DE102019112949A1

DE102019112949A1 - Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauteil

Info

Publication number: DE102019112949A1
Application number: DE102019112949.4A
Authority: DE
Inventors: Ivar Tångring
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2019-05-16
Filing date: 2019-05-16
Publication date: 2020-11-19
Also published as: WO2020229617A1

Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit:- einem Halbleiterkörper (2), umfassend eine erste Schichtenfolge (4) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schichtenfolge (6) eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps,- zumindest einem ersten Kontaktsteg (14), der zur Einprägung von Strom in die erste Schichtenfolge (4) ausgebildet ist, und- zumindest zwei zweiten Kontaktstegen (15), die zur Einprägung von Strom in die zweite Schichtenfolge (6) ausgebildet sind, wobei- der erste Kontaktsteg (14) parallel zu den zweiten Kontaktstegen (15) angeordnet ist,- der erste Kontaktsteg (14) und die zweiten Kontaktstege (15) alternierend angeordnet sind, und- der erste Kontaktsteg (14) breiter ist als einer der zweiten Kontaktstege (15), und/oder- Abstände des ersten Kontaktstegs (14) zu den zweiten Kontaktstegen (15) verschieden sind.Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Bauteil (33) angegeben.

Description

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben. Darüber hinaus wird ein strahlungsemittierendes Bauteil angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben, der eine verbesserte Helligkeit aufweist. Insbesondere soll der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine besonders gute Quanteneffizienz aufweisen. Außerdem soll ein strahlungsemittierendes Bauteil mit einem solchen strahlungsemittierenden Halbleiterchip angegeben werden.
Diese Aufgaben werden durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein strahlungsemittierendes Bauteil mit den Merkmalen des Patentanspruchs 19 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips und des strahlungsemittierenden Bauteils sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip einen Halbleiterkörper. Der Halbleiterkörper umfasst eine erste Schichtenfolge eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schichtenfolge eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps. Bevorzugt ist der Halbleiterkörper dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche auszusenden. Die vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung kann nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung sein.
Der Halbleiterkörper weist bevorzugt eine Haupterstreckungsebene auf. Die vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und die laterale Richtung erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene.
Der Halbleiterkörper basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Verbindungshalbleitermaterial kann es sich bevorzugt um ein Nitridverbindungshalbleitermaterial handeln. Nitridverbindungshalbleitermaterialien sind Verbindungshalbleitermaterialien, die Nitrid enthalten, wie die Materialien aus dem System In_xAl_yGa_1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
Bevorzugt umfasst die erste Schichtenfolge eine erste Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps. Weiterhin umfasst die zweite Schichtenfolge bevorzugt eine zweite Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps. Bevorzugt ist die erste Halbleiterschicht n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschicht bevorzugt p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet. Damit handelt es sich bei dem ersten Leitfähigkeitstyp bevorzugt um einen n-leitenden Typ und bei dem zweiten Leitfähigkeitstyp bevorzugt um einen p-leitenden Typ.
Zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht ist bevorzugt ein aktiver Bereich angeordnet. Der aktive Bereich ist dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Der aktive Bereich grenzt bevorzugt unmittelbar an die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht an. Der aktive Bereich weist bevorzugt einen pn-Übergang zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung auf, wie beispielsweise eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur oder eine Mehrfachquantentopfstruktur.
Bevorzugt ist der Halbleiterkörper epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat gewachsen. Das Aufwachssubstrat umfasst bevorzugt Saphir oder ist daraus gebildet. Die erste Schichtenfolge und die zweite Schichtenfolge sind bevorzugt in der vertikalen Richtung übereinander auf dem Aufwachssubstrat gestapelt. In diesem Fall grenzt die erste Schichtenfolge an das Aufwachssubstrat an. Weiterhin ist die erste Schichtenfolge bevorzugt zwischen der zweiten Schichtenfolge und dem Aufwachssubstrat angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip zumindest einen ersten Kontaktsteg, der zur Einprägung von Strom in die erste Schichtenfolge ausgebildet ist. Der erste Kontaktsteg steht bevorzugt mit der ersten Schichtenfolge in direktem Kontakt.
Der erste Kontaktsteg weist bevorzugt ein elektrisch leitendes Metall auf oder besteht daraus. Das Metall umfasst bevorzugt eines oder mehrere der folgenden Materialien oder ist aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet: Kupfer, Gold, Platin, Titan, Aluminium, Silber.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip zumindest zwei zweite Kontaktstege, die zur Einprägung von Strom in die zweite Schichtenfolge ausgebildet sind. Die zweiten Kontaktstege stehen bevorzugt an keiner Stelle mit der zweiten Schichtenfolge in direktem Kontakt.
Die zweiten Kontaktstege weisen bevorzugt ein elektrisch leitendes Metall auf oder bestehen daraus. Das Metall umfasst bevorzugt eines oder mehrere der folgenden Materialien oder besteht aus einem oder mehreren der folgenden Materialien: Kupfer, Gold, Platin, Titan, Aluminium, Silber. Weiterhin kann das elektrisch leitende Metall des ersten Kontaktstegs gleich dem elektrisch leitenden Metall der zweiten Kontaktstege sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchbricht ein Graben die zweite Schichtenfolge vollständig. Bevorzugt durchbricht der Graben die zweite Halbleiterschichtenfolge vollständig. Weiterhin durchbricht der Graben den aktiven Bereich bevorzugt vollständig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform legt der Graben die erste Schichtenfolge im Bereich des Grabens frei. Bevorzugt erstreckt sich der Graben in der vertikalen Richtung teilweise in die erste Schichtenfolge. Eine Bodenfläche des Grabens ist in diesem Fall bevorzugt durch die erste Schichtenfolge gebildet. An die Bodenfläche des Grabens angrenzende Seitenflächen des Grabens sind bevorzugt durch die erste Schichtenfolge, den aktiven Bereich und die zweite Schichtenfolge gebildet. Die Seitenflächen des Grabens stehen bevorzugt senkrecht zu der Bodenfläche des Grabens. Alternativ können die Seitenflächen des Grabens einen Winkel mit der Bodenfläche einschließen, der verschieden von 90° ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist im Bereich des Grabens der erste Kontaktsteg angeordnet. Der erste Kontaktsteg ist bevorzugt auf der Bodenfläche des Grabens angeordnet, der durch die erste Schichtenfolge gebildet ist. Bevorzugt ist der erste Kontaktsteg in lateralen Richtungen beabstandet zu den Seitenflächen des Grabens angeordnet. Damit ist der erste Kontaktsteg elektrisch isoliert zu den Seitenflächen des Grabens. Insbesondere ist der erste Kontaktsteg elektrisch isoliert zu der zweiten Schichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste Kontaktsteg parallel zu den zweiten Kontaktstegen angeordnet. Bevorzugt weisen der erste Kontaktsteg und die zweiten Kontaktstege jeweils eine Länge auf. Die Längen entsprechen bevorzugt jeweils einer maximalen Ausdehnung jeweils eines Kontaktstegs in lateraler Richtung. Die Längen erstrecken sich bevorzugt jeweils entlang einer Haupterstreckungsrichtung. Die Haupterstreckungsrichtungen sind bevorzugt parallel zueinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Länge des ersten Kontaktstegs und die Längen der zweiten Kontaktstege im Wesentlichen gleich groß. Der Begriff „im Wesentlichen gleich groß“ heißt hier und im Folgenden, dass sich die Längen um nicht mehr als 5 Mikrometer unterscheiden. Die Längen der Kontaktstege sind bevorzugt nur geringfügig kleiner als eine Länge des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Der Begriff „Geringfügig kleiner“ heißt hier, dass die Längen mindestens 90 %, insbesondere 95 %, so groß sind wie die Länge des Halbleiterchips. Die Längen der Kontaktstege sind bevorzugt jeweils mindestens 100 Mikrometer und höchstens 5 Millimeter, besonders bevorzugt mindestens 500 Mikrometer und höchstens 1 Millimeter, lang.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der erste Kontaktsteg und die zweiten Kontaktstege alternierend angeordnet. Bevorzugt lautet die Folge der Kontaktstege von einer Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, in dieser Ausführungsform wie folgt: zweiter Kontaktsteg, erster Kontaktsteg, zweiter Kontaktsteg. Die Seitenflächen des ersten Kontaktstegs und der zweiten Kontaktstege, die sich entlang der Haupterstreckungsrichtung erstrecken, liegen sich bevorzugt gegenüber.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste Kontaktsteg breiter als einer der zweiten Kontaktstege. Bevorzugt weist der erste Kontaktsteg eine erste Breite auf und einer der zweiten Kontaktstege weist bevorzugt eine zweite Breite auf. In diesem Fall ist die erste Breite größer als die zweite Breite. Die Breiten entsprechen jeweils einer minimalen Ausdehnung der Kontaktstege in lateraler Richtung.
