KR100664985B1 - 질화물계 반도체 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
압전필드효과(piezoelectric field effect), 터널링(tunneling), 내부양자효율(internal quantum efficiency)

Description

질화물계 반도체 소자{NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE}
도1a 내지 도1c는 압전필드에 의한 영향을 설명하기 위한 에너지밴드다이어그램과 전자 및 정공의 파동함수를 나타내는 그래프이다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 질화물 반도체 소자의 단면도와 부분상세도이다.
도3은 도2b에 대한 에너지밴드다이어그램을 나타내는 개략도이다.
도4는 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자와 종래의 질화물 반도체 소자의 전류증가에 따른 방출광의 파장변화를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
21: 기판 22: 버퍼층
23: n형 질화물 반도체층 24: 다중구조의 전자방출층
25: 활성층 27: p형 질화물 반도체층
24a,24a',24a": 제1 질화물 반도체층
24b: 제2 질화물 반도체층
본 발명은 질화물계 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 내부양자효율을 향상시키는 동시에 동작전압 및 역전압 특성을 개선한 고효율 질화물계 반도체 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광통신기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드(light emitting diode:LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode: LD)에 널리 사용되고 있다. 이러한 질화물 반도체 소자는 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 배치된 단일양자우물(single quantum well: SQW)구조 또는 다중양자우물(muti quantum well: MQW)구조의 활성층을 포함하며, 상기 활성층에서 전자와 정공을 재결합하는 원리로 빛을 생성하여 방출시킨다.
상기 질화물 반도체 소자의 광효율은 활성층 내에서의 전자와 정공의 재결합확률, 즉 내부양자효율에 의해 결정된다. 이러한 내부양자효율의 개선방안은 주로 활성층의 구조를 개선하거나 캐리어의 유효량(effective mass)을 증가시키는 방향으로 연구되고 있다.
이러한 종래의 방안으로서 IEEE 전자소자논문(ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol.23, No.3 March 2002, p130)에는 다중양자우물구조인 활성층 아래에 InGaN/GaN 층으로 이루어진 전자비대칭 공진터널링 구조(charge asymmetric resonance tunneling structure)를 채용하는 방안이 제안되었다. 상기 문헌에 따르면, 50㎚의 InGaN층과 1㎚의 GaN층을 도입하여 InGaN층에 축적된 전자를 터널링원리로 활성층에 주입함으로써 작동전류 및 전압을 감소시키켜 발광효율을 향상시킬 수 있다고 기재되어 있다. 이와 같이, InGaN층과 GaN층은 일반적으로 정공의 유효량보다 낮은 전자의 유효량을 터널링효과를 이용하여 증가시킴으로써 활성층에서의 캐리어 캡쳐확률을 높히는 전자방출층(electron emitting layer)으로서 효과적으로 작용할 수 있다.
하지만, 상기 방안은 압전필드로 인한 재결합효율의 저하라는 문제를 여전히 안고 있다. 즉, 활성층과 인접한 클래층의 격자상수차이로 인해 스트레스가 발생되고, 이러한 스트레스는 활성층에 적용되어 압전필드(piezoelelctric field)를 형성한다.
도1a에 도시된 스트레스가 적용되지 않은 상태에서의 활성층의 밴드다이어그램을 참조하면, 전자와 정공의 파동함수가 거의 대칭적으로 존재한다. 하지만, 도1b와 도1c와 같이 격자상수차이로 인해 압축응력 또는 인장응력이 작용할 경우에는, 그로 인해 화살표로 표시된 바와 같이 압전필드가 형성되어, 활성층 내에서 전자와 정공의 파동함수간의 거리가 멀어지는 현상이 발생된다. 따라서, 주입되는 캐리어의 유효량이 증가하더라도 실질적으로 재결합확률을 크게 증가하지 않으며, 그 결과 광소자의 발광효율을 저하시키는 원인된다. 또한, 파동함수간의 거리증가로 인해 전류증가에 따라 방출광이 단파장으로 이동하는 문제가 있다.
따라서, 당 기술분야에서는 압전필드로 인한 발광효율 저하 및 파장이동문제를 해결할 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
본 발명은 상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 활성층과 n형 클래드층 사이에 터널링효과를 위한 다중구조의 전자방출층을 형성하되, 각 층의 밴드갭크기를 조절하여 압전필드효과를 완화시킨 고효율 질화물 반도체 소자를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은,
n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
상기 제2 질화물반도체층은 상기 양자장벽층의 에너지밴드갭과 거의 동일한 에너지밴드갭을 가질 수 있으며, 바람직하게 상기 전자방출층의 제1 질화물반도체층은 각각 1∼100㎚의 두께를 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 각각 0.5∼10㎚의 두께를 갖는다.
