調節される。

【0036】温度を900℃に保持し、N2TMG、
NH3を導入して厚さ14.0 nm のGaNからなる最
上バリア層5cを5段目の量子井戸層5bの上に形成す
る。既述のとおり、第2のクラッド層7を形成するとき
この最上バリア層5cはその上面が消失する。この実施
例では、当初14.0 nm あった最上バリア層5cが、
第2のクラッド層形成後、3.5 nm となった。最上バ
リア層5cは、第2のクラッド層形成後、他のバリア層
5aと同じ厚さ、即ち3.5 nm となるように形成する
ことが好ましい。

【0037】次に、温度を1000℃に保持し、N2
NH3、TMG、TMA、CP2Mgを導入し、膜厚30
nmのマグネシウムがドープされたp−Al0.15Ga
0.85Nからなる層7aを形成する。次に、温度を100
0℃に保持し、N2、NH3、TMG、CP2Mgを導入
して厚さ75.0 nm のマグネシウムがドープされたp
−GaN層7bを形成し、もって第2のクラッド層7と
する。

【0038】層7bの形成に引き続き、温度を1000
℃に維持したまま、CP2Mgの流量を変えて最上層8
を形成する。

【0039】この状態で第2のクラッド層7と最上層8
は半絶縁性を示す。そこで、電子線照射装置を用いて、
第2のクラッド層7及び最上層8へ一様に電子線を照射
する。電子線の照射条件は、例えば、加速電圧約10k
V、試料電流1μA、ビーム移動速度0.2mm/sec、ビ
ーム径60μmΦ、真空度5.0 X 10ー5Torrである。
このような電子線照射によって第2のクラッド層7及び
最上層8は所望のp伝導型となる。

【0040】このようにして形成された半導体ウエハを
周知の方法でエッチングして、図1に示した半導体層構
成とする。そして、電極パッド9を半導体層3aの上へ
蒸着により形成し、続いて金製の透明電極10を最上層
8の上に蒸着し、更に金製の電極パッド11を蒸着す
る。

【0041】このようにして形成された半導体ウエハを
素子毎に切り分けて、所望の青色発光ダイオード20と
する。

【0042】本発明者らの検討によれば、上記構成の実
施例の素子には下記の特性が認められた。図2は素子に
印加する順方向電流を変化させたときの発光スペクトル
の変化を示す。図3は図2の発光スペクトルを解析した
ものであって、素子に印加する順方向電流を変化させた
ときのピーク波長及び半値幅の変化を示す。

【0043】これらの図からわかるように、素子に印加
する電流を変化させてもピーク波長は実質的に変化しな
い。即ち、電流を5〜100mAの範囲で変化させても
ピーク波長はほぼ445〜450nmの範囲に収まって
いる。素子に対する実用的な印加電流を考慮すれば、順
方向に印加される電流は5〜50mAの範囲にあり、こ
の範囲で電流を変化させたときのピーク波長の変化は1
0nm以下、更に詳しくはほぼ5nm以下である。特
に、電流が20〜50mAの範囲でピーク波長は殆ど変
化しない。

【0044】一方、一般的な発光素子では、印加される
電流が大きくなると、即ち印加される電圧が高くなる
と、ピーク波長は短波長側にシフトする。その理由は次
のように考えられる。ヘテロ構造の発光層を構成する半
導体層には不純物が含まれている。このような半導体素
子では印加される電圧が大きくなると、半導体層の最低
のエネルギ準位にあったキャリアが発光層に含まれる不
純物の形成するエネルギ準位に持ち上がる。この不純物
の形成する準位は半導体層の最低のエネルギ準位よりも
高いので、このキャリアが再結合することにより放出さ
れる光の波長は短波長側へシフトする。同様に、単一の
量子井戸層を持つ発光層では、印加する電圧を高くする
と、量子井戸の最低のエネルギ準位にあったキャリアが
量子井戸においてより上位のエネルギ準位に持ち上げら
れる。従って、このキャリアが再結合することによって
放出される光の波長は短波長側にシフトする。