Bevorzugt ist die erste Breite des ersten Kontaktstegs in etwa doppelt so breit wie die zweite Breite der zweiten Kontaktstege. Die erste Breite ist bevorzugt mindestens 5 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer, insbesondere ungefähr 12 Mikrometer, breit. Die zweite Breite ist bevorzugt mindestens 1 Mikrometer und höchstens 10 Mikrometer, insbesondere ungefähr 6 Mikrometer, breit.
Eine Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist unter anderem, dass die Breiten des ersten Kontaktstegs und der zweiten Kontaktstege unterschiedlich breit ausgebildet sind. Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche in Draufsicht, bei Verwendung eines ersten Kontaktstegs, der zwischen zwei zweiten Kontaktstegen angeordnet ist, gedanklich in zwei Teilflächen geteilt. Eine erste Teilfläche spannt sich zwischen dem ersten Kontaktsteg und einem der zweiten Kontaktstege auf und die zweite Teilfläche spannt sich zwischen dem ersten Kontaktsteg und dem anderen der zweiten Kontaktstege auf.
Um eine möglichst homogene Stromdichte im aktiven Bereich in der ersten Teilfläche zu erzeugen, sind eine Hälfte des ersten Kontaktstegs und einer der zweiten Kontaktstege bevorzugt gleich breit ausgebildet, sodass in etwa eine gleiche Menge an Ladungsträgern in die erste Schichtenfolge und in die zweite Schichtenfolge in der ersten Teilfläche eingeprägt wird. Weiterhin sind eine andere Hälfte des ersten Kontaktstegs und der andere der zweiten Kontaktstege ebenfalls bevorzugt gleich breit ausgebildet, um eine möglichst homogene Stromdichte im aktiven Bereich in der zweiten Teilfläche zu erzeugen.
Demzufolge ist der erste Kontaktsteg, bei Betrachtung der beiden Teilflächen zusammen, bevorzugt in etwa doppelt so breit ausgebildet wie die zweiten Kontaktstege. Damit kann vorteilhafterweise eine besonders homogene Stromdichte im gesamten aktiven Bereich erzeugt sein. Damit ist auch eine Quanteneffizienz des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorteilhafterweise verbessert. Die Quanteneffizienz gibt in der Regel ein Verhältnis von einer Menge von in den Halbleiterkörper eingeprägten Ladungsträgern zu einer Menge von erzeugten Photonen an.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind Abstände des ersten Kontaktstegs zu den zweiten Kontaktstegen verschieden. Bevorzugt ist der erste Kontaktsteg direkt benachbart zu zwei zweiten Kontaktstegen. Die zwei zweiten Kontaktstege umgeben den ersten Kontaktsteg bevorzugt, sodass der erste Kontaktsteg zwischen den zwei zweiten Kontaktstegen angeordnet ist. Der erste Kontaktsteg weist damit bevorzugt einen ersten Abstand zu einem der zweiten Kontaktstege auf und der erste Kontaktsteg weist bevorzugt einen zweiten Abstand zu dem anderen der zweiten Kontaktstege auf. Der erste Abstand und der zweite Abstand sind hierbei bevorzugt verschieden voneinander ausgebildet. Ein Abstand ist bevorzugt durch einen minimalen Abstand in lateraler Richtung des ersten Kontaktstegs zu einem der zweiten Kontaktstege gebildet.
Die Abstände unterscheiden sich bevorzugt um mindestens 100 Nanometer und um höchstens um 10 Mikrometer, besonders bevorzugt um mindestens 4 Mikrometer und um höchstens 6 Mikrometer, insbesondere um ungefähr 5 Mikrometer.
Eine weitere Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist weiterhin, dass die Abstände der Kontaktstege voneinander verschieden sind. In der Regel gilt, dass ein Serienwiderstand, den ein in den Halbleiterkörper einzuprägender Ladungsträger erfährt, proportional zu einer Weglänge des Ladungsträgers ist. Werden Ladungsträger beispielsweise nicht symmetrisch in die zweiten Kontaktstege eingeprägt, ist es möglich, dass Ladungsträger, die sich von einem der zweiten Kontaktstege zu einem fiktiven Punkt auf dem ersten Kontaktsteg bewegen, einem höheren Serienwiderstand ausgesetzt sind als Ladungsträger, die sich von einem anderen der zweiten Kontaktstege zu dem fiktiven Punkt auf dem ersten Kontaktsteg bewegen. Durch die unterschiedlichen Abstände können die Serienwiderstände vorteilhafterweise angeglichen werden, resultierend in einer besonders homogenen Stromdichte im aktiven Bereich. Damit ist auch eine Quanteneffizienz des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorteilhafterweise verbessert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die zweite Schichtenfolge eine Stromaufweitungsschicht und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Die Stromaufweitungsschicht ist bevorzugt für die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung transparent ausgebildet. Zudem ist die Stromaufweitungsschicht bevorzugt aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material gebildet.
Die Stromaufweitungsschicht ist bevorzugt auf einer Deckfläche der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die Stromaufweitungsschicht bedeckt die Deckfläche der zweiten Halbleiterschicht bevorzugt zu großen Teilen. Zu großen Teilen bedeutet hier, dass die Stromaufweitungsschicht mindestens 90 %, besonders bevorzugt 95 %, der Deckfläche der zweiten Halbleiterschicht bedeckt. Weiterhin ist es möglich, dass die Stromaufweitungsschicht die Deckfläche der zweiten Halbleiterschicht vollständig bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Stromaufweitungsschicht zwischen den zweiten Kontaktstegen und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Bevorzugt steht die Stromaufweitungsschicht mit den zweiten Kontaktstegen und der zweiten Halbleiterschicht in direktem Kontakt. Ist die zweite Halbleiterschicht p-leitend ausgebildet, ist die Stromaufweitungsschicht dazu ausgebildet, p-seitig Strom in die zweite Halbleiterschicht einzubringen. Eine derartige Stromaufweitungsschicht weist bevorzugt eine besonders gute elektrische Querleitfähigkeit in lateraler Richtung auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Stromaufweitungsschicht eine Leitungsschicht mit einer ersten Dicke. Die Leitungsschicht umfasst bevorzugt das transparente, elektrisch leitende Material. Die erste Dicke entspricht bevorzugt einer minimalen Ausdehnung in vertikaler Richtung der Leitungsschicht.
Weiterhin steht die Leitungsschicht bevorzugt mit den zweiten Kontaktstegen bereichsweise in direktem Kontakt. Das heißt, die zweiten Kontaktstege sind bevorzugt auf der Leitungsschicht angeordnet.
Die Leitungsschicht umfasst bevorzugt transparente, elektrisch leitende Metalle oder transparente, elektrisch leitende Oxide (englisch: „transparent conductive oxides“, kurz „TCO“). TCO's umfassen beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (kurz „ITO“).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Stromaufweitungsschicht eine Kontaktschicht mit einer zweiten Dicke. Die zweite Dicke entspricht bevorzugt einer minimalen Ausdehnung in vertikaler Richtung der Kontaktschicht. Die Kontaktschicht ist bevorzugt zwischen der Leitungsschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die Kontaktschicht kann mit der zweiten Halbleiterschicht in direktem Kontakt stehen. Weiterhin steht die Kontaktschicht mit der Leitungsschicht bereichsweise in direktem Kontakt.
