JP4571458B2 - 発光ダイオードチップを備えたチップ型発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、携帯電話機のキーの照明用光源などに用いられる側面発光型のチップ型発光素子に関する。

たとえば、携帯電話機には、実装基板の表面に平行な方向に光を発する、いわゆる側面発光型のチップ型発光素子が用いられている。
図５は、従来の側面発光型のチップ型発光素子３０の図解的な断面図である。このチップ型発光素子３０は、ほぼ直方体の形状を有しており、絶縁性基板２１と、この絶縁性基板２１の一方表面に配された発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２４およびリフレクタケース２７とを備えている。絶縁性基板２１の他方表面（リフレクタケース２７側とは反対側の表面）は、チップ型発光素子３０を実装基板に接合するための実装面となっている。

絶縁性基板２１の上記一方表面には、内部電極２２Ａが形成されている。ＬＥＤチップ２４の一対の平行な面には、ｐ側電極２４ｐおよびｎ側電極２４ｎがそれぞれ形成されている。ＬＥＤチップ２４は、ｎ側電極２４ｎが形成された面で内部電極２２Ａにダイボンディングされている。ＬＥＤチップ２４のｐ側電極２４ｐは、ボンディングワイヤ２５を介して、内部電極２２Ａとは別の他の内部電極（図示せず）に電気接続されている。

内部電極２２Ａ、およびボンディングワイヤ２５が接続された他の内部電極からは、絶縁性基板２１の端面を介して、絶縁性基板２１の実装面へ配線が延設されている（図示せず）。
リフレクタケース２７は、ＬＥＤチップ２４の上面（ｐ側電極２４ｐが形成されている面）および側面の１つに対向する方向を覆っている。リフレクタケース２７の内表面は、ＬＥＤチップ２４からの光を反射する反射面をなしている。絶縁性基板２１とリフレクタケース２７との間の空間を埋めるように、透光性樹脂２８が配されている。

ＬＥＤチップ２４は、絶縁性基板２１にほぼ平行に配された半導体基板３１、ならびに半導体基板３１の上（絶縁性基板２１側とは反対側）に順に積層された下クラッド層３２、活性層３３、および上クラッド層３４を含んでいる。
半導体基板３１は、ＧａＡｓ化合物半導体からなる。下クラッド層３２および上クラッド層３４は、Ａｌ_y1Ｇａ_(1-y1)Ａｓ（たとえば、ｙ１＝０．２）の組成を有する化合物半導体からなり、活性層３３は、Ａｌ_y2Ｇａ_y3Ｉｎ_(1-y2-y3)Ｐ（たとえば、ｙ２＝０．１、ｙ３＝０．２）の組成を有する化合物半導体からなる。

ｎ側電極２４ｎとｐ側電極２４ｐとの間に通電すると、活性層３３内で電子と正孔とが再結合して発光する。下クラッド層３２、上クラッド層３４、および活性層３３を上述のような組成とすることにより、下クラッド層３２および上クラッド層３４のバンドギャップエネルギーは、活性層３３のバンドギャップエネルギーより大きくなり、キャリアは活性層３３内に閉じ込められる。

このようにして発生した光は、チップ型発光素子３０の側面のうち、リフレクタケース２７に遮られていない面から外部に取り出される。
下記特許文献１，２には、内部の特定の領域に電流が集中しないようにして、発光領域が広くされたＬＥＤチップが開示されている。
特開平７−１５０３８ 特開平１０−２７０７５２

ところが、ＧａＡｓからなる半導体基板３１は、活性層３３が発する光に対して不透明であり、ＬＥＤチップ２４は主として活性層３３（ｐ側電極２４ｐ）が形成されている側の面から半導体基板３１にほぼ垂直な方向（図５に矢印Ｅで示す。）に光を発する。この方向には、リフレクタケース２７が配されているため、ＬＥＤチップ２４から発せられた光の大部分は、リフレクタケース２７の内表面などでいったん反射されてから、チップ型発光素子３０の外部へと取り出される。

同様に、ＬＥＤチップ２４の側面方向のうち、リフレクタケース２７が配されている方向に発せられた光も、リフレクタケース２７の内表面などでいったん反射されてから、チップ型発光素子３０の外部へと取り出される。
そのため、ＬＥＤチップ２４の発光量の割に、チップ型発光素子３０の光量をさほど増大することができないという問題があった。換言すれば、チップ型発光素子３０の光量を増大させるためには、ＬＥＤチップ２４に大きな電流を流さなければならなかった。