【0045】一方、この実施例の半導体発光素子によれ
ば、発光層に不純物がドープされていない。更には、量
子井戸層が複数(実施例では5層)あるので量子井戸の
最低準位にあるキャリアは、高い電圧がかけられたと
き、量子井戸内でより上位のエネルギ準位へ持ち上げら
れる代わりに、前後に(図では上下に)連続する他の量
子井戸内において空きのある最低エネルギ準位又は比較
的低いエネルギ準位へ優先的にトンネルする。これによ
り短波長側への波長シフトが防止されると推定される。
なお、波長シフトを防止する見地から、量子井戸層の数
を3〜7とすることが好ましい。

【0046】このように電流の大きさを変化させてもピ
ーク波長が実質的に一定であると、発光素子の特性上好
ましい。

【0047】発光スペクトルの半値幅も印加する電流
(5〜100mA)に無関係に実質的に一定であり、6
0nm以下である。実用的な印加電流の範囲(5〜50
mA)では半値幅の変化が更に小さく、印加電流の範囲
を20〜50mAとすると半値幅の変化はより一段と小
さくなる。半値幅が一定であることからも、各量子井戸
層において同じエネルギ準位にあるキャリアの再結合が
発光に寄与していると考えられる。

【0048】このように、印加電流の変化に拘わらず、
発光スペクトルの半値幅が60nm以下に維持されるこ
とは、発光される光の波長の分布が狭く、発光が理想的
な単色光により近づいていることを意味する。これによ
り色純度の高い発光素子が得られることとなる。

【0049】第2実施例 この実施例の半導体発光素子は緑色発光ダイオードであ
る。この実施例の発光ダイオードは、上記第1実施例の
発光ダイオードにおいて量子井戸層の組成がIn0.23Ga
0.77N とされている。即ち、第1実施例に比べてInの
組成が大きくされている。このような量子井戸層はTM
Iの流量を大きくすること等により、第1実施例と同様
にして形成される。

【0050】本発明者らの検討によれば、上記構成の実
施例の素子には下記の特性が認められた。図4は素子に
印加する順方向電流を変化させたときの発光スペクトル
の変化を示す。図5は図4の発光スペクトルを解析した
ものであって、素子に印加する順方向電流を変化させた
ときのピーク波長及び半値幅の変化を示す。

【0051】これらの図からわかるように、素子に印加
する電流を変化させてもピーク波長は実質的に変化しな
い。即ち、電流を5〜100mAの範囲で変化させても
ピーク波長はほぼ515〜520nmの範囲に収まって
いる。素子に対する実用的な印加電流を考慮すれば、順
方向に印加される電流は5〜50mAの範囲にあり、こ
の範囲で電流を変化させたときのピーク波長の変化は1
0nm以下、更に詳しくはほぼ5nm以下である。電流
の範囲が20〜50mA、更には20〜100mAのと
き、ピーク波長はほぼ515nmにあって殆ど変化しな
い。

【0052】発光スペクトルの半値幅も印加する電流
(5〜100mA)に無関係に60nm以下、更に詳し
くは35nm以下である。実用的な印加電流の範囲(5
〜50mA)では半値幅は殆ど変化せず、印加電流の範
囲を20〜50mAとすると半値幅の変化はより一段と
小さくなる。

【0053】この発明は上記発明の実施の形態及び実施
例の記載に何ら限定されるものではなく、特許請求の範
囲を逸脱しない範囲で、当業者が想到し得る種々の変形
態様を包含する。この発明がレーザダイオードにも適用
できることは勿論である。