Die Kontaktschicht ist bevorzugt mit dem gleichen transparenten, elektrisch leitenden Material gebildet, wie die Leitungsschicht. Besonders bevorzugt umfassen die Leitungsschicht und die Kontaktschicht ITO oder bestehen aus ITO.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine dielektrische Schicht bereichsweise zwischen der Leitungsschicht und der Kontaktschicht angeordnet. Die dielektrische Schicht umfasst bevorzugt ein dielektrisches Material oder ist aus einem dielektrischen Material gebildet. Weiterhin ist die dielektrische Schicht in der Regel elektrisch isolierend ausgebildet.
Die dielektrische Schicht umfasst bevorzugt eine Vielzahl von Ausnehmungen, die das dielektrische Material vollständig durchdringen. Die Ausnehmungen sind bevorzugt an Gitterpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet. Alternativ können die Ausnehmungen an Gitterpunkten eines unregelmäßigen Gitters angeordnet sein. Die Ausnehmungen sind bevorzugt mit einem Material der Leitungsschicht und/oder mit einem Material der Kontaktschicht gefüllt. Die Ausnehmungen sind bevorzugt vollständig mit dem Material der Leitungsschicht und/oder dem Material der Kontaktschicht gefüllt.
Die Ausnehmungen können in Draufsicht bevorzugt eine runde, ovale, elliptische, viereckige oder vieleckige Form aufweisen. Ein Durchmesser der Ausnehmungen ist bevorzugt mindestens 1 Mikrometer und höchstens 10 Mikrometer, besonders bevorzugt mindestens 2 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer.
Die Ausnehmungen sind in lateralen Richtungen bevorzugt beabstandet voneinander angeordnet. Ein Abstand zwischen den Ausnehmungen ist bevorzugt kleiner als 50 Mikrometer, besonders bevorzugt kleiner als 20 Mikrometer.
Eine Querschnittsfläche durch die dielektrische Schicht in lateraler Richtung umfasst bevorzugt einen Flächenanteil der Ausnehmungen von mindestens 1 % und höchstens 5 %.
Das dielektrische Material der dielektrischen Schicht weist bevorzugt einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als ein Brechungsindex der Leitungsschicht und/oder ein Brechungsindex der Kontaktschicht. Der Brechungsindex der Leitungsschicht und/oder der Brechungsindex der Kontaktschicht liegt beispielsweise zwischen einschließlich 1,5 bis einschließlich 2,0, insbesondere zwischen einschließlich 1,7 bis einschließlich 2,0. Der Brechungsindex der dielektrischen Schicht ist bevorzugt mindestens 1,40 und höchstens 1,80, insbesondere ungefähr 1,46 oder ungefähr 1,50. Bevorzugt ist der Brechungsindex der dielektrischen Schicht mindestens 0,2 kleiner als der Brechungsindex der Leitungsschicht und/oder der Kontaktschicht.
Weiterhin ist es möglich, dass die dielektrische Schicht mehrschichtig ausgebildet ist. Schichten der dielektrischen Schicht umfassen in diesem Fall bevorzugt eine Schichtenfolge aus sich abwechselnden Schichten mit höherem Brechungsindex und niedrigerem Brechungsindex.
Die dielektrische Schicht weist bevorzugt eine Winkelfiltercharakteristik für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung auf. Bevorzugt wird elektromagnetische Strahlung, die sich vom aktiven Bereich in Richtung der dielektrischen Schicht ausbreitet, an der dielektrischen Schicht reflektiert, wenn diese auch an der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgrund eines flachen Einfallwinkels totalreflektiert werden würde.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste Dicke der Leitungsschicht größer als die zweite Dicke der Kontaktschicht. Die erste Dicke ist bevorzugt mindestens 60 Nanometer und höchstens 120 Nanometer, besonders bevorzugt mindestens 80 Nanometer und höchstens 100 Nanometer, insbesondere ungefähr 90 Nanometer. Die zweite Dicke ist bevorzugt mindestens 5 Nanometer und höchstens 50 Nanometer, besonders bevorzugt mindestens 15 Nanometer und höchstens 30 Nanometer.
Vorteilhafterweise weist die Leitungsschicht mit der ersten Dicke im Vergleich zu der Kontaktschicht mit der zweiten Dicke eine vergleichsweise hohe Querleitfähigkeit in lateraler Richtung auf. In der Regel absorbiert die Leitungsschicht und/oder die Kontaktschicht elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone. Hierbei handelt es sich in der Regel um eine freie Ladungsträgerabsorption. Die Absorption ist in der Regel proportional zur ersten Dicke und zur zweiten Dicke. Demzufolge absorbiert die Leitungsschicht vergleichsweise mehr elektromagnetische Strahlung als die dünner ausgebildete Kontaktschicht. Da durch die dielektrische Schicht elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, die einen flachen Winkel zu der Strahlungsaustrittsfläche aufweist, kann diese nicht von der Leitungsschicht absorbiert werden. Elektromagnetische Strahlung schließt bei einem hier beschriebenen flachen Winkel beispielsweise einen Winkel von mindestens 40°, insbesondere mindestens 50°, mit einer Normalen der Strahlungsaustrittsfläche in vertikaler Richtung ein. Die zurückreflektierte Strahlung kann über Mehrfachreflexionen an einer Grenzfläche von der ersten Schichtenfolge zu dem Aufwachssubstrat derart reflektiert werden, dass die reflektierte elektromagnetische Strahlung keinen flachen Winkel zu der Strahlungsaustrittsfläche aufweist. Elektromagnetische Strahlung, die nicht vom der dielektrischen Schicht reflektiert wird, weist eine vergleichsweise kleine Weglänge in der Leitungsschicht auf, sodass eine Absorptionswahrscheinlichkeit vergleichsweiser klein ist.
Vorteilhafterweise kann so ein Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge durch die Dicke der Leitungsschicht vorgegeben sein. Der Flächenwiderstand ist in der Regel umgekehrt proportional zu der Dicke der Leitungsschicht. Das heißt, je dicker die erste Dicke der Leitungsschicht ausgebildet ist, desto geringer ist der Flächenwiderstand der Leitungsschicht und damit der zweiten Schichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weicht ein Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge nicht mehr als 20 % von einem Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge ab. Bevorzugt weicht der Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge nicht mehr als 10 %, besonders bevorzugt nicht mehr als 5 %, von dem Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge ab. Bevorzugt ist die Abweichung der Flächenwiderstände bei der gleichen Temperatur vorgegeben. Weichen die Flächenwiderstände der ersten Schichtenfolge und der zweiten Schichtenfolge um nicht mehr als 20 % voneinander ab, so ist eine Stromdichte im Bereich des aktiven Bereichs besonders homogen ausgebildet. Damit weist der Halbleiterchip auch eine besonders gute Quanteneffizienz auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip zumindest zwei erste Kontaktstege. Die ersten Kontaktstege und die zweiten Kontaktstege sind bevorzugt alternierend angeordnet. Bevorzugt lautet die Folge der Kontaktstege in dieser Ausführungsform wie folgt: zweiter Kontaktsteg, erster Kontaktsteg, zweiter Kontaktsteg, erster Kontaktsteg. Damit sind ein innerer erster Kontaktsteg und ein innerer zweiter Kontaktsteg von einem äußeren ersten Kontaktsteg und einem äußeren zweiten Kontaktsteg umgeben. Eine Anordnung der Kontaktstege lautet von der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, wie folgt: äußerer zweiter Kontaktsteg, innerer erster Kontaktsteg, innerer zweiter Kontaktsteg, äußerer erster Kontaktsteg. Die Seitenflächen direkt benachbarter Kontaktstege erstrecken sich entlang der Haupterstreckungsrichtung und liegen sich bevorzugt gegenüber.