구체적인 실시형태에서, 상기 전자방출층의 제1 및 제2 질화물반도체층 중 적어도 하나의 층은 n형 불순물로 도핑될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 활성층은 InxGa1-xN(0< x <1)인 양자우물층과 GaN인 양자장벽층이 적어도 2회 반복하여 형성된 다중양자우물구조일 수 있으며, 본 실시형태에서, 바람직하게는 상기 전자방출층은 서로 다른 In함량을 갖는 InyGa1-yN(0<y<1)인 제1 질화물반도체층과, GaN인 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성되며, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층의 In함량보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 큰 In함량을 가질 수 있다.
본 실시형태에서도, 상기 제1 및 제2 질화물반도체층 중 적어도 하나의 층은 n형 불순물로 도핑될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층의 n형 불순물 농도는 점차적으로 변경될 수 있도록 구성할 수 있다. 즉, 상기 활성층에 가까울수록 낮아지거나 증가할 수 있다.
이 경우에, 상기 n형 질화물 반도체층도 도핑농도의 동일한 증가 또는 감소 경향을 가질 수 있다. 즉, 상기 n형 질화물 반도체층의 불순물농도는 인접한 제1 질화물 반도체층의 불순물농도보다 낮거나 높을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도2a는 본 발명의 일실시형태에 따른 질화물 반도체 소자의 단면도이며, 도2b는 도2a의 A부분을 확대하여 도시한 부분상세도이다.
우선, 도2a를 참조하면, 상기 질화물 반도체소자(20)는 버퍼층(22)이 형성된 기판(21) 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 질화물 반도체층(27)을 포함한다. 상기 기판(21)은 사파이어 및 SiC와 같은 이종기판 또는 GaN과 같은 동종기판일 수 있다. 상기 n형 질화물 반도체층(23)의 노출된 상면과 상기 p형 질화물 반도체층(27)에는 각각 n측 전극(29a)과 p측 전극(29b)이 제공된다.
본 발명에 따른 질화물 반도체소자(20)는 상기 n형 질화물 반도체층(23)과 활성층(25) 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층(24a)과 제2 질화물반도체층(24b)이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층(24)을 포함한다. 본 실시형태에서 채용된 전자방출층(23)은 각각 3개의 제1 및 제2 질화물 반도체층(24a,24b)이 교대로 형성된 다중층 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 전자방출층(24)의 각 층(24a,24b)은 터널링효과를 극대화하는 동시에, 압전필드효과를 완화하 기 위해 적절한 에너지밴드갭을 갖도록 구성된다.
보다 구체적으로, 도2b를 참조하여 설명하면, 상기 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")은 상기 활성층(25)의 양자우물층(25a)보다 크고 상기 양자장벽층(25b)보다 작은 에너지밴드갭을 갖는다. 상기 제2 질화물반도체층(24b)은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 양자장벽층(25b)과 거의 동일한 에너지밴드갭을 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")은 활성층(25)에 가까울수록 작은 밴드갭을 갖도록 배열되어, n형 질화물 반도체층(23)에서 활성층(25)까지의 격자상수 차이를 완화시킬 수 있다. 즉, 중간에 배치된 제1 질화물반도체층(24a')이 상기 n형 질화물 반도체층(23)에 위치한 제1 질화물 반도체층(24a)보다 작지만 상기 활성층(25)에 가장 가까운 제1 질화물 반도체층(24a")보다는 큰 에너지밴드갭을 갖는다.
따라서, 압전필드효과에 의한 영향을 저감시켜 전자와 정공의 파동함수거리의 증가를 억제하고 그에 따른 작동전류 증가에 따른 파장변화의 폭을 감소시킬 수 있다. 이에 부가하여, 본 발명의 전자방출층(24)은 복수의 터널링구조(본 실시형태에서는 3개의 터널링구조)를 채용하므로 상기 활성층(25)으로 주입되는 전자의 유효량을 크게 증가시켜 발광효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이러한 터널링효과를 위해서, 상기 제2 질화물반도체층(24b)은 상기 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")에 축적된 전자가 상기 활성층(25)을 향해 터널링이 가능한 정도의 두께(t2)를 갖는다. 바람직한 제2 질화물반도체층(24b)의 두께(t2)는 0.5∼10㎚범위이다. 또한, 상기 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")의 두께(t1)는 1∼100㎚범위를 갖는 것이 바람직하며, 압전필드를 보다 효과적으로 완화시키기 위해서, 상기 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")은 상기 활성층(25)에 가까울수록 큰 두께를 갖는 것이 보다 바람직하다. 즉, 중간에 배치된 제1 질화물반도체층(24a')은 상기 n형 질화물 반도체층(23)에 위치한 제1 질화물 반도체층(24a)보다 크지만 상기 활성층(25)에 가장 가까운 제1 질화물 반도체층(24a")보다는 작은 두께를 가질 수 있다.