そこで、この発明の目的は、発光ダイオードチップから発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる側面発光型のチップ型発光素子を提供することである。

発光ダイオードチップ（４，１８）は、半導体基板（１１）上に形成された下クラッド層（１２）と、この下クラッド層の上に形成された活性層（１３）と、この活性層の上に形成された上クラッド層（１４）と、上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層の積層方向に沿って見下ろす平面視において、上記活性層の周縁部に設定した非遮断領域（１６，１９）以外の領域において当該活性層に重なるように設けられ、上記活性層への電流の供給を制限する電流遮断層（１５，１７）とを含んでもよく、この場合、当該発光ダイオードチップは、上記平面視において矩形であり、上記平面視において、上記電流遮断層は、当該発光ダイオードチップの一辺の少なくとも一部に至るように延びており、上記一辺に対向する辺にわたって、当該対向する辺の近傍には、上記電流遮断層および上記非遮断領域のうち、上記非遮断領域のみが存在していてもよい。

なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を示す。以下、この項において同じ。
電流遮断層は、たとえば、絶縁性を有した酸化物から構成されるものであってもよい。活性層は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップの側面に至る領域にまで（側面に露出するように）設けられていることが好ましい。

この構成によれば、電流は、電流遮断層を横切って流れることができない。このため、電流は、活性層のうち非遮断領域に対応する領域でのみ、活性層を横切って流れることができ、この領域が発光する。したがって、活性層は、その周縁部の一部が発光する。
このため、ＬＥＤチップの側面のうち、非遮断領域が近接する領域が発光し、活性層に垂直な方向へ放出される光の量が少なくなる。したがって、チップ型発光素子において、絶縁性基板と活性層とがほぼ平行になるようにＬＥＤチップが配されている場合、チップ型発光素子の主たる発光方向は、絶縁性基板に平行な方向、すなわち、素子側方方向となるようにできる。

チップ型発光素子は、側面の一部が開放されるようにリフレクタケースが設けられたものとすることができる。以下、チップ型発光素子の側面のうち、このような開放された面を「開放面」という。
ＬＥＤチップの側面のうち、非遮断領域が近接して配された面が、開放面に対向するようにすると、ＬＥＤチップの主たる発光方向とチップ型発光素子の主たる発光方向とが一致するようにできる。この場合、ＬＥＤチップから発せられた光の大部分は、リフレクタケースに反射されることなく、直接チップ型発光素子の外部へと取り出される。したがって、このようなチップ型発光素子は、ＬＥＤチップから発せられた光を効率的に取り出すことができる。すなわち、ＬＥＤチップに与えられる電気エネルギーに対するチップ型発光素子から発せられる光のエネルギーの割合を向上させることができる。

電流遮断層は、１枚のみ設けられていてもよく、２枚以上設けられていてもよい。
上記電流遮断層は、上記活性層に隣接して積層されていてもよい。
電流遮断層を活性層に隣接して設けることにより、活性層の非遮断領域の位置、すなわち、活性層が発光する領域を正確に定めることができる。

電流遮断層は、活性層の下面（下クラッド層と活性層との間）に設けられていてもよく、活性層の上面（活性層と上クラッド層との間）に設けられていてもよく、それらの双方に設けられていてもよい。
上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層は、III族元素としてアルミニウムを含むIII-V族化合物半導体からなっていてもよく、この場合、上記下クラッド層および上クラッド層におけるアルミニウムの混晶比が、上記活性層におけるアルミニウムの混晶比の２倍より大きくされていてもよい。

III族元素としてアルミニウム（Ａｌ）を含むIII-V族化合物半導体では、アルミニウムの混晶比（以下、単に「Ａｌ混晶比」という。）が高くなるほど、屈折率は低くなる。このため、下クラッド層および上クラッド層におけるＡｌ混晶比を、活性層におけるＡｌ混晶比より高くすることにより、下クラッド層および上クラッド層の屈折率は、活性層の屈折率より低くなる。

下クラッド層および上クラッド層におけるＡｌ混晶比を、活性層におけるＡｌ混晶比の２倍より大きくすることにより、下クラッド層および上クラッド層の屈折率と活性層の屈折率との差を大きく（たとえば、０．１より大きく）することができる。これにより、活性層で発生した光の大部分は、活性層内（下クラッド層と上クラッド層との間）に閉じ込められ、活性層に沿う面内の方向に進み、そして、ＬＥＤチップの側面から外部に放出されるようになる。

このため、このようなＬＥＤチップを、チップ型発光素子において、活性層が絶縁性基板とほぼ平行になるように絶縁性基板上に配すると、ＬＥＤチップから側方へ発せられた光は、絶縁性基板に平行に、すなわち、チップ型発光素子の側面から放出される。したがって、このようなＬＥＤチップが側面発光型のチップ型発光素子に用いられたとき、ＬＥＤチップの主たる光の放出方向と、チップ型発光素子の主たる光の放出方向とが一致するので、ＬＥＤチップから発せられた光を効率よくチップ型発光素子の外部に取り出すことができる。

下クラッド層および上クラッド層の屈折率と活性層の屈折率との差は、下クラッド層および上クラッド層のＡｌ混晶比を通常のＬＥＤチップにおけるものより大きくして、バンドギャップエネルギーを大きく（ワイドギャップ化）することによって大きくしてもよい。
請求項１記載の発明は、絶縁性基板（１）と、この絶縁性基板の一方表面に形成された内部電極（２Ａ，２Ｂ）と、この絶縁性基板の他方表面に形成され、上記内部電極に電気接続された外部電極（３Ａ，３Ｂ）と、上記内部電極に電気接続され、上記絶縁性基板と上記活性層とがほぼ平行になるように配された発光ダイオードチップとを備えたチップ型発光素子であって、上記発光ダイオードチップが、半導体基板上に形成された下クラッド層と、この下クラッド層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された上クラッド層と、上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層の積層方向に沿って見下ろす平面視において、上記活性層の周縁部に設定した非遮断領域以外の領域において当該活性層に重なるように設けられ、上記活性層への電流の供給を制限する電流遮断層とを含み、上記発光ダイオードチップは、上記平面視において矩形であり、上記平面視において、上記電流遮断層は、上記発光ダイオードチップの一辺の少なくとも一部に至るように延びており、上記一辺に対向する辺にわたって、当該対向する辺の近傍には、上記電流遮断層および上記非遮断領域のうち、上記非遮断領域のみが存在し、上記発光ダイオードチップからの光を反射する反射面を有するリフレクタケース（７）であって、上記平面視において、当該チップ型発光素子の少なくとも上記一辺に対向する辺の側が開放されて、上記一辺側と、上記一辺に対向する辺の側とで、形状が異なるようにされているリフレクタケースをさらに含むことを特徴とするチップ型発光素子（１０）である。

このチップ型発光素子は、外部電極を介して、実装基板（配線基板）に対して、絶縁性基板と実装基板とがほぼ平行になるように接続できる。この場合、チップ型発光素子は、実装基板に対してほぼ平行に光を放出できる。
このような構成のチップ型発光素子により、上記ＬＥＤチップと同様の効果を奏することができる。
請求項２記載の発明は、上記電流遮断層が、上記活性層に隣接して積層されていることを特徴とする請求項１記載のチップ型発光素子である。
請求項３記載の発明は、上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層が、III族元素としてアルミニウムを含むIII-V族化合物半導体からなり、上記下クラッド層および上クラッド層におけるアルミニウムの混晶比が、上記活性層におけるアルミニウムの混晶比の２倍より大きいことを特徴とする請求項１または２記載のチップ型発光素子である。

以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る側面発光型のチップ型発光素子１０の構造を示す図解的な斜視図である。このチップ型発光素子１０は、平面視においてほぼ矩形の絶縁性基板１と、この絶縁性基板１の一方表面を覆うように配置されたリフレクタケース７とを備えており、全体が偏平な直方体形状に構成されている。絶縁性基板１のリフレクタケース７側とは反対側の表面は、チップ型発光素子１０を実装基板に接合するための実装面となっている。この実装面には、絶縁性基板１の一対の対向する端面付近に一対の外部電極３Ａ，３Ｂが形成されている。

絶縁性基板１の上記一方表面には、外部電極３Ａ，３Ｂにそれぞれ対応した一対の内部電極２Ａ，２Ｂが形成されている。これらのうちの一方の内部電極２Ａに、たとえば、銀ペーストを用いて、ＬＥＤチップ４がダイボンディングされている。ＬＥＤチップ４は、ほぼ直方体の形状を有しており、ＬＥＤチップ４の側面は、チップ型発光素子１０の対応する側面とほぼ平行になるように配されている。

ＬＥＤチップ４において、ダイボンディングされている面の反対側の面には、ボンディングワイヤ５が電気接続されており、ボンディングワイヤ５は、内部電極２Ｂに電気接続されている。
内部電極２Ａ，２Ｂと外部電極３Ａ，３Ｂとは、絶縁性基板１の一対の端面に形成された２分の１スルーホール６Ａ，６Ｂの内壁面に被着された導体膜を介して、それぞれ電気接続されている。以上のような構成により、外部電極３Ａと外部電極３Ｂとの間に通電することにより、ＬＥＤチップ４が発光する。

リフレクタケース７は、断面Ｌ字形に形成されていて、ＬＥＤチップ４の上面（ボンディングワイヤ５が接続されている側の面）および側面の１つに対向する方向を覆うように配されている。チップ型発光素子１０の側面のうち、リフレクタケース７で遮られていない他の三面は、開放面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃとなっている。
リフレクタケース７の内表面は、ＬＥＤチップ４からの光を反射する反射面をなしている。リフレクタケース７と絶縁性基板１との間の空間を埋めるように、透光性樹脂が配されている（透光性樹脂によるチップ型発光素子１０の稜を図１に二点鎖線で示す。）。透光性樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂からなる。

図２は、ＬＥＤチップ４の図解的な断面図である。
ＬＥＤチップ４は、半導体基板１１の一方表面に下クラッド層（ｎクラッド層）１２、活性層１３、電流遮断層１５、および上クラッド層（ｐクラッド層）１４が順に積層されてなる。半導体基板１１は、絶縁性基板１（図１参照）にほぼ平行に配されている。したがって、活性層１３は、絶縁性基板１にほぼ平行に配されている。

半導体基板１１の下面（下クラッド層１２が形成されている面とは反対側の面）にはｎ側電極４ｎが形成されており、ＬＥＤチップ４はこのｎ側電極４ｎを介して内部電極２Ａにダイボンディングされている。上クラッド層１４の上には、ｐ側電極４ｐが形成されており、ボンディングワイヤ５は、このｐ側電極４ｐに接続されている。
半導体基板１１は、ＧａＡｓからなる。下クラッド層１２および上クラッド層１４の組成は、Ａｌ_x1Ｇａ_(1-x1)Ａｓであり、Ａｌ混晶比ｘ１は、たとえば、０．２８程度である。下クラッド層１２は、不純物の導入によりｎ型半導体にされており、上クラッド層１４は、不純物の導入によりｐ型半導体にされている。

活性層１３の組成は、Ａｌ_x2Ｇａ_x3Ｉｎ_(1-x2-x3)Ｐであり、Ａｌ混晶比ｘ２は、たとえば、０．１２程度であり、Ｇａ混晶比ｘ３は、たとえば、０．２程度である。したがって、下クラッド層１２および上クラッド層１４におけるＡｌ混晶比ｘ１と、活性層１３におけるＡｌ混晶比ｘ２との差は、０．１６程度である。
電流遮断層１５は、絶縁性を有する酸化物からなる。下クラッド層１２、活性層１３、および上クラッド層１４の積層方向に沿って見下ろす平面視において、電流遮断層１５は、活性層１３の周縁部に設定した非遮断領域１６を回避した全て領域において、活性層１３と重なるように設けられている。

ＬＥＤチップ４において、ｐ側電極４ｐとｎ側電極４ｎとの間に通電すると、活性層１３内で電子と正孔とが再結合して発光する。この際、電流は電流遮断層１５を横切って流れることはできず、活性層１３のうち、非遮断領域１６のみが発光する。
Ａｌ混晶比ｘ１，ｘ２を上記のような値とすることにより、下クラッド層１２および上クラッド層１４は、バンドギャップエネルギーに関して、ワイドギャップ化される。活性層１３のバンドギャップエネルギーは、下クラッド層１２および上クラッド層１４のバンドギャップエネルギーより小さく、これにより、キャリアは活性層１３内に閉じ込められるようになっている。

ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系のように、III族元素としてＡｌを含むIII-V族化合物半導体では、Ａｌの混晶比が高くなるほど屈折率は低くなる。このため、ＬＥＤチップ４において、下クラッド層１２および上クラッド層１４の屈折率は、活性層１３の屈折率より低くなっている。下クラッド層１２および上クラッド層１４の屈折率と、活性層１３の屈折率との差は、たとえば、０．３程度となっている。

