KR101958418B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

발광 소자 패키지는 비아홀이 형성된 패키지 기판과, 비아홀을 관통하여 패키지 기판의 양측 표면까지 연장된 전극층과, 패키지 기판 위에 배치되고 전극층과 연결되어 있는 발광 소자와, 비아홀 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 부분과 발광 소자의 적어도 일부를 덮는 제2 부분을 포함하는 형광막을 포함한다.

Description

발광 소자 패키지 {Light emitting device package}
본 발명의 기술적 사상은 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 특히 비아홀 (via hole)이 형성된 패키지 기판을 포함하는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드 (light emitting diode: LED)는 화합물 반도체 (compound semiconductor)의 PN 접합을 통해 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광소자이다. LED의 사용 분야가 실내외 조명, 자동차 헤드라이트, 디스플레이 장치의 백라이트 유닛 (back-light unit: BLU), 의료 기기 등 다양한 분야에 걸쳐 확대됨에 따라 제조 단가 측면에서 유리하고 제품의 신뢰성 및 장기 안정성을 확보할 수 있는 LED 패키지를 개발할 필요가 있다.
최근, LED 패키지의 집적도를 높이고 폼 팩터 (form factor)를 감소시키기 위하여, 패키지 기판을 관통하는 비아홀을 통해 형성되는 수직 전극을 이용하여 LED 칩을 외부와 전기적으로 연결하기 위한 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 패키지 기판을 관통하는 비아홀이 LED 패키징시 사용되는 재료들의 원하지 않는 이동 경로로 되어 LED 패키지 또는 제조 설비의 오염의 원인으로 작용할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 패키지 기판을 관통하는 비아홀을 통한 오염원의 이동을 방지할 수 있는 구조를 가지는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 발광 소자 패키지는 비아홀이 형성된 패키지 기판과, 상기 비아홀을 관통하여 상기 패키지 기판의 양측 표면까지 연장된 전극층과, 상기 패키지 기판 위에 배치되고 상기 전극층과 연결되어 있는 발광 소자와, 상기 비아홀 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 부분과 상기 발광 소자의 적어도 일부를 덮는 제2 부분을 포함하는 형광막을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 발광 소자 패키지는 실장면과, 상기 실장면의 반대측 면인 배면과, 상기 실장면으로부터 상기 배면까지 연장되는 경사 측벽에 의해 각각 한정되는 제1 비아홀 및 제2 비아홀을 가지는 패키지 기판과, 상기 제1 비아홀을 관통하여 상기 실장면 및 상기 배면까지 연장된 제1 전극층과, 상기 제2 비아홀을 관통하여 상기 실장면 및 상기 배면까지 연장된 제2 전극층과, 상기 패키지 기판의 실장면 위에서 상기 제1 전극층 및 제2 전극층 중 적어도 하나의 전극층 위에 배치되어 있는 발광 소자와, 상기 제1 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 부분과, 상기 제2 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제2 부분과, 상기 발광 소자의 적어도 일부를 덮는 제3 부분을 포함하는 형광막을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 발광 소자 패키지는 패키지 기판을 관통하는 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 매립 부분을 가지는 형광막을 포함한다. 상기 형광막의 매립 부분에 의해 상기 비아홀 중 패키지 기판의 배면측 입구가 막혀 있다. 따라서, 패키지 기판의 실장면 위에 렌즈부를 형성하기 위하여 액상의 렌즈용 수지를 인가하여 몰딩할 때, 상기 렌즈용 액상 수지가 상기 비아홀 내부로 유입되더라도, 패키지 기판의 배면측에 인접한 비아홀의 입구가 상기 형광막의 매립 부분에 의해 막혀서 렌즈용 액상 수지가 패키지 기판의 배면측으로 새어 나갈 염려가 없다. 따라서, 패키지 기판의 배면측 하부와 렌즈 형성용 몰딩 설비가 렌즈용 수지로 오염되는 것을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부(要部) 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조광 시스템 (dimming system)을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광 처리 시스템의 블록 다이어그램이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역, 부위, 또는 구성 요소를 다른 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 요부(要部) 구성을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 기판(110)과, 상기 패키지 기판(110) 위에 형성된 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)과, 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124) 위에 배치되어 있는 발광 소자(130)를 포함한다.
상기 패키지 기판(110)은 실장면(110A)과, 상기 실장면(110A)의 반대측 면인 배면(110B)과, 상기 실장면(110A)으로부터 상기 배면(110B)까지 연장되는 복수의 경사 측벽 (sloped sidewall)(110S)을 포함한다. 상기 복수의 경사 측벽(110S)은 패키지 기판(110)을 관통하는 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 한정하며, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부 측벽을 구성한다. 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)은 발광 소자 모듈의 메인 PCB (main printed circuit board)상에 형성된 전극 (도시 생략)과 발광 소자(130)와의 수직 인터커넥션을 위한 경로로 이용될 수 있다.
상기 복수의 경사 측벽(110S)은 각각 실장면(110A)으로부터 배면(110B)을 향하여 수렴하는 형상을 갖도록 경사져 있다. 따라서, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)은 각각 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 측에 위치되는 입구보다 배면(110B)측에 위치되는 입구가 더 작다. 일부 실시예들에서, 상기 경사 측벽(110S)의 경사각(θ)은 약 45°∼ 85°일 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 패키지 기판(110)의 표면에는 절연 박막(150)이 형성되어 있다. 일부 실시예들에서 상기 절연 박막(150)은 생략될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 패키지 기판(110)은 실리콘, 세라믹, 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 패키지 기판(110)이 실리콘으로 이루어지는 경우, 상기 절연 박막(150)은 실리콘 산화막으로 이루어질 수 있다. 상기 패키지 기판(110)이 세라믹 또는 플라스틱으로 이루어지는 경우, 상기 절연 박막(150)은 생략 가능하다.