본 발명에서 채용되는 제1 및 제2 질화물반도체층은 활성층과 같이 언도프된 층으로 구성될 수 있으나, 이와 달리 적어도 하나의 층 또는 모든 층이 n형 불순물로 도핑될 수 있다. 복수의 제1 및 제2 질화물반도체층이 도핑될 경우에, 상기 활성층에 가까울수록 높거나 낮은 불순물농도를 갖도록 형성할 수 있다. 또한, 상기 n형 질화물 반도체층을 인접한 제1 질화물 반도체층의 불순물농도보다 낮거나 높은 불순물농도를 갖도록 형성하여 도핑농도에 있어서 동일한 증가 또는 감소경향을 가질 수 있다.
본 발명의 구체적인 실시형태에서, 활성층은 InxGa1-xN(0< x <1)인 양자우물층과 GaN인 양자장벽층이 적어도 2회 반복하여 형성된 다중양자우물구조일 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 질화물반도체층은 서로 다른 In함량을 갖는 InyGa1-yN(0<y<1)일 수 있으며, 상기 제2 질화물반도체층은 GaN일 수 있다.
도3은 도2a 및 도2b와 유사한 구조를 가지며 InGaN/GaN의 다중양자우물구조를 갖는 질화물 반도체 소자에서 전자방출층과 활성층부분의 에너지밴드다이어그램을 나타낸다.
상기 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")은 서로 In함량이 다른 InyGa1-yN(0<y<1)으로 형성되지만, 상기 활성층(25)의 GaN의 양자우물층(25a)보다 크고 상기 양자장벽층(25b)보다 작은 에너지밴드갭을 갖지만, 상기 각 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")의 에너지밴드갭은 상기 활성층(25)에 가까울수록 작은 밴드갭을 갖도록 배열된다. 즉, 상기 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")은 Eg1"<Eg1 '<Eg1을 만족하는 배열을 갖는다. 이러한 배열은 상기 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")의 In 함량을 상기 양자우물층(25a)의 In함량보다 작으며 상기 활성층(25)에 가까울수록 커지도록 조절함으로써 용이하게 구현할 수 있다. 또한, 압전필드를 보다 효과적으로 완화시키기 위해서, 상기 제1 질화물 반도체층(24a,24a',24a")은 상기 활성층(25)에 가까울수록 큰 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 질화물반도체층(24b)은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(24a,24a',24a")의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭(Eg2)을 가지며, 도3에 도시된 바와 같이, 양자장벽층(25b)의 에너지밴드갭과 거의 동일할 수 있다. 즉, 상기 제2 질화물반도체층(24b)은 양자장벽층(25b)과 동일한 GaN층으로 형성될 수 있다.
(실시예)
본 발명에 따른 질화물 반도체 소자의 압전필드에 대한 개선효과를 확인하기 위해서, 본 발명에 따라 질화물 발광소자(LED)를 암모니아(NH3)분위기의 반응기내에서 트리메틸갈륨(TMGa)과 트리메틸인듐(TMIn)을 이용하여 MOCVD법으로 제조하였다.
우선, 사파이어기판에 GaN 저온핵성장층을 형성한 후에, Si를 이용하여 4×1018/㎤의 불순물농도를 갖는 n형 GaN층을 1.2㎛의 두께로 형성하였다.
이어, 본 발명에서 제시한 바와 같이, InyGa1-yN(0<y<1)을 만족하는 제1 질화물반도체층과 GaN인 제2 질화물 반도체층을 3회 교대로 반복하여 형성함으로써 전자방출층을 마련하였다. 이 때에, 제1 질화물반도체층의 각각 In의 몰비(y)는 활성층에서 먼 순서로 0.05, 0.1, 0.2가 되도록, 각 두께는 15㎚, 30㎚, 45㎚로 되도록 형성하였으며, 제2 질화물 반도체층은 1㎚의 두께로 동일하게 형성하였다.
다음으로, 상기 n형 GaN층 상에 활성층을 형성하였다. 상기 활성층은 서로 교대로 형성된 5쌍의 InGaN 양자우물층과 GaN 양자장벽층로 이루어진 다중양자우물구조로 형성하였다. 여기서, 각 양자우물층은 6㎚두께의 In0.39Ga0.61N로 형성하였으며, 각 양자장벽층은 10㎚두께의 GaN로 형성하였다.
