KR100930195B1 - 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자 - Google Patents

전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100930195B1
KR100930195B1 KR1020070134581A KR20070134581A KR100930195B1 KR 100930195 B1 KR100930195 B1 KR 100930195B1 KR 1020070134581 A KR1020070134581 A KR 1020070134581A KR 20070134581 A KR20070134581 A KR 20070134581A KR 100930195 B1 KR100930195 B1 KR 100930195B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
finger
fingers
light emitting
length
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1020070134581A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090066863A (ko
Inventor
이진복
김동운
윤상호
최번재
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020070134581A priority Critical patent/KR100930195B1/ko
Priority to US12/252,660 priority patent/US20090159909A1/en
Publication of KR20090066863A publication Critical patent/KR20090066863A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100930195B1 publication Critical patent/KR100930195B1/ko
Priority to US13/292,774 priority patent/US20120056150A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

발광 효율을 향상시키기 위해 활성층으로 전류를 균일하게 인가하는 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판상에 순차적으로 형성된 n형 질화물층, 다중양자우물구조로　이루어진 활성층 및 p형 질화물층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자로서, 상기 p형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 p측 패드와 상기 p측 패드에 연결되어 타측 방향으로 각각 연장된 다수의 p측 핑거를 포함한 p측 전극 패턴, 및 상기 n형 질화물층의 노출영역 일측에서 상기 p측 패드에 대응하여 형성된 적어도 하나의 n측 패드와 상기 n측 패드에 연결되어 상기 p측 패드 방향으로 각각 연장된 다수의 n측 핑거를 포함한 n측 전극 패턴을 포함하고, 상기 n측 핑거 또는 p측 핑거는 저항이 동일하여 상기 활성층으로 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시키며, 상기 p측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 식 R = ρL/A (ρ: 비저항)을 만족하여, n측 핑거 또는 p측 핑거 각각의 말단까지 전류를 균일하게 주입하여 활성층으로 전류 퍼짐을 향상시켜 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율을 개선할 수 있다.
전극 패턴, 전류 퍼짐(current spreading), 핑거

Description

전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자{Nitride semiconductor light-emitting device with electrode pattern}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 발광 효율을 향상시키기 위해 활성층으로 전류를 균일하게 인가하는 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 것이다.
상기 발광 다이오드에 있어서, 발광하는 광의 주파수(혹은 파장)은 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생하고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생한다.
예를 들어, AlGaInP 물질은 적색 파장의 광을 발생시키고, 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 GaN는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발생시킨다.
그 중에서, 갈륨계 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어 기판이 사용된다.
도 1a와 도1b는 종래의 플립-칩 구조의 질화물 발광 다이오드의 상면도 및 그 발광 다이오드의 A-A 단면도를 각각 도시한 도면으로서, 종래의 발광 다이오드(20)는 예를 들어 사파이어기판(21)의 상면에 순차적으로 버퍼층(22), n형 GaN 클래드층(23a), 활성층(23b), p형 GaN 클래드층(23c)이 형성되며, 이와 같이 형성된 활성층(23b)과 p형 GaN 클래드층(23c)를 건식 에칭하여, n형 GaN 클래드층(23a)의 일부를 노출시킨 후, 노출된 n형 GaN 클래드층(23a)의 상부에는 n측 전극(26), 에칭되지 않은 p형 GaN 클래드층(23c)의 상부에는 투명전극(24)을 개재한 후 p측 전극(25)을 형성한다.
이후, p측 전극(25)과 n측 전극(26) 상에 각각 Au 또는 Au 합금으로 된 마이크로범퍼(microbump)(27,28)을 형성한다.
상기 발광 다이오드(20)는 도 1b에서 뒤집힌 상태에서 마운트 기판 또는 리드 프레임 등에 마이크로 범퍼(27,28)를 본딩 공정을 통해 장착한다.
이와 같은 종래의 발광 다이오드는 발광 효율을 높이기 위하여 활성층의 표면을 불규칙하게 만들어 발광 면적을 넓히거나, 전극 면적을 줄여 발광면적을 넓혔지만, 이는 어느 정도 한계가 있어 공정을 진행하는데 어려움이 따르게 된다.
특히, 종래의 질화물 발광 다이오드에서 n측 전극은 수직형 발광 다이오드에서 빛이 방출되는 면 위에 있어 가능한 작은 면적으로 구현되어야 하나 그렇게 되 면 구동전압이 올라가게 되고, 전류 퍼짐(current spreading) 효과가 감소 되어 실제 빛을 방출하는 활성층을 활용하지 못하게 된다.