상기 제1 전극층(122)은 상기 패키지 기판(110)상에서 상기 제1 비아홀(112)을 관통하여 상기 실장면(110A) 및 상기 배면(110B)까지 연장되어 있다. 상기 제2 전극층(124)은 상기 패키지 기판(110)상에서 상기 제2 비아홀(114)을 관통하여 상기 실장면(110A) 및 상기 배면(110B)까지 연장되어 있다. 상기 패키지 기판(110)의 배면(110B)의 일부는 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)과는 분리되어 있는 도전층(126)으로 덮여 있다. 상기 도전층(126)은 발광 소자(130)로부터 발생되어 상기 패키지 기판(110)에 전달되는 열을 방출시키는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)은 각각 Cu, Au, Ag, Ni, W, Cr, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 발광 다이오드(light emitting diode: LED) 칩으로 이루어질 수 있다. 상기 LED 칩은 상기 LED 칩을 구성하는 화합물 반도체의 종류에 따라 청색, 녹색, 적색 등을 발광할 수 있다. 또는, 상기 LED 칩은 자외선을 발광할 수도 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(130)는 UV 광 다이오드 칩, 레이저 다이오드 칩, 또는 유기 발광 다이오드 칩으로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 상기 발광 소자(130)는 상기 예시된 것들에만 한정되는 것은 아니며, 다양한 광 소자로 구성될 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 서로 동일한 방향을 향하도록 형성된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 수평형 구조를 가질 수 있다. 상기 애노드 전극 및 캐소드 전극은 상기 패키지 기판(110)을 향하도록 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(130)를 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)에 각각 전기적으로 연결하기 위하여, 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 제1 전극층(122)과의 사이에는 제1 도전성 접합층(162)이 개재되어 있다. 그리고, 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 다른 하나의 전극과 상기 제2 전극층(124)과의 사이에는 제2 도전성 접합층(164)이 개재되어 있다.
상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 전기 전도성이 우수하며, 접합이 가능한 금속 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 각각 Au, Sn, Pb, Ag, In, Ge, Si, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 Au-Sn 합금, Pb-Ag-In 합금, Pb-Ag-Sn 합금, Pb-Sn 합금, Au-Ge 합금, Au-Si 합금, 또는 Au로 이루어질 수 있다. 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 유텍틱 다이 어태치 (Eutectic die attach) 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 1에는 상기 발광 소자(130)와 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)을 상호 전기적으로 연결하기 위하여 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)을 사용한 구조를 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 발광 소자(130)는 서로 반대 방향을 향하는 캐소드 전극 및 애노드 전극을 가지는 수직형 구조를 가질 수 있으며, 상기 발광 소자(130)의 2 개의 전극과 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)을 상호 전기적으로 연결하기 위하여, 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)과는 다른 구성의 도전성 접합층, 도전성 와이어, 솔더 범프, 또는 이들의 조합을 이용할 수도 있다.
상기 발광 소자(130)는 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에서 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)과 각각 오버랩되도록 상기 제1 전극층(122)의 상부로부터 제2 전극층(124)의 상부까지 연장되어 있다. 또한, 상기 발광 소자(130)는 상기 실장면(110A) 위에서 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)로부터 횡방향, 즉 패키지 기판(110)의 주면 연장 방향으로 소정 거리 이격된 위치에 배치되어 있다. 따라서, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)은 상기 발광 소자(130)와 오버랩되지 않는 위치에서 상기 발광 소자(130)의 양 측에 위치된다. 도시하지는 않았으나, 다른 일부 실시예들에서, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 중 어느 하나는 상기 발광 소자(130)와 오버랩되는 위치에 배치될 수도 있다.
상기 발광 소자(130)는 형광막(140)으로 덮여 있다. 상기 형광막(140)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)과, 상기 발광 소자(130)의 적어도 일부를 덮는 소자 커버 부분(146)을 포함한다. 상기 소자 커버 부분(146)은 상기 발광 소자(130)의 발광면을 덮을 수 있다. 도 1에 예시한 발광 소자 패키지(100)에서 형광막(140)의 소자 커버 부분(146)이 발광 소자(130)의 상면(130A) 및 측면(130B)을 덮는 것으로 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142), 제2 매립 부분(144), 및 소자 커버 부분(146)은 상호 일체로 연결되어 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142), 제2 매립 부분(144), 및 소자 커버 부분(146)이 서로 단속적(斷續的)으로 연결되는 형상을 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 발광 소자(130)의 측면(130B) 중 적어도 일부는 상기 형광막(140)에 의해 덮이지 않을 수도 있다.
일부 실시예들에서, 상기 형광막(140)은 형광체 및 고분자 수지로 이루어진다. 상기 형광막(140) 내에서 상기 고분자 수지의 함량이 상기 형광체의 함량보다 더 높을 수 있다. 예를 들면, 상기 형광막(140)은 약 30 ∼ 45 부피%의 형광체와 약 55 ∼ 70 부피%의 고분자 수지를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 일부 실시예들에서, 상기 형광막(140)은 형광체, 필러 입자들, 및 고분자 수지로 이루어진다. 상기 형광막(140) 내에서 상기 고분자 수지의 함량이 상기 형광체의 함량보다 더 높을 수 있다. 그리고, 상기 필러 입자들의 함량은 상기 형광체의 함량보다 더 낮을 수 있다. 예를 들면, 상기 형광막(140)은 약 30 ∼ 45 부피%의 형광체, 약 2 ∼ 20 부피%의 필러 입자들, 및 약 40 ∼ 55 부피%의 고분자 수지를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 상기 형광체, 필러 입자들, 및 고분자 수지의 함량은 위에서 예시한 범위에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형이 가능하다.
상기 형광막(140)에 포함되는 형광체는 황색 (yellow), 적색 (red) 및 녹색 (green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 물질을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 상기 발광 소자(130)로부터 발광된 빛을 변환시켜 백색광을 구현할 수 있는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 형광체의 종류는 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛의 파장에 의해 결정될 수 있다.
상기 형광체는 YAG (yttrium aluminum garnet) 계열, TAG (terbium aluminum garnet) 계열, 실리케이트 계열, 설파이드 (sulfide) 계열, 나이트라이드 계열, 또는 양자점 형광 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 형광체는 Y3Al5O12:Ce3 + (YAG:Ce), Eu2 + 이온을 활성제로 넣은 M2Si5N8:Eu2 +, MS (M은 알칼리토금속), CaAlSiN3:Eu3 +, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, 또는 CaSc2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Ce 로 이루어질 수 있다. 상기 양자점 형광 물질은 CdSe, CdTe, ZnSe, CdSe, InGaP, 또는 InP 입자 등으로 이루어질 수 있다. 상기 형광체는 약 5 ∼ 90 ㎛의 입자 크기를 가질 수 있다.
상기 형광막(140)에 필러 입자들이 포함되는 경우, 상기 필러 입자들은 약 5 ∼ 90 ㎛의 입자 크기를 가질 수 있다. 상기 형광막(140)에 상기 필러 입자들이 포함됨으로써, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구가 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)에 의해 쉽게 막힐 수 있다. 상기 필러 입자들은 TiO2, SiO2, Al2O3, AlN, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 형광막(140)에 포함되는 고분자 수지는 투명 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 형광막(140)에 포함되는 고분자 수지는 에폭시 수지, 실리콘 수지, PMMA (polymethyl methacrylate), 폴리스티렌 (polystyrene), 폴리우레탄 (polyurethane), 또는 벤조구아나민 수지 (benzoguanamine resin)로 이루어질 수 있다.
상기 형광막(140)은 수지, 형광체, 필러 입자들, 및 용제를 포함하는 형광체 혼합물, 또는 수지, 형광체, 필러 입자들, 및 용제를 포함하는 형광체 혼합물을 분사하는 스프레이 코팅 공정 및 경화 공정을 거쳐 형성될 수 있다. 상기 형광막(140)을 형성하기 위한 스프레이 코팅 공정시, 상기 형광체 혼합물이 제1 비아홀(112)의 내부, 제2 비아홀(114)의 내부, 및 실장면(110A) 위로 분사된다. 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에서는 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124) 위에 상기 형광체 혼합물이 코팅된다. 이 때, 상기 형광체 혼합물에 포함된 형광체 입자들은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에서 배면(110B) 측 입구 근방에 축적되어 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구가 쉽게 막힐 수 있도록 한다. 상기 형광체 혼합물에 필러 입자들이 포함된 경우, 상기 필러 입자들은 형광체 입자들과 함께 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에서 배면(110B) 측 입구 근방에 축적되어 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구가 보다 쉽게 막히도록 할 수 있다.
상기 제1 비아홀(112)의 내부에서는 상기 패키지 기판(110)의 경사 측벽(110S) 위에 절연 박막(150), 제1 전극층(122), 및 형광막(140)의 제1 매립 부분(142)이 차례로 채워져 있다. 상기 제2 비아홀(114)의 내부에서는 상기 패키지 기판(110)의 경사 측벽(110S) 위에 절연 박막(150), 제2 전극층(124), 및 형광막(140)의 제2 매립 부분(144)이 차례로 채워져 있다.
상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)은 각각 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부 중 상기 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측 입구에 인접한 부분에서 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)에 의해 각각 한정되는 배면(110B) 측 입구(E1, E2)를 막는다. 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부 중 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 측 입구에 인접한 부분에서 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)에 의해 각각 한정되는 실장면(110A) 측 입구(E3, E4)를 일부만 채울 수 있다. 그 결과, 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)은 각각 리세스(recess)된 상면을 가질 수 있다. 도시하지는 않았으나, 일부 실시예들에서, 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부 중 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 측 입구(E3, E4)를 완전히 채울 수도 있다.
상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)에 의해 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구(E1, E2)가 막히게 되므로, 도 5g 및 도 5h를 참조하여 후술하는 바와 같은 렌즈부(170) 형성 공정시 렌즈 형성용 액상 수지가 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 통해 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측으로 새어 나갈 염려가 없다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면, 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)은 상기 형광막(140)의 소자 커버 부분(146) 형성과 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)을 형성하기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않으며, 단순화된 공정에 의해 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 효과적으로 막을 수 있다.
상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에는 렌즈부(170)가 형성되어 있다. 상기 렌즈부(170)는 발광 소자(130), 제1 비아홀(112), 제2 비아홀(114), 및 형광막(140)을 덮는다. 상기 렌즈부(170)는 상기 제1 비아홀(112) 내부로 돌출된 제1 국부 돌출부(172)와, 상기 제2 비아홀(114) 내부로 돌출된 제2 국부 돌출부(174)와, 상기 발광 소자(130)로부터의 빛의 배광 (luminous intensity distribution)을 제어하기 위한 볼록 렌즈부(176)를 포함한다. 상기 제1 국부 돌출부(172)는 상기 제1 비아홀(112) 내에서 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142)을 덮는다. 상기 제2 국부 돌출부(174)는 상기 제2 비아홀(114) 내에서 상기 형광막(140)의 제2 매립 부분(144)을 덮는다. 상기 렌즈부(170)의 볼록 렌즈부(176)는 그 상부가 돔 (dome) 형태를 가지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 렌즈부(170)는 빛의 경로에 따라 오목형, 요철형 등 다양한 윤곽을 가질 수 있다.
상기 렌즈부(170)는 광 투과성 물질로 이루어진다. 일부 실시예들에서, 상기 렌즈부(170)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 (oxetane) 수지, 아크릴 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 유리, 실리카겔, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 렌즈부(170)는 압축 성형 (compression molding), 사출 성형 (injection molding), 또는 이송 성형 (transfer molding)의 공정을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 렌즈부(170)는 스프레이 건 (spray gun)을 통해 액상의 렌즈용 수지를 발광 소자(130) 위에 인가하는 방식으로 형성될 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 발광 소자(130) 위에 몰드 렌즈(도시 생략)를 형성하고, 상기 몰드 렌즈에 의해 한정되는 공간 내에 액상의 렌즈용 수지를 주입하는 방법으로 상기 렌즈부(170)를 형성할 수도 있다.
상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부가 상기 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(114)으로 막혀 있지 않은 경우, 상기 렌즈부(170)를 형성하기 위해 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에 액상의 렌즈용 수지를 인가하여 몰딩할 때, 렌즈용 수지가 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 통해 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측으로 새어 나갈 수 있다. 그 결과, 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측 하부와, 렌즈 형성용 몰딩 설비가 오염될 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의한 발광 소자 패키지(100)는 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부가 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)에 의해 막혀 있으므로, 패키지 기판(110)의 실장면(110A)상에 액상의 렌즈용 수지를 인가하여 몰딩할 때, 렌즈용 수지가 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부로 유입되는 경우에도 형광막(140)의 제1 매립 부분(142) 및 제2 매립 부분(144)에 의해 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측으로의 유동 경로가 막혀서 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측으로 새어 나갈 염려가 없다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 도 2에 있어서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 도 1에 예시한 발광 소자 패키지(100)와 대체로 동일한 구성을 갖는다. 단, 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(130)와 형광막(240)과의 사이에서 상기 발광 소자(130)의 측면(130B)을 덮는 반사막(280)을 더 포함한다.
상기 형광막(240)에 대한 보다 상세한 사항은 도 1을 참조하여 형광막(140)에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다. 단, 상기 형광막(240)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 매립 부분(242) 및 제2 매립 부분(244)과, 상기 발광 소자(130)의 적어도 일부를 덮는 소자 커버 부분(246)과, 상기 반사막(280)을 덮는 반사막 커버 부분(248)을 포함한다. 상기 형광막(240)의 제1 매립 부분(242), 제2 매립 부분(244), 소자 커버 부분(246), 및 반사막 커버 부분(248)는 상호 일체로 연결되어 있다. 일부 실시예들에서, 상기 형광막(240)은 단속적으로 연결되는 형상을 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 반사막(280)을 덮는 반사막 커버 부분(248)은 상기 형광막(240)의 다른 부분들보다 더 작은 두께를 가질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 형광막(240) 중 상기 반사막(280)을 덮는 부분에는 상기 반사막(280)을 노출시키는 개구가 형성되어 있을 수도 있다.
상기 반사막(280)은 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에서 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)의 일부와, 발광 소자(130)의 측면(130B)을 덮도록 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사막(280)은 저 굴절률 수지와, 상기 저 굴절률 수지 내에 분산된 광 반사 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(130)로부터 반사막(280)을 향하는 빛은 상기 반사막(280) 내의 광 반사 필러에 의해 반사될 수 있다. 상기 저 굴절률 수지는 에폭시 수지로 이루어질 수 있다. 상기 광 반사 필러는 TiO2 또는 SiO2 와 같은 광 반사성 산화물로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 반사막(280)은 저 굴절률 수지로만 이루어질 수 있다. 이 경우, 빛의 입사각에 따라 발광 소자(130)로부터의 빛이 상기 저 굴절률 수지 내부로 진행하거나 발광 소자(130) 방향으로 반사될 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 도 3에 있어서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 도 1에 예시한 발광 소자 패키지(100)와 대체로 동일한 구성을 갖는다. 단, 발광 소자 패키지(100)의 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164) 대신, 상기 발광 소자(130)와 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)을 각각 전기적으로 연결하기 위한 제1 도전성 와이어(362) 및 제2 도전성 와이어(364)를 포함한다. 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 제1 전극층(122)은 상기 제1 도전성 와이어(362)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 다른 하나의 전극과 상기 제2 전극층(124)은 상기 제2 도전성 와이어(364)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전성 와이어(362) 및 제2 도전성 와이어(364)는 각각 Au, Al, Cu, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에 다이 어태치 (die attach) 방식으로 실장되어 있다. 상기 발광 소자(130)는 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124) 중 적어도 하나의 전극층 위에 실장될 수 있다. 도 3에는 상기 발광 소자(130)가 제1 전극층(122) 위에 실장되어 있는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 발광 소자(130)가 제2 전극층(124) 위에 실장될 수도 있고, 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124) 위에서 이들과 오버랩되는 형태로 연장되도록 실장될 수도 있다.
상기 발광 소자(130)는 상기 패키지 기판(110)상에 접착층(390)에 의해 고정될 수 있다. 상기 접착층(390)은 폴리머계 다이 접착제로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 접착층(390)은 폴리이미드 또는 에폭시 수지로 이루어질 수 있다.