상기 활성층 상에 약 5 ×1017/㎤의 불순물농도와 약 1.5㎛의 두께를 갖는 p형 GaN층을 형성하였으며, 적절하게 메사에칭한 후에 p측 및 n측 전극을 형성하였다.
(비교예1)
상기한 실시예와 동일한 조건으로 질화물 발광소자를 제조하되, 본 발명에서 채용한 전자방출층을 형성하지 않고, n형 GaN층 상에 직접 활성층을 형성하였다.
(비교예2)
상기한 실시예와 동일한 조건으로 질화물 발광소자를 제조하되, 본 발명에서 채용한 다중 전자방출층구조가 아닌 종래의 단일 전자방출층을 채용하였다. 종래의 전자방출층은 상기한 문헌에서 제시된 바와 같이 In0.1Ga0.9N층을 50㎚두께로 형성하고 그 위에 GaN층을 1㎚두께로 형성하였다.
상기한 실시예와 비교예1 및 2에서 얻어진 질화물 발광소자를 전류를 0에서 50㎃까지 단계적으로 높히면서 방출광의 파장변화를 확인하여 그 결과를 도4의 그래프로 도시하였다.
도4에 도시된 바와 같이, 10㎃에서 50㎃로 전류가 증가할 때에, 비교예1의 경우에는 방출광 파장이 477㎚에서 470㎚까지 약 7㎚정도 낮아지며, 비교예2의 경우에도 477㎚에서 473㎚까지 약 4㎚정도 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 이에 반해, 본 발명에 따른 실시예의 경우에는 동일한 전류증가범위에서 478㎚에서 477㎚정도로 약 1㎚정도에 불과한 파장변화만이 관찰되었다.
이러한 전류증가에 따른 파장변화정도는 압전필드에 의한 전자 및 전공의 파동함수의 거리차로 인해 발생된 것으로서 비교예1 및 비교예2에서는 파동함수의 거리차가 크게 존재하지만, 본 발명에서는 매우 크게 감소되어 압전필드에 의한 영향이 매우 미약한 것으로 이해될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 다중 전자방출층 구조는 압전필드에 의한 영향을 크게 완화시킬 수 있으며, 또한 다중 터널링구조를 통해 전자주입효율을 크게 개선할 수 있으므로, 전류증가에 따른 파장변화를 저감시키는 동시에 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
상기한 실시예에서는 질화물계 발광소자를 중심으로 예시하여 설명하였으나, 본 발명이 반도체 레이저소자와 같이 유사한 구조를 갖는 다른 질화물계 광소자에도 유익하게 채용될 수 있다는 것은 당업자에게 자명한 사실이다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 활성층과 n형 질화물 반도체층 사이에 다중구조의 전자방출층을 제공함으로써 터널링효과를 극대화하여 전류주입효율을 크게 개선할 뿐만 아니라, 압전필드에 의한 영향을 저감시킴으로써 발광효율을 크게 개선시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물 반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고,
    상기 제1 질화물 반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며,
    상기 제2 질화물 반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물 반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며,
    상기 제2 질화물 반도체층의 두께는 상기 제1 질화물반도체층에 축적된 전자가 상기 활성층을 향해 터널링이 가능하도록 각각 0.5∼10㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 질화물 반도체층은 상기 양자장벽층의 에너지밴드갭과 동일한 에너지밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전자방출층의 제1 질화물반도체층은 각각 1∼100㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 질화물반도체층의 두께는 상기 활성층에 가까울수록 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전자방출층의 제1 및 제2 질화물반도체층 중 적어도 하나의 층은 n형 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전자방출층의 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층의 n형 불순물 농도는 상기 활성층에 가까울수록 증가하거나 낮아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층의 불순물농도는 인접한 제1 질화물 반도체층의 불순물농도보다 낮거나 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 활성층은 InxGa1-xN(0< x <1)인 양자우물층과 GaN인 양자장벽층이 적어도 2회 반복하여 형성된 다중양자우물구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자방출층은 서로 다른 In함량을 갖는 InyGa1-yN(0<y<1)인 제1 질화물반도체층과, GaN인 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성되며,
    상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층의 In함량보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 큰 In함량을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 질화물반도체층 중 적어도 하나의 층은 n형 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 질화물 반도체층의 n형 불순물 농도는 상기 활성층에 가까울수록 증가하거나 낮아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층의 불순물농도는 인접한 제1 질화물 반도체층의 불순물농도보다 낮거나 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
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