본 발명은 활성층으로 인가되는 전류의 전류 퍼짐을 균일하게 이루기 위한 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예는 기판상에 순차적으로 형성된 n형 질화물층, 다중양자우물구조로　이루어진 활성층 및 p형 질화물층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자로서, 상기 p형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 p측 패드와 상기 p측 패드에 연결되어 타측 방향으로 각각 연장된 다수의 p측 핑거를 포함한 p측 전극 패턴, 및 상기 n형 질화물층의 노출영역 일측에서 상기 p측 패드에 대응하여 형성된 적어도 하나의 n측 패드와 상기 n측 패드에 연결되어 상기 p측 패드 방향으로 각각 연장된 다수의 n측 핑거를 포함한 n측 전극 패턴을 포함하고, 상기 n측 핑거 또는 p측 핑거는 저항이 동일하여 상기 활성층으로 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시키며, 상기 p측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 식 R = ρL/A (ρ: 비저항)을 만족하여 상기 p측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 p측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에서 상기 p측 핑거는 제 1 길이(L1)와 제 1 단면적(A1)을 가지는 제 1 p측 핑거; 및 상기 제 1 p측 핑거의 길이(L1) 보다 긴 제 2 길이(L2)를 가지는 제 2 p측 핑거를 포함하고, 상기 제 2 p측 핑거의 단면적(A2)은 상기 제 1 p측 핑거에 대해
삭제
Figure 112007091646681-pat00001
으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 n측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 R = ρL/A (ρ: 비저항)을 만족하여 상기 n측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 n측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 n측 핑거는 제 1 길이(L11)와 제 1 단면적(A11)을 가지는 제 1 n측 핑거; 상기 제 1 n측 핑거의 제 1 길이(L11) 보다 긴 제 2 길이(L12)를 가지는 제 2 n측 핑거; 및 상기 제 2 n측 핑거의 제 2 길이(L12) 보다 긴 제 3 길이(L13)를 가지는 제 3 n측 핑거를 포함하고, 상기 제 2 n측 핑거의 단면적(A12)과 상기 제 3 n측 핑거의 단면적(A13)은 상기 제 1 n측 핑거에 대해
Figure 112007091646681-pat00002
으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 질화물 반도체 발광소자는 상기 n측 핑거와 상기 p측 핑거가 서로 맞물려 형성되고, 상기 n측 핑거와 상기 p측 핑거는 적어도 하나의 절곡 부분을 가지는 수평형 질화물 반도체 발광소자인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에서 다중양자우물구조로　이루어진 활성층, 상기 p형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 p측 패드와 상기 p측 패드에 연결되어 타측 방향으로 각각 연장된 다수의 p측 핑거를 포함한 p측 전극 패턴, 및 상기 n형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 n측 패드와 상기 n측 패드에 연결되어 상기 p측 패드 방향으로 각각 연장된 다수의 n측 핑거를 포함한 n측 전극 패턴을 포함하고, 상기 n측 핑거 또는 p측 핑거는 저항이 동일하여 상기 활성층으로 전류 퍼짐을 향상시키며, 상기 p측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 식 R = ρL/A (ρ: 비저항)을 만족하여 상기 p측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 p측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 p측 핑거 또는 n측 핑거는 방사형으로 교대로 연장된 다수의 제 1 핑거와 제 2 핑거를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 p측 핑거 또는 n측 핑거는 적어도 하나의 절곡 부분을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같이 본 발명은 n측 핑거 또는 p측 핑거가 동일한 저항을 가지게 되어 n측 핑거 또는 p측 핑거 각각의 말단까지 전류를 균일하게 주입함에 따라, 활성층으로 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시켜 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율을 개선할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전 극 패턴을 도시한 예시도로서, 수평형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴과 n형 질화물층의 노출영역에 형성된 n측 전극 패턴을 도시하여 설명한다. 여기서, 도 2와 관련된 설명에서 질화물 반도체 발광소자의 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자는 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴(180) 및 n형 질화물층(도시하지 않음)의 노출영역에서 p측 전극 패턴(180)에 대응하여 형성된 n측 패드(170)와 두 개의 n측 핑거(171,172)를 포함한 n측 전극 패턴을 형성할 수 있다.
n측 전극 패턴은 p측 전극 패턴(180)에 대응하는 n측 패드(170) 및 n측 패드(170)에 연결되어 수평형 질화물 반도체 발광소자의 테두리 일측 방향으로 각각 연장 형성된 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172)를 포함한다.
제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172)는 수평형 질화물 반도체 발광소자의 테두리 양측 방향으로 각각 형성되되, 제 1 n측 핑거(171)는 수평형 질화물 반도체 발광소자의 단측 테두리 방향으로 형성되고, 제 2 n측 핑거(172)는 수평형 질화물 반도체 발광소자의 장측 테두리 방향으로 형성될 수 있다.