【0054】以下次の事項を開示する。 (1) AlXInYGa1-X-YN(X=0、Y=0、X=Y
=0を含む)からなる第1の半導体層と、該第1の半導
体層の上に、InY1Ga1-Y1N(Y1≧0)からなるバ
リア層、InY2Ga1-Y2N(Y2>Y1かつY2>0)
からなる量子井戸層を積層してなる超格子構造の発光層
と、該発光層の上にAlXInYGa1-X-YN(X=0、
Y=0、X=Y=0を含む)からなる第2の半導体層
と、を含んでいる半導体発光素子おいて、前記発光層に
おいて前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層と接
する層が前記バリア層であることを特徴とする半導体発
光素子。

【0055】前記第2の半導体層に接するバリア層はそ
の厚さが他のバリア層より厚いことを特徴とする(1)に
記載の半導体発光素子。

【図面の簡単な説明】

【図1】図1はこの発明の実施例の発光ダイオードの断
面図である。

【図2】図2はこの発明の一の実施例の発光ダイオード
において電流を変化させたときの発光スペクトルの変化
を示す図である。

【図3】図3は同じく電流を変化させたときのピーク波
長の変化及び半値幅の変化を示す図である。

【図4】図4はこの発明の他の実施例の発光ダイオード
において電流を変化させたときの発光スペクトルの変化
を示す図である。

【図5】図5は同じく電流を変化させたときのピーク波
長の変化及び半値幅の変化を示す図である。

【符号の説明】

1 サファイア基板 2 バッファ層 3b 第1のクラッド層(第1の半導体層) 5 発光層 7 第2のクラッド層(第2の半導体層) 20 発光ダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 正好 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 1番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 山崎 史郎 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 1番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 永井 誠二 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 1番地 豊田合成株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−268257(JP,A) 特開 平5−95165(JP,A) 特開 平4−105380(JP,A) Jpn.J.Appl.Phys.P art2,1996年 1月15日,Vol. 35 No.1B,L74−L76 J.Appl.Phys.,1993年11 月15日,Vol.74 No.6,3911− 3915 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50 JICSTファイル(JOIS)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Al X In Y Ga 1-X-Y N(X=0、Y=
    0、X=Y=0を含む)からなる第1の半導体層を形成
    するステップと、 該第1の半導体層の上に、In Y1 Ga 1-Y1 N(Y1≧
    0)からなるバリア層、In Y2 Ga 1-Y2 N(Y2>Y1
    かつY2>0)からなる量子井戸層を積層して超格子構
    造の発光層を形成するステップと、 該発光層の上にAl A In B Ga 1-A-B N(A=0、B=
    0、A=B=0を含む)からなる第2の半導体層を形成
    するステップと、を含んでいる半導体発光素子の製造方
    法において、 前記発光層の最上層となる最上バリア層を他のバリア層
    よりも厚く形成し、前記第2の半導体層を形成すると
    き、前記最上バリア層の上面を消失させ、該最上バリア
    層の厚さを他のバリア層の厚さと実質的に同一とする
    とを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 Al X In Y Ga 1-X-Y N(X=0、Y=
    0、X=Y=0を含む)からなる第1の半導体層を形成
    するステップと、 該第1の半導体層の上に、In Y1 Ga 1-Y1 N(Y1≧
    0)からなるバリア層、In Y2 Ga 1-Y2 N(Y2>Y1
    かつY2>0)からなる量子井戸層を積層して超格子構
    造の発光層を形成するステップと、 該発光層の上にAl A In B Ga 1-A-B N(A=0、B=
    0、A=B=0を含む)からなる第2の半導体層を形成
    するステップと、を含んでいる半導体発光素子の製造方
    法において、 前記発光層の最上層となる最上バリア層を他のバリア層
    よりも厚く形成し、前記第2の半導体層の形成温度が前
    記最上バリア層の形成温度より高温である、ことを特徴
    とする半導体発光素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記第2の半導体層を形成するとき、前
    記最上バリア層の上面を消失させ、該最上バリア層の厚
    さを他のバリア層の厚さと実質的に同一とすることを特
    徴とする請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。
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