JP5912564B2 - GaN系半導体発光素子 - Google Patents

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本発明は、GaN系半導体発光素子に関する。
GaN系半導体を用いた発光ダイオード(LED)は、近年、照明用途等として、大電流で大出力のものが求められている。しかし、GaN系半導体を用いたLEDは、電流密度を増加させると発光効率が低下するDroop現象が生じるなど、発光効率を向上させることが容易ではない。
Appl. Phys. Lett. 91, 183507(2007) Appl. Phys. Lett. 94, 011113(2009) Appl. Phys. Lett. 95, 241109(2009) 特開2002−270894号公報 特開2009−259885号公報
本発明の一目的は、発光効率向上が図られた新規な構造のGaN系半導体発光素子を提供することである。
本発明の一観点によれば、n型導電性を有するGaN系半導体で形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層上に形成され、GaN系半導体で形成され、バリア層とウェル層とが交互に複数層積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に形成され、p型導電性を有するGaN系半導体で形成されたp型半導体層とを有し、前記活性層は、厚さ方向中心位置よりもp型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低くなっているGaN系半導体発光素子であって、前記活性層は、前記p型半導体層側部分において、最もp型半導体層側のバリア層がInGaN/GaN層2層構造で形成され、かつ、前記ウェル層の1つの直上に積層され、p型半導体層側から2番目以降の複数のバリア層は、少なくとも1つのInGaN単層構造バリア層を有し、すべて前記ウェル層で挟まれるInGaN層単層で形成されているか、または、前記ウェル層で挟まれるInGaN層単層のバリア層と前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造のバリア層とが混在した状態で形成され、前記n側半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層がGaN層単層で形成され、かつ、その直上に前記ウェル層が積層され、n型半導体層側から2番目以降のバリア層が、前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造で形成されており、前記ウェル層が、前記InGaN/GaN層のバリア層のInGaN層、及び、前記InGaN層のバリア層よりもバンドギャップの狭いInGaN層で形成されているGaN系半導体発光素子が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、n型導電性を有するGaN系半導体で形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層上に形成され、GaN系半導体で形成され、バリア層とウェル層とが交互に複数層積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に形成され、p型導電性を有するGaN系半導体で形成されたp型半導体層とを有し、前記活性層は、厚さ方向中心位置よりもp型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低くなっているGaN系半導体発光素子であって、前記活性層は、前記n型半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層がGaN層単層で形成され、かつ、直上に前記ウェル層の1つが積層され、n型半導体層側から2番目以降の複数のバリア層は少なくとも1つのGaN単層構造バリア層を有し、すべて前記ウェル層で挟まれるGaN層単層で形成されているか、または、前記ウェル層で挟まれるGaN層単層のバリア層と前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造のバリア層とで形成され、前記p側半導体層側部分のバリア層が、InGaN/GaN層2層構造で形成されており、ウェル層が、前記InGaN/GaN層のバリア層のInGaN層よりもバンドギャップの狭いInGaN層で形成されているGaN系半導体発光素子が提供される。
GaN系半導体発光素子の多重量子井戸構造の活性層において、p型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークを低くすることにより、発光効率の向上を図ることができる。
図1A及び図1Bは、それぞれ、第1シミュレーションで得られた第1比較例及び第2比較例の活性層におけるコンダクションバンドのバンド図及びバレンスバンドのバンド図である。 図2Aは、第2シミュレーションで想定した発光素子の構造を示す概略断面図であり、図2Bは、第3比較例によるGaN系半導体発光素子のコンダクションバンドの概略的なバンド図である。 図3A及び図3Bは、それぞれ、第1実施例及び第2実施例によるGaN系半導体発光素子のコンダクションバンドの概略的なバンド図である。 図4は、第2シミュレーションで得られた第1実施例、第2実施例、及び第3比較例によるGaN系半導体発光素子のIQEの電流密度依存性を示すグラフである。
本発明の実施例によるGaN系半導体発光素子について説明する前に、まず、第1比較例及び第2比較例によるGaN系半導体発光素子について、多重量子井戸構造の活性層のバンド構造を調べた第1シミュレーションについて説明する。
なお、GaN系半導体は、少なくともGaとNとを含む。例えばInをGaNに添加してInGaNとすることにより、In組成に応じてバンドギャップを狭くすることができる。また、例えばAlをGaNに添加してAlGaNとすることにより、Al組成に応じてバンドギャップを広くすることができる。
積層構造のバリア層、例えば、InGaN層とGaN層との積層構造のバリア層を、InGaN/GaN層等と表記する。「/」の左方側に、n型半導体層側に配置される層を記す。
第1比較例の活性層は、バリア層をGaN層とし、第2比較例の活性層は、バリア層をIn0.03Ga0.97N/GaN層とした。第1比較例及び第2比較例とも、ウェル層はIn0.17Ga0.83N層とした。バリア層やウェル層の厚さや、層数等の条件は、第1比較例及び第2比較例で共通である。
シミュレーションには、STR社のバンドギャップモデリングシミュレーションソフトウェアであるSiLENSeを用い、歪み、分極、転位欠陥、オージェ効果等を考慮した計算を行った。
図1A及び図1Bは、それぞれ、第1シミュレーションで得られた第1比較例及び第2比較例の活性層におけるコンダクションバンドのバンド図及びバレンスバンドのバンド図である。バレンスバンドにおいて、バリア層をGaN層とした第1比較例に比べ、バリア層をInGaN/GaN層とした第2比較例の方が、バリア層のホールに対するポテンシャルのピークがやや低くなっていることわかる。
なお、概略的なバンド図(例えば後述する図3A参照)を考える限りは、GaN層のバリア層のポテンシャルのピークと、InGaN/GaN層のバリア層のポテンシャルのピークとは、どちらもGaN層の部分でピークを取って一致するように思われる。しかし、第1シミュレーションを実施したところ、バレンスバンドにおいて、GaNバリア層よりも、InGaN/GaNバリア層の方が、ホールに対するポテンシャルのピークがやや低くなることがわかった。
次に、本発明の第1実施例、第2実施例によるGaN系半導体発光素子、及び、第3比較例によるGaN系半導体発光素子に対し、内部量子効率(IQE)の電流密度依存性を調べた第2シミュレーションについて説明する。
図2Aは、第2シミュレーションで想定した発光素子の構造を示す概略断面図である。厚さ5μmのn型GaN層1上に、多重量子井戸構造の活性層2が形成され、活性層2上に、p型Al0.15Ga0.85N層による厚さ20nmのp型クラッド層(電子ブロック層)3が形成され、p型クラッド層3上に、厚さ80nmのp型GaN層4が形成されている。第1実施例、第2実施例、及び第3比較例によるGaN系半導体発光素子は、それぞれ、活性層2の構造が異なり、残りの構造は共通である。
図2B、図3A、及び図3Bは、それぞれ、第3比較例、第1実施例、及び第2実施例によるGaN系半導体発光素子のコンダクションバンドの概略的なバンド図であり、活性層2の積層構造を示す。
第3比較例、第1実施例、及び第2実施例の活性層2において共通に、10層のバリア層b1〜b10と、9層のウェル層w1〜w9とが、交互に積層されている。最もn型半導体層側のバリア層b1をファーストバリア層、最もp型半導体層側のバリア層b10をラストバリア層と呼び、中間のバリア層b2〜b9を、内部バリア層と呼ぶ。
第3比較例による活性層2は、以下のようなものである。
バリア層・・・ ファーストバリア:GaN(厚さ5nm)
内部バリア:In0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)
ラストバリア:In0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)
バリア数:10
ウェル層・・・ In0.17Ga0.83N(厚さ3.5nm)
ウェル数:9
第1実施例による活性層2は、以下のようなものである。
バリア層・・・ ファーストバリア:GaN(厚さ5nm)
内部バリア:n型半導体層側から4層はGaN(厚さ5nm)、それよりp型半導体層側の4層はIn0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)
ラストバリア:In0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)
バリア数:10
ウェル層・・・ In0.17Ga0.83N(厚さ3.5nm)
ウェル数:9
第2実施例による活性層2は、以下のようなものである。
バリア層・・・ ファーストバリア:GaN(厚さ5nm)
内部バリア:n型半導体層側から7層はIn0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)、それよりp型半導体層側の1層はIn0.03Ga0.97N(厚さ5nm)
ラストバリア:In0.03Ga0.97N/GaN(厚さ2nm/3nm)
バリア数:10
ウェル層・・・ In0.17Ga0.83N(厚さ3.5nm)
ウェル数:9
つまり、第3比較例は8層の内部バリア層b2〜b9がすべてInGaN/GaN層であり、第1実施例は8層の内部バリア層のうちn型半導体層側の4層b2〜b5がGaN層で、p型半導体層側の4層b6〜b9がInGaN/GaN層であり、第2実施例は8層の内部バリア層のうちn型半導体層側の7層b2〜b8がInGaN/GaN層で、p型半導体層側の1層b9がInGaN層である。
なお、ウェル層に用いられるInGa1−xN層のIn組成xは、バリア層に用いられるInGa1−yN層のIn組成yに対し、バンドギャップが狭くなるように選ばれており、例えば0.10≦x≦0.25であり、0.01≦y≦0.05である。本シミュレーションでは一例として、x=0.17、y=0.03としている。
シミュレーションには、STR社のバンドギャップモデリングシミュレーションソフトウェアであるSiLENSeを用い、歪み、分極、転位欠陥、オージェ効果等を考慮した計算を行った。電子移動度を200cm/V.sとし、ホール移動度を5cm/V.sとした。
図4は、第2シミュレーションで得られた第1実施例、第2実施例、及び第3比較例によるGaN系半導体発光素子のIQEの電流密度依存性を示すグラフである。第1実施例の結果を四角のプロットで示し、第2実施例の結果をバツ印のプロットで示し、第3比較例の結果を菱形のプロットで示す。
どのサンプルについても、IQEは、電流密度が0から増えると急激に大きくなり、最大値を取った後、電流密度増加に伴い緩やかに減少する傾向を示している。
第1実施例は、第3比較例に比べ、調べた電流密度のほぼ全域に亘ってIQEがやや高くなる傾向が見られる。
第2実施例は、第3比較例に比べ、IQEの最大値は減少しているものの、電流密度増加に伴いIQEが漸減する裾の部分(おおよそ15A/cm以上)では、IQEが高くなっている。第2実施例は、第1実施例と比べても、電流密度増加に伴いIQEが漸減する裾の部分(おおよそ20A/cm以上)で、高いIQEが得られている。
第1実施例、第2実施例、及び第3比較例のすべてのサンプルで、IQEが、最大値を取った後に電流密度増加に伴い減少する現象(Droop現象)が見られるが、第2実施例は、第3比較例あるいは第1実施例と比べて、電流密度増加に伴うIQEの減少の度合いが緩やかになっているといえ、Droop現象が緩和される傾向が見られる。
実施例によるGaN系半導体発光素子は、例えば、1mm□サイズの発光ダイオード(LED)を作製して、350mAの電流を流す使用態様(電流密度35A/cm)を想定している。電流密度の範囲でいうならば、おおよそ30A/cm以上での使用を想定している。このような高い電流密度の範囲であれば、第2実施例は、第3比較例に比べて高いIQEを得ることができる。
このように、第1実施例及び第2実施例の発光素子は、第3比較例に比べ、IQEを向上させることができる。次に、第1実施例及び第2実施例の発光素子でIQEが向上した理由について考察する。なお、以下の考察は、上述のシミュレーション結果を解釈するための1つの考え方を示すものである。
活性層2の、厚さ方向中心よりもn型半導体層側部分、及び、厚さ方向中心よりもp型半導体層側部分を、それぞれ単に、活性層2のn型半導体層側部分、活性層2のp型半導体層側部分と呼ぶこととする。第1実施例、第2実施例、及び第3比較例の活性層2では、バリア層b1〜b5がn型半導体層側部分のバリア層となり、バリア層b6〜b10がp型半導体層側部分のバリア層となる。
まず、第1実施例で第3比較例に比べIQEが向上した理由について考察する。上述のように、第1シミュレーションより、GaN層のバリア層よりも、InGaN/GaN層のバリア層の方が、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低くなり、ホールに対するバリア性が低くなる。
第3比較例では、すべての内部バリア層b2〜b9がInGaN/GaN層であるのに対し、第1実施例では、n型半導体層側部分の4層の内部バリア層b2〜b5をGaN層とした。
このため、第1実施例は、活性層2のn型半導体層側部分で、p型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドのホールに対するポテンシャルのピーク(ホールに対するバリア性)が高くなっている構造といえる。また、活性層のp型半導体側部分では、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドのホールに対するポテンシャルのピーク(ホールに対するバリア性)の上昇が抑制されている構造であるともいえる。
従って、第1実施例では、p型半導体層側から活性層2に入るホールの流れの低減は抑制されつつ、n型半導体層側にリークして非発光再結合するホールが減ることにより、発光効率が向上するのではないかと推測される。
なお、図3Aに示した第1実施例のバリア層配列構造では、n型半導体層側の内部バリア層(b2〜b5)をすべてGaN層としたが、変形例として、n型半導体層側の内部バリア層のうちのいくつかをGaN層にしたバリア層配列構造でも、上記のような効果は得られるであろう。
つまり、活性層(活性層2)のn型半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層(b1)がGaN層で形成され、n型半導体層側から2番目以降のバリア層(b2〜b5)が、すべてGaN層で形成されているか、または、GaN層のバリア層とInGaN/GaN層のバリア層とで形成され、p側半導体層側部分のバリア層(b6〜b10)がInGaN/GaN層で形成されている構造で、上記のような効果が得られるであろう。
次に、第2実施例で第3比較例に比べIQEが向上した理由について考察する。第3比較例では、すべての内部バリア層b2〜b9がInGaN/GaN層であるのに対し、第2実施例では、最もp型半導体層側の内部バリア層(p型半導体層側から2番目のバリア層)b9をInGaN層とした。
InGaNバリア層は、GaN層よりもバンドギャップが狭いので、InGaN/GaNバリア層あるいはGaNバリア層に比べ、(コンダクションバンドにおける電子に対するポテンシャルのピークが低いとともに、)バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低い。
第2実施例は、p型半導体層側から2番目のバリア層b9のホールに対するバリア性が低くなったことにより、p型半導体層側から2番目のウェル層w8へのホールの流入が増加するとともに、最もp型半導体層側のウェルw9でのホール密度が減少すると考えられる。これにより、オージェ効果が緩和されて、発光効率が向上するのではないかと推測される。
なお、図3Bに示した第2実施例のバリア層配列構造では、最もp型半導体層側の内部バリア層b9をInGaN層としたが、変形例として、p型半導体層側の内部バリア層のうちのいくつかをInGaN層にしたバリア層配列構造でも、上記のような効果は得られるであろう。
つまり、活性層(活性層2)のp型半導体層側部分において、最もp型半導体層側のバリア層(b10)がInGaN/GaN層で形成され、p型半導体層側から2番目以降のバリア層(b9〜b6)が、すべてInGaN層で形成されているか、または、InGaN層のバリア層とInGaN/GaN層のバリア層とで形成され、n側半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層(b1)がGaN層で形成され、n型半導体層側から2番目以降のバリア層(b2〜b5)が、InGaN/GaN層で形成されている構造で、上記のような効果が得られるであろう。
第1実施例及び第2実施例をまとめて捉えると、活性層2のp型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドのホールに対するポテンシャルのピークが低くなっている構造により、発光効率向上が図られたのではないかということができる。
以上説明したように、GaN系半導体発光素子の多重量子井戸構造の活性層において、p型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークを低くすることにより、発光効率の向上を図ることができると考えられる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
1 n型GaN層
2 活性層
3 p型AlGaNクラッド層
4 p型GaN層
b1〜b10 バリア層
w2〜w9 ウェル層

Claims (2)

  1. n型導電性を有するGaN系半導体で形成されたn型半導体層と、
    前記n型半導体層上に形成され、GaN系半導体で形成され、バリア層とウェル層とが交互に複数層積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
    前記活性層上に形成され、p型導電性を有するGaN系半導体で形成されたp型半導体層と
    を有し、
    前記活性層は、厚さ方向中心位置よりもp型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低くなっているGaN系半導体発光素子であって、
    前記活性層は、
    前記p型半導体層側部分において、最もp型半導体層側のバリア層がInGaN/GaN層2層構造で形成され、かつ、前記ウェル層の1つの直上に積層され、p型半導体層側から2番目以降の複数のバリア層は、少なくとも1つのInGaN単層構造バリア層を有し、すべて前記ウェル層で挟まれるInGaN層単層で形成されているか、または、前記ウェル層で挟まれるInGaN層単層のバリア層と前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造のバリア層とが混在した状態で形成され、
    前記n側半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層がGaN層単層で形成され、かつ、その直上に前記ウェル層が積層され、n型半導体層側から2番目以降のバリア層が、前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造で形成されており、前記ウェル層が、前記InGaN/GaN層のバリア層のInGaN層、及び、前記InGaN層のバリア層よりもバンドギャップの狭いInGaN層で形成されているGaN系半導体発光素子。
  2. n型導電性を有するGaN系半導体で形成されたn型半導体層と、
    前記n型半導体層上に形成され、GaN系半導体で形成され、バリア層とウェル層とが交互に複数層積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
    前記活性層上に形成され、p型導電性を有するGaN系半導体で形成されたp型半導体層と
    を有し、
    前記活性層は、厚さ方向中心位置よりもp型半導体層側部分で、n型半導体層側部分に比べ、バレンスバンドにおけるホールに対するポテンシャルのピークが低くなっているGaN系半導体発光素子であって、
    前記活性層は、
    前記n型半導体層側部分において、最もn型半導体層側のバリア層がGaN層単層で形成され、かつ、直上に前記ウェル層の1つが積層され、n型半導体層側から2番目以降の複数のバリア層は少なくとも1つのGaN単層構造バリア層を有し、すべて前記ウェル層で挟まれるGaN層単層で形成されているか、または、前記ウェル層で挟まれるGaN層単層のバリア層と前記ウェル層で挟まれるInGaN/GaN層2層構造のバリア層とで形成され、
    前記p側半導体層側部分のバリア層が、InGaN/GaN層2層構造で形成されており、ウェル層が、前記InGaN/GaN層のバリア層のInGaN層よりもバンドギャップの狭いInGaN層で形成されているGaN系半導体発光素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2019218350A1 (zh) * 2018-05-18 2019-11-21 厦门三安光电有限公司 发光二极管

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4389723B2 (ja) * 2004-02-17 2009-12-24 住友電気工業株式会社 半導体素子を形成する方法
KR20080035865A (ko) * 2006-10-20 2008-04-24 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP4655103B2 (ja) * 2008-04-14 2011-03-23 ソニー株式会社 GaN系半導体発光素子、発光素子組立体、発光装置、GaN系半導体発光素子の駆動方法、及び、画像表示装置
TWI389344B (zh) * 2008-08-25 2013-03-11 Epistar Corp 光電元件

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