Weiterhin sind die Längen der ersten Kontaktstege und die Längen der zweiten Kontaktstege im Wesentlichen bevorzugt gleich groß ausgebildet. Die ersten Kontaktstege sind bevorzugt punktsymmetrisch zu den zweiten Kontaktstegen angeordnet, wobei ein Spiegelpunkt bevorzugt im Zentrum des strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine Vielzahl erster Kontaktstege und eine Vielzahl zweiter Kontaktstege. Eine Anzahl der ersten Kontaktstege und eine Anzahl der zweiten Kontaktstege sind bevorzugt gleich. Die ersten Kontaktstege sind hier durch einen äußeren ersten Kontaktsteg und eine Vielzahl innerer erster Kontaktstege gebildet. Weiterhin sind die zweiten Kontaktstege hier durch einen äußeren zweiten Kontaktsteg und eine Vielzahl innerer zweiter Kontaktstege gebildet. Eine Anordnung der Kontaktstege von der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, lautet gemäß dieser Ausführungsform wie folgt: äußerer zweiter Kontaktsteg, innere erste Kontaktstege und innere zweite Kontaktstege alternierend angeordnet, äußerer erster Kontaktsteg.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein innerer erster Kontaktsteg breiter als ein äußerer erster Kontaktsteg.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein innerer zweiter Kontaktsteg breiter als ein äußerer zweiter Kontaktsteg. Der innere erste Kontaktsteg und der innere zweite Kontaktsteg weisen bevorzugt die gleiche Breite auf. Weiterhin ist es möglich, dass der äußere erste Kontaktsteg und der äußere zweite Kontaktsteg die gleiche Breite aufweisen. Damit ist bevorzugt auch der innere erste Kontaktsteg breiter als der äußere zweite Kontaktsteg und der innere zweite Kontaktsteg ist breiter als der äußere erste Kontaktsteg.
Weist der Halbleiterchip die Vielzahl erster Kontaktstege und die Vielzahl zweiter Kontaktstege auf, sind die inneren ersten Kontaktstege breiter als der äußere erste Kontaktsteg. Weiterhin sind die inneren zweiten Kontaktstege in diesem Fall breiter als der äußere zweite Kontaktsteg.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein innerer erster Kontaktsteg den ersten Abstand zu einem inneren zweiten Kontaktsteg auf. Der innere erste Kontaktsteg und der innere zweite Kontaktsteg sind hierbei bevorzugt direkt benachbart.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein innerer erster Kontaktsteg einen zweiten Abstand zu einem direkt benachbarten äußeren zweiten Kontaktsteg auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste Abstand verschieden zu dem zweiten Abstand. Der erste Abstand ist bevorzugt um mindestens 100 Nanometer und um höchstens um 10 Mikrometer, besonders bevorzugt um mindestens 4 Mikrometer und um höchstens 6 Mikrometer, insbesondere um 5 Mikrometer größer als der zweite Abstand oder umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbindet ein erster Verbindungssteg die ersten Kontaktstege elektrisch leitend. Der erste Verbindungssteg steht zu den ersten Kontaktstegen in direktem Kontakt. Weiterhin ist der erste Verbindungssteg bevorzugt mit dem gleichen Material gebildet wie die ersten Kontaktstege. Bevorzugt sind der erste Verbindungssteg und die ersten Kontaktstege einstückig ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft der erste Verbindungssteg senkrecht zu den ersten Kontaktstegen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein erstes Bondpad zentral auf dem ersten Verbindungssteg angeordnet. Das erste Bondpad ist bevorzugt mit dem Material des ersten Verbindungsstegs gebildet. Bevorzugt ist das erste Bondpad durch einen verbreiterten Bereich des ersten Verbindungsstegs gebildet. Das erste Bondpad ist bevorzugt dazu eingerichtet, mit einem ersten Bonddraht direkt elektrisch kontaktiert zu sein. Das erste Bondpad weist bevorzugt in Draufsicht eine runde oder ovale Form auf.
In dieser Ausführungsform ist das erste Bondpad bevorzugt zentral auf dem ersten Verbindungssteg angeordnet. Damit ist das erste Bondpad bevorzugt auf einer Spiegelebene der ersten Kontaktstege angeordnet. Damit können Ladungsträger symmetrisch in die ersten Kontaktstege eingeprägt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein erstes Bondpad in einem Eckbereich einer Strahlungsaustrittsfläche auf dem ersten Verbindungssteg angeordnet. Das erste Bondpad ist damit bevorzugt nicht auf der Spiegelebene der ersten Kontaktstege angeordnet. Damit werden Ladungsträger nicht symmetrisch in die ersten Kontaktstege eingeprägt. Bevorzugt können die Längen der zweiten Kontaktstege so vergleichsweise lang ausgeführt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste Verbindungssteg in einem ersten Randbereich einer Strahlungsaustrittsfläche angeordnet. Bevorzugt weist der erste Verbindungssteg zu einer die Strahlungsaustrittsfläche begrenzenden Seite im ersten Randbereich einen Abstand von höchstens 10 Mikrometer, besonders bevorzugt höchstens 5 Mikrometer, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbindet ein zweiter Verbindungssteg die zweiten Kontaktstege elektrisch leitend. Der zweite Verbindungssteg steht zu den zweiten Kontaktstegen in direktem Kontakt. Weiterhin ist der zweite Verbindungssteg bevorzugt mit dem gleichen Material gebildet wie die zweiten Kontaktstege. Bevorzugt sind der zweite Verbindungssteg und die zweiten Kontaktstege einstückig ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft der zweite Verbindungssteg senkrecht zu den zweiten Kontaktstegen. Der erste Verbindungssteg und der zweite Verbindungssteg verlaufen damit bevorzugt parallel zueinander.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein zweites Bondpad zentral auf dem zweiten Verbindungssteg angeordnet. Das zweite Bondpad ist bevorzugt mit dem Material des zweiten Verbindungsstegs gebildet. Bevorzugt ist das zweite Bondpad durch einen verbreiterten Bereich des zweiten Verbindungsstegs gebildet. Das zweite Bondpad ist bevorzugt dazu eingerichtet, mit einem zweiten Bonddraht direkt kontaktiert zu sein. Das zweite Bondpad weist bevorzugt in Draufsicht eine runde oder ovale Form auf.
In dieser Ausführungsform ist das zweite Bondpad zentral auf dem ersten Verbindungssteg angeordnet. Damit ist das zweite Bondpad bevorzugt auf einer Spiegelebene der zweiten Kontaktstege angeordnet. Damit können Ladungsträger symmetrisch in die zweiten Kontaktstege eingeprägt werden. Die Spiegelebene der ersten Kontaktstege und die Spiegelebene der zweiten Kontaktstege sind bevorzugt in lateraler Richtung beabstandet voneinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein zweites Bondpad in einem Eckbereich der Strahlungsaustrittsfläche auf dem zweiten Verbindungssteg angeordnet. Das zweite Bondpad ist damit bevorzugt nicht auf der Spiegelebene der zweiten Kontaktstege angeordnet. Damit werden Ladungsträger nicht symmetrisch in die zweiten Kontaktstege eingeprägt. Bevorzugt können die Längen der ersten Kontaktstege so vergleichsweise lang ausgeführt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der zweite Verbindungssteg in einem zweiten Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet. Der zweite Randbereich ist bevorzugt gegenüber dem ersten Randbereich angeordnet. Bevorzugt weist der zweite Verbindungssteg zu einer die Strahlungsaustrittsfläche begrenzenden Seite im zweiten Randbereich einen Abstand von höchstens 10 Mikrometer, besonders bevorzugt höchstens 5 Mikrometer auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein äußerer erster Kontaktsteg in einem dritten Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet und ein äußerer zweiter Kontaktsteg in einem vierten Randbereich einer Strahlungsaustrittsfläche angeordnet. Der dritte Randbereich und der vierte Randbereich stehen senkrecht auf dem ersten Randbereich und dem zweiten Randbereich. Weiterhin liegen sich der dritte Randbereich und der vierte Randbereich gegenüber.
