JP6458463B2 - 発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 179
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 4+ Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
本開示は、発光素子に関し、特に発光素子の電極配置に関する。
従来から発光素子は、均一な発光を可能とするために様々な開発が行なわれている。例えば、四角形の外形を有する発光素子の電極構造としては、第２電極および第１電極の一方が発光素子上面の中心に配置され、一方の電極の周囲を囲む形態で他方の電極が配置されている発光素子が提案されている（特許文献１〜３）。
これらの種々の電極構造は、それぞれ、発光素子の全面に渡って均一な光が出射されるように、電流密度の均一な分布を図るために提案されたものである。しかし、これらの電極構造では、依然として、第２電極と第１電極との間で電流密度の分布に偏りが生じ、均一な発光を得るのには未だ不十分であると懸念される。
本開示はかかる事情に鑑みてなされたものであり、電極間における電流密度分布の偏りを低減することを目的とする。
本開示の発光素子は、
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上にそれぞれ第１電極及び第２電極を有し、前記第１電極及び前記第２電極が、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の同一面側に配置されてなる発光素子であって、
平面視において、
前記第１電極及び前記第２電極は、第１接続部及び第２接続部をそれぞれ有し、
（１）前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟みかつ前記第１延伸部に対して平行に延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、前記第１延伸部と前記２つの第２延伸部との間のそれぞれに、前記第１延伸部に対して平行に延びる２つの第３延伸部を備え、
前記第１延伸部に対して垂直な方向において、隣接する前記第２延伸部と前記第３延伸部とのそれぞれの距離は、前記第１延伸部と前記２つの第３延伸部との距離よりも短いか、
（２）前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟んで延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、２つの第３延伸部と、該２つの第３延伸部それぞれの外側に延びる２つの第４延伸部とを備え、
前記第１延伸部、前記第２延伸部、前記第３延伸部及び前記第４延伸部は互いに平行な部位を有し、前記第１延伸部に直交する方向において交互に配置され、
前記第４延伸部の先端部は、前記第１接続部に近づく方向へ曲がっている
ことを特徴とする。
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上にそれぞれ第１電極及び第２電極を有し、前記第１電極及び前記第２電極が、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の同一面側に配置されてなる発光素子であって、
平面視において、
前記第１電極及び前記第２電極は、第１接続部及び第２接続部をそれぞれ有し、
（１）前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟みかつ前記第１延伸部に対して平行に延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、前記第１延伸部と前記２つの第２延伸部との間のそれぞれに、前記第１延伸部に対して平行に延びる２つの第３延伸部を備え、
前記第１延伸部に対して垂直な方向において、隣接する前記第２延伸部と前記第３延伸部とのそれぞれの距離は、前記第１延伸部と前記２つの第３延伸部との距離よりも短いか、
（２）前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟んで延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、２つの第３延伸部と、該２つの第３延伸部それぞれの外側に延びる２つの第４延伸部とを備え、
前記第１延伸部、前記第２延伸部、前記第３延伸部及び前記第４延伸部は互いに平行な部位を有し、前記第１延伸部に直交する方向において交互に配置され、
前記第４延伸部の先端部は、前記第１接続部に近づく方向へ曲がっている
ことを特徴とする。
本開示の発光素子によれば、電流密度分布の偏りを低減させることができる。
以下、本開示に係る発光素子を実施するための形態として、図面を参照しながら説明する。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一、同質又は同機能の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本開示を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する様態としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。一部の実施例及び実施形態において説明された内容は、他の実施例及び実施形態等に利用可能なものもある。
本開示の発光素子は、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上にそれぞれ配置された第１電極及び第２電極とを備える。これら第１電極及び第２電極は、第１導電型半導体層及び／又は第２導電型半導体層の同一面側に配置されている。
ここで、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層は、異なる導電型を有する。第１導電型半導体層は、ｎ型又はｐ型のいずれでもよい。第２導電型半導体層は、第１導電型半導体層がｎ型の場合はｐ型、ｐ型の場合はｎ型を意味する。
ここで、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層は、異なる導電型を有する。第１導電型半導体層は、ｎ型又はｐ型のいずれでもよい。第２導電型半導体層は、第１導電型半導体層がｎ型の場合はｐ型、ｐ型の場合はｎ型を意味する。
（第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層）
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、発光素子における発光部となる部材であり、通常、積層されて半導体積層体を構成している。第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、それぞれ単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。積層構造の場合は、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層を構成する全ての層が第１導電型又は第２導電型を示すものでなくてもよい。通常、これら半導体層の間には活性層（発光層）が挟まれている。活性層は、量子効果が生ずる薄膜に形成された単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造のいずれでもよい。なかでも、第１導電型半導体層と、活性層と、第２導電型半導体層とがこの順に積層されたものが好ましい。言い換えると、ｎ型半導体層／活性層／ｐ型半導体層が積層されたものが好ましい。このとき、ｐ型半導体層側が第１電極及び第２電極配置側になる。
半導体層の種類及び材料は特に限定されるものではなく、例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体材料が好適に用いられる。
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、発光素子における発光部となる部材であり、通常、積層されて半導体積層体を構成している。第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、それぞれ単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。積層構造の場合は、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層を構成する全ての層が第１導電型又は第２導電型を示すものでなくてもよい。通常、これら半導体層の間には活性層（発光層）が挟まれている。活性層は、量子効果が生ずる薄膜に形成された単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造のいずれでもよい。なかでも、第１導電型半導体層と、活性層と、第２導電型半導体層とがこの順に積層されたものが好ましい。言い換えると、ｎ型半導体層／活性層／ｐ型半導体層が積層されたものが好ましい。このとき、ｐ型半導体層側が第１電極及び第２電極配置側になる。
半導体層の種類及び材料は特に限定されるものではなく、例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物半導体材料が好適に用いられる。
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、通常、基板上に積層されている。基板の材料としては、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）やスピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板；炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド；及び窒化物半導体と格子整合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。ただし、発光素子では、必ずしもこのような基板が存在しなくてもよい。
第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層は、後述する第１電極及び第２電極をこれら第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層の同一面側に配置させるために、例えば、第１導電型半導体層の一部が露出するように、第２導電型半導体層が、第１導電型半導体層の上に積層されているか、第２導電型半導体層の一部が露出するように、第１導電型半導体層が、第２導電型半導体層の上に積層されている。
一実施形態では、ｎ型半導体層の上に活性層を介してｐ型半導体層が積層されて半導体積層体を構成しており、ｐ型半導体層及び活性層が、それらの下のｎ型半導体層の一部を露出させるために、一部領域において除去されているものが好ましい。
一実施形態では、ｎ型半導体層の上に活性層を介してｐ型半導体層が積層されて半導体積層体を構成しており、ｐ型半導体層及び活性層が、それらの下のｎ型半導体層の一部を露出させるために、一部領域において除去されているものが好ましい。
発光素子の発光部となる半導体積層体は、特に限定されず、平面形状が、対向する一対の辺を有する形状であることが好ましく、矩形であることがより好ましい。ただし、その隅部は角がとれて丸みを帯びていてもよい。矩形の場合、四隅の角に９０±１０度程度の角度の変動があることは許容される。正方形の場合は、一辺の長さが他辺の長さの±５％程度変動があることも許容される。
（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層に、それぞれ電流を供給するために、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層に直接又は間接的に電気的に接続されている。
第１導電型半導体層がｎ型の場合、第１電極はｎ側電極、第１導電型半導体層がｐ型の場合はｐ側電極を意味する。第２電極も同様である。
第１電極及び第２電極は、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層に、それぞれ電流を供給するために、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層に直接又は間接的に電気的に接続されている。
第１導電型半導体層がｎ型の場合、第１電極はｎ側電極、第１導電型半導体層がｐ型の場合はｐ側電極を意味する。第２電極も同様である。
第１電極又は第２電極は、平面視において、発光素子の内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第１電極が第２導電型半導体層に囲まれているか、あるいは第２電極が第１導電型半導体層に囲まれていることが好ましい。これにより、第１電極又は第２電極の全周で電流を拡散させることができる。ただし、第１電極又は第２電極の一部は、第２導電型半導体層又は第１導電型半導体層に囲まれなくてもよい。
第１電極は、その一部又は全部が、第２電極に囲まれた形態であってもよいし、その逆でもよい。言い換えると、ｎ側電極の一部又は全部がｐ側電極に囲まれた形態であってもよいし、ｐ側電極の一部又は全部がｎ側電極に囲まれた形態であってもよい。なかでも、活性層の面積確保を考慮すると、前者が好ましい。
第１電極及び第２電極は、第１接続部及び第２接続部をそれぞれ有する。
第１接続部及び第２接続部は、発光素子に電流を供給するために外部電極又は外部端子等と接続するためのいわゆるパッド電極であり、例えば、導電性のワイヤ等がボンディングされる部位である。
第１接続部及び第２接続部は、半導体積層体の対向する一対の辺側にそれぞれ偏在している。特に、半導体積層体の平面形状が矩形の場合には、第１接続部及び第２接続部は、１つの中心線の上の一端側及び他端側に配置されていることが好ましい。中心線は、半導体積層体の一辺に平行な線であって、この一辺に直交する他辺の中点を通る線であることが好ましい。この中心線を第１中心線ということがある。ただし、本明細書では、中心線、中点等は、発光素子の加工精度等によって、数μｍから十数μｍ程度の変動は許容される。
第１接続部及び第２接続部は、発光素子に電流を供給するために外部電極又は外部端子等と接続するためのいわゆるパッド電極であり、例えば、導電性のワイヤ等がボンディングされる部位である。
第１接続部及び第２接続部は、半導体積層体の対向する一対の辺側にそれぞれ偏在している。特に、半導体積層体の平面形状が矩形の場合には、第１接続部及び第２接続部は、１つの中心線の上の一端側及び他端側に配置されていることが好ましい。中心線は、半導体積層体の一辺に平行な線であって、この一辺に直交する他辺の中点を通る線であることが好ましい。この中心線を第１中心線ということがある。ただし、本明細書では、中心線、中点等は、発光素子の加工精度等によって、数μｍから十数μｍ程度の変動は許容される。
第１接続部及び第２接続部の平面形状は、発光素子の大きさ、電極の配置等によって適宜調整することができ、例えば、円形、正多角形などの形状とすることができる。なかでも、ワイヤボンディングのしやすさ等を考慮すると、円形状又はこれに近似する形状が好ましい。また、第１接続部及び第２接続部の大きさは、発光素子の大きさ、電極の配置等によって適宜調整することができる。例えば、直径７０μｍ〜１５０μｍ程度の略円形とすることができる。第１接続部及び第２接続部の形状及び大きさは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
第１電極は、第１延伸部と、第２延伸部とを備える。
第２電極は、第３延伸部と、任意に第４延伸部とを備える。
これら第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部、任意の第４延伸部の形状及び数は、特に限定されず、任意の形状及び数とすることができる。
第２電極は、第３延伸部と、任意に第４延伸部とを備える。
これら第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部、任意の第４延伸部の形状及び数は、特に限定されず、任意の形状及び数とすることができる。
一実施形態では、第１電極は、第１接続部から第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、第１延伸部を挟んで延びる２つの第２延伸部とを備えることが好ましい。第２延伸部は、第１延伸部を挟みかつ第１延伸部に対して平行に延びることが好ましい。
第２電極は、第１延伸部と２つの第２延伸部との間のそれぞれに、第１延伸部に対して平行に延びる２つの第３延伸部を備えることが好ましい。第４延伸部は、２つの第３延伸部の外側に延びることが好ましく、２つの第２延伸部の外側に第１延伸部に対して平行に延びることがより好ましい。
第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び任意の第４延伸部は、第１接続部又は第２接続部と繋がっており、第１接続部及び第２接続部に供給された電流を、半導体層に均一に拡散させるための補助電極の役割を果たす。
第２電極は、第１延伸部と２つの第２延伸部との間のそれぞれに、第１延伸部に対して平行に延びる２つの第３延伸部を備えることが好ましい。第４延伸部は、２つの第３延伸部の外側に延びることが好ましく、２つの第２延伸部の外側に第１延伸部に対して平行に延びることがより好ましい。
第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び任意の第４延伸部は、第１接続部又は第２接続部と繋がっており、第１接続部及び第２接続部に供給された電流を、半導体層に均一に拡散させるための補助電極の役割を果たす。
第１延伸部及び第２延伸部は、第１接続部から延びていることが好ましい。これらの先端は、第１中心線と直交し且つ他辺の中点を通る線（第２中心線ということがある）よりも第２接続部側に位置していることが好ましい。
特に、第１接続部が、上述したように、第１中心線の上の一端側に配置されている場合、第１延伸部は、第１中心線上に延びていることが好ましい。
第２延伸部は、第１延伸部から遠ざかる方向に延び、方向を徐々に又は急激に変更して、第１延伸部に対して平行な方向に延びることが好ましい。第１延伸部から遠ざかる方向は、例えば、第１延伸部に平行な方向に直交する方向、又は２つの第２延伸部で、第２接続部方向に中心を有する円弧又は放物線を描く方向が挙げられる。
特に、第１接続部が、上述したように、第１中心線の上の一端側に配置されている場合、第１延伸部は、第１中心線上に延びていることが好ましい。
第２延伸部は、第１延伸部から遠ざかる方向に延び、方向を徐々に又は急激に変更して、第１延伸部に対して平行な方向に延びることが好ましい。第１延伸部から遠ざかる方向は、例えば、第１延伸部に平行な方向に直交する方向、又は２つの第２延伸部で、第２接続部方向に中心を有する円弧又は放物線を描く方向が挙げられる。
第３延伸部及び第４延伸部は、第２接続部から延びていることが好ましい。これらの先端は、第１中心線と直交し且つ他辺の中点を通る線（第２中心線ということがある）よりも第１接続部側に位置していることが好ましい。特に、第４延伸部は、第２接続部から離れる方向で且つ第１接続部よりも遠い位置まで延びていることが好ましい。
２つの第３延伸部は、１つのＵ字を形成する形状となるように延びることが好ましい。直線を繋げるようにして曲げる場合に比べて距離が短くなり、延伸部の長さを短くすることができ、延伸部による遮光や光吸収を低減することができるからである。
２つの第４延伸部は、第３延伸部から遠ざかる方向に延び、方向を徐々に又は急激に変更して、第１延伸部に対して平行な方向に延びることが好ましい。第３延伸部から遠ざかる方向は、例えば、第１延伸部に平行な方向に直交する方向、又は２つの第４延伸部で、第１接続部方向に中心を有する円弧又は放物線を描く方向が挙げられる。
２つの第３延伸部は、１つのＵ字を形成する形状となるように延びることが好ましい。直線を繋げるようにして曲げる場合に比べて距離が短くなり、延伸部の長さを短くすることができ、延伸部による遮光や光吸収を低減することができるからである。
２つの第４延伸部は、第３延伸部から遠ざかる方向に延び、方向を徐々に又は急激に変更して、第１延伸部に対して平行な方向に延びることが好ましい。第３延伸部から遠ざかる方向は、例えば、第１延伸部に平行な方向に直交する方向、又は２つの第４延伸部で、第１接続部方向に中心を有する円弧又は放物線を描く方向が挙げられる。
第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部は、いずれも、その先端部が曲がっていてもよい。先端部が曲がるとは、延伸部が屈曲するものと、湾曲するものとを含む。第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部の先端部は、第１接続部及び／又は第２接続部に近づく方向に曲がっていてもよく、あるいは、半導体積層体の第１中心線及び／又は半導体積層体の内側に向かって曲がっていてもよい。
第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部の太さ（幅）は特に限定されるものではなく、例えば、第１接続部及び第２接続部の直径又は最長長さの５〜３０％程度の太さ、５〜２０％程度の太さ、５〜１５％程度の太さとすることが好ましい。これら延伸部の太さは互いに異なっていても、同一でもよい。例えば、第１延伸部及び第２延伸部は太さが同じであることが好ましく、第３延伸部と第４延伸部は太さが同じであることが好ましい。第１延伸部及び第２延伸部と、第３延伸部及び第４延伸部とは、互いに太さが異なることが好ましい。また、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部は、それぞれ、部分的に太さが異なっていてもよいし、一定でもよい。
半導体積層体が正方形の場合、その平面形状の大きさは特に限定されないが、一辺を６００μｍ〜１２００μｍとすることができる。第１接続部、第２接続部、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部、第４延伸部は、半導体積層体の平面形状の大きさに合わせて、大きさ、長さ、太さ及び／又は離間距離を適宜調整することができる。
例えば、平面視において、半導体積層体の一辺が８００μｍの正方形で、第１接続部と第２接続部とが直径１００μｍ程度の略円形を有している場合、第１接続部と第２接続部とは４２０μｍ〜６６０μｍ離間させることができる。また、第１延伸部の全長は１９０μｍ〜３７０μｍ、第２延伸部の全長は７５０μｍ〜１５００μｍ、第３延伸部の全長は６００μｍ〜１１００μｍ、第４延伸部の全長は１３００μｍ〜２２００μｍの範囲で適宜調整することができる。さらにまた、第３延伸部の先端と第３延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向における第２延伸部との距離（ｆ、ｍ）は１２０μｍ〜１９０μｍ、第２延伸部の先端と第２延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向における第４延伸部との距離（ｇ、ｊ）は９０μｍ〜１９０μｍ、第１延伸部と第２接続部との距離（ｈ、ｋ）は１２０μｍ〜１７０μｍの範囲で適宜調整することができる。第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部、第４延伸部の太さは、２〜１５μｍとすることができる。
半導体積層体の平面形状が矩形である場合、第１延伸部は、半導体積層体の一辺と平行であることが好ましい。同様に、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部は、半導体積層体の一辺と平行である部位を有することが好ましい。これらの延伸部の配置によって、第１接続部及び第２接続部から供給される電流を半導体積層体の全面に渡って均一に拡散させることができる。
図１Ａと図２Ａに示すように、第２延伸部と第３延伸部との距離（ｂ、ｂ'）は、第１延伸部と第３延伸部との距離（ａ、ａ'）よりも短いことが好ましい。すなわち、第１延伸部に対して垂直な方向において、２つの第２延伸部とそれらにそれぞれ隣接する２つの第３延伸部とのそれぞれの距離のいずれも、第１延伸部とそれに隣接する２つの第３延伸部とのそれぞれの距離よりも短いことが好ましい。
第１延伸部と２つの第２延伸部とのそれぞれの距離（ａ＋ｂ、ａ'＋ｂ'）は、等しいことが好ましい。
第１延伸部と２つの第３延伸部とのそれぞれの距離（ａ、ａ'）は、等しいことが好ましい。
第１延伸部と２つの第２延伸部とのそれぞれの距離（ａ＋ｂ、ａ'＋ｂ'）は、等しいことが好ましい。
第１延伸部と２つの第３延伸部とのそれぞれの距離（ａ、ａ'）は、等しいことが好ましい。
図１Ａに示すように、発光素子が第４延伸部を有する場合、第４延伸部と第２延伸部との平行に延びる部位間の距離（ｃ、ｃ'）は、第２延伸部と第３延伸部との距離（ｂ、ｂ'）よりも短いことが好ましい。また、第４延伸部と第２延伸部との平行に延びる部位間の距離（ｃ、ｃ'）は、第１延伸部と第３延伸部（ａ、ａ'）との距離よりも短いことが好ましい。
第１接続部と第２接続部との間では、これらを結ぶ直線部分で電流集中が起きやすい（電気が流れやすい）。そのため、第１接続部及び第２接続部を結ぶ直線部分に近い第１延伸部と２つの第３延伸部とに電流が拡散しやすい。従って、第１延伸部と第３延伸部との間隔を広くすることで、電流の集中を抑えることができる。一方、第１接続部及び第２接続部から離れるほど、すなわち半導体積層体の周辺に近いほど電流が拡散しにくくなる。従って、半導体積層体の周辺に配置される延伸部では、隣接する延伸部同士の間隔を狭くする方が電流拡散を促進させることができる。つまり、距離の大きいものから順に、第１延伸部と第３延伸部との距離（ａ、ａ')、第２延伸部と第３延伸部との距離（ｂ、ｂ'）、第４延伸部と第２延伸部との距離（ｃ、ｃ'）となることが好ましい。このように延伸部を配置することで、半導体積層体の電流密度分布の偏りを低減することができる。
第１延伸部と２つの第３延伸部との距離であるａとａ'とは、長さが異なっていてもよい。また、第１延伸部に対して垂直な方向において、隣接する第２延伸部と第３延伸部とのそれぞれの距離であるｂとｂ'とは、長さが異なっていてもよい。さらにまた、第１延伸部に対して垂直な方向において、隣接する第４延伸部と第２延伸部との距離であるｃとｃ'とは、長さが異なっていてもよい。
図１Ａに示すように、第４延伸部の先端部が曲がっている場合には、第１延伸部の延伸方向における第４延伸部の先端部と第２延伸部との距離（ｅ、ｅ'）は、第１延伸部に対して垂直な方向における第４延伸部と第２延伸部との平行に延びる部位間の距離（ｃ、ｃ'）よりも長いことが好ましい。
これにより、第４延伸部の先端部と第１接続部との間で電流が集中する傾向を緩和させることができ、半導体積層体の全面に均一に電流を拡散させることができる。
これにより、第４延伸部の先端部と第１接続部との間で電流が集中する傾向を緩和させることができ、半導体積層体の全面に均一に電流を拡散させることができる。
第１延伸部の延伸方向における第４延伸部の先端部と第２延伸部との距離であるｅとｅ'とは、長さが異なっていてもよい。
図２Ａに示すように、第２延伸部の先端部が曲がっている場合には、第１延伸部の延伸方向における第２延伸部の先端部と第３延伸部との距離（ｄ、ｄ'）は、第１延伸部に対して垂直な方向における第２延伸部と第３延伸部との平行に延びる部位間の距離（ｂ、ｂ'）よりも長いことが好ましい。
これにより、第２延伸部の先端部と第２接続部との間で電流が集中する傾向を緩和させることができ、半導体積層体の全面に均一に電流を拡散させることができる。
これにより、第２延伸部の先端部と第２接続部との間で電流が集中する傾向を緩和させることができ、半導体積層体の全面に均一に電流を拡散させることができる。
なお、第１延伸部の延伸方向における第２延伸部の先端部と第３延伸部との距離であるｄとｄ'とは、長さが異なっていてもよい。
第１電極及び第２電極は、半導体積層体との間に、後述するように、この第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層の略全面を被覆する透光性の導電層がさらに配置されていることが好ましい。透光性の導電層は、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上の両方に設けられていてもよい。ここで、略全面とは、第２導電型半導体層の全面積の９０％又は９５％程度以上の面積を意味する。なお、このような透光性の導電層が形成されている場合、また、第１電極又は第２電極の下であって、透光性の導電層と第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層との間の少なくとも一部において絶縁膜が形成されていてもよい。この絶縁膜により、第１電極と第２電極に光が当たって吸収されることを抑制することができる。
第１電極及び第２電極は、通常、第１電極又は第２電極の外縁を囲んだ矩形の面積が、後述する透光性の導電層又は半導体積層体の面積の６０〜９０％であることが好ましく、７０〜９０％がさらに好ましい。これによって、半導体積層体の全面に均一に電流を供給することができる。これに加えて、半導体積層体上に占める電極（第１電極及び第２電極）の面積を低減させることができるため、これら電極による光の吸収等を低減させ、半導体積層体からの光取り出し効率の低下を回避することができる。
特に、第１電極又は第２電極の外縁を囲んだ矩形は、発光素子の重心に向かって縮尺した、発光素子の平面視における外形又は第２導電型半導体層の平面視における外形と相似又は略相似の形状とすることが好ましい。このような形状によって、より均一な電流の供給を実現することができる。
ここでの第１電極又は第２電極の外縁を囲んだ矩形とは、第１電極又は第２電極の最も外側に配置する端部に接し、かつ発光素子又は第２導電型半導体層の平面形状の外形に平行な線をそれぞれ描いて囲まれる矩形を意味する。また、略相似とは、±１０％程度の部分的な縮尺率の変動が許容される意味である。
ここでの第１電極又は第２電極の外縁を囲んだ矩形とは、第１電極又は第２電極の最も外側に配置する端部に接し、かつ発光素子又は第２導電型半導体層の平面形状の外形に平行な線をそれぞれ描いて囲まれる矩形を意味する。また、略相似とは、±１０％程度の部分的な縮尺率の変動が許容される意味である。
第１電極及び第２電極は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金による単層膜又は多層膜を用いることができ、その中でも、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ等の順番に積層した多層膜を用いることが好ましい。
一実施形態では、第１電極は、１つの中心線上の一端側に偏在した第１接続部と、第１接続部から、この１つの中心線に平行に延伸する部位をそれぞれ備える複数の延伸部（つまり、第１延伸部及び第２延伸部）とを有している。第２電極は、第１接続部の在る１つの中心線上の他端側に偏在した第２接続部と、第２接続部から、この１つの中心線に平行に延伸する部位をそれぞれ備える複数の延伸部（第３延伸部及び任意に第４延伸部）とを有している。第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び任意に第４延伸部は、１つの中心線に直交する別の中心線方向において交互に配置されている。さらに、互いに隣接する第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び任意に第４延伸部の距離が、半導体積層体の外周に近い側に向かって小さくなる。
（導電層）
第１電極又は第２電極と半導体積層体との間に配置する導電層は、第１電極又は第２電極から供給される電流を、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層の面内全体に均一に流すための部材である。導電層として金属薄膜を用いることもできるが、発光素子の光取り出し面側に配置されるため、透明性を有する導電層、具体的には、導電性酸化物層が好ましい。このような導電性酸化物としては、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇから選択される少なくとも１種を含む酸化物、具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ-ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。導電性酸化物（特にＩＴＯ）は可視光（可視領域）において高い光透過性を有し（例えば、６０％以上、７０％以上、７５％以上又は８０％以上）、また導電率の比較的高い材料であることから好適に用いることができる。
第１電極又は第２電極と半導体積層体との間に配置する導電層は、第１電極又は第２電極から供給される電流を、第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層の面内全体に均一に流すための部材である。導電層として金属薄膜を用いることもできるが、発光素子の光取り出し面側に配置されるため、透明性を有する導電層、具体的には、導電性酸化物層が好ましい。このような導電性酸化物としては、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇから選択される少なくとも１種を含む酸化物、具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ-ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。導電性酸化物（特にＩＴＯ）は可視光（可視領域）において高い光透過性を有し（例えば、６０％以上、７０％以上、７５％以上又は８０％以上）、また導電率の比較的高い材料であることから好適に用いることができる。
（パッケージング）
本開示の発光素子は、基体に実装し、封止部材で封止して発光装置を構成してもよい。この場合、発光素子はフェイスアップ又はフェイスダウンのいずれによって実装されていてもよい。
本開示の発光素子は、基体に実装し、封止部材で封止して発光装置を構成してもよい。この場合、発光素子はフェイスアップ又はフェイスダウンのいずれによって実装されていてもよい。
基体は、通常、配線と、絶縁性材料とによって形成されている。配線は、発光素子の電極に電力を供給するために用いられるものである。そのために、この機能を果たすことができる導電材であれば、限定されることなくいかなる材料でも用いることができる。このような材料としては、上述した第１電極等に使用されるもののなかから適宜選択することができる。絶縁性材料としては、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。
なお、配線及び絶縁性材料は、一体として、直方体又は立方体等であってもよいし、発光素子を実装するいずれかの部位に凹部が形成されていてもよい。
なお、配線及び絶縁性材料は、一体として、直方体又は立方体等であってもよいし、発光素子を実装するいずれかの部位に凹部が形成されていてもよい。
封止部材は、発光素子及びワイヤ等の接続部材等を外部から保護するために使用され、発光素子から光を効率的に取り出すことができる材料であれば、いかなる材料でも用いることができる。例えば、透光性樹脂が挙げられる。透光性樹脂は、蛍光体、光拡散材、無機フィラー等を含有していてもよい。
透光性樹脂は、活性層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような樹脂は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、発光素子として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するＹＡＧ系、ＬＡＧ系、緑色発光するＳｉＡｌＯＮ系（βサイアロン）、赤色発光するＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ系の蛍光体の単独又は組み合わせが挙げられる。また、青色域に励起帯を有し、発光ピークの半値幅の狭い赤色発光蛍光体として、例えば、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ4+、Ｋ2ＴｉＦ6：Ｍｎ4+、Ｋ2ＳｎＦ6：Ｍｎ4+、Ｎａ2ＴｉＦ6：Ｍｎ4+、Ｎａ2ＺｒＦ6：Ｍｎ4+、Ｋ2Ｓｉ0.5Ｇｅ0.5Ｆ6：Ｍｎ4+等の組成を有するフッ化物蛍光体を用いてもよい。
以下に、本開示の発光素子の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
＜実施例１＞
この実施例１の発光素子１０Ａは、図１Ａと図１Ｃに示すように、基板２と、基板２上に設けられた第１導電型半導体層であるｎ型半導体層３、活性層３３、第２導電型半導体層であるｐ型半導体層４を順に有する半導体積層体５と、ｎ型半導体層３上に形成された第１電極６であるｎ側電極と、ｐ型半導体層４上であって、ｎ側電極を取り囲んで配置された第２電極７であるｐ側電極とを備える。
＜実施例１＞
この実施例１の発光素子１０Ａは、図１Ａと図１Ｃに示すように、基板２と、基板２上に設けられた第１導電型半導体層であるｎ型半導体層３、活性層３３、第２導電型半導体層であるｐ型半導体層４を順に有する半導体積層体５と、ｎ型半導体層３上に形成された第１電極６であるｎ側電極と、ｐ型半導体層４上であって、ｎ側電極を取り囲んで配置された第２電極７であるｐ側電極とを備える。
基板２及び半導体積層体５（特に、ｐ型半導体層４）は、平面視で略正方形であり、半導体積層体５（又は基板２）の一辺の長さは、８００μｍである。
ｎ側電極である第１電極６は、半導体積層体５のうち、ｐ型半導体層４及び活性層３３の一部が除去されて露出したｎ型半導体層３上に形成され、ｎ型半導体層３と電気的に接続されている。ｎ側電極である第１電極６は、これらｐ型半導体層４及び活性層３３に取り囲まれている。
ｐ側電極である第２電極７は、ｐ型半導体層４の上に形成されている。ｐ側電極である第２電極７とｐ型半導体層４との間には、ｐ型半導体層４上の略全面に形成された透光性の導電層８が配置されている。ｐ側電極である第２電極７は、導電層８を介して、ｐ型半導体層４と電気的に接続されている。
これら半導体積層体５、ｎ側電極及びｐ側電極は、後述する第１接続部６ａ及び第２接続部７ａの一部以外は、保護膜９によって被覆されている。
ｐ側電極である第２電極７は、ｐ型半導体層４の上に形成されている。ｐ側電極である第２電極７とｐ型半導体層４との間には、ｐ型半導体層４上の略全面に形成された透光性の導電層８が配置されている。ｐ側電極である第２電極７は、導電層８を介して、ｐ型半導体層４と電気的に接続されている。
これら半導体積層体５、ｎ側電極及びｐ側電極は、後述する第１接続部６ａ及び第２接続部７ａの一部以外は、保護膜９によって被覆されている。
ｎ側電極である第１電極６及びｐ側電極である第２電極７は、外部回路と電気的に接続される第１接続部６ａ及び第２接続部７ａをそれぞれ備える。第１接続部６ａ及び第２接続部７ａは、半導体積層体５の第１中心線の上の一端側及び他端側にそれぞれ配置されている。この第１中心線は、半導体積層体５の一辺に平行な線であって、この一辺に直交する他辺の中点を通る線である。第１接続部６ａ及び第２接続部７ａは、直径が１００μｍ程度の大きさの略円形を有する。第１接続部６ａと第２接続部７ａとの（中点間）距離は、４７３μｍである。
ｎ側電極である第１電極６は、第１接続部６ａから第２接続部７ａに向かって直線状に延びる第１延伸部６ｂと、第１延伸部６ｂを挟みかつ第１延伸部６ｂに対して平行に、第１接続部６ａから延びる２つの第２延伸部６ｃとを備える。第１延伸部６ｂは、半導体積層体５の一辺と平行であり、第１中心線上に延びている。
第１延伸部６ｂ及び第２延伸部６ｃの太さは略同じであり、１２μｍである。第１延伸部６ｂの全長は、２１５μｍである。第２延伸部６ｃの全長は１１００μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は４７０μｍ程度である。
第１延伸部６ｂ及び第２延伸部６ｃの太さは略同じであり、１２μｍである。第１延伸部６ｂの全長は、２１５μｍである。第２延伸部６ｃの全長は１１００μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は４７０μｍ程度である。
ｐ側電極である第２電極７は、第１延伸部６ｂと２つの第２延伸部６ｃとの間のそれぞれに、第１延伸部６ｂに対して平行に延びる２つの第３延伸部７ｂを備える。また、第２接続部７ａは、さらに、第２延伸部６ｃの外側に、第１延伸部６ｂに対して平行に延びる第４延伸部７ｃを有する。この第４延伸部７ｃの先端部７ｄは、第１接続部６ａに近づく方向へ曲がっている。
第３延伸部７ｂの太さは、８μｍである。第４延伸部７ｃの太さは、第２接続部から離れるにつれて細くなり、１０μｍの部位と６μｍとの部位がある。第３延伸部７ｂの全長は、６６６μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は２３５μｍ程度である。第４延伸部７ｃの全長は１９４０μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は７６０μｍ程度である。
第３延伸部７ｂの太さは、８μｍである。第４延伸部７ｃの太さは、第２接続部から離れるにつれて細くなり、１０μｍの部位と６μｍとの部位がある。第３延伸部７ｂの全長は、６６６μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は２３５μｍ程度である。第４延伸部７ｃの全長は１９４０μｍであり、第１延伸部６ｂに対して平行な直線の部位は７６０μｍ程度である。
第１延伸部６ｂと２つの第３延伸部７ｂとの距離ａ、ａ'は、それぞれ同じであり、１３０μｍである。第３延伸部７ｂの先端と、第３延伸部７ｂを第１延伸部６ｂに対して平行に延長した方向における第２延伸部６ｃとの距離ｆは、１６６μｍである。
第３延伸部７ｂと第２延伸部６ｃとの距離ｂ、ｂ'は、それぞれ同じであり、１０２μｍである。
第２延伸部６ｃと第４延伸部７ｃとの距離ｃ、ｃ'は、それぞれ同じであり、６０μｍである。
第２延伸部６ｃと第４延伸部７ｃの先端部７ｄとの距離ｅ、ｅ'は、それぞれ同じであり、９１μｍである。
また、第２延伸部６ｃの先端と、第２延伸部６ｃを第１延伸部６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部７ｃとの距離ｇは、１０４μｍである。
第１延伸部６ｂの先端と第２接続部７ａとの距離ｈは、１５２μｍである。
第３延伸部７ｂと第２延伸部６ｃとの距離ｂ、ｂ'は、それぞれ同じであり、１０２μｍである。
第２延伸部６ｃと第４延伸部７ｃとの距離ｃ、ｃ'は、それぞれ同じであり、６０μｍである。
第２延伸部６ｃと第４延伸部７ｃの先端部７ｄとの距離ｅ、ｅ'は、それぞれ同じであり、９１μｍである。
また、第２延伸部６ｃの先端と、第２延伸部６ｃを第１延伸部６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部７ｃとの距離ｇは、１０４μｍである。
第１延伸部６ｂの先端と第２接続部７ａとの距離ｈは、１５２μｍである。
従って、第２延伸部６ｃと第３延伸部７ｂとの距離ｂ、ｂ'は、第１延伸部６ｂと第３延伸部７ｂとの距離ａ、ａ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第２延伸部６ｃと第３延伸部７ｂとの距離ｂ、ｂ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第１延伸部６ｂと第３延伸部７ｂとの距離ａ、ａ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第４延伸部７ｃの先端部７ｄと第２延伸部６ｃとの距離ｅ、ｅ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第２延伸部６ｃと第３延伸部７ｂとの距離ｂ、ｂ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第１延伸部６ｂと第３延伸部７ｂとの距離ａ、ａ'よりも短い。
第４延伸部７ｃと第２延伸部６ｃとの平行に延びる部位間の距離ｃ、ｃ'は、第４延伸部７ｃの先端部７ｄと第２延伸部６ｃとの距離ｅ、ｅ'よりも短い。
この発光素子１０Ａでは、ｎ側電極である第１電極６を取り囲むｐ側電極である第２電極７が、半導体積層体５の中心点を中心として、上述した導電層８の平面積の７０％程度の縮尺領域内に配置されている。言い換えると、第２電極７の最も外側に配置する端部に接し、かつ半導体積層体５の辺に平行な線を４本描いた場合、その４本の線によって囲まれる平面積が、導電層８の平面積の７０％の面積縮小率である（図１Ａ中、点線で囲んだ領域参照）。
＜実施例１の変形例１＞
図１Ｂに示すように、この実施例１の変形例１の発光素子１０Ｂは、ｐ側電極とｎ側電極とが入れ替わった形態、つまり、第１電極１６をｐ側電極とし、第２電極１７をｎ側電極とした以外、実施例１の発光素子１０Ａと実質的に同様の構成を有する。
つまり、ｐ側電極として第１電極１６を備え、第１接続部１６ａ、第１延伸部１６ｂ、第２延伸部１６ｃが配置されている。また、ｎ側電極として第２電極１７を備え、第２接続部１７ａ、第３延伸部１７ｂ、第４延伸部１７ｃが配置されている。第４延伸部１７ｃの先端部１７ｄは、第１接続部１６ａに近づく方向へ曲がっている。
図１Ｂに示すように、この実施例１の変形例１の発光素子１０Ｂは、ｐ側電極とｎ側電極とが入れ替わった形態、つまり、第１電極１６をｐ側電極とし、第２電極１７をｎ側電極とした以外、実施例１の発光素子１０Ａと実質的に同様の構成を有する。
つまり、ｐ側電極として第１電極１６を備え、第１接続部１６ａ、第１延伸部１６ｂ、第２延伸部１６ｃが配置されている。また、ｎ側電極として第２電極１７を備え、第２接続部１７ａ、第３延伸部１７ｂ、第４延伸部１７ｃが配置されている。第４延伸部１７ｃの先端部１７ｄは、第１接続部１６ａに近づく方向へ曲がっている。
第１延伸部１６ｂの太さは、１２μｍである。
第２延伸部１６ｃの太さは、１２μｍである。
第３延伸部１７ｂの太さは、８μｍである。
第４延伸部１７ｃの太さは、第２接続部１７ａに近いところで１０μｍ、先端部側で６μｍである。
第２延伸部１６ｃの太さは、１２μｍである。
第３延伸部１７ｂの太さは、８μｍである。
第４延伸部１７ｃの太さは、第２接続部１７ａに近いところで１０μｍ、先端部側で６μｍである。
＜実施例１の変形例２＞
図１Ｄに示すように、この実施例１の変形例２の発光素子１０Ｃは、発光素子１０Ａと同様に、第２電極７において、第２接続部７ａ、第３延伸部７ｂ、第４延伸部７ｃが配置されているが、第４延伸部７ｃの先端が曲がっておらず、第１接続部６ａの最も外側の端部を越えて、発光素子１０Ｃの端部まで直線状に延長している以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
ここで、第４延伸部７ｃの発光素子端部近傍における先端と、第４延伸部７ｃを第１延伸部６ｂに対して平行に延長した方向における半導体積層体５の端部との距離は、６２μｍである。
図１Ｄに示すように、この実施例１の変形例２の発光素子１０Ｃは、発光素子１０Ａと同様に、第２電極７において、第２接続部７ａ、第３延伸部７ｂ、第４延伸部７ｃが配置されているが、第４延伸部７ｃの先端が曲がっておらず、第１接続部６ａの最も外側の端部を越えて、発光素子１０Ｃの端部まで直線状に延長している以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
ここで、第４延伸部７ｃの発光素子端部近傍における先端と、第４延伸部７ｃを第１延伸部６ｂに対して平行に延長した方向における半導体積層体５の端部との距離は、６２μｍである。
＜実施例２＞
この実施例２の発光素子２０Ａは、図２Ａに示すように、基板２と、基板２上に設けられた第１導電型半導体層であるｎ型半導体層３、活性層３３、第２導電型半導体層であるｐ型半導体層４を順に有する半導体積層体５と、ｎ型半導体層３上に形成された第２電極２７であるｎ側電極と、ｐ型半導体層４上であって、第２電極２７であるｎ側電極を取り囲んで配置された第１電極２６であるｐ側電極とを備える。
この実施例２の発光素子２０Ａは、図２Ａに示すように、基板２と、基板２上に設けられた第１導電型半導体層であるｎ型半導体層３、活性層３３、第２導電型半導体層であるｐ型半導体層４を順に有する半導体積層体５と、ｎ型半導体層３上に形成された第２電極２７であるｎ側電極と、ｐ型半導体層４上であって、第２電極２７であるｎ側電極を取り囲んで配置された第１電極２６であるｐ側電極とを備える。
基板２及び半導体積層体５（特に、ｐ型半導体層４）は、平面視で略正方形であり、半導体積層体５（又は基板２）の一辺の長さは、８００μｍである。
ｎ側電極である第２電極２７は、半導体積層体５のうち、ｐ型半導体層４及び活性層３３の一部が除去されて露出したｎ型半導体層３上に形成され、ｎ型半導体層３と電気的に接続されている。ｎ側電極である第２電極２７は、これらｐ型半導体層４及び活性層３３に取り囲まれている。
ｐ側電極である第１電極２６は、ｐ型半導体層４の上に形成されている。ｐ側電極である第１電極２６とｐ型半導体層４との間には、ｐ型半導体層４上の略全面に形成された透光性の導電層２８が配置されている。ｐ側電極である第１電極２６は、導電層２８を介して、ｐ型半導体層４と電気的に接続されている。
これら半導体積層体５、ｎ側電極及びｐ側電極は、後述する第１接続部２６ａ及び第２接続部２７ａの一部以外は、保護膜９によって被覆されている。
ｐ側電極である第１電極２６は、ｐ型半導体層４の上に形成されている。ｐ側電極である第１電極２６とｐ型半導体層４との間には、ｐ型半導体層４上の略全面に形成された透光性の導電層２８が配置されている。ｐ側電極である第１電極２６は、導電層２８を介して、ｐ型半導体層４と電気的に接続されている。
これら半導体積層体５、ｎ側電極及びｐ側電極は、後述する第１接続部２６ａ及び第２接続部２７ａの一部以外は、保護膜９によって被覆されている。
ｐ側電極である第１電極２６は第１接続部２６ａを備え、ｎ側電極である第２電極２７は第２接続部２７ａを備える。第１接続部２６ａ及び第２接続部２７ａは、半導体積層体５の第１中心線の上の一端側及び他端側にそれぞれ配置されている。
ｐ側電極である第１電極２６は、第１接続部２６ａから第２接続部２７ａに向かって直線状に延びる第１延伸部２６ｂと、第１接続部２６ａから第１延伸部２６ｂを挟みかつ第１延伸部２６ｂに対して平行に延びる２つの第２延伸部２６ｃとを備える。第１延伸部２６ｂは、半導体積層体５の一辺と平行であり、上述した第１中心線上に延びている。第１延伸部２６ｂの太さは、１２μｍである。第２延伸部２６ｃの太さは、第１接続部２６ａから離れるにつれて細くなり、１０μｍの部位と６μｍとの部位がある。第１延伸部２６ｂの全長は、２４８μｍである。第２延伸部２６ｃの全長は１７６０μｍであり、第１延伸部２６ｂに対して平行な直線の部位を８８０μｍ程度有する。
第２延伸部２６ｃは、第２接続部２７ａに近づく方向へ曲がった先端部２６ｄを有する。
第２延伸部２６ｃは、第２接続部２７ａに近づく方向へ曲がった先端部２６ｄを有する。
ｎ側電極である第２電極２７は、第１延伸部２６ｂと２つの第２延伸部２６ｃとの間のそれぞれに、第１延伸部２６ｂに対して平行に延びる２つの第３延伸部２７ｂを備える。この第３延伸部２７ｂは、第１接続部２６ａに近づく方向へ曲がった先端部２７ｃを有する。
第３延伸部２７ｂの太さは、８μｍである。第３延伸部２７ｂの全長は、６６６μｍであり、第１延伸部２６ｂに対して平行な直線の部位を３２４μｍ程度有する。
第３延伸部２７ｂの太さは、８μｍである。第３延伸部２７ｂの全長は、６６６μｍであり、第１延伸部２６ｂに対して平行な直線の部位を３２４μｍ程度有する。
第１延伸部２６ｂと２つの第３延伸部２７ｂとの距離ａ、ａ'は、それぞれ同じであり、１３０μｍである。
第３延伸部２７ｂと第２延伸部２６ｃとの距離ｂ、ｂ'は、それぞれ同じであり、６１．５μｍである。
第３延伸部２７ｂと第２延伸部２６ｃの先端部２６ｄとの距離ｄ、ｄ'は、それぞれ同じであり、１１２μｍである。
第３延伸部２７ｂと第２延伸部２６ｃとの距離ｂ、ｂ'は、それぞれ同じであり、６１．５μｍである。
第３延伸部２７ｂと第２延伸部２６ｃの先端部２６ｄとの距離ｄ、ｄ'は、それぞれ同じであり、１１２μｍである。
この発光素子２０Ａでは、第２電極２７であるｎ側電極を取り囲む第１電極２６であるｐ側電極が、半導体積層体５の中心点を中心として、上述した導電層２８の平面積の７０％程度の縮尺領域内に配置されている。
上述した以外は、実質的に実施例１と同様の構造を有する。
上述した以外は、実質的に実施例１と同様の構造を有する。
＜実施例２の変形例＞
図２Ｂに示すように、この実施例２の変形例の発光素子２０Ｂは、ｐ側電極とｎ側電極とが入れ替わった形態、つまり、第２電極２２７をｐ側電極とし、第１電極２２６をｎ側電極とした以外、実施例２の発光素子２０Ａと実質的に同様の構成を有する。
つまり、ｎ側電極として第１電極２２６を備え、第１接続部２２６ａ、第１延伸部２２６ｂ、第２延伸部２２６ｃが配置されている。第２延伸部２２６ｃの先端部２２６ｄは、第２接続部２２７ａに近づく方向へ曲がっている。また、ｐ側電極として第２電極２２７を備え、第２接続部２２７ａ、第３延伸部２２７ｂが配置されている。第３延伸部２２７ｂの先端部２２７ｃは、第１接続部２２６ａに近づく方向へ曲がっている。
図２Ｂに示すように、この実施例２の変形例の発光素子２０Ｂは、ｐ側電極とｎ側電極とが入れ替わった形態、つまり、第２電極２２７をｐ側電極とし、第１電極２２６をｎ側電極とした以外、実施例２の発光素子２０Ａと実質的に同様の構成を有する。
つまり、ｎ側電極として第１電極２２６を備え、第１接続部２２６ａ、第１延伸部２２６ｂ、第２延伸部２２６ｃが配置されている。第２延伸部２２６ｃの先端部２２６ｄは、第２接続部２２７ａに近づく方向へ曲がっている。また、ｐ側電極として第２電極２２７を備え、第２接続部２２７ａ、第３延伸部２２７ｂが配置されている。第３延伸部２２７ｂの先端部２２７ｃは、第１接続部２２６ａに近づく方向へ曲がっている。
第１延伸部２２６ｂの太さは、１０μｍである。
第２延伸部２２６ｃの太さは、第１接続部２２６ａから離れるにつれて細くなり、１０μｍの部位と６μｍとの部位がある。
第３延伸部２２７ｂの太さは、８μｍである。
第２延伸部２２６ｃの太さは、第１接続部２２６ａから離れるにつれて細くなり、１０μｍの部位と６μｍとの部位がある。
第３延伸部２２７ｂの太さは、８μｍである。
＜実施例３＞
この実施例３の発光素子３０は、図３に示したように、発光素子１０Ａに比較して、第１電極であるｎ側電極の第１接続部３６ａが、第２電極であるｐ側電極の第２接続部３７ａ方向に移動し、それに伴って、第１延伸部３６ｂ及び第２延伸部３６ｃの第１接続部３６ａからの延長状態が若干変化した以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
この実施例３の発光素子３０は、図３に示したように、発光素子１０Ａに比較して、第１電極であるｎ側電極の第１接続部３６ａが、第２電極であるｐ側電極の第２接続部３７ａ方向に移動し、それに伴って、第１延伸部３６ｂ及び第２延伸部３６ｃの第１接続部３６ａからの延長状態が若干変化した以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
＜実施例４＞
この実施例４の発光素子４０は、図４に示したように、発光素子１０Ａに比較して、ｎ側電極の第１接続部４６ａが、ｐ側電極の第２接続部４７ａと反対側の方向に移動し、それに伴って、第１延伸部４６ｂ及び第２延伸部４６ｃの第１接続部４６ａからの延長状態が若干変化した以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
この実施例４の発光素子４０は、図４に示したように、発光素子１０Ａに比較して、ｎ側電極の第１接続部４６ａが、ｐ側電極の第２接続部４７ａと反対側の方向に移動し、それに伴って、第１延伸部４６ｂ及び第２延伸部４６ｃの第１接続部４６ａからの延長状態が若干変化した以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
＜実施例５＞
この実施例５の発光素子５０は、図５に示したように、ｎ側電極の第１接続部５６ａを半導体積層体５の最も近い一辺に接触するように移動させた。これにより、第１接続部５６ａと第２接続部５７ａとの距離を、実施例１の４７３μｍから５９３μｍに延長した。
また、第１延伸部５６ｂの先端と第２接続部５７ａとの距離と、第２延伸部５６ｃの先端と、第２延伸部５６ｃを第１延伸部５６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部５７ｃとの距離とを、発光素子１０Ａにおけるそれらの距離と同一とするために、第１延伸部５６ｂ及び第２延伸部５６ｃの長さを長くした。詳細には、第１延伸部５６ｂの全長を３３５μｍとし、第２延伸部５６ｃの全長を１３００μｍとした。
また、第３延伸部５７ｂ及び第４延伸部５７ｃを、第１接続部５６ａが接触する半導体積層体５の一辺側に伸ばした。詳細には、第３延伸部５７ｂの全長を９７８μｍとし、第４延伸部５７ｃの全長を１６１２μｍとした。また、第３延伸部５７ｂの先端と半導体積層体５の一辺に接する第２延伸部５６ｃとの距離は１７４μｍであり、第４延伸部５７ｃの先端と半導体積層体５の一辺との距離は６２μｍである。
この実施例５の発光素子５０は、図５に示したように、ｎ側電極の第１接続部５６ａを半導体積層体５の最も近い一辺に接触するように移動させた。これにより、第１接続部５６ａと第２接続部５７ａとの距離を、実施例１の４７３μｍから５９３μｍに延長した。
また、第１延伸部５６ｂの先端と第２接続部５７ａとの距離と、第２延伸部５６ｃの先端と、第２延伸部５６ｃを第１延伸部５６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部５７ｃとの距離とを、発光素子１０Ａにおけるそれらの距離と同一とするために、第１延伸部５６ｂ及び第２延伸部５６ｃの長さを長くした。詳細には、第１延伸部５６ｂの全長を３３５μｍとし、第２延伸部５６ｃの全長を１３００μｍとした。
また、第３延伸部５７ｂ及び第４延伸部５７ｃを、第１接続部５６ａが接触する半導体積層体５の一辺側に伸ばした。詳細には、第３延伸部５７ｂの全長を９７８μｍとし、第４延伸部５７ｃの全長を１６１２μｍとした。また、第３延伸部５７ｂの先端と半導体積層体５の一辺に接する第２延伸部５６ｃとの距離は１７４μｍであり、第４延伸部５７ｃの先端と半導体積層体５の一辺との距離は６２μｍである。
＜実施例６＞
この実施例６の発光素子６０は、図６に示したように、ｎ側電極の第１接続部６６ａを半導体積層体５の最も近い一辺に接触するように移動させた。これにより、第１接続部６６ａと第２接続部６７ａとの距離を、実施例１の４７３μｍから５９３μｍに延長した。
また、第１延伸部６６ｂの先端と第２接続部６７ａとの距離と、第２延伸部６６ｃの先端と、第２延伸部６６ｃを第１延伸部６６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部６７ｃとの距離とを、発光素子１０Ａにおけるそれらの距離と同一とするために、第１延伸部６６ｂ及び第２延伸部６６ｃの長さを長くした。詳細には、第１延伸部６６ｂの全長を３３５μｍとし、第２延伸部６６ｃの全長を１３００μｍとした。
また、第３延伸部６７ｂ及び第４延伸部６７ｃを、第１接続部６６ａが接触する半導体積層体５の一辺側に伸ばした。詳細には、第３延伸部６７ｂの全長を９７８μｍとし、第４延伸部６７ｃの全長を１４８６μｍとした。また、第３延伸部６７ｂの先端と半導体積層体５の一辺に接する第２延伸部６６ｃとの距離は１７４μｍであり、第４延伸部６７ｃの先端と半導体積層体５の一辺との距離は１２５μｍである。
この実施例６の発光素子６０は、図６に示したように、ｎ側電極の第１接続部６６ａを半導体積層体５の最も近い一辺に接触するように移動させた。これにより、第１接続部６６ａと第２接続部６７ａとの距離を、実施例１の４７３μｍから５９３μｍに延長した。
また、第１延伸部６６ｂの先端と第２接続部６７ａとの距離と、第２延伸部６６ｃの先端と、第２延伸部６６ｃを第１延伸部６６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部６７ｃとの距離とを、発光素子１０Ａにおけるそれらの距離と同一とするために、第１延伸部６６ｂ及び第２延伸部６６ｃの長さを長くした。詳細には、第１延伸部６６ｂの全長を３３５μｍとし、第２延伸部６６ｃの全長を１３００μｍとした。
また、第３延伸部６７ｂ及び第４延伸部６７ｃを、第１接続部６６ａが接触する半導体積層体５の一辺側に伸ばした。詳細には、第３延伸部６７ｂの全長を９７８μｍとし、第４延伸部６７ｃの全長を１４８６μｍとした。また、第３延伸部６７ｂの先端と半導体積層体５の一辺に接する第２延伸部６６ｃとの距離は１７４μｍであり、第４延伸部６７ｃの先端と半導体積層体５の一辺との距離は１２５μｍである。
＜実施例７＞
この実施例７の発光素子７０は、図７に示したように、第２延伸部７６ｃの全長が短くなり（全長：８３２μｍ）、第２延伸部７６ｃの先端と第２延伸部７６ｃを第１延伸部７６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部７７ｃとの距離が長くなった（距離ｊ：１７２μｍ）点、第１延伸部７６ｂが長くなり、第１延伸部７６ｂと第２接続部７７ａとの距離が短くなった(距離ｋ：１３６μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
この実施例７の発光素子７０は、図７に示したように、第２延伸部７６ｃの全長が短くなり（全長：８３２μｍ）、第２延伸部７６ｃの先端と第２延伸部７６ｃを第１延伸部７６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部７７ｃとの距離が長くなった（距離ｊ：１７２μｍ）点、第１延伸部７６ｂが長くなり、第１延伸部７６ｂと第２接続部７７ａとの距離が短くなった(距離ｋ：１３６μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
＜実施例８＞
この実施例８の発光素子８０は、図８に示したように、第３延伸部８７ｂの全長が長くなり（全長：７６０μｍ）、第３延伸部８７ｂの先端と第３延伸部８７ｂを第１延伸部８６ｂに対して平行に延長した方向における第２延伸部８６ｃとの距離が短くなった（距離ｍ：１３０μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
この実施例８の発光素子８０は、図８に示したように、第３延伸部８７ｂの全長が長くなり（全長：７６０μｍ）、第３延伸部８７ｂの先端と第３延伸部８７ｂを第１延伸部８６ｂに対して平行に延長した方向における第２延伸部８６ｃとの距離が短くなった（距離ｍ：１３０μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
＜実施例９＞
この実施例９の発光素子９０は、図９に示したように、第２延伸部９６ｃの全長が短くなり（全長：８３２μｍ）、第２延伸部９６ｃの先端と第２延伸部９６ｃを第１延伸部９６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部９７ｃとの距離が長くなった（距離ｊ：１７２μｍ）点、第１延伸部９６ｂが長くなり、第１延伸部９６ｂと第２接続部９７ａとの距離が短くなった(距離ｋ：１３６μｍ）点、第３延伸部９７ｂの全長が長くなり（全長：７６０μｍ）、第３延伸部９７ｂの先端と第３延伸部９７ｂを第１延伸部９６ｂに対して平行に延長した方向における第２延伸部９６ｃとの距離が短くなった（距離ｍ：１３０μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
この実施例９の発光素子９０は、図９に示したように、第２延伸部９６ｃの全長が短くなり（全長：８３２μｍ）、第２延伸部９６ｃの先端と第２延伸部９６ｃを第１延伸部９６ｂに対して平行に延長した方向における第４延伸部９７ｃとの距離が長くなった（距離ｊ：１７２μｍ）点、第１延伸部９６ｂが長くなり、第１延伸部９６ｂと第２接続部９７ａとの距離が短くなった(距離ｋ：１３６μｍ）点、第３延伸部９７ｂの全長が長くなり（全長：７６０μｍ）、第３延伸部９７ｂの先端と第３延伸部９７ｂを第１延伸部９６ｂに対して平行に延長した方向における第２延伸部９６ｃとの距離が短くなった（距離ｍ：１３０μｍ）点以外、実施例１の発光素子１０Ａと同様の構成を有する。
＜参考例＞
この参考例における発光素子１００は、図１０に示したように、第２延伸部１０６ｃと第３延伸部１０７ｂとの距離Ｘが、第１延伸部１０６ｂと第３延伸部１０７ｂとの距離Ｙ及び第２延伸部１０６ｃと第４延伸部１０７ｃとの距離Ｚと等しい以外、実施例１と実質的に同様の構成を有する。なお、Ｘ＝Ｙ＝Ｚ＝９９μｍとした。
この参考例における発光素子１００は、図１０に示したように、第２延伸部１０６ｃと第３延伸部１０７ｂとの距離Ｘが、第１延伸部１０６ｂと第３延伸部１０７ｂとの距離Ｙ及び第２延伸部１０６ｃと第４延伸部１０７ｃとの距離Ｚと等しい以外、実施例１と実質的に同様の構成を有する。なお、Ｘ＝Ｙ＝Ｚ＝９９μｍとした。
＜発光素子の評価＞
実施例１、５、８の発光素子１０Ａ、５０、８０及び参考例の発光素子１００について、電流密度の分布を、有限要素法を用いたシミュレーションソフトにより解析した。その結果を図１１にそれぞれ示す。図１１において、濃淡が濃い程に電流密度が高いことを示す。
発光素子１００では、第１延伸部と第３延伸部との距離が短いため、第１接続部及び第２接続部の間で電流が集中し、中心に電流が集まりやすい。
これに対して、第１延伸部と第３延伸部との距離を長くした発光素子１０Ａ、５０及び８０では、中心部分の電流の集中が緩和された。また、第１延伸部に対して垂直な方向における第２延伸部と第３延伸部との距離、第２延伸部と第４延伸部との距離を、第１接続部及び第２接続部から離れるにつれて（すなわち、半導体積層体周辺に近づくにつれて）短くしたことにより、半導体積層体の周辺にまで電流が拡散していた。
発光素子８０は、発光素子１０Ａに対して第３延伸部が長く、第３延伸部の先端が第１接続部に近くなったため、発光素子８０の中心部分の電流がより拡散された。
発光素子５０では、第１接続部が半導体積層体の周辺（一辺側）に配置され、第４延伸部の先端が半導体積層体の隅部付近まで伸びていることにより、半導体積層体の隅部においても電流が広がっていることが分かる。
実施例１、５、８の発光素子１０Ａ、５０、８０及び参考例の発光素子１００について、電流密度の分布を、有限要素法を用いたシミュレーションソフトにより解析した。その結果を図１１にそれぞれ示す。図１１において、濃淡が濃い程に電流密度が高いことを示す。
発光素子１００では、第１延伸部と第３延伸部との距離が短いため、第１接続部及び第２接続部の間で電流が集中し、中心に電流が集まりやすい。
これに対して、第１延伸部と第３延伸部との距離を長くした発光素子１０Ａ、５０及び８０では、中心部分の電流の集中が緩和された。また、第１延伸部に対して垂直な方向における第２延伸部と第３延伸部との距離、第２延伸部と第４延伸部との距離を、第１接続部及び第２接続部から離れるにつれて（すなわち、半導体積層体周辺に近づくにつれて）短くしたことにより、半導体積層体の周辺にまで電流が拡散していた。
発光素子８０は、発光素子１０Ａに対して第３延伸部が長く、第３延伸部の先端が第１接続部に近くなったため、発光素子８０の中心部分の電流がより拡散された。
発光素子５０では、第１接続部が半導体積層体の周辺（一辺側）に配置され、第４延伸部の先端が半導体積層体の隅部付近まで伸びていることにより、半導体積層体の隅部においても電流が広がっていることが分かる。
その他の実施例の発光素子２０Ａ、３０、４０、６０、７０、９０も電流密度分布において同様の効果を有した。
上述した実施例１、３、４、５、６、８の発光素子（発光素子１０Ａ、３０、４０、５０、６０、８０）をそれぞれ３個ずつ準備し、参考例の発光素子１００も同様に準備した。これらの発光素子を、以下のように評価した。
発光素子１０Ａ、３０、４０、５０、６０について、第１電極であるｎ側電極の第１接続部と第２電極であるｐ側電極の第２接続部との距離による影響を確認した。各発光素子に電流３５０ｍＡを印加し、Ｐｏ、Ｖｆ、初期電力効率を比較したところ、発光素子１０Ａ、３０、４０が発光素子５０、６０よりも良好であった。これにより、Ｐｏ、Ｖｆ、初期電力効率の観点では、第１接続部と第２接続部とをある程度近づけることが好ましく、また、ｎ側電極の第１接続部は、半導体積層体の最も近い一辺に接触させるよりも、ｐ型半導体層に囲まれている方が好ましいことが分かる。
次に、発光素子１０Ａ、８０及び参考例の発光素子１００について、電流３５０ｍＡを発光素子に印加して光出力（Ｐｏ）と順方向電圧（Ｖｆ）を測定した。光出力の単位はｍＷである。
また、初期電力効率を、｛光出力／（電流×電圧）｝×１００［％］の式により求めた。電流の単位はｍＡ、電圧の単位はＶである。
初期電力効率に関して、発光素子８０は、発光素子１０Ａと発光素子１００よりも良好であった。Ｖｆは、発光素子８０が、発光素子１０Ａよりも良好であり、発光素子１０Ａが、発光素子１００よりも良好であった。
また、初期電力効率を、｛光出力／（電流×電圧）｝×１００［％］の式により求めた。電流の単位はｍＡ、電圧の単位はＶである。
初期電力効率に関して、発光素子８０は、発光素子１０Ａと発光素子１００よりも良好であった。Ｖｆは、発光素子８０が、発光素子１０Ａよりも良好であり、発光素子１０Ａが、発光素子１００よりも良好であった。
これらの結果により、光出力を向上させるには第１接続部と第２接続部とをある程度近づけること効果的であり、電流集中緩和やＶｆ低減には距離ｘ、ｙを距離ｚよりも長くすることと、距離ｍをある程度短くすることが効果的であると考えられる。初期電力効率の観点からは、これらの点でバランスの取れている発光素子８０が最も良好であった。
＜発光装置の評価＞
凹部を有するセラミック製パッケージ（縦×横×高さ＝３ｍｍ×３ｍｍ×０．５２ｍｍ）に、実施例８の発光素子８０と参考例の発光素子１００とをそれぞれ実装し、ＹＡＧを含むシリコーン樹脂で発光素子を封止して、白色発光装置を作製した。これら白色発光装置について、Ｖｆ、光束（ｌｍ）、及び発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し比較した。
その結果、発光素子８０を実装した白色発光装置は、発光素子１００を実装した白色発光装置よりも、Ｖｆが０．５９％低く、光束が０．３９％向上し、発光効率が０．９３％向上した。
凹部を有するセラミック製パッケージ（縦×横×高さ＝３ｍｍ×３ｍｍ×０．５２ｍｍ）に、実施例８の発光素子８０と参考例の発光素子１００とをそれぞれ実装し、ＹＡＧを含むシリコーン樹脂で発光素子を封止して、白色発光装置を作製した。これら白色発光装置について、Ｖｆ、光束（ｌｍ）、及び発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し比較した。
その結果、発光素子８０を実装した白色発光装置は、発光素子１００を実装した白色発光装置よりも、Ｖｆが０．５９％低く、光束が０．３９％向上し、発光効率が０．９３％向上した。
これにより、白色発光装置では、発光素子８０の電流密度分布、すなわち発光分布が参考例の発光素子１００より改善されたため、光束と発光効率が向上したと考えられる。
本開示の発光素子は、各種発光装置、特に、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、液晶表示装置などのバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に好適に利用することができる。
２ 基板
３ ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）
３３ 活性層（発光層）
４ ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）
５ 半導体積層体
６、１６、２６、４６、１１６ 第１電極
６ａ、１６ａ、２６ａ、２２６ａ、３６ａ、４６ａ、５６ａ、６６ａ、７６ａ、８６ａ
、９６ａ、１０６ａ 第１接続部
６ｂ、１６ｂ、２６ｂ、２２６ｂ、３６ｂ、４６ｂ、５６ｂ、７６ｂ、８６ｂ、９６ｂ
、１０６ｂ 第１延伸部
６ｃ、１６ｃ、２６ｃ、２２６ｃ、３６ｃ、４６ｃ、５６ｃ、７６ｃ、８６ｃ、９６ｃ
、１０６ｃ 第２延伸部
７、１７、２７、２２７ 第２電極
７ａ、１７ａ、２７ａ、２２７ａ、３７ａ、４７ａ、５７ａ、６７ａ、７７ａ、８７ａ
、９７ａ、１０７ａ 第２接続部
７ｂ、１７ｂ、２７ｂ、２２７、３７ｂ、４７ｂ、５７ｂ、６７ｂ、７７ｂ、８７ｂ、
９７ｂ、１０７ｂ 第３延伸部
７ｃ、１７ｃ、３７ｃ、４７ｃ、５７ｃ、６７ｃ、７７ｃ、８７ｃ、９７ｃ、１０７ｃ
第４延伸部
７ｄ、１７ｄ、２６ｄ、２７ｃ、２２６ｄ、２２７ｃ 先端部
８、１８、２８、２２８ 導電層
９ 保護膜
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、２０Ａ、２０Ｂ、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９
０、１００、１１０ 発光素子
１６ｃ、１７ｄ 先端部
ａ、ａ’ 第１延伸部と第３延伸部との距離
ｂ、ｂ’ 第２延伸部と第３延伸部との距離
ｃ、ｃ’ 第４延伸部と第２延伸部との平行に延びる部位間の距離
ｄ、ｄ’ 第２延伸部の先端部と第３延伸部との距離
ｅ、ｅ’ 第４延伸部の先端部と第２延伸部との距離
ｆ、ｍ 第３延伸部の先端と第３延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向にお
ける第２延伸部との距離
ｇ、ｊ 第２延伸部の先端と第２延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向にお
ける第４延伸部との距離
ｈ、ｋ 第１延伸部と第２接続部との距離
３ ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）
３３ 活性層（発光層）
４ ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）
５ 半導体積層体
６、１６、２６、４６、１１６ 第１電極
６ａ、１６ａ、２６ａ、２２６ａ、３６ａ、４６ａ、５６ａ、６６ａ、７６ａ、８６ａ
、９６ａ、１０６ａ 第１接続部
６ｂ、１６ｂ、２６ｂ、２２６ｂ、３６ｂ、４６ｂ、５６ｂ、７６ｂ、８６ｂ、９６ｂ
、１０６ｂ 第１延伸部
６ｃ、１６ｃ、２６ｃ、２２６ｃ、３６ｃ、４６ｃ、５６ｃ、７６ｃ、８６ｃ、９６ｃ
、１０６ｃ 第２延伸部
７、１７、２７、２２７ 第２電極
７ａ、１７ａ、２７ａ、２２７ａ、３７ａ、４７ａ、５７ａ、６７ａ、７７ａ、８７ａ
、９７ａ、１０７ａ 第２接続部
７ｂ、１７ｂ、２７ｂ、２２７、３７ｂ、４７ｂ、５７ｂ、６７ｂ、７７ｂ、８７ｂ、
９７ｂ、１０７ｂ 第３延伸部
７ｃ、１７ｃ、３７ｃ、４７ｃ、５７ｃ、６７ｃ、７７ｃ、８７ｃ、９７ｃ、１０７ｃ
第４延伸部
７ｄ、１７ｄ、２６ｄ、２７ｃ、２２６ｄ、２２７ｃ 先端部
８、１８、２８、２２８ 導電層
９ 保護膜
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、２０Ａ、２０Ｂ、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９
０、１００、１１０ 発光素子
１６ｃ、１７ｄ 先端部
ａ、ａ’ 第１延伸部と第３延伸部との距離
ｂ、ｂ’ 第２延伸部と第３延伸部との距離
ｃ、ｃ’ 第４延伸部と第２延伸部との平行に延びる部位間の距離
ｄ、ｄ’ 第２延伸部の先端部と第３延伸部との距離
ｅ、ｅ’ 第４延伸部の先端部と第２延伸部との距離
ｆ、ｍ 第３延伸部の先端と第３延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向にお
ける第２延伸部との距離
ｇ、ｊ 第２延伸部の先端と第２延伸部を第１延伸部に対して平行に延長した方向にお
ける第４延伸部との距離
ｈ、ｋ 第１延伸部と第２接続部との距離
Claims (11)
- 第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上にそれぞれ第１電極及び第２電極を有し、前記第１電極及び前記第２電極が、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の同一面側に配置されてなる発光素子であって、
平面視において、
前記第１電極及び前記第２電極は、ワイヤボンディングされる領域である第１接続部及び第２接続部をそれぞれ有し、
前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟んでそれぞれ離間して前記第１接続部から延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、それぞれ離間して前記第２接続部から延びる２つの第３延伸部と、該２つの第３延伸部それぞれの外側において、それぞれ離間して前記第２接続部から延びる２つの第４延伸部とを備え、
前記第１延伸部、前記第２延伸部、前記第３延伸部及び前記第４延伸部は互いに平行な部位を有し、前記第１延伸部に直交する方向において交互に配置され、
前記第４延伸部の先端部は、前記第１接続部に近づく方向へ曲がっていることを特徴とする発光素子。 - 第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層上にそれぞれ第１電極及び第２電極を有し、前記第１電極及び前記第２電極が、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の同一面側に配置されてなる発光素子であって、
平面視において、
前記第１電極及び前記第２電極は、第１接続部及び第２接続部をそれぞれ有し、
前記第１電極は、前記第１接続部から前記第２接続部に向かって直線状に延びる第１延伸部と、前記第１延伸部を挟んで延びる２つの第２延伸部とを備え、
前記第２電極は、２つの第３延伸部と、該２つの第３延伸部それぞれの外側に延びる２つの第４延伸部とを備え、
前記第１延伸部、前記第２延伸部、前記第３延伸部及び前記第４延伸部は互いに平行な部位を有し、前記第１延伸部に直交する方向において交互に配置され、
前記第４延伸部の先端部は、前記第１接続部に近づく方向へ曲がっており、
前記第１延伸部の延伸方向における前記第４延伸部の先端部と前記第２延伸部とのそれぞれの距離は、前記第１延伸部に対して垂直な方向における前記第４延伸部と前記第２延伸部との平行に延びる部位間の距離よりも長いことを特徴とする発光素子。 - 前記第１延伸部に対して垂直な方向において、隣接する前記第２延伸部と前記第３延伸部とのそれぞれの距離は、前記第１延伸部と前記２つの第３延伸部との距離よりも短い請求項１又は２に記載の発光素子。
- 前記第１延伸部と前記２つの第２延伸部とのそれぞれの距離が等しく、前記第１延伸部と前記２つの第３延伸部とのそれぞれの距離が等しい請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第３延伸部の先端部が、前記第１接続部に近づく方向へ曲がっている請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記２つの第３延伸部が１つのＵ字を形成する形状となっている請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層を含む半導体積層体を有し、前記半導体積層体が矩形であり、前記第１延伸部と前記半導体積層体の一辺が平行である請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２延伸部は前記第１接続部から延び、前記第３延伸部は前記第２接続部から延びる請求項２又は請求項２を引用する請求項３から７のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１延伸部の延伸方向における前記第４延伸部の先端部と前記第２延伸部とのそれぞれの距離は、前記第１延伸部に対して垂直な方向における前記第４延伸部と前記第２延伸部との平行に延びる部位間の距離よりも長い請求項１又は請求項１を引用する請求項３から７のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第４延伸部は前記第２接続部から延長している請求項２又は請求項２を引用する請求項３から８のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１電極及び第２電極は、前記第１電極又は第２電極の外縁を囲んだ面積が、前記半導体積層体の面積の６０〜９０％である請求項７及び請求項７を引用する請求項８から１０のいずれか一項に記載の発光素子。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014236462A JP6458463B2 (ja) | 2013-12-09 | 2014-11-21 | 発光素子 |
| KR1020140170396A KR102227815B1 (ko) | 2013-12-09 | 2014-12-02 | 발광 소자 |
| US14/560,224 US9577152B2 (en) | 2013-12-09 | 2014-12-04 | Light emitting element |
| EP14196433.8A EP2881999B1 (en) | 2013-12-09 | 2014-12-05 | Light emitting element |
| EP18171860.2A EP3392919B1 (en) | 2013-12-09 | 2014-12-05 | Light emitting element |
| TW103142644A TWI632699B (zh) | 2013-12-09 | 2014-12-08 | 發光元件 |
| CN201410743728.3A CN104701444B (zh) | 2013-12-09 | 2014-12-08 | 发光元件 |
| TW107114271A TWI653770B (zh) | 2013-12-09 | 2014-12-08 | 發光元件 |
| CN201811093512.1A CN109326693B (zh) | 2013-12-09 | 2014-12-08 | 发光元件 |
| US15/399,196 US9882093B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-01-05 | Light emitting element |
| US15/835,175 US10276751B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-12-07 | Light emitting element |
| US16/351,206 US10593840B2 (en) | 2013-12-09 | 2019-03-12 | Light emitting element |
| US16/785,143 US10978617B2 (en) | 2013-12-09 | 2020-02-07 | Light emitting element |
| US17/200,316 US11817529B2 (en) | 2013-12-09 | 2021-03-12 | Light emitting element |
| US18/295,511 US12068437B2 (en) | 2013-12-09 | 2023-04-04 | Light emitting element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013254243 | 2013-12-09 | ||
| JP2013254243 | 2013-12-09 | ||
| JP2014236462A JP6458463B2 (ja) | 2013-12-09 | 2014-11-21 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015133477A JP2015133477A (ja) | 2015-07-23 |
| JP6458463B2 true JP6458463B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=52003645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014236462A Active JP6458463B2 (ja) | 2013-12-09 | 2014-11-21 | 発光素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US9577152B2 (ja) |
| EP (2) | EP3392919B1 (ja) |
| JP (1) | JP6458463B2 (ja) |
| KR (1) | KR102227815B1 (ja) |
| CN (2) | CN109326693B (ja) |
| TW (2) | TWI653770B (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6458463B2 (ja) | 2013-12-09 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| TWD169527S (zh) * | 2014-08-20 | 2015-08-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件之部分 |
| TWD172675S (zh) * | 2014-12-19 | 2015-12-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體陣列之部分 |
| US9905729B2 (en) * | 2015-03-27 | 2018-02-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP6217705B2 (ja) | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6555043B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
| US9530934B1 (en) * | 2015-12-22 | 2016-12-27 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US10199542B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-02-05 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| TWD182762S (zh) | 2016-02-24 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體陣列之部分 |
| KR101845907B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2018-04-06 | 피에스아이 주식회사 | 초소형 led 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 |
| DE102017205639A1 (de) * | 2016-04-18 | 2017-10-19 | Seoul Viosys Co., Ltd | Lumineszenzdiode mit hoher Effizienz |
| JP6928575B2 (ja) * | 2016-04-18 | 2021-09-01 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 高効率発光ダイオード |
| TWD181129S (zh) * | 2016-05-11 | 2017-02-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體陣列之部分 |
| DE102016112587A1 (de) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
| TWD190563S (zh) * | 2017-06-23 | 2018-05-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體陣列之部分 |
| DE102017117504A1 (de) | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierender Halbleiterchip und optoelektronisches Bauteil |
| JP2017224867A (ja) * | 2017-09-28 | 2017-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US20190189850A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| USD920934S1 (en) * | 2018-07-27 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light emitting diode chip |
| TWD201271S (zh) * | 2018-11-08 | 2019-12-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體之部分 |
| JP6994663B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2022-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| DE102019112949A1 (de) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauteil |
| CN112993108B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-09-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993111B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-09-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993115B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-12-27 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112992957A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993113B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-09-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993109B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-09-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993114A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN112993110B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-09-02 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管 |
| CN111129247B (zh) * | 2020-01-03 | 2022-04-12 | 厦门三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| TWI719931B (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-21 | 光鋐科技股份有限公司 | 微型發光二極體 |
| CN113270526B (zh) * | 2021-01-05 | 2022-06-17 | 朗明纳斯光电(厦门)有限公司 | 发光二极管、发光装置及其投影仪 |
| CN113659052B (zh) * | 2021-08-16 | 2023-08-01 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种发光二极管、发光模块及显示装置 |
| CN113809214B (zh) * | 2021-09-13 | 2023-02-28 | 厦门三安光电有限公司 | 倒装发光二极管及发光装置 |
| GB202411875D0 (en) * | 2022-12-23 | 2024-09-25 | Boe Tech Group Co Ltd | Light-emitting module and display device |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6307218B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-10-23 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Electrode structures for light emitting devices |
| WO2001073858A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group-iii nitride compound semiconductor device |
| JP4810746B2 (ja) | 2000-03-31 | 2011-11-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| JP2002319704A (ja) | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄチップ |
| US6650018B1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-11-18 | Axt, Inc. | High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same |
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| JP4581540B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
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| JP5428684B2 (ja) | 2009-09-11 | 2014-02-26 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
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| US9130125B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2013098211A (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JP5720601B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-05-20 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
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| JP6458463B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
-
2014
- 2014-11-21 JP JP2014236462A patent/JP6458463B2/ja active Active
- 2014-12-02 KR KR1020140170396A patent/KR102227815B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-04 US US14/560,224 patent/US9577152B2/en active Active
- 2014-12-05 EP EP18171860.2A patent/EP3392919B1/en active Active
- 2014-12-05 EP EP14196433.8A patent/EP2881999B1/en active Active
- 2014-12-08 TW TW107114271A patent/TWI653770B/zh active
- 2014-12-08 CN CN201811093512.1A patent/CN109326693B/zh active Active
- 2014-12-08 CN CN201410743728.3A patent/CN104701444B/zh active Active
- 2014-12-08 TW TW103142644A patent/TWI632699B/zh active
-
2017
- 2017-01-05 US US15/399,196 patent/US9882093B2/en active Active
- 2017-12-07 US US15/835,175 patent/US10276751B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-12 US US16/351,206 patent/US10593840B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-07 US US16/785,143 patent/US10978617B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-12 US US17/200,316 patent/US11817529B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-04 US US18/295,511 patent/US12068437B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210202798A1 (en) | 2021-07-01 |
| TWI653770B (zh) | 2019-03-11 |
| EP2881999A1 (en) | 2015-06-10 |
| US20230238489A1 (en) | 2023-07-27 |
| KR20150067032A (ko) | 2015-06-17 |
| CN109326693B (zh) | 2022-03-01 |
| EP2881999B1 (en) | 2018-08-01 |
| CN104701444A (zh) | 2015-06-10 |
| US20170117442A1 (en) | 2017-04-27 |
| US20190214530A1 (en) | 2019-07-11 |
| KR102227815B1 (ko) | 2021-03-15 |
| US20180097149A1 (en) | 2018-04-05 |
| US20150162499A1 (en) | 2015-06-11 |
| US12068437B2 (en) | 2024-08-20 |
| US11817529B2 (en) | 2023-11-14 |
| US9882093B2 (en) | 2018-01-30 |
| US10593840B2 (en) | 2020-03-17 |
| JP2015133477A (ja) | 2015-07-23 |
| US10978617B2 (en) | 2021-04-13 |
| TW201528551A (zh) | 2015-07-16 |
| TW201828497A (zh) | 2018-08-01 |
| TWI632699B (zh) | 2018-08-11 |
| US10276751B2 (en) | 2019-04-30 |
| EP3392919B1 (en) | 2021-06-16 |
| EP3392919A1 (en) | 2018-10-24 |
| US20200176639A1 (en) | 2020-06-04 |
| CN104701444B (zh) | 2018-10-16 |
| US9577152B2 (en) | 2017-02-21 |
| CN109326693A (zh) | 2019-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170526 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180322 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181210 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |