JPH0883927A - ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置Info
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- JPH0883927A JPH0883927A JP21640394A JP21640394A JPH0883927A JP H0883927 A JPH0883927 A JP H0883927A JP 21640394 A JP21640394 A JP 21640394A JP 21640394 A JP21640394 A JP 21640394A JP H0883927 A JPH0883927 A JP H0883927A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温度・高湿度の環境下で長時間通電発光使
用しても発光特性に劣化を生じない長寿命且つ信頼の高
いＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を提供する。 【構成】 ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又はＡ
ｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光層部
を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置において、前記発光
層部上に透明導電膜を備える。
用しても発光特性に劣化を生じない長寿命且つ信頼の高
いＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を提供する。 【構成】 ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又はＡ
ｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光層部
を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置において、前記発光
層部上に透明導電膜を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体発光装置
に関し、更に詳しくはＡｌＧａＩｎＰを発光層とするＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光装置に関する。
に関し、更に詳しくはＡｌＧａＩｎＰを発光層とするＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光装置に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】ＡｌＧａＩｎＰ系発光材料は、窒化
物を除くIII−Ｖ族化合物半導体混結中で最大の直接遷
移型エネルギーギャップを有し、５５０〜６５０ｎｍ帯
（緑色〜赤色域）の可視発光装置の材料として注目され
ている。斯かる大きな直接遷移型エネルギーギャップを
有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来のＧａＰ、Ｇ
ａＡｓＰ等の間接遷移型の材料を用いた発光装置に比べ
て高輝度の発光が可能である。
物を除くIII−Ｖ族化合物半導体混結中で最大の直接遷
移型エネルギーギャップを有し、５５０〜６５０ｎｍ帯
（緑色〜赤色域）の可視発光装置の材料として注目され
ている。斯かる大きな直接遷移型エネルギーギャップを
有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来のＧａＰ、Ｇ
ａＡｓＰ等の間接遷移型の材料を用いた発光装置に比べ
て高輝度の発光が可能である。
【０００３】図４は従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置の
一例を示す概略断面図である。図４に示したＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光装置４０は、第１導電型ＧａＡｓ基板１１上
に、第１導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラ
ッド層１２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３（厚さ約０．６μｍ）、第２導電
型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４
（厚さ約１μｍ）及び第２導電型電流拡散層１５を順次
形成し、前記電流拡散層１５上に上面電極１６、前記Ｇ
ａＡｓ基板１１の下面に下面電極１７を設けた構成にな
っている。
一例を示す概略断面図である。図４に示したＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光装置４０は、第１導電型ＧａＡｓ基板１１上
に、第１導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラ
ッド層１２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３（厚さ約０．６μｍ）、第２導電
型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４
（厚さ約１μｍ）及び第２導電型電流拡散層１５を順次
形成し、前記電流拡散層１５上に上面電極１６、前記Ｇ
ａＡｓ基板１１の下面に下面電極１７を設けた構成にな
っている。
【０００４】ここで、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49
Ｐ活性層１３と該活性層１３より大きいエネルギーギャ
ップを有する２つのＡｌＧａＩｎクラッド層、即ち第１
導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１
２及び第２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ１
４とで構成されているＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合
構造は発光層部１８を構成し、各ＡｌＧａＩｎ層のＡｌ
組成ｘ、ｙ、ｚは０≦ｙ≦０．７、ｙ＜ｘ及びｙ＜ｚな
る関係を満たす。なお、以下の説明において、特別の事
情がない場合、前記（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ、（Ａｌy Ｇａ 1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ及び（Ａｌ
z Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐを総称して（Ａｌ B Ｇａ
1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ又は単にＡｌＧａＩｎＰと表記す
る。
Ｐ活性層１３と該活性層１３より大きいエネルギーギャ
ップを有する２つのＡｌＧａＩｎクラッド層、即ち第１
導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１
２及び第２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ１
４とで構成されているＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合