이때, 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172)는 그 길이에서 차이를 가지고 형성되는 경우, 즉 제 2 n측 핑거(172)가 제 1 n측 핑거(171) 보다 길게 형성되면 길이에 따른 저항이 증가하는 특성에 의해 제 2 n측 핑거(172)의 저항이 증가하 므로, 이를 해소하여 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 아래의 식에 의해
R = ρL/A (ρ: 비저항, L: 핑거의 길이, A: 핑거의 단면적)
제 1 n측 핑거(171)의 길이(L1)와 단면적(A1)은 제 2 n측 핑거(172)의 길이(L2)와 단면적(A2)에 대해
Figure 112007091646681-pat00003
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 제 2 n측 핑거(172)가 제 1 n측 핑거(171) 보다 길게 형성되면, 제 2 n측 핑거(172)의 단면적(A2)은 제 1 n측 핑거(171)의 단면적(A1)보다 넓어지도록 구현되어, 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 저항은 동일한 값을 가지게 되므로, 전류가 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 말단까지 균일하게 주입되어 활성층(도시하지 않음)으로 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다. 여기서, 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 2]의 관계를 가지도록 형성되는 것은 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, p측 전극 패턴(180)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
그러므로, 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 동일한 저항을 가지는 특성에 의해 제 1 n측 핑거(171)와 제 2 n측 핑거(172) 각각의 말단까지 전류를 균일하게 주입함에 따라, 활성층으로 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시킴으로써, 수평형 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율을 개선할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도로서, 수평형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴(280,281)과 n형 질화물층의 노출영역에 형성된 n측 전극 패턴(270,271,272,273)을 도시하여 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자는 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴(280,281) 및 n형 질화물층(도시하지 않음)의 노출영역에서 p측 전극 패턴의 p측 패드(280)에 대응하여 형성된 n측 패드(270)와 세 개의 n측 핑거(271,272,273)를 포함한 n측 전극 패턴을 형성할 수 있다.
n측 전극 패턴은 p측 패드(280)에 대응하는 n측 패드(270) 및 n측 패드(270)에 연결되어 다수의 p측 핑거(281) 사이에 개재되어 일측 방향으로 각각 연장 형성된 적어도 세 개의 n측 핑거, 즉 제 1 n측 핑거(271), 제 2 n측 핑거(272), 제 3 n측 핑거(273)를 포함한다.
제 1 n측 핑거(271), 제 2 n측 핑거(272) 및 제 3 n측 핑거(273)는 각각의 p측 패드(280)에 연결된 다수의 p측 핑거(281) 사이에 개재되어 p측 패드(280)의 방 향으로 연장 형성되되, 제 1 n측 핑거(271)는 우측의 p측 핑거(281) 사이에 개재되어 연장형성되고, 제 2 n측 핑거(272)는 중앙의 p측 핑거(281) 사이에 개재되어 연장형성되며, 제 3 n측 핑거(273)는 좌측의 p측 핑거(281) 사이에 개재되어 연장형성될 수 있다.
이때, 제 2 n측 핑거(272)에 대해 제 1 n측 핑거(271)와 제 3 n측 핑거(273)는 그 길이에서 차이를 가지고 형성되는 경우, 즉 제 1 n측 핑거(271)와 제 3 n측 핑거(273)가 제 2 n측 핑거(272) 보다 길게 형성되면 길이에 따른 저항이 증가하는 특성에 의해 제 1 n측 핑거(271)와 제 3 n측 핑거(273)의 저항이 증가하므로, 전술한 바와 같이 각 핑거의 저항을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 1]에 의해 제 1 n측 핑거(271)의 길이(L11)와 단면적(A11), 제 2 n측 핑거(272)의 길이(L12)와 단면적(A12) 및 제 3 n측 핑거(273)의 길이(L13)와 단면적(A13)에 대해
Figure 112007091646681-pat00004
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 n측 핑거(271)와 제 3 n측 핑거(273)가 제 2 n측 핑거(272) 보다 길게 구현된 경우, 제 1 n측 핑거(271)와 제 3 n측 핑거(273)의 단면적(A11, A13)이 제 2 n측 핑거(272)의 단면적(A12) 보다 넓은 단면적으로 형성되어, n측 핑거(271,272,273) 각각의 저항은 동일한 값을 가지게 되므 로, 전류가 제 1 n측 핑거(271) 내지 제 3 n측 핑거(273) 각각의 말단까지 균일하게 주입되어 활성층(도시하지 않음)으로 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다. 물론, 제 1 n측 핑거(271) 내지 제 3 n측 핑거(273) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 3]의 관계를 가지도록 형성되는 것은 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, p측 전극 패턴(280)의 p측 핑거(281)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 세 개의 n측 핑거(271,272,273)를 포함한 제 2 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자 이외에, 도 4에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴과 같이 길이가 서로 다른 각각의 핑거에 관해 저항을 동일하게 구현하기 위해 단면적을 변화시켜 구현할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도로서, 수평형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴(380,381)과 n형 질화물층의 노출영역에 형성된 n측 전극 패턴(370,371,372,373,374)을 도시하여 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자는 p형 질화물층의 상부면에 형성된 p측 패드(380)와 p측 패드(380)에 연결된 다수의 p측 핑거(381)를 포함한 p측 전극 패턴, 및 n형 질화물층의 노출영역에서 p측 패드(380)에 마주하여 일측에 형성된 n측 패드(370)와 n측 패드(370)에 연결되어 타측으로 연장형성된 네 개의 n측 핑거(371,372,373,374)를 포함한 n 측 전극 패턴을 형성할 수 있다.