상기 제1 도전성 와이어(362) 및 제2 도전성 와이어(364) 각각의 적어도 일부는 형광막(340)에 의해 덮여 있다. 상기 형광막(340)에 대한 보다 상세한 사항은 도 1을 참조하여 형광막(140)에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다. 단, 상기 형광막(340)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부 공간의 적어도 일부를 각각 채우는 제1 매립 부분(342) 및 제2 매립 부분(344)과, 상기 발광 소자(130)의 적어도 일부를 덮는 소자 커버 부분(346)과, 상기 제1 도전성 와이어(362) 및 제2 도전성 와이어(364)의 적어도 일부를 덮는 와이어 커버 부분(348)을 포함한다. 상기 형광막(340)의 제1 매립 부분(342), 제2 매립 부분(344), 소자 커버 부분(346), 및 와이어 커버 부분(348)은 상호 일체로 연결되어 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 도 4에 있어서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 도 1에 예시한 발광 소자 패키지(100)와 대체로 동일한 구성을 갖는다. 단, 상기 발광 소자(130)의 2 개의 전극과 상기 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124)을 각각 전기적으로 연결하기 위하여 도전성 접합층(462) 및 도전성 와이어(464)를 포함한다. 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 제1 전극층(122)은 상기 도전성 접합층(462)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 도전성 접합층(462)은 생략될 수 있으며, 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 제1 전극층(122)이 직접 접촉될 수 있다. 상기 발광 소자(130)의 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 다른 하나의 전극과 상기 제2 전극층(124)은 상기 도전성 와이어(464)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 도전성 접합층(462)은 Au, Sn, Pb, Ag, In, Ge, Si, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 도전성 접합층(462)은 Au-Sn 합금, Pb-Ag-In 합금, Pb-Ag-Sn 합금, Pb-Sn 합금, Au-Ge 합금, Au-Si 합금, 또는 Au로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 와이어(464)는 Au, Al, Cu, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 도전성 와이어(464)의 적어도 일부는 형광막(440)에 의해 덮여 있다. 상기 형광막(440)에 대한 보다 상세한 사항은 도 1을 참조하여 형광막(140)에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다. 단, 상기 형광막(440)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 매립 부분(442) 및 제2 매립 부분(444)과, 상기 발광 소자(130)의 적어도 일부를 덮는 소자 커버 부분(446)과, 상기 도전성 와이어(464)의 적어도 일부를 덮는 와이어 커버 부분(448)을 포함한다. 상기 형광막(440)의 제1 매립 부분(442), 제2 매립 부분(444), 소자 커버 부분(446), 및 와이어 커버 부분(448)은 상호 일체로 연결되어 있다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 도 5a 내지 도 5i에서는 도 2에 예시한 발광 소자 패키지(200)의 제조 공정을 예로 들어 설명한다. 도 5a 내지 도 5i에 있어서, 도 1 및 도 2에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 5a를 참조하면, 패키지 기판(110)을 준비한 후, 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A)으로부터 배면(110B)까지 관통하는 복수의 비아홀(112, 114)을 형성한다.
상기 복수의 비아홀(112, 114)은 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 포함한다. 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)은 경사 측벽(110S)에 의해 그 내부 공간이 한정된다.
상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)을 형성하기 위하여, 상기 패키지 기판(110)의 주면 (main surface) 연장 방향에 수직인 방향으로 상기 패키지 기판(110)의 일 영역을 레이저 드릴링, 건식 식각, 또는 습식 식각할 수 있다. 상기 패키지 기판(110)을 식각하는 동안 식각 속도 및 식각 방향을 조절하여 상기 경사 측벽(110S)이 패키지 기판(110)의 실장면(110A)으로부터 배면(110B)을 향하여 수렴하는 형상을 갖도록 할 수 있다. 상기 경사 측벽(110S)의 경사각(θ)은 약 45°∼ 85°일 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 패키지 기판(110)의 노출 표면에 절연 박막(150)을 형성한다. 상기 패키지 기판(110)의 실장면(110A), 배면(110B), 및 경사 측벽(110S)이 각각 상기 절연 박막(150)으로 덮일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 절연 박막(150)을 형성하기 위하여, 열 산화 (thermal oxidation) 공정, LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) 공정, 또는 PECVD (plasma enhanced CVD) 공정을 이용할 수 있다. 상기 절연 박막(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 다이아몬드형 탄소 (diamond-like carbon: DLC), 극나노결정성 다이아몬드 (ultra-nanocrystalline diamond: UNCD), 또는 질화알루미늄으로 이루어질 수 있다. 예들 들면, 상기 패키지 기판(110)이 실리콘으로 이루어지는 경우, 상기 절연 박막(150)을 형성하기 위하여, 상기 패키지 기판(110)의 노출 표면을 열 산화 공정에 의해 산화시켜, 실리콘 산화막으로 이루어지는 절연 박막(150)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 절연 박막(150) 형성 공정은 생략될 수 있다. 예를 들면, 상기 패키지 기판(110)이 세라믹 또는 플라스틱으로 이루어지는 경우, 상기 절연 박막(150)은 생략 가능하다.
도 5c를 참조하면, 상기 패키지 기판(110) 위에 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)을 형성한다.
상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)은 각각 전기 도금 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 스퍼터링 공정을 이용할 수 있다. 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)은 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)을 형성하기 위하여, 먼저 상기 패키지 기판(110)상의 일부 영역들을 덮는 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 패키지 기판(110)상에서 상기 마스크 패턴으로 덮여 있지 않은 영역들 위에 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126) 형성을 위한 도전 물질들을 퇴적하고, 상기 마스크 패턴을 제거하여 상기 제1 전극층(122), 제2 전극층(124), 및 도전층(126)이 남도록 할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 유텍틱 다이 어태치 공정을 이용하여 발광 소자(130)를 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)을 통해 패키지 기판(110)의 실장면(110A) 위에 플립 칩 실장한다.
도 5e를 참조하면, 패키지 기판(110)상에서 발광 소자(130)의 측면(130B)을 덮는 반사층(280)을 형성한다.