構造は発光層部１８を構成し、各ＡｌＧａＩｎ層のＡｌ
組成ｘ、ｙ、ｚは０≦ｙ≦０．７、ｙ＜ｘ及びｙ＜ｚな
る関係を満たす。なお、以下の説明において、特別の事
情がない場合、前記（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ、（Ａｌy Ｇａ 1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ及び（Ａｌ
z Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐを総称して（Ａｌ B Ｇａ
1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ又は単にＡｌＧａＩｎＰと表記す
る。
【０００５】上記のようなＡｌＧａＩｎＰ系発光装置に
おいては、電流拡散層を設ける必要があり、特にＡｌＧ
ａＩｎＰ系混晶とは異なる材料からなる電流拡散層を設
ける必要がある。その理由を図４を参照して説明する。
図４には上面電極１６からの電流分布を符号１９で示し
た。
おいては、電流拡散層を設ける必要があり、特にＡｌＧ
ａＩｎＰ系混晶とは異なる材料からなる電流拡散層を設
ける必要がある。その理由を図４を参照して説明する。
図４には上面電極１６からの電流分布を符号１９で示し
た。
【０００６】ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置の通電発光にお
いては、上面電極１６からの電流をＡｌＧａＩｎＰ活性
層１３全域に効果的に拡散させて効率的に発光させるこ
とが望ましく、そのためには、前記上面電極とＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層との間の距離（厚さ）を所定以上（数μｍ
以上）にする必要がある。
いては、上面電極１６からの電流をＡｌＧａＩｎＰ活性
層１３全域に効果的に拡散させて効率的に発光させるこ
とが望ましく、そのためには、前記上面電極とＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層との間の距離（厚さ）を所定以上（数μｍ
以上）にする必要がある。
【０００７】ところで、ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置にお
いては、通常は図４に示すように、ＧａＡｓ基板１１上
に、該ＧａＡｓ基板１１と格子整合させて、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系の前記した層１２（厚さ約１μｍ）、層１３（厚
さ約０．６μｍ）、層１４（厚さ約１μｍ）を（ＡｌB
Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐなる組成で形成させるが、全
厚で４μｍを超える厚さの（ＡｌB Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ混晶層を結晶性を損うことなく形成させることは
極めて困難である。従って、上面電極１６からの電流を
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３の全域に効果的に拡散させる
ためには、上面電極１６と前記活性層１３との間の厚さ
を数μｍ以上にする必要があるが、この厚さの層の形成
はＡｌＧａＩｎＰ系材料では上記した理由により不可能
に近い。
いては、通常は図４に示すように、ＧａＡｓ基板１１上
に、該ＧａＡｓ基板１１と格子整合させて、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系の前記した層１２（厚さ約１μｍ）、層１３（厚
さ約０．６μｍ）、層１４（厚さ約１μｍ）を（ＡｌB
Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐなる組成で形成させるが、全
厚で４μｍを超える厚さの（ＡｌB Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ混晶層を結晶性を損うことなく形成させることは
極めて困難である。従って、上面電極１６からの電流を
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３の全域に効果的に拡散させる
ためには、上面電極１６と前記活性層１３との間の厚さ
を数μｍ以上にする必要があるが、この厚さの層の形成
はＡｌＧａＩｎＰ系材料では上記した理由により不可能
に近い。
【０００８】そこで、従来、ＡｌＧａＩｎＰ系以外の材
料からなる層を電流拡散層１５として前記第２導電型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１４上に形成し、上面電極１６
からの電流をＡｌＧａＩｎＰ活性層１３全域に効果的に
拡散させて、効率的な発光を得ることが行われていた。
料からなる層を電流拡散層１５として前記第２導電型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１４上に形成し、上面電極１６
からの電流をＡｌＧａＩｎＰ活性層１３全域に効果的に
拡散させて、効率的な発光を得ることが行われていた。
【０００９】前記電流拡散層１５の材料としては、（Ａ
ｌB Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐと格子整合し、且つ前記
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３から放射される光子が吸収さ
れないという前提から、該光子のエネルギーより大きい
エネルギーギャップを有するＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０．
４５≦ｗ＜１で通常ｗ≒０．７）又はＡ１w Ｇａ1-wＡ
ｓ1-v Ｐv （０．４５≦ｗ＜１で通常ｗ≒０．７、０＜
ｖ≦０．０８）が用いられている。以下において、上記
２材料を総称してＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv（ただ
し、０≦ｖ≦０．０８）と表記する。
ｌB Ｇａ1-B ）0.51Ｉｎ0.49Ｐと格子整合し、且つ前記
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３から放射される光子が吸収さ
れないという前提から、該光子のエネルギーより大きい
エネルギーギャップを有するＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０．
４５≦ｗ＜１で通常ｗ≒０．７）又はＡ１w Ｇａ1-wＡ
ｓ1-v Ｐv （０．４５≦ｗ＜１で通常ｗ≒０．７、０＜
ｖ≦０．０８）が用いられている。以下において、上記
２材料を総称してＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv（ただ
し、０≦ｖ≦０．０８）と表記する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記高Ａｌ濃度のＡｌ
w Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv を電流拡散層として用いた場
合、該高Ａｌ濃度のＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv は非常
に酸化し易いため、高温度・高湿度（例えば、８５℃、
相対湿度８５％）の環境下で、このＡｌＧａＩｎＰ系発