n측 전극 패턴은 p측 패드(380)에 마주하여 모서리 부분의 n형 질화물층의 노출영역에 형성된 n측 패드(370), 및 이러한 n측 패드(370)에 연결되어 p측 패드(380) 방향으로 p측 핑거(381) 사이에 서로 다른 길이(L21,L22,L23,L24)로 중첩적으로 개재되어 연장형성된 네 개의 n측 핑거(371,372,373,374)가 구현된다.
구체적으로, 제 1 n측 핑거(371), 제 2 n측 핑거(372), 제 3 n측 핑거(373), 제 4 n측 핑거(374)가 p측 패드(380)에 연결된 다수의 p측 핑거(381)를 개재하여 p측 패드(380)의 방향으로 연장 형성되되, 제 1 n측 핑거(371)는 상측의 p측 핑거(381) 보다 상측에 발광소자의 테두리를 따라 연장형성되고, 제 2 n측 핑거(372)는 상측의 p측 핑거(381)와 중간의 p측 핑거(381) 사이에 개재되고 절곡되어 연장형성되며, 제 3 n측 핑거(373)는 중간의 p측 핑거(381)와 하측의 p측 핑거(381) 사이에 개재되고 절곡되어 연장형성되며, 제 4 n측 핑거(374)는 하측의 p측 핑거(381) 보다 아래에 발광소자의 테두리를 따라 연장형성될 수 있다.
이때, 제 1 n측 핑거(371) 내지 제 4 n측 핑거(374)는 각각의 길이(L21,L22,L23,L24)가 서로 다르게 형성되어, 제 1 n측 핑거(371)로부터 제 4 n측 핑거(374) 까지 각각의 핑거 길이가 점진적으로 길어져, 제 4 n측 핑거(374)의 길이(L24)가 제 1 n측 핑거(371)의 길이(L21)와 제 3 n측 핑거(373)의 길이(L23) 보다 길게 형성되는 경우, 전술한 바와 같이 길이에 따른 저항이 증가하는 점을 해소하여 각 핑거의 저항을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 1]에 따라 제 1 n측 핑거(371)의 길이(L21)와 단면적(A21), 제 2 n측 핑거(372)의 길이(L22)와 단면 적(A22), 제 3 n측 핑거(373)의 길이(L23)와 단면적(A23) 및 제 4 n측 핑거(374)의 길이(L24)와 단면적(A24)에 관한
Figure 112007091646681-pat00005
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 n측 핑거(371)로부터 제 4 n측 핑거(374) 까지 각각의 n측 핑거의 길이가 점진적으로 길게 구현된 경우, 이에 따라 제 1 n측 핑거(371)로부터 제 4 n측 핑거(374) 각각의 단면적(A21,A22,A23,A24) 또한 점진적으로 넓어지도록 형성되어, 제 1 n측 핑거(371) 내지 제 4 n측 핑거(374) 각각의 저항은 동일한 값을 가지게 되므로, 전류가 제 1 n측 핑거(371) 내지 제 4 n측 핑거(374) 각각의 말단까지 균일하게 주입되어 활성층(도시하지 않음)으로 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다.
물론, 제 1 n측 핑거(371) 내지 제 4 n측 핑거(374) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 4]의 관계를 가지도록 형성되는 점이 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, p측 전극 패턴의 p측 핑거(381)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같은 전극패턴의 특징은 수평형 질화물 반도체 발광소자에 한정되어 적용되지 않고, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 수직형 질화물 반도체 발광소자 에도 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도로서, 전극 패턴은 선택적으로 수직형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴 또는 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴을 도시하여 설명한다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자는 전극 패턴으로서 p형 질화물층(도시하지 않음)의 상부면에 형성된 p측 전극 패턴 또는 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴을 나타내며, 도 5에 도시된 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전극 패턴으로 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴으로 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자는 전극 패턴으로 n형 질화물층의 상부면 중앙에 형성된 n측 패드(470), 및 이러한 n측 패드(470)에 연결되어 방사형으로 교대로 연장된 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472)를 포함하여 형성된다.
이때, 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472)는 각각의 길이(L31,L32)가 서로 다르게 방사형으로 교대로 반복 형성되되, 제 1 n측 핑거(471)는 수직형 질화물 반도체 발광소자의 각 변으로 각각 연장형성되고 제 2 n측 핑거(472)는 제 1 n측 핑거(471) 사이에 개재되어 수직형 질화물 반도체 발광소자의 모서리 방향으로 제 1 n측 핑거(471)의 길이(L31)보다 길게 각각 연장형성될 수 있다.
