JP4163192B2 - 窒化物半導体素子 - Google Patents

窒化物半導体素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4163192B2
JP4163192B2 JP2005121417A JP2005121417A JP4163192B2 JP 4163192 B2 JP4163192 B2 JP 4163192B2 JP 2005121417 A JP2005121417 A JP 2005121417A JP 2005121417 A JP2005121417 A JP 2005121417A JP 4163192 B2 JP4163192 B2 JP 4163192B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
layer
semiconductor layer
semiconductor device
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005121417A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006128607A (ja
Inventor
善 雲 金
ヒョン チョ，ドン
制 遠 金
規 瀚 李
正 鐸 ▲呉▼
東 俊 金
Original Assignee
三星電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星電機株式会社 filed Critical 三星電機株式会社
Publication of JP2006128607A publication Critical patent/JP2006128607A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4163192B2 publication Critical patent/JP4163192B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、窒化物半導体素子に関するものであって、より詳しくは、内部量子効率を向上させると同時に動作電圧及び逆電圧特性を改善した、高効率の窒化物半導体素子に関するものである。
一般に、窒化物半導体は、フルカラーディスプレイ、イメージスキャナ、各種信号システム及び光通信機器に対して光源として提供される、緑色または青色発光ダイオード（light emitting diode:ＬＥＤ）、またはレーザーダイオード（laser diode:ＬＤ）に広く用いられている。こうした窒化物半導体素子は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に配された単一量子井戸（single quantum well:ＳＱＷ）構造、または多重量子井戸（multi quantum well:ＭＱＷ）構造の活性層を有し、上記活性層において電子と正孔とを再結合させる原理により、光を生成して放出する。
上記窒化物半導体素子の光効率は、活性層内における電子と正孔の再結合確率、即ち内部量子効率により決定される。こうした内部量子効率の改善方案は、主に活性層の構造を改善したり、キャリアの有効量（effective mass）を増加させる方向で研究されている。
こうした従来の方案として、非特許文献１には、多重量子井戸構造である活性層の下に、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成る電子非対称共振トンネリング構造（charge asymmetric resonance tunneling structure）を用いる方案が提示されていた。上記文献によると、５０ｎｍのＩｎＧａＮ層と１ｎｍのＧａＮ層を導入して、ＩｎＧａＮ層に蓄積された電子をトンネリング原理により活性層に注入することにより、作動電流及び電圧を減少させ、発光効率を向上させることができるとの記載がある。このように、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層は、一般に、正孔の有効量より低い電子の有効量をトンネリング効果を利用して増加させることにより、活性層におけるキャリア捕獲確率を高める電子放出層（electron emitting layer）として、効果的に作用することができる。
ＩＥＥＥ電子素子論文（ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥ ＬＥＴＴＥＲＳ）、２００２年３月、Ｖｏｌ．２３、Ｎｏ．３、ｐ．１３０
しかし、上記方案は、圧電フィールドによる再結合効率の低下という問題を未だ抱えている。即ち、活性層と隣接したクラッド層の格子定数の差によりストレスが発生し、かかるストレスは活性層に適用され、圧電フィールド（piezoelectric field）を形成する。
図１及び２に示したストレスが適用されない状態における活性層のバンドダイヤグラムを見ると、電子と正孔の波動関数がほぼ対称的に存在する。しかし、図３及び４と図５及び６のような、格子定数の差により圧縮応力または引張応力が作用する場合には、そのため矢印で記したような圧電フィールドが形成され、活性層内で電子と正孔の波動関数同士の距離が遠ざかる現象が発生する。したがって、注入されるキャリアの有効量が増加しても、実質的に再結合確率を大きく増加させず、その結果、光素子の発光効率を低下させる原因となる。また、波動関数同士の距離が増加することにより、電流増加に応じて放出光が短波長で移動するとの問題がある。
したがって、当技術分野においては、圧電フィールドによる発光効率の低下及び波長移動の問題を解決できる新たな方案が要求されてきた。
本発明は上記した技術的課題を解決するためのものとして、その目的は、活性層とｎ型クラッド層との間にトンネリング効果のための多重構造の電子放出層を形成しながら、各層のバンドギャップの大きさを調節して圧電フィールド効果を緩和させた、高効率の窒化物半導体素子を提供することにある。
上記技術的課題を成し遂げるために、本発明は、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に形成されていて量子井戸層と量子障壁層とを有する活性層と、を備えた窒化物半導体素子において、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層との間に、相違する組成の第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とが少なくとも２回繰り返されて形成された電子放出層を備え、前記第１窒化物半導体層は、前記量子井戸層より大きく前記量子障壁層より小さく前記活性層に近づくほど小さいエネルギーバンドギャップを有し、前記第２窒化物半導体層は、少なくとも隣接した前記第１窒化物半導体層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有し、電子のトンネリングが可能な厚さを有し、前記電子放出層の前記第１窒化物半導体層は、相違するＩｎ含量を有するＩｎ y Ｇａ 1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）を有し、前記量子井戸層のＩｎ含量より小さく前記活性層に近づくほど大きいＩｎ含量を有することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。
前記第２窒化物半導体層は、前記量子障壁層のエネルギーバンドギャップとほぼ同一なエネルギーバンドギャップを有することができ、好ましくは前記電子放出層の前記第１窒化物半導体層は、各々１〜１００ｎｍの厚さを有し、前記第２窒化物半導体層は各々０．５〜１０ｎｍの厚さを有する。
本発明の一実施形態において、前記活性層は、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）である前記量子井戸層とＧａＮである前記量子障壁層とが少なくとも２回繰り返し形成された多重量子井戸構造であることができる。
本実施形態においても、前記第１及び前記第２窒化物半導体層のうち、少なくとも一つの層はｎ型不純物でドーピングされることができ、前記第１及び前記第２窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は、漸次変更されるよう構成することができる。即ち、前記活性層に近づくほど減少することができる。
この場合、前記ｎ型窒化物半導体層も、ドーピング濃度の同一な増加または減少傾向を示すことができる。即ち、前記ｎ型窒化物半導体層の不純物濃度は、隣接した前記第１窒化物半導体層の不純物濃度より高かったり低かったりすることができる。
上述したように、本発明によれば、活性層とｎ型窒化物半導体層との間に多重構造の電子放出層を提供することにより、トンネリング効果を極大化して電流注入効率を大きく改善できるばかりでなく、圧電フィールドによる影響を低減させることにより発光効率を大きく改善することができる。
以下、添付の図を参照しながら本発明をより詳しく説明する。
図７は、本発明の一実施形態による窒化物半導体素子の断面図で、図８は、図７の部分Ａを拡大し図示した部分詳細図である。
先ず、図７を見ると、窒化物半導体素子２０は、バッファ層２２が形成された基板２１上に順次に形成されたｎ型窒化物半導体層２３、活性層２５、及び、ｐ型窒化物半導体層２７を有する。基板２１は、サファイア及びＳｉＣのような異種基板またはＧａＮのような同種基板であることができる。ｎ型窒化物半導体層２３の露出した上面と、ｐ型窒化物半導体層２７とには、各々ｎ側電極２９ａとｐ側電極２９ｂとが提供されている。
本発明による窒化物半導体素子２０は、ｎ型窒化物半導体層２３と活性層２５との間に、相違する組成の第１窒化物半導体層２４ａと第２窒化物半導体層２４ｂ（以下、「第１窒化物半導体層２４ａ及び第２窒化物半導体層２４ｂ」を、「第１及び第２窒化物半導体層２４ａ、２４ｂ」と略称する）とが少なくとも２回繰り返し形成された電子放出層２４を備える。本実施形態に用いられた電子放出層２４は、各々３回、第１及び第２窒化物半導体層２４ａ、２４ｂが交互に形成された、多重層構造とされることができる。また、電子放出層２４の各層２４ａ、２４ｂは、トンネリング効果を極大化すると同時に、圧電フィールド効果を緩和するために適切なエネルギーバンドギャップを有するよう構成されている。
より具体的に、図８を参照しながら説明すると、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は、活性層２５の量子井戸層２５ａより大きく量子障壁層２５ｂより小さく、第２窒化物半導体層２４ｂは、少なくとも隣接した第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有し、量子障壁層２５ｂとほぼ同一なエネルギーバンドギャップを有することができる。
また、本発明による第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は活性層２５に近づくほど小さいバンドギャップを有するよう配列され、ｎ型窒化物半導体層２３から活性層２５までの格子定数の差を緩和させることができる。即ち、中間に配された第１窒化物半導体層２４ａ'は、ｎ型窒化物半導体層２３に隣接して位置する第１窒化物半導体層２４ａより小さいが活性層２５に最も近い第１窒化物半導体層２４ａ"よりは大きいエネルギーバンドギャップを有する。
したがって、圧電フィールド効果による影響を低減させ、電子と正孔の波動関数距離の増加を抑制し、それによる作動電流増加による波長変化の幅を減少させることができる。これに加えて、本発明の電子放出層２４は、複数のトンネリング構造（本実施形態においては３個のトンネリング構造）を採用しているので、活性層２５に注入される電子の有効量を大きく増加させ、発光効率をより向上させることができる。
かかるトンネリング効果のために、第２窒化物半導体層２４ｂは、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"に蓄積された電子が活性層２５に向かってトンネリングが可能な程度の厚さｔ２を有する。好ましい第２窒化物半導体層２４ｂの厚さｔ２は、０．５〜１０ｎｍ範囲である。また、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"の厚さｔ１は、１〜１００ｎｍの範囲を有することが好ましく、圧電フィールドをより効果的に緩和させるために、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は、活性層２５に近づくほど大きい厚さを有することがより好ましい。即ち、中間に配された第１窒化物半導体層２４ａ'はｎ型窒化物半導体層２３に隣接して位置する第１窒化物半導体層２４ａより厚いが、活性層２５に最も近い第１窒化物半導体層２４ａ"よりは薄い厚さを有することができる。
本発明に用いられる第１及び第２窒化物半導体層は、活性層のようにアンドープ層から成ることができるが、これと異なり、少なくとも一つの層または全層がｎ型不純物でドーピングされていてもよい。複数の第１及び第２窒化物半導体層がドーピングされる場合に、上記活性層に近づくほど高い又は低い不純物濃度を有するよう形成することができる。また、上記ｎ型窒化物半導体層を、隣接した第１窒化物半導体層の不純物濃度より低い又は高い（高い又は低い）不純物濃度を有するよう形成して、ドーピング濃度において、同一な増加または減少傾向を示すことができる。
本発明の具体的な実施形態において、活性層は、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）の量子井戸層とＧａＮの量子障壁層とが少なくとも２回繰り返し設けられた多重量子井戸構造であることができる。この場合に、上記第１窒化物半導体層は、相違するＩｎ含量を有するＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ＜１）であることができ、上記第２窒化物半導体層はＧａＮであることができる。
図９は、図７及び図８と類似する構造を有し、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの多重量子井戸構造を有する窒化物半導体素子における、電子放出層と活性層部分のエネルギーバンドダイヤグラムを示す。
第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は、互いにＩｎ含量の異なるＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ＜１）から形成されていて、活性層２５のＧａＮの量子井戸層２５ａより大きく量子障壁層２５ｂより小さいエネルギーバンドギャップを有するが、各第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"のエネルギーバンドギャップは、活性層２５に近づくほど小さいバンドギャップを有するよう配列されている。即ち、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は、Ｅg1"＜Ｅg1'＜Ｅg1を満足する配列を有する。かかる配列は、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"のＩｎ含量を、量子井戸層２５ａのＩｎ含量より小さく活性層２５に近づくほど大きくなるよう調節することで容易に具現することができる。また、圧電フィールドをより効果的に緩和させるために、第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"は、活性層２５に近づくほど大きい厚さを有することができる。
第２窒化物半導体層２４ｂは、少なくとも隣接した第１窒化物半導体層２４ａ、２４ａ'、２４ａ"のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップＥg2を有し、図９に示すように、量子障壁層２５ｂのエネルギーバンドギャップとほぼ同一であることができる。即ち、第２窒化物半導体層２４ｂは、量子障壁層２５ｂと同一なＧａＮ層から形成されることができる。
（実施例）
本発明による窒化物半導体素子の圧電フィールドの改善効果を確認するため、本発明により窒化物発光素子（ＬＥＤ）をアンモニア（ＮＨ3）雰囲気の反応機内においてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を利用して、ＭＯＣＶＤ法により製造した。
先ず、サファイア基板にＧａＮ低温核成長層を形成した後、Ｓｉを利用して４×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有するｎ型ＧａＮ層を、１．２μｍの厚さに形成した。
次いで、本発明に提示するように、ＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ＜１）を満足する第１窒化物半導体層とＧａＮである第２窒化物半導体層とを３回交互に繰り返し形成することにより、電子放出層を設けた。この際、第１窒化物半導体層の各々のＩｎのモル比ｙは、活性層から遠ざかる順で（活性層２５に近づくほど大きくなるように）０．０５、０．０８、０．１１となるよう、各厚さは１５ｎｍ、３０ｎｍ、４５ｎｍとなるよう形成し、第２窒化物半導体層は３ｎｍの厚さで同一に形成した。
続いて、上記ｎ型ＧａＮ層上に活性層を形成した。上記活性層は、交互に形成された５対のＩｎＧａＮ量子井戸層とＧａＮ量子障壁層から成る多重量子井戸構造とした。ここで、各量子井戸層は、３ｎｍ厚さのＩｎ0.25Ｇａ0.75Ｎで形成し、各量子障壁層は１０ｎｍ厚さのＧａＮで形成した。
上記活性層上に、約５×１０17／ｃｍ3の不純物濃度と約０．３μｍの厚さとを有するｐ型ＧａＮ層を形成し、適切なメサエッチング後、ｐ側及びｎ側電極を形成した。
（比較例１）
上記実施例と同一な条件により窒化物発光素子を製造するが、本発明に係る電子放出層を形成せず、ｎ型ＧａＮ層上に直接活性層を形成した。
（比較例２）
上記実施例と同一な条件により窒化物発光素子を製造するが、本発明に係る多重電子放出層構造ではなく、従来の単一電子放出層を用いた。従来の電子放出層は、上記非特許文献１に提示されたように、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を５０ｎｍ厚さで形成し、その上にＧａＮ層を１ｎｍ厚さで形成した。
上記実施例と比較例１及び２から得た窒化物発光素子において、電流を０から５０ｍＡまで段階的に高めながら放出光の波長変化を確認し、その結果を図１０のグラフに示した。
図１０に示すように、１０ｍＡから５０ｍＡに電流が増加すると、比較例１の場合には放出光の波長が４７７ｎｍから４７０ｎｍまで約７ｎｍほど下がり、比較例２の場合にも４７７ｎｍから４７３ｎｍまで約４ｎｍほど下がることが分かる。これに比して、本発明に係る実施例の場合には、同一な電流増加範囲において４７８ｎｍから４７７ｎｍほどと、約１ｎｍ程度に過ぎない波長変化だけが見られた。
かかる電流増加による波長変化の程度は、圧電フィールドによる電子及び正孔の波動関数の距離差により発生したものとして、比較例１及び比較例２においては波動関数の距離差が大きく存在するが、本発明においては、大変大幅に減少し、圧電フィールドによる影響が大変微弱であるものと解される。
このように、本発明に係る多重電子放出層構造は、圧電フィールドによる影響を大きく緩和することができ、また多重トンネリング構造を通して電子注入効率を大きく改善できるので、電流増加による波長変化を低減させると同時に、発光効率を大きく向上させることができる。
上記実施例においては、窒化物系発光素子を中心に例示し説明したが、本発明が半導体レーザー素子のように類似する構造を有する他窒化物系光素子にも有利に用いられることは、当業者にとって自明な事実である。
このように、本発明は上述した実施形態及び添付の図により限定されるものではなく、添付の請求範囲により限定される。したがって、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において様々な形態の置換、変形及び変更が可能なことは当技術分野において通常の知識を有する者にとっては自明なことである。
ストレスが適用されない状態におけるエネルギーバンドダイヤグラムと電子の波動関数を示す図である。 ストレスが適用されない状態におけるエネルギーバンドダイヤグラムと正孔の波動関数を示す図である。 圧縮応力による圧電フィールドによる影響を説明するためのエネルギーバンドダイヤグラムと電子の波動関数を示す図である。 圧縮応力による圧電フィールドによる影響を説明するためのエネルギーバンドダイヤグラムと正孔の波動関数を示す図である。 引張応力による圧電フィールドによる影響を説明するためのエネルギーバンドダイヤグラムと電子の波動関数を示す図である。 引張応力による圧電フィールドによる影響を説明するためのエネルギーバンドダイヤグラムと正孔の波動関数を示す図である。 本発明の一実施形態による窒化物半導体素子の断面図である。 図７に示した窒化物半導体素子の部分詳細図である。 図８におけるエネルギーバンドダイヤグラムを示す概略図である。 本発明による窒化物半導体素子と従来の窒化物半導体素子の電流増加による放出光の波長変化を示す図である。
符号の説明
２１ 基板
２２ バッファ層
２３ ｎ型窒化物半導体層
２４ 多重構造の電子放出層
２４ａ、２４ａ'、２４ａ" 第１窒化物半導体層
２４ｂ 第２窒化物半導体層
２５ 活性層
２５ａ 量子井戸層
２５ｂ 量子障壁層
２７ ｐ型窒化物半導体層
２９ａ ｎ側電極
２９ｂ ｐ側電極

Claims (9)

  1. ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に形成されていて量子井戸層と量子障壁層とを有する活性層と、を備えた窒化物半導体素子において、
    前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層との間に、相違する組成の第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とが少なくとも２回繰り返されて形成された電子放出層を備え、
    前記第１窒化物半導体層は、前記量子井戸層より大きく前記量子障壁層より小さく前記活性層に近づくほど小さいエネルギーバンドギャップを有し、