Bevorzugt weist der äußere erste Kontaktsteg zu einer die Strahlungsaustrittsfläche begrenzenden Seite im dritten Randbereich einen Abstand von höchstens 10 Mikrometer, besonders bevorzugt höchstens 5 Mikrometer auf. Weiterhin weist der äußere zweite Kontaktsteg zu einer die Strahlungsaustrittsfläche begrenzenden Seite im vierten Randbereich bevorzugt einen Abstand von höchstens 10 Mikrometer, besonders bevorzugt höchstens 5 Mikrometer auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Dicke der ersten Schichtenfolge mindestens 0,5 Mikrometer und höchstens 1 Mikrometer. Die Dicke der ersten Schichtenfolge entspricht bevorzugt einer minimalen Ausdehnung in vertikaler Richtung.
Mit der Dicke der ersten Schichtenfolge kann bevorzugt der Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge vorgegeben sein. Die Dicke der ersten Schichtenfolge ist hierbei in der Regel umgekehrt proportional zum Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Dotierung einer ersten Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge mindestens 5*10¹⁸/cm³ und höchstens 5*10¹⁹/cm³. Die erste Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge kann beispielsweise mit Si leitfähigkeitsdotiert sein. Mit der Dotierung der ersten Schichtenfolge kann bevorzugt der Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge vorgegeben sein. Die Dotierung der ersten Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge ist hierbei in der Regel reziprok proportional zum Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Stromdichte in einem Grenzbereich der ersten Schichtenfolge und der zweiten Schichtenfolge mindestens 30 mA/mm² und höchstens 160 mA/mm². In der Regel werden strahlungsemittierende Halbleiterchips ohne Maßnahmen zur Homogenisierung der Stromdichte mit einer Stromdichte von über 300 mA/mm² betrieben. Durch die besonders gute Quanteneffizienz eines hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips kann der einzuprägende Strom vorteilhafterweise besonders effizient verwertet werden. Damit kann der Halbleiterchip mit Vorteil bei besonders hohen Strömen betrieben werden.
Es wird darüber hinaus ein strahlungsemittierendes Bauteil angegeben, das einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale und Ausführungsformen können daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Bauteil ausgebildet sein und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauteil zumindest zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips, die jeweils durch einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip gebildet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips in lateralen Richtungen beabstandet voneinander angeordnet. Bevorzugt sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips parallel zueinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein zweites Bondpad eines ersten Halbleiterchips mit einem Verbindungselement mit einem ersten Bondpad eines zweiten Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden. Das erste Bondpad des zweiten Halbleiterchips ist bevorzugt dazu ausgebildet, einen Strom in die ersten Kontaktstege des zweiten Halbleiterchips einzuprägen. Das zweite Bondpad des ersten Halbleiterchips ist bevorzugt dazu ausgebildet, einen Strom in die zweiten Kontaktstege des ersten Halbleiterchips einzuprägen.
Besonders bevorzugt sind die Bondpads in dieser Ausführungsform in Eckbereichen der jeweiligen Halbleiterchips angeordnet. Damit kann das Verbindungselement das zweite Bondpad des ersten Halbleiterchips mit dem ersten Bondpad des zweiten Halbleiterchips derart verbinden, dass das Verbindungselement zu großen Teilen nicht mit den Strahlungsaustrittsflächen der Halbleiterchips überlappt.
Vorteilhafterweise können so Abschattungseffekte der Strahlungsaustrittsflächen durch das Verbindungselement besonders klein sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips in einem Gehäuse angeordnet. Das Gehäuse umfasst bevorzugt eine Gehäuseplatte und eine darauf angeordnete Gehäusewand. Die Halbleiterchips sind auf der Gehäuseplatte angeordnet und sind bevorzugt vollständig von der Gehäusewand umgeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Umhüllungsmaterial auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet. Das Umhüllungsmaterial ist beispielsweise durchlässig, insbesondere transparent, für die von den Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung. Das Umhüllungsmaterial kann bevorzugt ein Harz, etwa ein Epoxid oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien, umfassen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Brechungsindex des Umhüllungsmaterials im Wesentlichen gleich dem Brechungsindex der dielektrischen Schicht. Der Begriff „im Wesentlichen gleich“ bedeutet hier, dass die Brechungsindizes herstellungsbedingt um 0,1, insbesondere 0,05, voneinander verschieden sein können. Der Brechungsindex des Umhüllungsmaterials ist bevorzugt mindestens 1,45 und höchstens 1,50, insbesondere ungefähr 1,46 oder ungefähr 1,48. Vorteilhafterweise kann so besonders viel elektromagnetische Strahlung aus dem Bauteil ausgekoppelt werden.
Nachfolgend werden der strahlungsemittierende Halbleiterchip und das strahlungsemittierende Bauteil unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:

1 und 2 schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel,
3, 4, 5 und 6 schematische Darstellungen in Draufsicht auf einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel, und
7 eine schematische Darstellung in Draufsicht auf ein strahlungsemittierendes Bauteil gemäß einem Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Der Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und 2 umfasst einen Halbleiterkörper 2, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche 3 auszusenden. Der Halbleiterkörper 2 umfasst eine erste Schichtenfolge 4 eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schichtenfolge 6 eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps.
Die erste Schichtenfolge 4 umfasst weiterhin eine erste Halbleiterschicht 5, die bevorzugt n-dotiert ausgebildet ist. Weiterhin umfasst die zweite Schichtenfolge 6 eine zweite Halbleiterschicht 6 und eine Stromaufweitungsschicht 8. Die zweite Halbleiterschicht 6 ist bevorzugt p-dotiert ausgebildet. Zwischen der ersten Halbleiterschicht 5 und der zweiten Halbleiterschicht 7 ist ein aktiver Bereich 41 angeordnet, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
Die erste Schichtenfolge 4 und die zweite Schichtenfolge 5 sind epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat 32 aufgewachsen. Die erste Halbleiterschicht 5 steht hierbei in direktem Kontakt zum Aufwachssubstrat 32. Ein Grenzbereich zwischen der ersten Halbleiterschicht 5 und dem Aufwachssubstrat 32 ist in diesem Ausführungsbeispiel strukturiert. Das Aufwachssubstrat 32 weist eine Vielzahl von Erhebungen 42 in Form von Prismen auf, über denen die erste Halbleiterschicht 5 formschlüssig aufgebracht ist.
Ein Graben 29 legt die erste Schichtenfolge 4 im Bereich des Grabens 29 frei. Der Graben 29 durchdringt die zweite Schichtenfolge 6, umfassend die zweite Halbleiterschicht 29 und den aktiven Bereich 41, vollständig. Weiterhin durchdringt der Graben 29 die erste Schichtenfolge 4 nur teilweise, sodass der Graben 29 einen Teil der ersten Schichtenfolge 4 freilegt. Eine Bodenfläche 31 des Grabens 29 ist in diesem Fall durch die erste Schichtenfolge 4, umfassend die erste Halbleiterschicht 6, gebildet. Eine Seitenfläche 30 des Grabens 29 ist durch die erste Schichtenfolge 4, den aktiven Bereich 41 und die zweite Schichtenfolge 6 gebildet. Die Seitenfläche 30 des Grabens 29 schließt einen Winkel mit der Bodenfläche 31 ein, der größer als 90° ist. Weiterhin schließt die Seitenfläche 30 des Grabens 29 einen Winkel mit der Strahlungsaustrittsfläche 3 ein, der größer als 90° ist.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 umfasst weiterhin einen ersten Kontaktsteg 14, der zur Einprägung von Strom in die erste Schichtenfolge 4 ausgebildet ist. Der erste Kontaktsteg 14 ist auf der Bodenfläche 31 des Grabens 29 angeordnet und steht dort mit der ersten Schichtenfolge 4 in direktem Kontakt.
Weiterhin umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 einen zweiten Kontaktsteg 15, der zur Einprägung von Strom in die zweite Schichtenfolge 4 ausgebildet ist. Der zweite Kontaktsteg 15 ist in direktem Kontakt mit der Stromaufweitungsschicht 8 angeordnet.
In diesem Ausführungsbeispiel weicht ein Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge 4 nicht mehr als 5 % von einem Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge 6 ab. Der Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge 4 ist über eine Dicke der ersten Schichtenfolge D vorgegeben. In diesem Fall beträgt die Dicke der ersten Schichtenfolge D in etwa 1 Mikrometer.
Alternativ oder zusätzlich kann der Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge 4 über eine Dotierung der ersten Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge vorgegeben sein. Die Dotierung beträgt bevorzugt mindestens 5*10¹⁸/cm³ und höchstens 5*10¹⁹/cm³.
Die Stromaufweitungsschicht 8 umfasst eine Leitungsschicht 9, eine Kontaktschicht 10 und eine zwischen der Leitungsschicht 9 und der Kontaktschicht 10 angeordnete dielektrische Schicht 11 (2).
Die Leitungsschicht 9 und die Kontaktschicht 10 umfassen ein transparentes, elektrisch leitendes Oxid, wie in diesem Fall ITO. Der Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge 6 ist über eine erste Dicke D1 der Leitungsschicht 9 und einer Dichte von Ausnehmungen 13 in der dielektrischen Schicht 8 vorgegeben. Eine erste Dicke D1 der Leitungsschicht 9 ist hier größer als eine zweite Dicke D2 der Kontaktschicht 10. In diesem Fall ist die erste Dicke D1 in etwa 90 Nanometer und die zweite Dicke in etwa 15 Nanometer.
Mit der ersten Dicke D1 der Leitungsschicht 9 von in etwa 90 Nanometer und der Dicke der ersten Schichtenfolge D von in etwa 0,75 Mikrometer sind die Flächenwiderstände der ersten Schichtenfolge 4 und der zweiten Schichtenfolge 6 vorliegend in etwa gleich ausgebildet. Damit ist eine Stromdichte im Bereich des aktiven Bereichs 41 symmetrisch und besonders homogen ausgebildet. Exemplarisch ist dies durch Ausbreitungspfade von Ladungsträgern mittels Pfeilen in den 1 und 2 dargestellt. Mit der homogenen Stromdichte weist der Halbleiterchip vorteilhafterweise auch eine besonders gute Quanteneffizienz auf.
Elektromagnetische Strahlung wird in der Regel von einer vergleichsweise dicken Leitungsschicht 9 stärker absorbiert als von einer vergleichsweise dünnen Leitungsschicht 9. Da die Leitungsschicht 9 in diesem Ausführungsbeispiel vergleichsweise dick ausgebildet ist, ist die dielektrische Schicht 11 zwischen der vergleichsweise dicken Leitungsschicht 9 und der vergleichsweise dünnen Kontaktschicht 10 angeordnet. Die dielektrische Schicht 11 umfasst ein dielektrisches Material 12, das von einer Vielzahl von Ausnehmungen 13 vollständig durchbrochen ist.
In den Ausnehmungen 13 ist das transparente, elektrisch leitende Oxid der Leitungsschicht 9 und der Kontaktschicht 10 angeordnet und verbindet die Leitungsschicht 9 und die Kontaktschicht 10 elektrisch leitend miteinander. Ein Flächenanteil der Ausnehmungen 13 zu einer Querschnittsfläche durch die dielektrische Schicht 11 in lateraler Richtung beträgt mindestens 1 % und höchstens 5 %. Weiterhin weisen die Ausnehmungen 13 einen Abstand in lateraler Richtung zueinander auf, der bevorzugt in etwa 20 Mikrometer beträgt. Ein Durchmesser der Ausnehmungen ist bevorzugt mindestens 1 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer.
Der Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 umfasst einen ersten Kontaktsteg 14 und zwei zweite Kontaktstege 15, die parallel zueinander angeordnet sind. Weiterhin sind der erste Kontaktsteg 14 und die zweiten Kontaktstege 15 alternierend angeordnet, sodass sich folgende Anordnung von einer Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, ergibt: zweiter Kontaktsteg 15, erster Kontaktsteg 14, zweiter Kontaktsteg 15. Ein innerer erster Kontaktsteg 16 liegt hier zwischen zwei äußeren zweiten Kontaktstegen 19.
Eine Strahlungsaustrittsfläche 3 des Halbleiterchips 1 weist eine rechteckige Form auf mit einem ersten Randbereich 24 und einem dem ersten Randbereich 24 gegenüberliegenden zweiten Randbereich 25. Weiterhin umfasst die Strahlungsaustrittsfläche 3 einen senkrecht zu dem ersten Randbereich 24 und zweiten Randbereich 25 angeordneten dritten Randbereich 26, gegenüber dem ein vierter Randbereich 27 angeordnet ist.
Die beiden äußeren zweiten Kontaktstege 19 sind hier in dem dritten Randbereich 26 und dem vierten Randbereich 27 angeordnet. Die äußeren zweiten Kontaktstege 19 weisen hierbei jeweils einen Abstand zu einer die Strahlungsaustrittsfläche 3 begrenzenden Seiten im dritten Randbereich 26 und im vierten Randbereich 27 von bevorzugt höchstens 5 Mikrometer auf.
Ein zweiter Verbindungssteg 21 verbindet die zweiten Kontaktstege 15 elektrisch leitend miteinander. Der zweite Verbindungssteg 21 und die zweiten Kontaktstege 15 sind hierbei einstückig miteinander ausgebildet und sind aus dem gleichen Material gebildet. Auf dem zweiten Verbindungssteg 21 ist ein zweites Bondpad 23 angeordnet, das durch das Material des zweiten Verbindungsstegs 21 gebildet ist.
Weiterhin ist auf dem ersten Kontaktsteg 14 ein erstes Bondpad 22 angeordnet, das durch das Material des ersten Kontaktstegs 14 gebildet ist.
Der zweite Verbindungssteg 21 ist im zweiten Randbereich 25 angeordnet. Der zweite Verbindungssteg 21 weist bevorzugt einen Abstand zu einer die Strahlungsaustrittsfläche 3 begrenzenden Seite im zweiten Randbereich 25 von höchstens 5 Mikrometer auf.
In diesem Ausführungsbeispiel ist das zweite Bondpad 23 in einem Eckbereich 28 der Strahlungsaustrittsfläche 3 auf dem zweiten Verbindungssteg 21 angeordnet. Der Eckbereich 28 ist hier ein Bereich, bei dem der zweite Randbereich 25 und der dritte Randbereich 26 überlappen.
Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche 3 in Draufsicht gedanklich in eine erste Teilfläche T1 und eine zweite Teilfläche T2 geteilt. In der ersten Teilfläche T1 und der zweiten Teilfläche T2 sollen mittels dem ersten Kontaktsteg 14 Ladungsträger in die erste Schichtenfolge 4 eingeprägt werden und mittels den zweiten Kontaktstegen 15 Ladungsträger in die zweite Schichtenfolge 6 eingeprägt werden. Eine Menge an einzuprägenden Ladungsträgern soll für die erste Schichtenfolge 4 und die zweite Schichtenfolge 6 vorteilhafterweise gleich groß sein, um eine möglichst homogene Stromdichte zu erzeugen, wodurch der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 auch eine besonders gute Quanteneffizienz aufweist.
Die erste Teilfläche T1 umfasst den äußeren zweiten Kontaktsteg 19 im dritten Randbereich 26 und eine Hälfte des inneren ersten Kontaktstegs 16. Die zweite Teilfläche T2 umfasst den äußeren zweiten Kontaktsteg 19 im vierten Randbereich 27 und eine andere Hälfte des inneren ersten Kontaktstegs 16. Um die Menge an einzuprägenden Ladungsträgern möglichst gleich groß auszuführen, sind der äußere zweite Kontaktsteg 19 im dritten Randbereich 26 und die eine Hälfte des inneren ersten Kontaktstegs 16 in etwa gleich breit ausgebildet. Weiterhin sind der äußere zweite Kontaktsteg 19 im vierten Randbereich 27 und die andere Hälfte des inneren ersten Kontaktstegs 16 gleich breit ausgebildet.
Demzufolge ist der innere erste Kontaktsteg, bei Betrachtung der beiden Teilflächen T1, T2 zusammen, in etwa doppelt so breit ausgebildet wie jeweils die äußeren zweiten Kontaktstege. Das heißt, der innere erste Kontaktsteg 16 weist eine erste Breite B1 auf und die äußeren zweiten Kontaktstege 19 weisen jeweils eine zweite Breite B2 auf, wobei die erste Breite B1 hier in etwa doppelt so breit wie die zweite Breite B2 ist.
Weiterhin weist der innere erste Kontaktsteg 16 zu dem äußeren zweiten Kontaktsteg 19 im dritten Randbereich 26 einen ersten Abstand A1 auf und der innere erste Kontaktsteg 16 weist zu dem äußeren zweiten Kontaktsteg 19 im vierten Randbereich 27 einen zweiten Abstand A2 auf. Alternativ oder zusätzlich zu den verschieden großen Breiten B1, B2 können auch der erste Abstand A1 und der zweite Abstand A2 verschieden groß ausgeführt sein.
Der Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 3 zwei erste Kontaktstege 14 auf. Die ersten Kontaktstege 14 und die zweiten Kontaktstege 15 sind alternierend angeordnet und weisen folgende Anordnung von einer Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, auf: äußerer zweiter Kontaktsteg 19, innerer erster Kontaktsteg 16, innerer zweiter Kontaktsteg 18, äußerer erster Kontaktsteg 17.
Ein erster Verbindungssteg 20 verbindet die ersten Kontaktstege 14 elektrisch leitend miteinander. Der erste Verbindungssteg 20 ist im ersten Randbereich 24 angeordnet und weist bevorzugt einen Abstand zu einer die Strahlungsaustrittsfläche 3 begrenzenden Seite im ersten Randbereich 24 von höchstens 5 Mikrometer auf.
In diesem Ausführungsbeispiel ist ein erstes Bondpad 22 in einem Eckbereich 28 der Strahlungsaustrittsfläche 3 auf dem ersten Verbindungssteg 20 angeordnet. Der Eckbereich 28, in dem das erste Bondpad 22 angeordnet ist, ist hier ein Bereich, bei dem der erste Randbereich 24 und der vierte Randbereich 27 überlappen.
Exemplarisch sind zwei Weglängen in der 4 durch Pfeile gekennzeichnet, die eine Ausbreitung von Ladungsträgern von dem ersten Bondpad 22 über die ersten Kontaktstege 14 durch die erste Schichtenfolge 4 hin zu einem fiktiven Punkt 43 auf dem inneren zweiten Kontaktsteg 18 aufweisen. Da das erste Bondpad 22 in dem Eckbereich 28 angeordnet ist, sind die Weglängen unterschiedlich lang ausgebildet. Weiterhin gilt in der Regel, dass ein Serienwiderstand, der ein in den Halbleiterkörper einzuprägender Ladungsträger erfährt, proportional zu einer Weglänge ist. Um den Serienwiderstand der unterschiedlichen Weglängen anzugleichen, ist ein erster Abstand A1 kleiner als ein zweiter Abstand A2 ausgebildet.
Weiterhin weisen der innere erste Kontaktsteg 16 und der innere zweite Kontaktsteg 18 jeweils eine Breite B1 auf. Der äußere erste Kontaktsteg 17 und der äußere zweite Kontaktsteg 19 weisen jeweils eine Breite B1 auf. Die erste Breite B1 und die zweite Breite B2 sind hier beispielsweise gleich groß ausgeführt. Alternativ oder zusätzlich zu dem unterschiedlich groß ausgeführten ersten Abstand A1 und zweiten Abstand A2 kann die erste Breite B1 in etwa doppelt so breit wie die zweite Breite B2 ausgeführt sein.
Der Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 5 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 4 ein erstes Bondpad 22 auf, das zentral auf einem ersten Verbindungssteg 20 angeordnet ist. Weiterhin umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 ein zweites Bondpad 23, das zentral auf einem zweiten Verbindungssteg 21 angeordnet ist. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 4 weisen die eingeprägten Ladungsträger keinen Unterschied in ihrer Weglänge auf. Damit sind ein erster Abstand A1 und ein zweiter Abstand A2 in etwa gleich groß ausgeführt. Ein Größenunterschied des ersten Abstands A1 und des zweiten Abstands A2 ist hierbei kleiner als 1 Mikrometer, insbesondere 500 Nanometer. Weiterhin ist die erste Breite B1 in etwa doppelt so breit wie die zweite Breite B2 ausgeführt.
Der erste Verbindungssteg 20 und der zweite Verbindungssteg 21 weisen dabei verschiedene Breiten auf. Ein Teil des ersten Verbindungsstegs 20, der mit dem äußeren ersten Kontaktsteg 17 in direktem Kontakt steht, weist die zweite Breite B2 auf. Ein Teil des ersten Verbindungsstegs 20, der mit dem inneren ersten Kontaktsteg 16 in direktem Kontakt steht, weist die erste Breite B1 auf. Weiterhin weist ein Teil des zweiten Verbindungsstegs 21, der mit dem äußeren zweiten Kontaktsteg 19 in direktem Kontakt steht, die zweite Breite B2 auf. Ein Teil des zweiten Verbindungsstegs 21, der mit dem inneren zweiten Kontaktsteg 18 in direktem Kontakt steht, weist die erste Breite B1 auf.
Der Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 umfasst im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 4 drei erste Kontaktstege 14 und drei zweite Kontaktstege 15. Eine solche Anordnung der Kontaktstege 14, 15 von einer Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus, die sich parallel zu den Haupterstreckungsrichtungen erstreckt, lautet wie folgt: äußerer zweiter Kontaktsteg 19, innerer erster Kontaktsteg 16, innerer zweiter Kontaktsteg 18, innerer erster Kontaktsteg 16, innerer zweiter Kontaktsteg 18, äußerer erster Kontaktsteg 17. Die inneren ersten Kontaktstege 16 und die inneren zweiten Kontaktstege 18 weisen jeweils die erste Breite B1 auf. Der äußere erste Kontaktsteg 17 und der äußere zweite Kontaktsteg 19 weisen jeweils die zweite Breite B2 auf. Die erste Breite B1 ist bevorzugt doppelt so groß wie die zweite Breite B2 ausgebildet.
Die ersten Kontaktstege 14 weisen jeweils einen ersten Abstand A1 zu den in Richtung des dritten Randbereichs 26 liegenden direkt benachbarten zweiten Kontaktstegen 15 auf. Weiterhin weisen die ersten Kontaktstege 14 jeweils einen zweiten Abstand A2 zu den in Richtung des vierten Randbereichs 27 liegenden direkt benachbarten zweiten Kontaktstegen 15 auf. Zudem weist ein mittlerer erster Kontaktsteg 14 einen dritten Abstand A3 zu einem direkt benachbarten mittleren zweiten Kontaktsteg 15 auf. In diesem Ausführungsbeispiel ist der dritte Abstand A3 gleich dem ersten Abstand A1 und der erste Abstand A1 ist größer als der zweite Abstand A2 ausgebildet. Alternativ ist es möglich, dass sich alle Abstände A1, A2 und A3 voneinander unterscheiden. Alternativ oder zusätzlich zu den unterschiedlichen Breiten B1 und B2 können der erste Abstand A1 und der zweite Abstand A2 unterschiedlich groß ausgebildet sein.
Das strahlungsemittierende Bauteil 33 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 7 umfasst zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4. Ein erster Halbleiterchip 34 und ein zweiter Halbleiterchip 35 weisen jeweils ein erstes Bondpad 22 und ein zweites Bondpad 23 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 auf. Das zweite Bondpad 22 des ersten Halbleiterchips 34 ist mit einem Verbindungselement 40 mit dem ersten Bondpad 23 des zweiten Halbleiterchips 35 elektrisch leitend verbunden. Da das erste Bondpad 22 und das zweite Bondpad 23 jeweils in einem Eckbereich angeordnet ist, überlappt das Verbindungselement 40 zu großen Teilen nicht mit einer Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterchips 34, 35.
Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 34, 35 sind in einem Gehäuse 36 angeordnet, das eine Gehäuseplatte 37 und eine darauf angeordnete Gehäusewand 38 umfasst. Weiterhin sind die Halbleiterchips 34, 35 in ein transparentes Umhüllungsmaterial 39 eingebettet.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: strahlungsemittierender Halbleiterchip
2: Halbleiterkörper
3: Strahlungsaustrittsfläche
4: erste Schichtenfolge
5: erste Halbleiterschicht
6: zweite Schichtenfolge
7: zweite Halbleiterschicht
8: Stromaufweitungsschicht
9: Leitungsschicht
10: Kontaktschicht
11: dielektrische Schicht
12: dielektrisches Material
13: Ausnehmung
14: erster Kontaktsteg
15: zweiter Kontaktsteg
16: innerer erster Kontaktsteg
17: äußerer erster Kontaktsteg
18: innerer zweiter Kontaktsteg
19: äußerer zweiter Kontaktsteg
20: erster Verbindungssteg
21: zweiter Verbindungssteg
22: erstes Bondpad
23: zweites Bondpad
24: erster Randbereich
25: zweiter Randbereich
26: dritter Randbereich
27: vierter Randbereich
28: Eckbereich
29: Graben
30: Seitenfläche Graben
31: Bodenfläche Graben
32: Aufwachssubstrat
33: strahlungsemittierendes Bauteil
34: erster strahlungsemittierender Halbleiterchip
35: zweiter strahlungsemittierender Halbleiterchip
36: Gehäuse
37: Gehäuseplatte
38: Gehäusewand
39: Umhüllungsmaterial
40: Verbindungselement
41: aktiver Bereich
42: Erhebungen
43: fiktiver Punkt
B1: erste Breite
B2: zweite Breite
A1: erster Abstand
A2: zweiter Abstand
A3: dritter Abstand
D1: erste Dicke
D2: zweite Dicke
D: Dicke der ersten Schichtenfolge
T1: erste Teilfläche
T2: zweite Teilfläche

Claims

Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit: - einem Halbleiterkörper (2), umfassend eine erste Schichtenfolge (4) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schichtenfolge (6) eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps, - zumindest einem ersten Kontaktsteg (14), der zur Einprägung von Strom in die erste Schichtenfolge (4) ausgebildet ist, und - zumindest zwei zweiten Kontaktstegen (15), die zur Einprägung von Strom in die zweite Schichtenfolge (6) ausgebildet sind, wobei - der erste Kontaktsteg (14) parallel zu den zweiten Kontaktstegen (15) angeordnet ist, - der erste Kontaktsteg (14) und die zweiten Kontaktstege (15) alternierend angeordnet sind, und - der erste Kontaktsteg (14) breiter ist als einer der zweiten Kontaktstege (15), und/oder - Abstände des ersten Kontaktstegs (14) zu den zweiten Kontaktstegen (15) verschieden sind.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die zweite Schichtenfolge (6) eine Stromaufweitungsschicht (8) und eine zweite Halbleiterschicht (7) eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, und - die Stromaufweitungsschicht (8) zwischen den zweiten Kontaktstegen (15) und der zweiten Halbleiterschicht (7) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die Stromaufweitungsschicht (8) eine Leitungsschicht (9) mit einer ersten Dicke (D1) umfasst, - die Stromaufweitungsschicht (8) eine Kontaktschicht (10) mit einer zweiten Dicke (D2) umfasst, - eine dielektrische Schicht (11) bereichsweise zwischen der Leitungsschicht (9) und der Kontaktschicht (10) angeordnet ist, und - die erste Dicke (D1) größer als die zweite Dicke (D2) ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem ein Flächenwiderstand der ersten Schichtenfolge (4) nicht mehr als 20 % von einem Flächenwiderstand der zweiten Schichtenfolge (6) abweicht.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorherigen Ansprüche mit zumindest zwei ersten Kontaktstegen (14), bei dem - ein innerer erster Kontaktsteg (16) breiter ist als ein äußerer erster Kontaktsteg (17), und - ein innerer zweiter Kontaktsteg (18) breiter ist als ein äußerer zweiter Kontaktsteg (19).
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit zumindest zwei ersten Kontaktstegen (14), bei dem - ein innerer erster Kontaktsteg (16) einen ersten Abstand (A1) zu einem inneren zweiten Kontaktsteg (18) aufweist, - ein innerer erster Kontaktsteg (16) einen zweiten Abstand (A2) zu einem direkt benachbarten äußeren zweiten Kontaktsteg (19) aufweist, und - der erste Abstand (A1) verschieden zu dem zweiten Abstand (A2) ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - ein erster Verbindungssteg (20) die ersten Kontaktstege (14) elektrisch leitend verbindet, und - der erste Verbindungssteg (20) senkrecht zu den ersten Kontaktstegen (14) verläuft.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem ein erstes Bondpad (22) zentral auf dem ersten Verbindungssteg (20) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 7, bei dem ein erstes Bondpad (22) in einem Eckbereich (28) einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auf dem ersten Verbindungssteg (20) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem der erste Verbindungssteg (20) in einem ersten Randbereich (24) einer Strahlungsaustrittsfläche (3) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - ein zweiter Verbindungssteg (21) die zweiten Kontaktstege (15) elektrisch leitend verbindet, und - der zweite Verbindungssteg (21) senkrecht zu den zweiten Kontaktstegen (15) verläuft.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem ein zweites Bondpad (23) zentral auf dem zweiten Verbindungssteg (21) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem Anspruch 11, bei dem ein zweites Bondpad (23) in einem Eckbereich (28) der Strahlungsaustrittsfläche (3) auf dem zweiten Verbindungssteg (21) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem der zweite Verbindungssteg (21) in einem zweiten Randbereich (25) einer Strahlungsaustrittsfläche (3) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 5 bis 14, bei dem ein äußerer erster Kontaktsteg (17) in einem dritten Randbereich (26) einer Strahlungsaustrittsfläche (3) angeordnet ist und ein äußerer zweiter Kontaktsteg (19) in einem vierten Randbereich (27) einer Strahlungsaustrittsfläche (3) angeordnet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Stromdichte in einem Grenzbereich der ersten Schichtenfolge (4) und der zweiten Schichtenfolge (6) mindestens 30 mA/mm² und höchstens 160 mA/mm² ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Länge des ersten Kontaktstegs und die Längen der zweiten Kontaktstege gleich groß sind.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem - ein Graben (29) die zweite Schichtenfolge (6) vollständig durchbricht, - der Graben (29) die erste Schichtenfolge (4) im Bereich des Grabens (29) freilegt, und - im Bereich des Grabens (29) die ersten Kontaktstege (14) angeordnet sind.
Strahlungsemittierendes Bauteil (33) mit: - zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1, 34, 35) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1, 34, 35) in lateralen Richtungen beabstandet voneinander angeordnet sind, und - ein zweites Bondpad (23) eines ersten Halbleiterchips (34) mit einem Verbindungselement (40) mit einem ersten Bondpad (22) eines zweiten Halbleiterchips (35) elektrisch leitend verbunden ist.
Strahlungsemittierendes Bauteil (33) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - ein Umhüllungsmaterial (39) auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1, 34, 35) angeordnet ist, und - ein Brechungsindex des Umhüllungsmaterials (39) im Wesentlichen gleich einem Brechungsindex der dielektrischen Schicht (11) ist.