따라서, 제 2 n측 핑거(472)가 제 1 n측 핑거(471)의 길이(L31)보다 길게 각각 연장형성되므로, 전술한 바와 같이 길이에 따른 저항이 증가하는 점을 해소하여 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472) 각각의 저항을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 1]에 따라 다수의 제 1 n측 핑거(471)의 길이(L31)와 단면적(A31) 및 제 2 n측 핑거(472)의 길이(L32)와 단면적(A32)에 관해
Figure 112007091646681-pat00006
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 중앙에 형성된 n측 패드(470) 및 이러한 n측 패드(470)에 연결되어 방사형으로 교대로 연장된 다수의 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472)에 대해 제 1 n측 핑거(471) 보다 제 2 n측 핑거(472)가 길게 구현된 경우, 제 2 n측 핑거(472)의 단면적(A32)은 제 1 n측 핑거(471)의 단면적(A31) 보다 넓게 형성되어, 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472)의 저항은 동일한 값을 가지게 되므로, 전류가 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472)의 말단까지 균일하게 흐르게 되어 활성층(도시하지 않음)으로 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다. 여기서, 제 1 n측 핑거(471)와 제 2 n측 핑거(472) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 5]의 관계를 가지도록 형성되는 특징이 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, n측 전극 패턴에 대응하여 p형 질화물층의 상부면에 형성되는 p측 전극 패턴의 p측 핑거들에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도로서, 전극 패턴은 선택적으로 수직형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음) 상부면에 형성된 p측 전극 패턴 또는 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴을 도시하여 설명하며, 도 6에 도시된 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전극 패턴은 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴으로 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자는 n측 전극 패턴으로 n형 질화물층의 상부면 일측에 형성된 n측 패드(570)와 n측 패드(570)에 연결되어 타측으로 연장형성된 네 개의 n측 핑거(571,572,573,574)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 제 1 n측 핑거(571), 제 2 n측 핑거(572), 제 3 n측 핑거(573), 제 4 n측 핑거(574)가 n측 패드(570)에 연결되어 n형 질화물층의 상부면에서 연장되어 타측 테두리 방향으로 연장 형성되되, 제 1 n측 핑거(571)는 n형 질화물층의 상측 테두리를 따라 연장형성되고, 제 2 n측 핑거(572)는 제 1 n측 핑거(571) 보다 아래에서 절곡되어 연장형성되며, 제 3 n측 핑거(573)는 제 2 n측 핑거(572) 보다 아래에서 절곡되어 연장형성되며, 제 4 n측 핑거(574)는 제 3 n측 핑거(573) 보다 아래에서 n형 질화물층의 하측 테두리를 따라 연장형성될 수 있다.
이때, 제 1 n측 핑거(571) 내지 제 4 n측 핑거(574)는 각각의 길이(L41,L42,L43,L44)가 서로 다르게 형성되어, 제 1 n측 핑거(571)로부터 제 4 n측 핑거(574) 까지 각각의 핑거 길이가 점진적으로 길어져, 제 4 n측 핑거(574)의 길이(L44)가 제 1 n측 핑거(571) 내지 제 3 n측 핑거(573)의 길이(L41,L42,L43) 보다 길게 형성되는 경우, 전술한 바와 같이 길이에 따른 저항이 증가하는 점을 해소하여 각 핑거의 저항을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 1]에 따라 제 1 n측 핑거(571)의 길이(L41)와 단면적(A41), 제 2 n측 핑거(572)의 길이(L42)와 단면적(A42), 제 3 n측 핑거(573)의 길이(L43)와 단면적(A43) 및 제 4 n측 핑거(574)의 길이(L44)와 단면적(A44)에 관해
Figure 112007091646681-pat00007
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 6에 도시된 바와 같이 제 1 n측 핑거(571)로부터 제 4 n측 핑거(574) 까지 각각의 n측 핑거의 길이가 점진적으로 길어짐에 따라, 제 1 n측 핑거(571)로부터 제 4 n측 핑거(574) 각각의 단면적(A41,A42,A43,A44) 또한 점진적으로 넓어지도록 형성되므로, 제 1 n측 핑거(571) 내지 제 4 n측 핑거(574) 각각의 저항은 동일한 값을 가지게 되어, 전류가 제 1 n측 핑거(371) 내지 제 4 n측 핑 거(374) 각각의 말단까지 균일하게 주입되고 활성층(도시하지 않음)으로의 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다.