光装置を長時間通電発光使用すると、前記Ａｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層の酸化に伴い、発光輝度の
劣化、更には破壊をひきおこすという問題があった。
w Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv を電流拡散層として用いた場
合、該高Ａｌ濃度のＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv は非常
に酸化し易いため、高温度・高湿度（例えば、８５℃、
相対湿度８５％）の環境下で、このＡｌＧａＩｎＰ系発
光装置を長時間通電発光使用すると、前記Ａｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層の酸化に伴い、発光輝度の
劣化、更には破壊をひきおこすという問題があった。
【００１１】この問題を解決するため、例えば、図５に
示した従来の他のＡｌＧａＩｎＰ層発光装置５０のよう
に、前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層１５上
に、窒化シリコン膜（Ｓｉ4 Ｎ3 ）又は酸化シリコン膜
（ＳｉＯ2 ）を酸化防止膜２１として被膜形成すること
が行われている。しかし、上記酸化防止膜２１は絶縁材
料であるため、上面電極１６上には該酸化防止膜が存在
しない構造にしなければならず、その工程は複雑とな
る。
示した従来の他のＡｌＧａＩｎＰ層発光装置５０のよう
に、前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層１５上
に、窒化シリコン膜（Ｓｉ4 Ｎ3 ）又は酸化シリコン膜
（ＳｉＯ2 ）を酸化防止膜２１として被膜形成すること
が行われている。しかし、上記酸化防止膜２１は絶縁材
料であるため、上面電極１６上には該酸化防止膜が存在
しない構造にしなければならず、その工程は複雑とな
る。
【００１２】そこで、本発明は、簡単な工程で製造可能
であり、高温度・高湿度の環境下で長時間通電発光使用
しても発光特性に劣化を生じない長寿命且つ信頼性の高
いＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を提供することを目的とす
る。
であり、高温度・高湿度の環境下で長時間通電発光使用
しても発光特性に劣化を生じない長寿命且つ信頼性の高
いＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光装
置は、ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又はＡｌＧ
ａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光層部を有
するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置において、前記発光層部
上に電流拡散層として透明導電膜を形成することを特徴
とする。
に、本発明の請求項１に記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光装
置は、ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又はＡｌＧ
ａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光層部を有
するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置において、前記発光層部
上に電流拡散層として透明導電膜を形成することを特徴
とする。
【００１４】また、本発明の請求項４に記載のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合
構造又はＡｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からな
る発光層部及び前記発光層部上に形成されたＡｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv （ただし、０．４５≦ｗ＜１、０≦ｖ
≦０．０８）電流拡散層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光
装置において、該Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散
層上に透明導電膜を形成することを特徴とする。
ＩｎＰ系発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合
構造又はＡｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からな
る発光層部及び前記発光層部上に形成されたＡｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv （ただし、０．４５≦ｗ＜１、０≦ｖ
≦０．０８）電流拡散層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光
装置において、該Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散
層上に透明導電膜を形成することを特徴とする。
【００１５】前記透明導電膜の材料としては、酸化イン
ジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）が用いられる。
ジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）が用いられる。
【００１６】上記請求項４の発明において、Ａｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層の厚さと透明導電膜の厚さ
の和は、電流拡散を十分に行うためには３μｍ以上とす
ることが好ましく、発光光の外部取り出し効率を高くす
るには厚い程効果が大きい。
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層の厚さと透明導電膜の厚さ
の和は、電流拡散を十分に行うためには３μｍ以上とす
ることが好ましく、発光光の外部取り出し効率を高くす
るには厚い程効果が大きい。
【００１７】前記発光層部のヘテロ構造としては、例え
ば第１導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0. 51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層及び第
２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層
とで構成されたダブルヘテロ接合構造がある。この場
合、ｘ、ｙ及びｚは０≦ｙ≦０．７、ｙ＜ｘ、ｙ＜ｚの
関係を満たす。また第１導電型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ活性層と第２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層とで構成されたシングルヘトロ接
合構造でもよい。この場合、ｙ及びｚは０≦ｙ≦０．
７、ｙ＜ｚなる関係を満たす。
ば第１導電型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0. 51Ｉｎ0.49Ｐクラッ
ド層、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層及び第
２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層