    前記第２窒化物半導体層は、少なくとも隣接した前記第１窒化物半導体層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記第１窒化物半導体層に蓄積された電子が前記活性層に向かってトンネリングが可能な程度の厚さを有し、
    前記電子放出層の前記第１窒化物半導体層は、相違するＩｎ含量を有するＩｎ y Ｇａ 1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）を有し、前記量子井戸層のＩｎ含量より小さく前記活性層に近づくほど大きいＩｎ含量を有すること、
    を特徴とする窒化物半導体素子。
  2. 前記第２窒化物半導体層は、前記量子障壁層のエネルギーバンドギャップとほぼ同一なエネルギーバンドギャップを有すること、
    を特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
  3. 前記電子放出層の前記第１窒化物半導体層は、各々１〜１００ｎｍの厚さを有すること、
    を特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
  4. 前記第１窒化物半導体層の厚さは、前記活性層に近づくほど大きいこと、
    を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  5. 前記電子放出層の前記第２窒化物半導体層は、各々０．５〜１０ｎｍの厚さを有すること、
    を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  6. 前記活性層は、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）の前記量子井戸層とＧａＮの前記量子障壁層とが少なくとも２回繰り返し形成された多重量子井戸構造であること、
    を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  7. 前記第１及び前記第２窒化物半導体層のうち、少なくとも一つの層はｎ型不純物でドープされたこと、
    を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  8. 前記第１及び前記第２窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は、前記活性層に近づくほど低くなること、
    を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  9. 前記ｎ型窒化物半導体層の不純物濃度は、隣接した前記第１窒化物半導体層の不純物濃度より低い又は高いこと、
    を特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
JP2005121417A 2004-10-26 2005-04-19 窒化物半導体素子 Active JP4163192B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040085789A KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2004-10-26 질화물계 반도체 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006128607A JP2006128607A (ja) 2006-05-18
JP4163192B2 true JP4163192B2 (ja) 2008-10-08

Family

ID=36205394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005121417A Active JP4163192B2 (ja) 2004-10-26 2005-04-19 窒化物半導体素子

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7084420B2 (ja)
JP (1) JP4163192B2 (ja)
KR (1) KR100664985B1 (ja)

Families Citing this family (407)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP2007110090A (ja) 2005-09-13 2007-04-26 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
KR100649749B1 (ko) * 2005-10-25 2006-11-27 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
US20070187697A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Liang-Wen Wu Nitride based MQW light emitting diode having carrier supply layer
EP1821578A3 (en) * 2006-02-21 2010-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
KR100753518B1 (ko) 2006-05-23 2007-08-31 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자
DE102006025964A1 (de) * 2006-06-02 2007-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mehrfachquantentopfstruktur, strahlungsemittierender Halbleiterkörper und strahlungsemittierendes Bauelement
KR100850950B1 (ko) * 2006-07-26 2008-08-08 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자
CN100547819C (zh) * 2006-08-15 2009-10-07 中国科学院物理研究所 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法
KR100770441B1 (ko) * 2006-08-21 2007-10-26 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR100770440B1 (ko) * 2006-08-29 2007-10-26 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR100835095B1 (ko) * 2006-11-21 2008-06-03 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
WO2009082404A1 (en) * 2006-12-24 2009-07-02 Lehigh University Staggered composition quantum well method and device
US7905618B2 (en) 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
DE102007058723A1 (de) * 2007-09-10 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Struktur
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR100887050B1 (ko) * 2007-12-06 2009-03-04 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
CN102144307B (zh) 2008-07-03 2013-05-22 三星电子株式会社 发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元
WO2010002221A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR101018217B1 (ko) * 2008-10-01 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 질화물 반도체 소자
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2010056083A2 (ko) 2008-11-14 2010-05-20 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자
KR101504155B1 (ko) * 2008-11-27 2015-03-19 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI384657B (zh) * 2009-07-15 2013-02-01 Ind Tech Res Inst 氮化物半導體發光二極體元件
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
KR101766719B1 (ko) * 2010-03-25 2017-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
DE112011102800T8 (de) 2010-08-25 2013-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphorfilm, Verfahren zum Herstellen desselben, Beschichtungsverfahren für eine Phosphorschicht, Verfahren zum Herstellen eines LED-Gehäuses und dadurch hergestelltes LED-Gehäuse
JP5044704B2 (ja) 2010-08-26 2012-10-10 株式会社東芝 半導体発光素子
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR20120042500A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101125026B1 (ko) 2010-11-19 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
EP2503606B1 (en) 2011-03-25 2020-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
GB201107674D0 (en) * 2011-05-09 2011-06-22 Univ Surrey Semiconductor laser
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
US20140191192A1 (en) * 2011-07-29 2014-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US9239159B2 (en) 2011-12-16 2016-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat-dissipating structure for lighting apparatus and lighting apparatus
JP5874593B2 (ja) * 2011-12-23 2016-03-02 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
KR101813717B1 (ko) 2012-01-04 2017-12-29 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
US20130270515A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101887942B1 (ko) 2012-05-07 2018-08-14 삼성전자주식회사 발광소자
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
KR20140019635A (ko) * 2012-08-06 2014-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
FR3004005B1 (fr) * 2013-03-28 2016-11-25 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente a multiples puits quantiques et jonction p-n asymetrique
KR102038885B1 (ko) 2013-05-27 2019-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102122366B1 (ko) 2013-06-14 2020-06-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20150002361A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
KR102061563B1 (ko) 2013-08-06 2020-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150021814A (ko) 2013-08-21 2015-03-03 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
KR102075985B1 (ko) 2013-10-14 2020-02-11 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102122360B1 (ko) 2013-10-16 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광모듈 테스트 장치
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102086360B1 (ko) 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102122359B1 (ko) 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR102070092B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20150084311A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성전자주식회사 발광모듈
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102075986B1 (ko) 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102175723B1 (ko) 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102223037B1 (ko) * 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
US9425351B2 (en) * 2014-10-06 2016-08-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Hybrid heterostructure light emitting devices
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
FR3028670B1 (fr) * 2014-11-18 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Structure semi-conductrice a couche de semi-conducteur du groupe iii-v ou ii-vi comprenant une structure cristalline a mailles cubiques ou hexagonales
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
DE102014117611A1 (de) * 2014-12-01 2016-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US9899556B2 (en) 2015-09-14 2018-02-20 Wisconsin Alumni Research Foundation Hybrid tandem solar cells with improved tunnel junction structures
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
CN106558597B (zh) 2015-09-30 2020-03-06 三星电子株式会社 发光器件封装件
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102443694B1 (ko) * 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20180065700A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102680862B1 (ko) 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR20180089117A (ko) 2017-01-31 2018-08-08 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR20180095397A (ko) 2017-02-17 2018-08-27 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR20180098904A (ko) 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
CN110447113B (zh) 2017-03-24 2022-08-12 威斯康星州男校友研究基金会 具有多层p型触点的III-V族氮化物基发光器件
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102377550B1 (ko) * 2017-05-19 2022-03-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
US10217897B1 (en) 2017-10-06 2019-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102666539B1 (ko) 2017-12-13 2024-05-17 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
CN109950372B (zh) * 2019-02-15 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制造方法
KR20200111323A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20200112369A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20200118333A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20210000351A (ko) 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102684977B1 (ko) 2019-07-08 2024-07-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR20210006567A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
CN110518100A (zh) * 2019-08-28 2019-11-29 映瑞光电科技(上海)有限公司 GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
US11374202B2 (en) 2019-09-11 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20210034726A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20210048621A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20210052626A (ko) 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20210063518A (ko) 2019-11-22 2021-06-02 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR20210064855A (ko) 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
KR20210097855A (ko) 2020-01-30 2021-08-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102741A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210141036A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR20210145553A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR20210145590A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR20210158254A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20220034972A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220036176A (ko) 2020-09-15 2022-03-22 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20220068558A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220094290A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220095289A (ko) 2020-12-29 2022-07-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220107485A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220133634A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230079869A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템
US12027107B2 (en) 2022-07-15 2024-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
KR20240031788A (ko) 2022-09-01 2024-03-08 삼성전자주식회사 디스플레이용 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6737684B1 (en) * 1998-02-20 2004-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bipolar transistor and semiconductor device
JP3656456B2 (ja) * 1999-04-21 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060036713A (ko) 2006-05-02
US20060086932A1 (en) 2006-04-27
US7084420B2 (en) 2006-08-01
KR100664985B1 (ko) 2007-01-09
JP2006128607A (ja) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4163192B2 (ja) 窒化物半導体素子
JP4875455B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
KR100862497B1 (ko) 질화물 반도체 소자
JP5737111B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5311338B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP4954536B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
US9373750B2 (en) Group III nitride semiconductor light-emitting device
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR101228983B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100784065B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4503570B2 (ja) 窒化物半導体素子
KR100826422B1 (ko) 질화물 반도체 소자
JP2015046598A (ja) 正孔注入層を備える半導体発光素子及びその製造方法
US7915607B2 (en) Nitride semiconductor device
KR101199677B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2014525682A (ja) オプトエレクトロニクス部品
CN102623595A (zh) 一种发光二极管外延材料结构
KR101423720B1 (ko) 다중양자웰 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자 및 그제조방법
JP4884826B2 (ja) 半導体発光素子
KR100558455B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR101025971B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR20110084683A (ko) 양자우물 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자
US8704268B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR101248383B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2013191617A (ja) 半導体発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080701

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080723

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4163192

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

S633 Written request for registration of reclamation of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250