JP5815586B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
前記第1導電型層上に形成される第1電極と、
前記第2導電型層上の全面に形成され酸化物からなり当該第2導電型層よりシート抵抗が小さい透明電極、及び、当該透明電極上に形成され金属からなり当該透明電極よりもシート抵抗が小さい補助電極を有する第2電極と、を備え、
前記補助電極は、平面視にて前記第1電極を包囲する線状の包囲部と、平面視にて前記包囲部の外側に形成されワイヤを接続するための円形のパッド部と、を有し、
前記包囲部は、前記第1電極との平面視の距離が最小となる最小距離部を、周方向について複数有し、
前記第1電極と前記包囲部の前記最小距離部との距離をaとし、前記包囲部の外縁から前記透明電極の辺部外縁までの最短距離をb1とし、前記包囲部の外縁から前記透明電極の4つの隅部外縁までの距離をb2とし、前記パッド部の直径をcとしたとき、a>b1かつb2>cとする(ただし、長さが異なる4つの距離b2があるときは、小さい方の距離をb2とする)ことにより、前記隅部の1つもしくはその近傍に前記パッド部が配置されるように構成され、
前記透明電極のシート抵抗が前記第1導電型層のシート抵抗より大きい場合、前記補助電極の前記包囲部の内側及び外側にわたって主発光領域が形成され、
前記透明電極のシート抵抗が前記第1導電型層のシート抵抗より小さい場合、前記第1電極側に主発光領域が形成されるものであるところ、前記透明電極のシート抵抗を前記第1導電型層のシート抵抗より大きくしたものであり、
前記b2>cの関係の構成により前記補助電極の前記包囲部の各位置から前記第1電極に流れる電流を均一化する半導体発光素子が提供される。
図1に示すように、このLED素子1は、上面側にn側電極10及びp側電極20が形成されるフェイスアップ型である。平面視にて、n側電極10はLED素子1の上面の中央に形成され、p側電極20がn側電極10を取り囲むよう形成されている。本実施形態においては、平面視にて、LED素子1は略正方形状を呈し、n側電極10はLED素子1の中央側の領域に円形に形成され、p側電極20はLED素子1の外縁側の領域に形成されている。
a>b1 かつ b2>c
とすることが望ましい。
10 n側電極
10a 本体
10b 延在部
20 p側電極
21 透明電極
22 補助電極
23 パッド部
24 包囲部
24a 円弧状区間
24b 外縁区間
24c 第1円弧状区間
24d 第2円弧状区間
24e 直線区間
24f 湾曲区間
24g 第1直線区間
24h 第2直線区間
25 最短距離部
30 基板
40 GaN系半導体層
41 バッファ層
42 n型層
43 発光層
44 p型層
A 主発光領域
Claims (4)
- 第1導電型層、発光層及び第2導電型層を下側からこの順で有する半導体積層体と、
前記第1導電型層上に形成される第1電極と、
前記第2導電型層上の全面に形成され酸化物からなり当該第2導電型層よりシート抵抗が小さい透明電極、及び、当該透明電極上に形成され金属からなり当該透明電極よりもシート抵抗が小さい補助電極を有する第2電極と、を備え、
前記補助電極は、平面視にて前記第1電極を包囲する線状の包囲部と、平面視にて前記包囲部の外側に形成されワイヤを接続するための円形のパッド部と、を有し、
前記包囲部は、前記第1電極との平面視の距離が最小となる最小距離部を、周方向について複数有し、
前記第1電極と前記包囲部の前記最小距離部との距離をaとし、前記包囲部の外縁から前記透明電極の辺部外縁までの最短距離をb1とし、前記包囲部の外縁から前記透明電極の4つの隅部外縁までの距離をb2とし、前記パッド部の直径をcとしたとき、a>b1かつb2>cとする(ただし、長さが異なる4つの距離b2があるときは、小さい方の距離をb2とする)ことにより、前記隅部の1つもしくはその近傍に前記パッド部が配置されるように構成され、
前記透明電極のシート抵抗が前記第1導電型層のシート抵抗より大きい場合、前記補助電極の前記包囲部の内側及び外側にわたって主発光領域が形成され、
前記透明電極のシート抵抗が前記第1導電型層のシート抵抗より小さい場合、前記第1電極側に主発光領域が形成されるものであるところ、前記透明電極のシート抵抗を前記第1導電型層のシート抵抗より大きくしたものであり、
前記b2>cの関係の構成により前記補助電極の前記包囲部の各位置から前記第1電極に流れる電流を均一化する半導体発光素子。 - 前記第1電極は、平面視にて円形に形成される請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記包囲部は、平面視にて、前記第1電極と同心の円弧状の円弧状区間を有する請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記包囲部は、平面視にて、前記第1電極と同心の円周状に形成される請求項3に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013059751A JP5815586B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009070322A Division JP2010225771A (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013145913A JP2013145913A (ja) | 2013-07-25 |
JP5815586B2 true JP5815586B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=49041517
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013059751A Active JP5815586B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5815586B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6501200B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2019-04-17 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56126986A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode of plural colors |
JPH10209496A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2003069074A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-03-07 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 半導体装置 |
JP5023691B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2012-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2008227109A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系LED素子および発光装置 |
JP2009059969A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 |
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2013
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013145913A (ja) | 2013-07-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A521 | Written amendment |
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|
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