도 5f를 참조하면, 스프레이 코팅 공정을 이용하여 상기 패키지 기판(110) 및 상기 발광 소자(130) 위에 형광막(240)을 형성한다.
상기 형광막(240)은 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 매립 부분(242) 및 제2 매립 부분(244)과, 상기 발광 소자(130)의 적어도 일부를 덮는 소자 커버 부분(246)과, 상기 반사막(280)을 덮는 반사막 커버 부분(248)을 포함한다. 도 5f에는 상기 형광막(240)의 제1 매립 부분(242), 제2 매립 부분(244), 소자 커버 부분(246), 및 반사막 커버 부분(248)는 상호 일체로 연결되어 있는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 형광막(240)은 상기 제1 매립 부분(242), 제2 매립 부분(244), 및 소자 커버 부분(246)을 포함하되, 이들이 서로 단속적으로 연결되는 형상을 가질 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 형광막(240)의 반사막 커버 부분(248)은 형성되지 않을 수도 있다. 상기 반사막(280)의 적어도 일부가 상기 형광막(240)으로 덮이지 않을 수도 있다.
상기 형광막(240)을 형성하기 위하여, 상기 패키지 기판(110) 및 상기 발광 소자(130) 위에 형광체 혼합물을 분사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 형광체 혼합물은 수지, 형광체, 및 용제를 포함할 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 형광체 혼합물은 수지, 형광체, 필러 입자들, 및 용제를 포함할 수 있다.
상기 형광막(240)을 스프레이 코팅 공정을 이용하여 형성하는 동안, 상기 형광체 혼합물이 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 각각의 내부 및 실장면(110A) 위로 분사될 수 있다. 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에서는 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(124) 위에 상기 형광체 혼합물이 코팅되면서, 상기 형광체 혼합물을 구성하는 형광체 입자들 및/또는 필러 입자들이 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에서 비교적 작은 입구를 가지는 배면(110B) 측 입구 근방에 축적되고, 그 결과 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구가 상기 형광체 혼합물에 의해 막힐 수 있다. 이 때, 상기 형광체 입자들 및/또는 필러 입자들은 고분자 수지에 비해 큰 입자 크기를 가지므로 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B) 측 입구 근방에서 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114) 내부에 쌓여서 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)이 쉽게 막힐 수 있다. 상기 형광체 입자들 및/또는 필러 입자들 사이의 공극은 상기 고분자 수지로 채워질 수 있다.
상기 형광막(240) 및 형광체 혼합물에 대한 보다 상세한 구성은 도 1을 참조하여 형광막(140)에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다.
도 5g를 참조하면, 상기 형광막(240)이 형성된 패키지 기판(110) 위에 렌즈 형성용 액상 수지(170A)를 인가한다.
일부 실시예들에서, 상기 렌즈 형성용 액상 수지(170A)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 (oxetane) 수지, 아크릴 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
도 5h를 참조하면, 패키지 기판(110)상에서 몰드(mold)(510)를 이용하여 상기 액상 수지(170A) (도 5g 참조)를 몰딩하고 경화하여, 상기 패키지 기판(110)상에 렌즈부(170)를 형성한다.
상기 액상 수지(170A)의 몰딩을 위하여 상기 몰드(510)로 상기 액상 수지(170A)를 가압하는 동안, 상기 액상 수지(170A)는 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부로 유입될 수 있다. 이 때, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 배면(110B)측 입구가 상기 형광막(240)에 의해 막혀 있으므로, 상기 제1 비아홀(112) 및 제2 비아홀(114)의 내부로 유입되는 경우에도 액상 수지(170A)가 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측으로 새어 나갈 염려가 없다. 따라서, 패키지 기판(110)의 배면(110B) 측 하부와, 렌즈 형성용 몰딩 설비가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 5i를 참조하면, 상기 몰딩(510)을 제거한 후, 렌즈부(170)가 형성된 결과물을 절단선(X)을 따라 절단하여 상기 패키지 기판(110)을 복수의 칩으로 분리한다. 상기 복수의 칩은 각각 도 2에 예시한 바와 같은 발광 소자 패키지(200)를 구성할 수 있다.
도 5a 내지 도 5i를 참조하여 설명한 발광 소자 패키지(200)의 제조 방법에서는 렌즈부(170)를 형성하기 위하여 압축 성형 공정을 이용하는 경우를 예시하였다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 렌즈부(170)를 형성하기 위하여 사출 성형, 이송 성형 등 다양한 성형 공정을 이용할 수 있다.
도 5a 내지 도 5i를 참조하여 도 2에 예시한 발광 소자 패키지(200)의 제조 방법에 대하여 상술하였으나, 당업자라면 도 5a 내지 도 5i를 참조하여 상술한 본 발명의 기술적 사상으로부터 도 1, 도 3 및 도 4에 예시한 발광 소자 패키지(100, 300, 400)도 용이하게 형성할 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 발광 소자 패키지는 패키지 기판을 관통하는 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 매립 부분을 가지는 형광막을 포함한다. 상기 형광막의 매립 부분에 의해 상기 비아홀 중 패키지 기판의 배면측 입구가 막혀 있다. 따라서, 패키지 기판의 실장면 위에 렌즈부를 형성하기 위하여 액상의 렌즈용 수지를 인가하여 몰딩할 때, 상기 렌즈용 액상 수지가 상기 비아홀 내부로 유입되더라도, 패키지 기판의 배면측에 인접한 비아홀의 입구가 상기 형광막의 매립 부분에 의해 막혀서 렌즈용 액상 수지가 패키지 기판의 배면측으로 새어 나갈 염려가 없다. 특히, 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 상기 형광막의 매립 부분은 상기 형광막을 덮는 소자 커버 부분을 형성하는 동안 상기 소자 커버 부분과 동시에 형성될 수 있으므로 상기 형광막의 매립 부분을 형성하기 위하여 별도의 공정을 행할 필요가 없다. 따라서, 단순화된 공정에 의해 패키지 기판을 관통하는 비아홀을 효과적으로 막을 수 있으며, 렌즈부를 형성할 때 렌즈용 수지가 패키지 기판을 관통하는 비아홀을 통해 패키지 기판의 배면측으로 새어 나가는 것을 막을 수 있고, 패키지 기판의 배면측 하부와 렌즈 형성용 몰딩 설비가 렌즈용 수지로 오염되는 것을 막을 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조광 시스템 (dimming system) (600)을 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 조광 시스템(600)은 구조물(610)상에 배치된 발광 모듈(620) 및 전원 공급부(630)를 포함한다.
상기 발광 모듈(620)은 복수의 발광 소자 패키지(624)를 포함한다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(624)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 소자 패키지(100, 200, 300, 400) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 전원 공급부(630)는 전원을 입력받는 인터페이스(632)와, 발광 모듈(620)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(634)를 포함한다. 상기 인터페이스(632)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파 장애 신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다. 상기 전원 제어부(634)는 전원으로서 교류 전원이 입력되는 경우 교류를 직류로 변환하는 정류부 및 평활화부와, 상기 발광 모듈(620)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 포함할 수 있다. 상기 전원 공급부(630)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(624) 각각에서의 발광량과 미리 설정된 광량과의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와, 원하는 휘도, 연색성 등과 같은 정보를 저장하기 위한 메모리 장치를 포함할 수 있다.
상기 조광 시스템(600)은 화상 패널을 구비하는 액정 표시 장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛, 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 가로등, 또는 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있다. 또는, 상기 조광 장치(600)는 다양한 교통 수단용 조명 장치, 예를 들면 자동차, 선박, 또는 항공기용 조명 장치, TV, 냉장고 등과 같은 가전 제품, 또는 의료기기 등에 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광 처리 시스템(700)의 블록 다이어그램이다.
도 7을 참조하면, 광 처리 시스템(700)은 카메라 시스템(710)과, 광원 시스템(720)과, 데이터 처리 및 분석 시스템(730)을 포함한다.
상기 카메라 시스템(710)은 광 처리 대상물에 직접 접촉하거나 광 처리 대상물로부터 소정 거리 이격된 상태에서 상기 광처리 대상물을 향하도록 배치하여 사용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광처리 대상물은 피부 또는 치료 부위와 같은 생체 조직일 수 있다. 상기 카메라 시스템(710)은 광가이드(712)를 통해 광원 시스템(720)에 연결되어 있다. 상기 광 가이드(712)는 광 전송이 가능한 광 섬유(optical fiber) 광 가이드, 또는 액상 광 가이드 (liquid light guide)를 포함할 수 있다.
상기 광원 시스템(720)은 상기 광 가이드(712)를 통해 광 처리 대상물에 조사되는 빛을 제공한다. 상기 광원 시스템(720)은 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 소자 패키지(100, 200, 300, 400) 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시예들에서, 상기 광원 시스템(720)에서 자외선을 발생 및 발진시켜 피부 또는 질환 부위와 같은 생체 조직에 조사할 수 있다.
상기 카메라 시스템(710)은 케이블(714)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(730)에 연결되어 있다. 상기 카메라 시스템(710)으로부터 출력되는 영상 신호가 케이블(714)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(730)으로 전송될 수 있다. 상기 데이터 처리 및 분석 시스템(730)은 제어기(732) 및 모니터(734)를 포함한다. 상기 데이터 처리 및 분석 시스템(730)에서는 카메라 시스템(710)으로부터 전송된 영상 신호를 처리, 분석, 및 저장할 수 있다.
도 7에 예시한 광 처리 시스템(700)은 피부 진단, 의료용 치료 기기, 소독 장치, 살균 장치, 세정 장치, 수술 용품, 미용 의료기기, 조명 장치, 정보 감지 장치 등과 같은 다양한 응용 분야에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100, 200, 300, 400: 발광 소자 패키지, 110: 패키지 기판, 112: 제1 비아홀, 114: 제2 비아홀, 122: 제1 전극층, 124: 제2 전극층, 130: 발광 소자, 140: 형광막, 142: 제1 매립 부분, 144: 제2 매립 부분, 146: 소자 커버 부분, 162: 제1 도전성 접합층, 164: 제2 도전성 접합층, 170: 렌즈부, 172: 제1 국부 돌출부, 174: 제2 국부 돌출부, 176: 볼록 렌즈부.

Claims (10)

  1. 비아홀이 형성된 패키지 기판과,
    상기 비아홀을 관통하여 상기 패키지 기판의 양측 표면까지 연장된 전극층과,
    상기 패키지 기판 위에 배치되고 상기 전극층과 연결되어 있는 발광 소자와,
    상기 비아홀 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 부분과, 상기 발광 소자의 적어도 일부를 덮는 제2 부분을 포함하는 형광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형광막은 상기 제1 부분으로부터 상기 제2 부분까지 일체로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자 및 상기 비아홀을 덮는 렌즈부를 더 포함하고,
    상기 렌즈부는 상기 비아홀 내부로 돌출되어 상기 형광막의 제1 부분을 덮는 국부 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형광막은 제1 부피%의 형광체, 상기 제1 부피%보다 더 높은 제2 부피%의 고분자 수지, 및 상기 제1 부피%보다 더 낮은 제3 부피%의 필러 입자들 (filler particles)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 상기 발광 소자가 배치되는 실장면과, 상기 실장면의 반대측인 배면을 가지고,
    상기 비아홀은 상기 실장면측 입구보다 상기 배면측 입구가 더 작은 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 상기 비아홀을 한정하는 경사 측벽 (sloped sidewall)을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 상기 발광 소자가 배치되는 실장면과, 상기 실장면의 반대측인 배면을 가지고,
    상기 경사 측벽은 상기 실장면으로부터 상기 배면을 향하여 수렴하는 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 비아홀과 오버랩되지 않는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자와 상기 형광막과의 사이에서 상기 발광 소자의 측벽을 덮는 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  10. 실장면과, 상기 실장면의 반대측 면인 배면과, 상기 실장면으로부터 상기 배면까지 연장되는 경사 측벽에 의해 각각 한정되는 제1 비아홀 및 제2 비아홀을 가지는 패키지 기판과,
    상기 제1 비아홀을 관통하여 상기 실장면 및 상기 배면까지 연장된 제1 전극층과,
    상기 제2 비아홀을 관통하여 상기 실장면 및 상기 배면까지 연장된 제2 전극층과,
    상기 패키지 기판의 실장면 위에서 상기 제1 전극층 및 제2 전극층 중 적어도 하나의 전극층 위에 배치되어 있는 발광 소자와,
    상기 제1 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제1 부분과, 상기 제2 비아홀의 내부 공간의 적어도 일부를 채우는 제2 부분과, 상기 발광 소자의 적어도 일부를 덮는 제3 부분을 포함하는 형광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3011383B1 (fr) * 2013-09-30 2017-05-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de dispositifs optoelectroniques a diodes electroluminescentes
CN113658943A (zh) * 2013-12-13 2021-11-16 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6492492B2 (ja) * 2014-09-29 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2016100553A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 ローム株式会社 電子装置
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
DE102015108345A1 (de) * 2015-05-27 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9922963B2 (en) 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
KR102486032B1 (ko) * 2015-11-04 2023-01-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102558280B1 (ko) * 2016-02-05 2023-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광원 유닛 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2017142349A1 (ko) 2016-02-17 2017-08-24 엘지이노텍 주식회사 광학 렌즈, 및 이를 구비한 라이트 유닛 및 조명 장치
TWI686966B (zh) * 2016-06-06 2020-03-01 行政院原子能委員會核能研究所 紫外線發光二極體元件之封裝結構
US10069041B2 (en) * 2016-08-05 2018-09-04 Innolux Corporation Display apparatus and manufacturing method thereof
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2018186110A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 豊田合成株式会社 発光装置
CN110024139B (zh) * 2017-07-06 2022-03-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子部件的方法及光电子部件
KR102439084B1 (ko) * 2017-08-29 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
JP7053252B2 (ja) * 2017-12-26 2022-04-12 日機装株式会社 半導体発光装置
WO2019213661A1 (en) 2018-05-04 2019-11-07 Red E Innovations, Llc System for monitoring an injection mold or stamping die
US10966881B1 (en) 2018-09-21 2021-04-06 Gary F Hirsch Absorbent garment insert
WO2020102948A1 (zh) * 2018-11-19 2020-05-28 泉州三安半导体科技有限公司 一种紫外光源封装元件
JP7211784B2 (ja) * 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7211783B2 (ja) * 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
CN112397487B (zh) * 2019-08-12 2024-04-09 湖北三安光电有限公司 发光器件及制作方法和含该发光器件的显示屏和照明器材
CN111326648A (zh) * 2020-03-11 2020-06-23 中山大学 一种白光led用荧光聚酰亚胺封装体及其封装方法
JP7021447B2 (ja) * 2020-10-05 2022-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023162505A1 (ja) * 2022-02-25 2023-08-31 ソニーグループ株式会社 半導体装置、光学装置、光学モジュール、電子機器、及び半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032705A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US20100248400A1 (en) 2009-03-30 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating a light-emitting device
JP2010226110A (ja) 2009-03-20 2010-10-07 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100676039B1 (ko) 2005-04-22 2007-01-30 스텝시스템주식회사 관통전극을 통해 웨이퍼 하면에 외부접속단자를 형성시킨웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지 제조방법
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US8575641B2 (en) * 2011-08-11 2013-11-05 Goldeneye, Inc Solid state light sources based on thermally conductive luminescent elements containing interconnects
KR101438826B1 (ko) * 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
TW201003979A (en) 2008-07-11 2010-01-16 Harvatek Corp Light emitting diode chip packaging structure using sedimentation and manufacturing method thereof
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8441020B2 (en) 2010-03-10 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Light emitting diode wafer-level package with self-aligning features
US8507940B2 (en) 2010-04-05 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation by through silicon plugs
TWI515930B (zh) 2010-05-31 2016-01-01 精材科技股份有限公司 發光二極體次基板、發光二極體封裝及其製造方法
US8319336B2 (en) 2010-07-08 2012-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of etch microloading for through silicon vias
CN101997074A (zh) 2010-07-30 2011-03-30 晶科电子（广州）有限公司 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构及其封装方法
TW201212303A (en) 2010-09-03 2012-03-16 Delta Electronics Inc LED packaging structure and packaging method thereof
CN102420282B (zh) * 2010-09-27 2014-07-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR20120032899A (ko) 2010-09-29 2012-04-06 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101144351B1 (ko) 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8415684B2 (en) 2010-11-12 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED device with improved thermal performance
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101140607B1 (ko) 2010-12-09 2012-05-02 한국광기술원 칩 레벨의 형광체 코팅 방법
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
KR101797968B1 (ko) * 2011-07-29 2017-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN103311380A (zh) * 2012-03-08 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装制程及其封装结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032705A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
JP2010226110A (ja) 2009-03-20 2010-10-07 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法
US20100248400A1 (en) 2009-03-30 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating a light-emitting device

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