とで構成されたダブルヘテロ接合構造がある。この場
合、ｘ、ｙ及びｚは０≦ｙ≦０．７、ｙ＜ｘ、ｙ＜ｚの
関係を満たす。また第１導電型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ活性層と第２導電型（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.51
Ｉｎ0.49Ｐクラッド層とで構成されたシングルヘトロ接
合構造でもよい。この場合、ｙ及びｚは０≦ｙ≦０．
７、ｙ＜ｚなる関係を満たす。
【００１８】
【作用】前記透明導電膜の材料は、高温度・高湿度（例
えば、８５℃、相対湿度８５％）の環境下で非常に安定
な物質であるので、ＡｌＧａＩｎＰ発光層部上に、高Ａ
ｌ濃度のＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv （０．４５≦ｗ＜
１であり、通常ｗ≒０．７；０≦ｖ≦０．０８であり、
ｖ＝０の時Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ）電流拡散層の代替とし
て、透明導電膜を形成してなるＡｌＧａＩｎＰ系発光装
置、或いはＡｌＧａＩｎＰ発光層部上に前記Ａｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層を形成し該Ａｌw Ｇａ1-w
Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層上に透明導電膜を形成してなる
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、上記環境下で長時間通電
発光使用しても、前記した表面変化に起因する発光特性
の劣化は殆んで生ぜず、装置の長期信頼性が向上する。
又、この透明導電膜は可視領域の光に対して吸収が殆ん
どないため、ＡｌＧａＩｎＰ活性層から放射される光子
を内部吸収をおこさずに効率良く外部に取り出すことが
できる。
えば、８５℃、相対湿度８５％）の環境下で非常に安定
な物質であるので、ＡｌＧａＩｎＰ発光層部上に、高Ａ
ｌ濃度のＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv （０．４５≦ｗ＜
１であり、通常ｗ≒０．７；０≦ｖ≦０．０８であり、
ｖ＝０の時Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ）電流拡散層の代替とし
て、透明導電膜を形成してなるＡｌＧａＩｎＰ系発光装
置、或いはＡｌＧａＩｎＰ発光層部上に前記Ａｌw Ｇａ
1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層を形成し該Ａｌw Ｇａ1-w
Ａｓ1-v Ｐv 電流拡散層上に透明導電膜を形成してなる
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、上記環境下で長時間通電
発光使用しても、前記した表面変化に起因する発光特性
の劣化は殆んで生ぜず、装置の長期信頼性が向上する。
又、この透明導電膜は可視領域の光に対して吸収が殆ん
どないため、ＡｌＧａＩｎＰ活性層から放射される光子
を内部吸収をおこさずに効率良く外部に取り出すことが
できる。
【００１９】金線とのボンダビリティーを良くし、且つ
オーミック接触を良くするために、前記透明導電膜上に
従来の電極を形成した構造のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置
においては、従来の構造（例えば、図４または図５に示
すＡｌＧａＩｎＰ系発光装置）の様な電流分布の不均一
性（電流密度は電極直下で極大になり、外周になるに従
い小さくなる。）、即ち電極直下及び近傍領域での電流
の集中性が少なくなり、電極直下及び近傍領域での発光
層部（特に活性層）の劣化が抑えられて発光装置の長期
信頼性が向上する。更に、相対的に電極直下以外の領域
に流れる電流の割合が増加するので、発光輝度も向上す
ることになる。
オーミック接触を良くするために、前記透明導電膜上に
従来の電極を形成した構造のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置
においては、従来の構造（例えば、図４または図５に示
すＡｌＧａＩｎＰ系発光装置）の様な電流分布の不均一
性（電流密度は電極直下で極大になり、外周になるに従
い小さくなる。）、即ち電極直下及び近傍領域での電流
の集中性が少なくなり、電極直下及び近傍領域での発光
層部（特に活性層）の劣化が抑えられて発光装置の長期
信頼性が向上する。更に、相対的に電極直下以外の領域
に流れる電流の割合が増加するので、発光輝度も向上す
ることになる。
【００２０】上記電流分布が均一になる理由は、前記透
明導電膜の材料が非常に低い抵抗率を有することに基づ
く。例えば、酸化インジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）の場合、その抵抗率は約１×１０-4Ω・ｃｍと非
常に低い〔ＡｌＧａＡｓＰの抵抗率（約０．１Ω・ｃ
ｍ）の約１／１０００〕ので、透明導電膜全域ひいては
ＡｌＧａＩｎＰ活性層全域に、ほぼ均一に電流を拡散さ
せることができる。
明導電膜の材料が非常に低い抵抗率を有することに基づ
く。例えば、酸化インジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）の場合、その抵抗率は約１×１０-4Ω・ｃｍと非
常に低い〔ＡｌＧａＡｓＰの抵抗率（約０．１Ω・ｃ
ｍ）の約１／１０００〕ので、透明導電膜全域ひいては
ＡｌＧａＩｎＰ活性層全域に、ほぼ均一に電流を拡散さ
せることができる。
【００２１】更に、Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv（ただ
し、０≦ｖ≦０．０８）を電流拡散層として形成する場
合、前記した様に従来の構造では前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａ
ｓ1- v Ｐv電流拡散層の厚さを３μｍ以上にする必要が
あるが、本発明の構造においては透明導電膜自体すぐれ
た電流拡散能力を有しているので前記Ａｌw Ｇａ1-wＡ
ｓ1-v Ｐv電流拡散層の厚さを薄くすることができる。
これにより、エピタキシャル成長にかかる時間を低減さ
せると伴に、原料の消費を低減させることができ、ひい
てはエピタキシャル成長コストの低減につながる。
し、０≦ｖ≦０．０８）を電流拡散層として形成する場
合、前記した様に従来の構造では前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａ
ｓ1- v Ｐv電流拡散層の厚さを３μｍ以上にする必要が
あるが、本発明の構造においては透明導電膜自体すぐれ
た電流拡散能力を有しているので前記Ａｌw Ｇａ1-wＡ
ｓ1-v Ｐv電流拡散層の厚さを薄くすることができる。
これにより、エピタキシャル成長にかかる時間を低減さ
せると伴に、原料の消費を低減させることができ、ひい
てはエピタキシャル成長コストの低減につながる。
【００２２】従って、上記した様に、本発明のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光装置は、発光層部全域に効果的且つ均一に
電流を拡散させる作用、並びに酸化防止作用の２作用を
有し、且つ窒化シリコン膜のように電極部を選択的に削
除する必要がなく簡単な工程で製造可能となる。
ＩｎＰ系発光装置は、発光層部全域に効果的且つ均一に
電流を拡散させる作用、並びに酸化防止作用の２作用を
有し、且つ窒化シリコン膜のように電極部を選択的に削
除する必要がなく簡単な工程で製造可能となる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置に
ついて、図１ないし図３を参照して説明する。なお、発
光層部の層構造として、前述のようにＡｌＧａＩｎダブ
ルヘテロ接合構造、ＡｌＧａＩｎＰシングル接合構造等
があるが、本発明で問題とする透明導電膜の形成を考え
る上では発光層部の層構造は本質でないので、以下の実
施例ではＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造を有する
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を例にとって説明する。
ついて、図１ないし図３を参照して説明する。なお、発
光層部の層構造として、前述のようにＡｌＧａＩｎダブ
ルヘテロ接合構造、ＡｌＧａＩｎＰシングル接合構造等
があるが、本発明で問題とする透明導電膜の形成を考え
る上では発光層部の層構造は本質でないので、以下の実
施例ではＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造を有する
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置を例にとって説明する。
【００２４】（実施例１）図１は、本発明のＡｌＧａＩ
ｎＰ発光装置の一実施例を示す概略断面図である。図１
において、図４と同一又は類似部材は同一符号を用いて
いる。この発光装置１０は、ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１
２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49
Ｐ活性層１３（０≦ｙ≦０．７、厚さ約０．６μｍ）、
ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ 0.49Ｐクラッド層１
４（厚さ約１μｍ）及び酸化インジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3
−ＳｎＯ2 ）透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜という。厚さ
約１μｍ）１を順次積層形成し、前記ＩＴＯ膜１上に上
面電極１６、ｐ型ＧａＡｓ基板１１の下面に下面電極１
７を設けた構成になっている。上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１２、（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３及びｎ型（Ａｌ 0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４によって発光層
部１８が構成される。
ｎＰ発光装置の一実施例を示す概略断面図である。図１
において、図４と同一又は類似部材は同一符号を用いて
いる。この発光装置１０は、ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１
２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49
Ｐ活性層１３（０≦ｙ≦０．７、厚さ約０．６μｍ）、
ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ 0.49Ｐクラッド層１
４（厚さ約１μｍ）及び酸化インジウム錫（Ｉｎ2 Ｏ3
−ＳｎＯ2 ）透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜という。厚さ
約１μｍ）１を順次積層形成し、前記ＩＴＯ膜１上に上
面電極１６、ｐ型ＧａＡｓ基板１１の下面に下面電極１
７を設けた構成になっている。上記ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１２、（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３及びｎ型（Ａｌ 0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４によって発光層
部１８が構成される。
【００２５】上記構成のＡｌＧａＩｎ系発光装置のＡｌ
ＧａＩｎＰ層１２、１３及び１４（活性層及び両クラッ
ド層）を成長する方法は、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相
成長法）を用いる。また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＰの原
料としては、それぞれトリメチルアルミニウム〔Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＡＩ〕、トリメチルガリウム〔Ｇａ
（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＧａ〕、トリメチルインジウム〔Ｉ
ｎ（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＩｎ〕及びホスフィン（ＰＨ3 ）
を用いる。さらにｎ型及びｐ型ドーパント源としては、
それぞれセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）及びジメチル亜鉛
〔Ｚｎ（ＣＨ3 ）2、ＤＭＺｎ〕を用いる。
ＧａＩｎＰ層１２、１３及び１４（活性層及び両クラッ
ド層）を成長する方法は、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相
成長法）を用いる。また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＰの原
料としては、それぞれトリメチルアルミニウム〔Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＡＩ〕、トリメチルガリウム〔Ｇａ
（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＧａ〕、トリメチルインジウム〔Ｉ
ｎ（ＣＨ3 ）3 、ＴＭＩｎ〕及びホスフィン（ＰＨ3 ）
を用いる。さらにｎ型及びｐ型ドーパント源としては、
それぞれセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）及びジメチル亜鉛
〔Ｚｎ（ＣＨ3 ）2、ＤＭＺｎ〕を用いる。
【００２６】図２は、ＭＯＶＰＥ法で各層を成長する際
に用いる成長装置の構成例を示す。すなわち、上記各種
III族金属元素の有機物の蒸気と、ホスフィンとを、成
長層の組成に応じた分圧及び流量を選択して混合し、得
られた混合ガスを反応室２５に供給し、反応室２５内に
配置したｐ型ＧａＡｓ基板１１上に所望の成長層を順次
積層形成する。
に用いる成長装置の構成例を示す。すなわち、上記各種
III族金属元素の有機物の蒸気と、ホスフィンとを、成
長層の組成に応じた分圧及び流量を選択して混合し、得
られた混合ガスを反応室２５に供給し、反応室２５内に
配置したｐ型ＧａＡｓ基板１１上に所望の成長層を順次
積層形成する。
【００２７】具体的には、５０Ｔｏｒｒの減圧下で、Ｖ
族元素とIII族元素との供給量比（Ｖ／III比）が１００
となるように混合したガスを成長層の原料ガスとして用
い、成長温度７１０℃、成長速度４μｍ／時の成長条件
で、ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に前記各層１２、１３及び
１４を順次積層形成させる。
族元素とIII族元素との供給量比（Ｖ／III比）が１００
となるように混合したガスを成長層の原料ガスとして用
い、成長温度７１０℃、成長速度４μｍ／時の成長条件
で、ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に前記各層１２、１３及び
１４を順次積層形成させる。
【００２８】また、ＩＴＯ膜１は前記ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４上に、Ｉｎ2 Ｏ
3 −ＳｎＯ2酸化物焼結体を材料に用いたＲＦスパッタ
ー法により、基板温度３５０℃で形成した。
ａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４上に、Ｉｎ2 Ｏ
3 −ＳｎＯ2酸化物焼結体を材料に用いたＲＦスパッタ
ー法により、基板温度３５０℃で形成した。
【００２９】上記した方法で得られた発光装置用基板に
上面電極１６及び下面電極１７を形成することにより、
図１に示す構造のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置１０が得ら
れる。
上面電極１６及び下面電極１７を形成することにより、
図１に示す構造のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置１０が得ら
れる。
【００３０】（実施例２）図３は、本発明のＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光装置の他の実施例を示す概略断面図である。
図３において、図１又は図４と同一または類似部材は同
一符号を用いている。この発光装置２０は、ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１１上に、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層１２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３（厚さ約０．６μｍ、
０≦ｙ≦０．７）、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層１４（厚さ約１μｍ）、ｎ型Ａｌ0.7
Ｇａ0. 3 Ａｓ0.97Ｐ0.03電流拡散層１５（厚さ３μｍ以
上）及びＩＴＯ膜１（厚さ約１μｍ）を順次形成し、前
記ＩＴＯ膜１上に上面電極１６、ｐ型ＧａＡｓ基板の下
面に下面電極１７を設けた構成になっている。上記ｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0. 51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１２、
（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３及びｎ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４に
よって発光層部１８が構成される。
ｎＰ系発光装置の他の実施例を示す概略断面図である。
図３において、図１又は図４と同一または類似部材は同
一符号を用いている。この発光装置２０は、ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１１上に、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層１２（厚さ約１μｍ）、（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３（厚さ約０．６μｍ、
０≦ｙ≦０．７）、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ
0.49Ｐクラッド層１４（厚さ約１μｍ）、ｎ型Ａｌ0.7
Ｇａ0. 3 Ａｓ0.97Ｐ0.03電流拡散層１５（厚さ３μｍ以
上）及びＩＴＯ膜１（厚さ約１μｍ）を順次形成し、前
記ＩＴＯ膜１上に上面電極１６、ｐ型ＧａＡｓ基板の下
面に下面電極１７を設けた構成になっている。上記ｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0. 51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１２、
（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層１３及びｎ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層１４に
よって発光層部１８が構成される。
【００３１】上記各ＡｌＧａＩｎＰ層１２、１３、１
４、Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ0.97 Ｐ0.0 3 電流拡散層１５
〔Ａｓの原料としてアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用〕、Ｉ
ＴＯ膜１及び電極１６、１７の形成は実施例１と同様の
方法で行った。
４、Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ0.97 Ｐ0.0 3 電流拡散層１５
〔Ａｓの原料としてアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用〕、Ｉ
ＴＯ膜１及び電極１６、１７の形成は実施例１と同様の
方法で行った。
【００３２】（諸特性の評価結果）表１は、透明導電膜
を用いた実施例１及び実施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光
装置における諸特性の評価結果を、比較例のＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光装置のそれと比較して示したものである。な
お比較例のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来構成のＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光装置（図４と同じ）であり、ＩＴＯ
膜１を形成しないこと及びＡｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ0.97
Ｐ0.03電流拡散層１５の厚さ８μｍとしたこと以外は実
施例２と同じである。
を用いた実施例１及び実施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光
装置における諸特性の評価結果を、比較例のＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光装置のそれと比較して示したものである。な
お比較例のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来構成のＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光装置（図４と同じ）であり、ＩＴＯ
膜１を形成しないこと及びＡｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ0.97
Ｐ0.03電流拡散層１５の厚さ８μｍとしたこと以外は実
施例２と同じである。
【００３３】表１から明らかのように、本発明の実施例
１及び実施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来の
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置（比較例）と比較して、輝
度、ライフとも約２０％の向上をみ、本発明の有効性が
立証された。なお、評価データは、１０発光装置用基板
×１０チップ／発光装置基板＝１００チップの平均値で
ある。
１及び実施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置は、従来の
ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置（比較例）と比較して、輝
度、ライフとも約２０％の向上をみ、本発明の有効性が
立証された。なお、評価データは、１０発光装置用基板
×１０チップ／発光装置基板＝１００チップの平均値で
ある。
【００３４】
【表１】 （註） １．チップサイズ：３００μｍ×３００μｍ ２．輝度測定：２０ｍＡ ３．ライフ（別称：残光率） 残光率＝（Ｉ／Ｉ0 ）×１００（％） Ｉ0 ：初期輝度 Ｉ：８５℃、湿度８５％の環境下で、ＤＣ５０ｍＡで１
５００時間通電発光させた後の輝度
５００時間通電発光させた後の輝度
【００３５】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系発光装置は、高温度・高湿度の環境下で長時間通電
発光使用しても発光特性の劣化をほとんど生じない長寿
命且つ信頼性の高いという効果を奏する。
Ｐ系発光装置は、高温度・高湿度の環境下で長時間通電
発光使用しても発光特性の劣化をほとんど生じない長寿
命且つ信頼性の高いという効果を奏する。
【図１】本発明のＡｌＧａＩｎＰ発光装置の一実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】ＭＯＶＰＥ法で各層を成長する際に用いる成長
装置の構成例を示す説明図である。
装置の構成例を示す説明図である。
【図３】本発明のＡｌＧａＩｎＰ発光装置の他の実施例
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図４】従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置の一例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図５】従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置の他の例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
１ 透明導電膜（ＩＴＯ膜） １０、２０ 本発明の発光装置 １１ 第１導電型ＧａＡｓ基板（本発明の発光装置１
０、２０においては、ｐ型ＧａＡｓ基板） １２ 第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層〔本発明の
発光装置１０、２０においては、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層〕 １３ ＡｌＧａＩｎＰ活性層〔本発明の発光装置１０、
２０においては、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層〕 １４ 第２導電型ＡｌＧａＡｓＰクラッド層〔本発明の
発光装置１０、２０においては、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層〕 １５ 第２導電型電流拡散層〔本発明の発光装置２０に
おいては、ｎ型Ａ0.7 Ｇａ0.3Ａｓ0.97Ｐ0.03電流拡散
層〕 １６ 上面電極 １７ 下面電極 １８ 発光層部 １９ 電流分布 ２１ 酸化防止膜 ２５ 反応室 ４０、５０ 従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置
０、２０においては、ｐ型ＧａＡｓ基板） １２ 第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層〔本発明の
発光装置１０、２０においては、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層〕 １３ ＡｌＧａＩｎＰ活性層〔本発明の発光装置１０、
２０においては、（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層〕 １４ 第２導電型ＡｌＧａＡｓＰクラッド層〔本発明の
発光装置１０、２０においては、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層〕 １５ 第２導電型電流拡散層〔本発明の発光装置２０に
おいては、ｎ型Ａ0.7 Ｇａ0.3Ａｓ0.97Ｐ0.03電流拡散
層〕 １６ 上面電極 １７ 下面電極 １８ 発光層部 １９ 電流分布 ２１ 酸化防止膜 ２５ 反応室 ４０、５０ 従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光装置
フロントページの続き (72)発明者 竹中 卓夫 群馬県安中市磯部２丁目13番地１号 信越 半導体株式会社半導体磯部研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又
はＡｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光
層部を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置において、前記
発光層部上に透明導電膜を備えたことを特徴とするＡｌ
ＧａＩｎＰ系発光装置。 - 【請求項２】 前記発光層部の活性層が（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐからなり、ｙが０≦ｙ≦０．７で
あることを特徴とする請求項１に記載のＡｌＧａＩｎＰ
系発光装置。 - 【請求項３】 前記透明導電膜の材料が酸化インジウム
錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）であることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光装
置。 - 【請求項４】 ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造又
はＡｌＧａＩｎＰシングルヘテロ接合構造からなる発光
層部及び該発光層部上に形成されたＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ
1-v Ｐv （ただし、０．４５≦ｗ＜１、０≦ｖ≦０．０
８）電流拡散層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光装置にお
いて、前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐ v 電流拡散層上に
透明導電膜を備えたことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系
発光装置。 - 【請求項５】 前記発光層部の活性層が（Ａｌy Ｇａ
1-y ）0.51Ｉｎ0.49Ｐからなり、ｙが０≦ｙ≦０．７で
あることを特徴とする請求項４に記載のＡｌＧａＩｎＰ
系発光装置。 - 【請求項６】 前記Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ1-v Ｐv 電流拡
散層の厚さと前記透明導電膜の厚さの和が３μｍ以上で
あることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光装置。 - 【請求項７】 前記透明導電膜の材料が酸化インジウム
錫（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）であることを特徴とする請
求項４〜６のいずれか１項に記載のＡｌＧａＩｎＰ系発
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21640394A JPH0883927A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21640394A JPH0883927A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883927A true JPH0883927A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16688023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21640394A Pending JPH0883927A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883927A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6512248B1 (en) | 1999-10-19 | 2003-01-28 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp |
| WO2004068661A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 発光素子 |
| JP2006261219A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| US7368759B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-05-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| CN100428515C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-10-22 | 日立电线株式会社 | 半导体发光元件 |
| US7528417B2 (en) | 2003-02-10 | 2009-05-05 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode device and production method thereof |
| US7569866B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-08-04 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US7608859B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-10-27 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with transparent conductive film |
| JP2013508994A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-03-07 | 旭明光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置 |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP21640394A patent/JPH0883927A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6512248B1 (en) | 1999-10-19 | 2003-01-28 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp |
| US6677615B2 (en) | 1999-10-19 | 2004-01-13 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting device, electrode for the device, method for fabricating the electrode, LED lamp using the device, and light source using the LED lamp |
| WO2004068661A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 発光素子 |
| US7528417B2 (en) | 2003-02-10 | 2009-05-05 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode device and production method thereof |
| JP2006261219A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| US7230281B2 (en) | 2005-03-15 | 2007-06-12 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US7368759B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-05-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| CN100428515C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-10-22 | 日立电线株式会社 | 半导体发光元件 |
| US7535026B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-05-19 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with high brightness and low operating voltage |
| US7569866B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-08-04 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US7608859B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-10-27 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with transparent conductive film |
| JP2013508994A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-03-07 | 旭明光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置 |
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