JP5428684B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
前記第1電極の前記突出部は、前記包囲部の前記両端との平面視の距離が前記最小距離部と等しい半導体発光素子が提供される。
図1に示すように、このLED素子1は、上面側にn側電極10及びp側電極20が形成されるフェイスアップ型である。平面視にて、n側電極10はLED素子1の上面の中央に形成され、p側電極20がn側電極10を取り囲むよう形成されている。本実施形態においては、平面視にて、LED素子1は略正方形状を呈している。また、n側電極10は、LED素子1の中央側の領域に円形に形成される本体11と、本体11からLED素子1の1つの隅部(図1においては左上の隅部)へ向かって突出する線状の突出部12と、を有している。また、p側電極20は、LED素子1の外縁側の領域に形成されている。
10 n側電極
11 本体
12 突出部
20 p側電極
21 透明電極
22 補助電極
23 パッド部
24 包囲部
24a 円弧状区間
24b 外縁区間
24b1 辺縁区間
24b2 接続区間
25 最短距離部
30 基板
40 GaN系半導体層
41 バッファ層
42 n型層
43 発光層
44 p型層
Claims (6)
- 第1導電型層、発光層及び第2導電型層を下側からこの順で有する半導体積層体と、
前記第1導電型層上に形成される第1電極と、
前記第2導電型層上に形成され酸化物からなり当該第2導電型層よりもシート抵抗が小さい透明電極、及び、当該透明電極上に形成され金属からなり当該透明電極よりもシート抵抗が小さい補助電極を有する第2電極と、を備え、
前記補助電極は、平面視にて素子の中央側の領域に形成される前記第1電極の本体を半分以上包囲し前記第1電極の前記本体との平面視の距離が最小となる最小距離部を延在方向について複数有する線状の包囲部と、平面視にて前記包囲部の外側であって前記素子の1つの隅部に形成されワイヤを接続するためのパッド部と、を含み、
前記第1電極は、平面視にて、前記本体から前記包囲部の両端の間から前記素子の1つの隅部と反対側の隅部の方向へ延びる線状の突出部を有し、
前記第1電極の前記突出部は、前記包囲部の前記両端との平面視の距離が前記最小距離部と等しい半導体発光素子。 - 前記第1導電型層と前記透明電極とのシート抵抗の比は、前記第1電極と前記補助電極の前記包囲部との平面視における互いの対向部分の長さの比と、略等しい請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1導電型層及び前記透明電極は、前記シート抵抗が略等しく、
前記補助電極の前記包囲部及び前記第1電極は、前記対向部分の長さが略等しい請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記包囲部は、平面視にて、延在方向にわたって前記第1電極の前記本体との距離が前記最小距離部で一定となっている請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極の前記本体は、平面視にて円形に形成される請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記包囲部は、平面視にて、前記パッド部の前記第1電極側端部と一体的に形成され、前記第1電極の前記本体と同心の円弧状の円弧状区間を有する請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子。
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