このように、下クラッド層１２および上クラッド層１４の屈折率が活性層１３の屈折率より低く、かつ、下クラッド層１２および上クラッド層１４の屈折率と活性層１３の屈折率との差が大きい場合は、活性層１３（非遮断領域１６）で発生した光の大部分は、活性層１３に垂直な方向に関して、活性層１３内（下クラッド層１２と上クラッド層１４との間）に閉じ込められる。このような光は、活性層１３と平行な方向に進み、ＬＥＤチップ４の側面から、ＬＥＤチップ４の外部へと放出される。

ＬＥＤチップ４は、活性層１３が絶縁性基板１とほぼ平行になるように配されているので、ＬＥＤチップ４から発せられた光は、主として絶縁性基板１に平行に進む。
図３は、ＬＥＤチップ４における電流遮断層１５の配置を示す図解的な斜視図である。図３では、上クラッド層１４およびｐ側電極４ｐを取り除いて示している。
電流遮断層１５は、ＬＥＤチップ４の中央部からリフレクタケース７に対向する側面に至る領域に形成されており、この側面から露出するように設けられている。電流遮断層１５は、ＬＥＤチップ４の側面のうち、チップ型発光素子１０の開放面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ（図３に、開放面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃが配されている方向を、それぞれ矢印Ａ，Ｂ，Ｃで示す。）に対向する側面の近傍を回避した領域に形成されている。

すなわち、活性層１３のうち、ＬＥＤチップ４の３つの側面の近傍が非遮断領域１６となっており、ＬＥＤチップ４において、この３つの側面の近傍が発光する。この３つの側面は、チップ型発光素子１０の開放面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに対向しているので、ＬＥＤチップ４から発せられた光は、効率よくチップ型発光素子１０の外部に取り出される。
また、上述のように、活性層１３で発生した光は主として活性層１３に沿う面内の方向に進むので、光は、チップ型発光素子１０の開放面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを指向して進む。このため、チップ型発光素子１０において、ＬＥＤチップ４から発せられた光は、大部分リフレクタケース７で反射されることなく、直接チップ型発光素子１０の外部に取り出される。

したがって、チップ型発光素子１０において、ＬＥＤチップ４から発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる。また、このようなＬＥＤチップ４は、チップ型発光素子１０に用いられたとき、活性層１３から発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる。すなわち、ＬＥＤチップ４に与えられた電気エネルギーに対するチップ型発光素子１０から発せられる光のエネルギーの割合を高くすることができる。

電流遮断層１５は、活性層１３に隣接して設けられているので、活性層１３の非遮断領域１６を正確に定めることができる。
活性層１３におけるＡｌ混晶比ｘ２に対する下クラッド層１２および上クラッド層１４におけるＡｌ混晶比ｘ１の比は、２．０より大きいと上述のような光を閉じ込める効果を奏することができる。この場合、下クラッド層１２および上クラッド層１４におけるＡｌ混晶比ｘ１は、０．２より大きく、かつ０．３以下とすることができ、活性層１３のＡｌ混晶比ｘ２は、０．１より大きく、かつ０．２以下とすることができる。活性層１３におけるＡｌ混晶比ｘ２に対する下クラッド層１２および上クラッド層１４におけるＡｌ混晶比ｘ１の比は、２．３以上であることが好ましい。

図４は、上記の実施形態の変形例に係るＬＥＤチップ４における電流遮断層の配置を示す図解的な斜視図である。図４において、図３に示す各部に対応する部分には、図３と同じ参照符号を付して説明を省略する。
このＬＥＤチップ１８は、半導体基板１１の上に下クラッド層１２、活性層１３、電流遮断層１７が順に積層されてなる。電流遮断層１７の上には、さらに、上クラッド層、ボンディングワイヤを接続するためのｐ側電極が形成されている（図４では、図示せず）。

電流遮断層１７は、ＬＥＤチップ１８の側面のうち、チップ型発光素子１０の開放面１０Ａに対向する側面の近傍（非遮断領域１９）を回避した領域に形成されている。電流遮断層１７は、下クラッド層１２、活性層１３、および上クラッド層の積層方向に沿って見下ろす平面視において、非遮断領域１９を回避した全ての領域で、活性層１３と重なるように設けられている。

以上のような構成により、活性層１３で生じた光は、主として非遮断領域１９が配された側面から放出される。この光の放出方向は、チップ型発光素子１０の開放面１０Ａを指向している。
この場合でも、ＬＥＤチップ１８の発光領域は、ＬＥＤチップ１８の側面近傍に集中しているので、光を効率よく外部に取り出すことができる。

また、このようなＬＥＤチップ１８は、リフレクタケースが、チップ型発光素子の側面のうち、３面を覆うように（１面のみを開放するように）構成されている場合にも、好適に用いることができる。この場合、ＬＥＤチップ１８の主たる発光方向が、チップ型発光素子の開放された１側面を指向するようにＬＥＤチップ１８を配することより、ＬＥＤチップ１８から発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる。このようなＬＥＤチップ１８が採用されたチップ型発光素子は、高い指向性を有して光を放出することができる。

この発明の一実施形態の説明は、以上の通りであるが、この発明は他の形態でも実施することもできる。たとえば、以上の実施形態において、電流遮断層１５，１７は、活性層１３の上面（上クラッド層１４側）に設けられているが、活性層１３の下面（半導体基板１１側）に設けられていてもよい。また、電流遮断層１５は、活性層１３の上面および下面の双方に設けられていてもよい。

電流遮断層１５，１７は、必ずしも活性層３に隣接して設けられている必要はなく、たとえば、上クラッド層１４の上面に設けられていてもよい。その場合、ｐ側電極４ｐは、上クラッド層１４に接するように配置することができる。
活性層１３の組成は、Ａｌ_x4Ｇａ_(1-x4)Ａｓであってもよく、この場合、Ａｌ混晶比ｘ４は、たとえば、０．１より大きく、かつ０．３以下とすることができる。

ＬＥＤチップ４（１８）から上方に放たれる光が少ない場合は、リフレクタケース７は、たとえば、ＬＥＤチップ４（１８）の側方のみを覆い、ＬＥＤチップ４（１８）の上面を覆わないような形状にすることができる。これにより、チップ型発光素子１０を薄型化できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。

本発明の一実施形態に係る側面発光型のチップ型発光素子の構造を示す図解的な斜視図である。 図１に示すＬＥＤチップの構造を示す図解的な断面図である。 図１に示すＬＥＤチップにおける電流遮断層の配置を示す図解的な斜視図である。 図３に示すＬＥＤチップの変形例に係るＬＥＤチップにおける電流遮断層の配置を示す図解的な斜視図である。 従来の側面発光型のチップ型発光素子の図解的な断面図である。

符号の説明

１ 絶縁性基板
２Ａ，２Ｂ 内部電極
３Ａ，３Ｂ 外部電極
４，１８ 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ
１０ チップ型発光素子
７ リフレクタケース
１１ 半導体基板
１２ 下クラッド層
１３ 活性層
１４ 上クラッド層
１５，１７ 電流遮断層
１６，１９ 非遮断領域

Claims (3)

1. 絶縁性基板と、
   この絶縁性基板の一方表面に形成された内部電極と、
   この絶縁性基板の他方表面に形成され、上記内部電極に電気接続された外部電極と、
   上記内部電極に電気接続され、上記絶縁性基板と上記活性層とがほぼ平行になるように配された発光ダイオードチップとを備えたチップ型発光素子であって、
   上記発光ダイオードチップが、
   半導体基板上に形成された下クラッド層と、
   この下クラッド層の上に形成された活性層と、
   この活性層の上に形成された上クラッド層と、
   上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層の積層方向に沿って見下ろす平面視において、上記活性層の周縁部に設定した非遮断領域以外の領域において当該活性層に重なるように設けられ、上記活性層への電流の供給を制限する電流遮断層とを含み、
   上記発光ダイオードチップは、上記平面視において矩形であり、
   上記平面視において、上記電流遮断層は、上記発光ダイオードチップの一辺の少なくとも一部に至るように延びており、上記一辺に対向する辺にわたって、当該対向する辺の近傍には、上記電流遮断層および上記非遮断領域のうち、上記非遮断領域のみが存在し、
   上記発光ダイオードチップからの光を反射する反射面を有するリフレクタケースであって、上記平面視において、当該チップ型発光素子の少なくとも上記一辺に対向する辺の側が開放されて、上記一辺側と、上記一辺に対向する辺の側とで、形状が異なるようにされているリフレクタケースをさらに含むことを特徴とするチップ型発光素子。
2. 上記電流遮断層が、上記活性層に隣接して積層されていることを特徴とする請求項１記載のチップ型発光素子。
3. 上記下クラッド層、活性層、および上クラッド層が、III族元素としてアルミニウムを含むIII-V族化合物半導体からなり、
   上記下クラッド層および上クラッド層におけるアルミニウムの混晶比が、上記活性層におけるアルミニウムの混晶比の２倍より大きいことを特徴とする請求項１または２記載のチップ型発光素子。

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