물론, 제 1 n측 핑거(571) 내지 제 4 n측 핑거(574) 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 6]의 관계를 가지도록 형성되는 특징이 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, n측 전극 패턴에 대응하여 p형 질화물층의 상부면에 형성되는 p측 전극 패턴의 p측 핑거들에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도로서, 전극 패턴은 선택적으로 수직형 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물층(도시하지 않음) 상부면에 형성된 p측 전극 패턴 또는 n형 질화물층의 상부면에 형성된 n측 전극 패턴을 도시하여 설명하며, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 전극 패턴은 n형 질화물층의 상부면에 형성된 적어도 두 개의 n측 전극 패턴으로 설명한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자는 n측 전극 패턴으로 n형 질화물층의 상부면 양측 모서리에 각각 형성된 제 1 및 제 2 n측 패드(670-1,670-2)와 n측 패드(670-1,670-2) 각각에 연결되어 타측의 n측 패드로 연장형성된 적어도 두 개의 n측 핑거(671,672)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 제 1 및 제 2 n측 패드(670-1,670-2) 각각에 연결된 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672)는 서로 교차하여 연장형성되되, 제 1 n측 패드(670-1)에서 연장된 제 1 n측 핑거(671)는 n형 질화물층의 외측 테두리를 따라 연장형성되고, 제 1 n측 패드(670-1)에서 연장된 제 2 n측 핑거(672)는 대각선 방향으로 제 2 n측 패드(670-2)에서 연장된 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672) 사이에 절곡되어 연장형성되며, 제 2 n측 패드(670-2)에서 연장된 제 1 n측 핑거(671)는 n형 질화물층의 외측 테두리를 따라 연장형성되고, 제 2 n측 패드(670-2)에서 연장된 제 2 n측 핑거(672)는 대각선 방향으로 제 1 n측 패드(670-1)에서 연장된 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672) 사이에 절곡되어 연장형성될 수 있다.
이때, 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672)는 그 길이(L51,L52)가 서로 다르게 형성되어, 제 1 n측 핑거(671)의 길이(L51)가 제 2 n측 핑거(672)의 길이(L52)보다 길게 형성되는 경우, 전술한 바와 같이 길이에 따른 저항이 증가하는 점을 해소하여 각 핑거의 저항을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 1]에 따라 제 1 n측 핑거(671)의 길이(L51)와 단면적(A51) 및 제 2 n측 핑거(672)의 길이(L52)와 단면적(A52)에 관해
Figure 112007091646681-pat00008
의 관계를 가지도록 형성된다.
따라서, 도 7에 도시된 바와 같이 n형 질화물층의 상부면 양측 모서리에 각각 형성된 제 1 및 제 2 n측 패드(670-1,670-2)와 n측 패드(670-1,670-2) 각각에 연결되어 타측의 n측 패드로 맞물려 연장형성된 적어도 두 개의 n측 핑거(671,672)에서 제 1 n측 핑거(671)의 길이(L51)가 제 2 n측 핑거(672)의 길이(L52)보다 길게 형성되어도, 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672)의 저항은 동일한 값을 가지게 되어, 전류가 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672)의 말단까지 균일하게 주입되고 활성층(도시하지 않음)으로의 전류 퍼짐(current spreading)이 향상될 수 있다.
물론, n측 패드(670-1,670-2) 각각에 연결되고 서로 맞물려 연장형성된 적어도 두 개의 n측 핑거(671,672)가 서로 다른 길이로 형성되지 않고, 제 1 및 제 2 n측 패드(670-1,670-2) 각각에 연결되어 서로 맞물려 연장형성된 적어도 두 개의 n측 핑거(671,672)를 포함한 네 개의 n측 핑거 각각이 서로 다른 길이로 형성된 경우에도 동일하게 n측 핑거들 각각의 길이에 따라 네 개의 n측 핑거 각각의 단면적 비율이 달라지게 구비되어 핑거 각각의 저항이 동일한 값을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 제 6 실시예에 따라 제 1 n측 핑거(671)와 제 2 n측 핑거(672)를 포함한 네 개의 핑거 각각의 저항(R)을 동일하게 구현하기 위해 [수학식 7]의 관계를 가지도록 형성되는 특징이 n측 전극 패턴에 한정되지 않고, n측 전극 패턴에 대응하여 p형 질화물층의 상부면에 형성되는 p측 전극 패턴의 p측 패드와 p측 핑거들에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 질화물 발광 다이오드의 상면도 및 측단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
도 6은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
도 7은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 수직형 질화물 반도체 발광소자의 전극 패턴을 도시한 예시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
170,270,370,470,570,670-1,670-2: n측 패드
171,271,371,471,571,671: 제 1 n측 핑거
172, 272,372,472,572,672: 제 2 n측 핑거
180,280: p측 전극 패턴 380: p측 패드
381: p측 핑거

Claims (11)

  1. 기판상에 순차적으로 형성된 n형 질화물층, 다중양자우물구조로　이루어진 활성층 및 p형 질화물층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자로서,
    상기 p형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 p측 패드와 상기 p측 패드에 연결되어 타측 방향으로 각각 연장된 다수의 p측 핑거를 포함한 p측 전극 패턴; 및
    상기 n형 질화물층의 노출영역 일측에서 상기 p측 패드에 대응하여 형성된 적어도 하나의 n측 패드와 상기 n측 패드에 연결되어 상기 p측 패드 방향으로 각각 연장된 다수의 n측 핑거를 포함한 n측 전극 패턴
    을 포함하고,
    상기 n측 핑거 또는 p측 핑거는 저항이 동일하여 상기 활성층으로 전류 퍼짐(current spreading)을 향상시키며,
    상기 p측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 아래의 식을 만족하여
    R = ρL/A (ρ: 비저항)
    상기 p측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 p측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 p측 핑거는
    제 1 길이(L1)와 제 1 단면적(A1)을 가지는 제 1 p측 핑거; 및
    상기 제 1 p측 핑거의 길이(L1) 보다 긴 제 2 길이(L2)를 가지는 제 2 p측 핑거를 포함하고,
    상기 제 2 p측 핑거의 단면적(A2)은 상기 제 1 p측 핑거에 대해
    Figure 112009042420263-pat00009
    으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 n측 핑거 각각은
    핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 아래의 식을 만족하여
    R = ρL/A (ρ: 비저항)
    상기 n측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 n측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 n측 핑거는
    제 1 길이(L11)와 제 1 단면적(A11)을 가지는 제 1 n측 핑거;
    상기 제 1 n측 핑거의 제 1 길이(L11) 보다 긴 제 2 길이(L12)를 가지는 제 2 n측 핑거; 및
    상기 제 2 n측 핑거의 제 2 길이(L12) 보다 긴 제 3 길이(L13)를 가지는 제 3 n측 핑거를 포함하고,
    상기 제 2 n측 핑거의 단면적(A12)과 상기 제 3 n측 핑거의 단면적(A13)은 상기 제 1 n측 핑거에 대해
    Figure 112007091646681-pat00010
    으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항, 제3항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화물 반도체 발광소자는 상기 n측 핑거와 상기 p측 핑거가 서로 맞물려 형성되고,
    상기 n측 핑거와 상기 p측 핑거는 적어도 하나의 절곡 부분을 가지는 수평형 질화물 반도체 발광소자인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에서 다중양자우물구조로　이루어진 활성층;
    상기 p형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 p측 패드와 상기 p측 패드에 연결되어 타측 방향으로 각각 연장된 다수의 p측 핑거를 포함한 p측 전극 패턴; 및
    상기 n형 질화물층의 외부면 일측에 형성된 적어도 하나의 n측 패드와 상기 n측 패드에 연결되어 상기 p측 패드 방향으로 각각 연장된 다수의 n측 핑거를 포함한 n측 전극 패턴
    을 포함하고,
    상기 n측 핑거 또는 p측 핑거는 저항이 동일하여 상기 활성층으로 전류 퍼짐을 향상시키며,
    상기 p측 핑거 각각은 핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 아래의 식을 만족하여
    R = ρL/A (ρ: 비저항)
    상기 p측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 p측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 n측 핑거 각각은
    핑거 길이(L)에 대한 핑거 단면적(A)이 아래의 식을 만족하여
    R = ρL/A (ρ: 비저항)
    상기 n측 핑거 각각의 길이(L) 변화에 따라 상기 n측 핑거 각각의 단면적(A)이 비례하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 p측 핑거 또는 n측 핑거는
    방사형으로 교대로 연장된 다수의 제 1 핑거와 제 2 핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  11. 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 p측 핑거 또는 n측 핑거는 적어도 하나의 절곡 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
KR1020070134581A 2007-12-20 2007-12-20 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자 KR100930195B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070134581A KR100930195B1 (ko) 2007-12-20 2007-12-20 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자
US12/252,660 US20090159909A1 (en) 2007-12-20 2008-10-16 Nitride semiconductor light-emitting device with electrode pattern
US13/292,774 US20120056150A1 (en) 2007-12-20 2011-11-09 Nitride semiconductor light-emitting device with electrode pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070134581A KR100930195B1 (ko) 2007-12-20 2007-12-20 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090066863A KR20090066863A (ko) 2009-06-24
KR100930195B1 true KR100930195B1 (ko) 2009-12-07

Family

ID=40787531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070134581A KR100930195B1 (ko) 2007-12-20 2007-12-20 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20090159909A1 (ko)
KR (1) KR100930195B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101087970B1 (ko) 2010-10-25 2011-12-01 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20130140417A (ko) * 2012-06-14 2013-12-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD668234S1 (en) * 2001-05-24 2012-10-02 Lextar Electornics Corp. LED chip
US9508902B2 (en) 2005-02-21 2016-11-29 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device
TWI376817B (en) * 2007-11-23 2012-11-11 Epistar Corp Light emitting device, light source apparatus and backlight module
KR100930195B1 (ko) * 2007-12-20 2009-12-07 삼성전기주식회사 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자
KR101020910B1 (ko) * 2008-12-24 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101100684B1 (ko) * 2009-07-15 2012-01-03 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
CN103078034B (zh) * 2009-09-18 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 光电半导体装置
KR101054790B1 (ko) * 2010-06-24 2011-08-05 고려대학교 산학협력단 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
JP5737066B2 (ja) * 2010-08-26 2015-06-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
WO2012026695A2 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with improved luminous efficiency
KR101028612B1 (ko) * 2010-09-15 2011-04-11 (주)더리즈 발광소자
EP2448015B1 (en) * 2010-11-01 2018-04-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101145291B1 (ko) * 2010-11-09 2012-05-16 고려대학교 산학협력단 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
US9520536B2 (en) 2010-11-18 2016-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
TWI511332B (zh) * 2011-06-13 2015-12-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體結構
CN103650178A (zh) * 2011-07-29 2014-03-19 三星电子株式会社 半导体发光元件
US20140231859A1 (en) * 2011-08-01 2014-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element
JP2013120936A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Ultratech Inc パターン効果を低減したＧａＮＬＥＤのレーザーアニール
TWI453948B (zh) * 2012-03-12 2014-09-21 Univ Chang Gung The structure of the press - fit type flip - chip light emitting element and its making method
WO2014175564A1 (ko) * 2013-04-22 2014-10-30 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102357289B1 (ko) * 2014-07-01 2022-02-03 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
TWD169527S (zh) * 2014-08-20 2015-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9905729B2 (en) 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
KR20170018201A (ko) * 2015-08-06 2017-02-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 제조방법
DE102016112587A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
WO2018186655A1 (ko) * 2017-04-03 2018-10-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
CN110060964B (zh) * 2018-04-18 2021-01-22 友达光电股份有限公司 元件基板、显示面板及拼接显示器
DE102019112949A1 (de) * 2019-05-16 2020-11-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauteil
CN111081831B (zh) * 2019-11-20 2021-03-23 华南师范大学 基于多电极的照明通信器件及其制备方法
TWD219684S (zh) * 2021-07-09 2022-07-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019646A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
KR20060095117A (ko) * 2005-02-28 2006-08-31 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20070049750A (ko) * 2005-11-09 2007-05-14 (주)더리즈 발광 다이오드의 전극 구조

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983075A (en) * 1974-06-21 1976-09-28 Kennecott Copper Corporation Copper filled conductive epoxy
WO1998052229A1 (en) * 1997-05-14 1998-11-19 Research Triangle Institute Light emitting device contact layers having substantially equal spreading resistance and method of manufacture
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6906352B2 (en) * 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US20030047743A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Gang Li Semiconductor light emitting device
US6650018B1 (en) * 2002-05-24 2003-11-18 Axt, Inc. High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
JP4042668B2 (ja) * 2003-09-25 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 固体発光素子とその製造方法並びにプロジェクタ
KR100576853B1 (ko) * 2003-12-18 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
US7615798B2 (en) * 2004-03-29 2009-11-10 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device having an electrode made of a conductive oxide
US8077152B2 (en) * 2004-10-15 2011-12-13 University Of Iowa Research Foundation Magneto resistive elements and methods for manufacture and use of same
KR100706944B1 (ko) * 2005-10-17 2007-04-12 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR100930195B1 (ko) * 2007-12-20 2009-12-07 삼성전기주식회사 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019646A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
KR20060095117A (ko) * 2005-02-28 2006-08-31 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20070049750A (ko) * 2005-11-09 2007-05-14 (주)더리즈 발광 다이오드의 전극 구조

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101087970B1 (ko) 2010-10-25 2011-12-01 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20130140417A (ko) * 2012-06-14 2013-12-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR102008276B1 (ko) * 2012-06-14 2019-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090066863A (ko) 2009-06-24
US20090159909A1 (en) 2009-06-25
US20120056150A1 (en) 2012-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100930195B1 (ko) 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자
JP5032130B2 (ja) 電流拡散構造を有する薄膜ｌｅｄ
KR100956579B1 (ko) 반도체 및 반도체의 제작방법
KR100703096B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
JP5135500B2 (ja) 窒化物半導体素子
US8373179B2 (en) Light emitting diode
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
US7923716B2 (en) Nitride semiconductor device
JP2008543068A (ja) コンタクト構造を有する発光ダイオードチップ
JP2006245542A (ja) 窒化物半導体発光素子
US20070051962A1 (en) Gallium nitride semiconductor light emitting device
US20140231859A1 (en) Semiconductor light-emitting element
KR20080087251A (ko) 커패시터를 구비하는 발광 다이오드
KR101354981B1 (ko) 질화물 반도체 발광 다이오드
JP2013062346A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100604423B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR20030052060A (ko) 발광 소자 및 그의 제조방법
JP2014165498A (ja) 発光装置
KR101747732B1 (ko) 발광소자
JP2019160974A (ja) 半導体発光素子
KR101539430B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100687527B1 (ko) 발광다이오드 및 그 형성 방법
KR101978485B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101056422B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
KR100550846B1 (ko) 플립칩 본딩 구조의 질화 갈륨계 발광다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141031

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee