KR100891761B1 - 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 - Google Patents

반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100891761B1
KR100891761B1 KR1020070105365A KR20070105365A KR100891761B1 KR 100891761 B1 KR100891761 B1 KR 100891761B1 KR 1020070105365 A KR1020070105365 A KR 1020070105365A KR 20070105365 A KR20070105365 A KR 20070105365A KR 100891761 B1 KR100891761 B1 KR 100891761B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting device
conductive
electrode layer
Prior art date
Application number
KR1020070105365A
Other languages
English (en)
Inventor
최번재
이진현
박기열
조명수
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40562570&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100891761(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to KR1020070105365A priority Critical patent/KR100891761B1/ko
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to JP2008204291A priority patent/JP4510120B2/ja
Priority to US12/189,428 priority patent/US7964881B2/en
Publication of KR100891761B1 publication Critical patent/KR100891761B1/ko
Application granted granted Critical
Priority to JP2010061569A priority patent/JP5347200B2/ja
Priority to US12/757,557 priority patent/US7985976B2/en
Priority to US13/163,107 priority patent/US8263987B2/en
Priority to US13/568,553 priority patent/US8624276B2/en
Priority to US14/101,242 priority patent/US8981395B2/en
Priority to US14/615,116 priority patent/US9379288B2/en
Priority to US14/835,327 priority patent/USRE47417E1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M19/00—Details, component parts, or accessories of carburettors, not provided for in, or of interest apart from, the apparatus of groups F02M1/00 - F02M17/00
    • F02M19/02—Metering-orifices, e.g. variable in diameter
    • F02M19/0235—Arrangements of several spray nozzles not provided for in F02M3/00 or F02M11/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
    • F02M9/00—Carburettors having air or fuel-air mixture passage throttling valves other than of butterfly type; Carburettors having fuel-air mixing chambers of variable shape or position
    • F02M9/12—Carburettors having air or fuel-air mixture passage throttling valves other than of butterfly type; Carburettors having fuel-air mixing chambers of variable shape or position having other specific means for controlling the passage, or for varying cross-sectional area, of fuel-air mixing chambers
    • F02M9/127—Axially movable throttle valves concentric with the axis of the mixture passage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광된 빛의 반사 또는 흡수를 최소화하고, 최대 발광면적을 확보하여 발광효율을 최대화하는 동시에 작은 면적의 전극으로 균일한 전류분산이 가능한, 신뢰성이 높고 저비용으로 양산성이 우수한 고품질의 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지가 제안된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판이 순차 적층되어 형성되는데, 제2전극층은, 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고, 제1전극층은, 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 제1전극층의 일면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함한다.
반도체 발광소자, 콘택홀, 전극패드부

Description

반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지{Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof and semiconductor light emitting device package using the same}
본 발명은 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 발광된 빛의 반사 또는 흡수를 최소화하고, 최대 발광면적을 확보하여 발광효율을 최대화하는 동시에 작은 면적의 전극으로 균일한 전류분산이 가능한, 신뢰성이 높고 저비용으로 양산성이 우수한 고품질의 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 예를 들면, 발광다이오드(Light emitting diode, LED)와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자가 있다. 이러한 발광소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화, 신뢰성화된 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다.
반도체 접합 발광소자 구조는 통상 p형 반도체 및 n형 반도체의 접합구조이다. 반도체 접합 구조에서는 양반도체의 접합영역에서 전자/정공 재결합에 따른 발광이 있을 수 있으나, 그 발광을 보다 활성화시키기 위한 활성층을 구비할 수도 있다. 이러한 반도체 접합 발광소자는 반도체층을 위한 전극의 위치에 따라 수평형 구조 및 수직형 구조가 있고, 수평형 구조에는 성장형(epi-up) 및 플립칩형(flip-chip)이 있다. 전술한 바와 같이 사용되는 제품의 특성상 각각 요구되는 발광소자의 구조적 특성이 중요하게 고려된다.
도1a 및 도1b는 종래의 수평형 반도체 발광소자이고, 도1c는 종래의 수직형 반도체 발광소자의 단면도이다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 도1a 내지 도1c에서 기판과 접촉되는 반도체층이 n형 반도체층이고, 활성층상에 형성되는 반도체층은 p형 반도체층으로 가정하여 설명하기로 한다.
먼저, 도1a를 참조하여 수평형 반도체 발광소자 중 성장형 발광소자를 설명하기로 한다. 도1a에서는 최외곽에 형성되는 반도체층을 p형 반도체층으로 가정하여 설명하기로 한다. 반도체 발광소자(1)는 부도전성 기판(13), n형 반도체층(12), 활성층(11), 및 p형 반도체층(10)을 포함한다. n형 반도체층(12)에는 n형 전극(15)이, p형 반도체층(10) 측에는 p형 전극(14)이 형성되어 있어 전압 등의 인가를 위하여 외부전원(미도시)과 전기적으로 연결되어 있다.
각각의 전극(14, 15)을 통하여 반도체 발광소자(1)에 전압이 인가되면, n형 반도체층(12)으로부터 전자가 이동하고, p형 반도체층(10)으로부터 정공이 이동하여 전자 및 정공의 재결합을 통하여 발광이 일어난다. 반도체 발광소자(1)는 활성층(11)을 포함하고, 발광은 활성층(11)에서 발생한다. 활성층(11)에서는 반도체 발광소자(1)의 발광이 활성화되고, 빛이 발광된다. 전기적 연결을 위하여 n형 반도체층(12)에는 n형 전극이, p형 반도체층(10)에는 p형전극이 접촉저항값을 최소로 하면서 위치한다.
기판의 종류에 따라서 전극의 위치가 달라질 수 있는데, 예를 들어, 기판(13)이 부도전성 기판인 사파이어 기판인 경우라면, n형 반도체층(12)의 전극은 부도전성 기판(13)상에 형성될 수 없고, n형 반도체층(12)에 형성되어야 한다.
따라서, 도1a 참조하여 보면, n형 반도체층(12)상에 n형 전극(15)이 형성될 때, 오믹 접촉 부위의 형성을 이유로 상부의 p형 반도체층(10) 및 활성층(12)이 소모된 것을 알 수 있다. 이러한 전극형성으로 인하여 반도체 발광소자(1)의 발광면적은 감소하게 되고, 그에 따라 발광효율도 감소하게 된다.
발광효율을 보다 높이기 위한 형태의 수평형 반도체 발광소자가 도1b에 도시되어 있다. 도1b에 도시된 반도체 발광소자는 플립칩형 발광소자(2)로서, 기판(23)이 가장 상층에 위치하고 있고, 각각의 전극(24, 25)은 도전성 기판(26)상의 전극접촉부(26, 27)와 각각 접촉하고 있다. 활성층(21)으로부터 발광되는 빛은 전극(24, 25)의 영향 없이 기판(23)을 통과하여 발광되므로 도1a 및 도1b에서 기술된 형태의 반도체 발광소자에서와 같은 발광효율의 감소현상을 방지할 수 있었다.
그러나, 플립칩형 발광소자(2)는 우수한 발광효율의 장점에도 불구하고, 반도체 발광소자(2)내에 n형 전극 및 p형 전극을 동일평면상에 함께 배치하여 본딩하여야 하고, 본딩 후 전극접촉부(26, 27)와 전극과의 분리현상이 빈번하여 고가의 정밀한 공정장비가 요구되면서, 높은 제조비용, 낮은 생산성 및 낮은 수율과 제품신뢰성의 문제점이 있었다.
이러한 단점을 포함한 이외의 다른 여러 단점을 극복하기 위하여, 부도전성 기판이 아닌 도전성 기판을 사용하는 수직형 반도체 발광소자가 등장하였다. 도1c에 도시된 반도체 발광소자(3)는 수직형 반도체 발광소자로서, 도전성 기판(33)을 사용하여 기판상에 n형 전극(35)을 형성할 수 있다. 도전성 기판(33)은 예를 들면, Si기판과 같은 도전성 물질로 구성될 수 있는데, 그 격자부정합을 이유로 이러한 도전성 기판상에 반도체층을 형성하는 것이 용이하지 않은 것이 일반적이다. 따라서, 먼저 반도체층 성장이 용이한 기판을 이용하여 반도체층을 성장시키고, 추후 성장용 기판을 제거한 후 도전성 기판을 형성할 수 있다.
부도전성 기판(36)이 제거되면, n형 반도체층(32)상에 도전성 기판(33)이 형성되어 반도체 발광소자(3)는 수직형 구조를 갖게 된다. 도전성 기판(33)을 사용하면, 도전성 기판(33)을 통하여 n형 반도체층(32)으로의 전압의 인가가 가능하므로 기판 자체에 전극을 형성할 수 있다. 따라서, 도1c에서와 같이 도전성 기판(33) 상에 n형 전극(35)이 형성되고, p형 반도체층(30) 상에 p형 전극(34)이 형성되어 수직구조형의 반도체 발광소자가 제조될 수 있다.
그러나, 이 경우, 특히 고출력을 위한 대면적 발광소자를 제조하는 경우, 전류분산을 위하여 전극의 기판에 대한 면적비율이 높을 것이 요구된다. 그에 따라 광추출의 제한 및 광흡수로 인한 광손실 및 발광효율이 감소되고, 제품의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광된 빛의 반사 또는 흡수를 최소화하고, 최대 발광면적을 확보하여 발광효율을 최대화하는 동시에 작은 면적의 전극으로 균일한 전류분산이 가능한, 신뢰성이 높고 저비용으로 양산성이 우수한 고품질의 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지를 제공함에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판이 순차 적층되어 형성되는데, 제2전극층은, 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고, 제1전극층은, 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 제1전극층의 일면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함한다.
제2전극층의 노출된 영역 상에는 전극패드부가 더 형성될 수 있다.
제2전극층의 노출된 영역은, 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체 층을 관통하여 형성된 비아홀에 의하여 노출된 영역일 수 있는데, 비아홀의 직경은, 제2전극층에서 제1도전형 반도체층 방향으로 증가하는 것이 바람직하다.
이 때, 비아홀의 내측면에는 절연층이 형성될 수 있다.
이와 달리, 제2전극층의 노출된 영역은, 반도체 발광소자의 모서리에 형성될 수도 있다.
제2전극층은 활성층으로부터 발생한 빛을 반사시키는 것이 바람직한데, 반사를 위하여 제2전극층은 Ag, Al, 및 Pt 중 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다.
제1도전형 반도체층의 표면에는 요철패턴이 형성될 수 있고, 이러한 요철패턴은 광결정(photonic crystal) 구조일 수 있다.
도전성 기판은 Au, Ni, Cu, 및 W 중 어느 하나의 금속을 포함하는 금속성 기판일 수 있고, 이와 달리, 도전성 기판은 Si, Ge, 및 GaAs 중 어느 하나를 포함하는 반도체 기판일 수도 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판을 순차 적층하는 단계; 제2 전극층의 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 형성하는 단계; 및 제1전극층은, 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 발광 적층체의 제2면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함하도록 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법이 제공된다.
제2전극층의 노출된 영역은 제1도전형 반도체층, 활성층, 및 제2도전형 반도체층을 메사식각하여 형성할 수 있다.
도전성 기판은 도금법 또는 기판접합법을 이용하여 제1전극층상에 형성될 수 있다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 상면에 홈부가 형성된 발광소자 패키지 본체; 패키지 본체에 장착되고, 홈부의 저면에 노출되고 서로 소정거리 이격되어 있는 제1리드프레임 및 제2리드프레임; 및 제1리드프레임 상에 실장되는 반도체 발광소자;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지가 제공되는데, 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판이 순차 적층된 반도체 발광소자로서, 제2전극층은, 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고, 제1전극층은, 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 발 광 적층체의 제2면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함한다.
반도체 발광소자는 제2전극층의 노출된 영역 상에 형성된 전극패드부를 더 포함할 수 있어서, 전극패드부와 제2리드프레임은 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 발광방향에 위치하는 반도체층의 전극을 발광면상에 모두 형성하지 않고, 그 일부를 제외하고는 활성층 아래에 형성함으로써, 발광된 빛이 전극에 의하여 반사되거나 또는 흡수되는 현상을 방지할 수 있고, 발광면적 또한 최대로 확보할 수 있어 발광을 최대화할 수 있는 효과가 있다.
이외에도 전극을 전류분산을 원활히 할 수 있도록 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 구비하도록 하여 작은 면적의 전극으로 균일한 전류분산이 가능한 효과가 있다.
또한, 본딩부가 발광소자의 상면에 위치하여 다이 본딩시 정렬이 불필요하고, 와이어 본딩도 용이하다. 이와 함께, 수직형 구조를 갖고 있으므로 패키지 제 조시 비교적 용이한 저가의 다이본딩과 와이어본딩을 함께 이용할 수 있어서 저비용으로 우수한 양산성을 나타내는 효과가 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 신뢰성이 높고 저비용으로 양산성이 우수한 고품질의 반도체 발광소자를 구현할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 사시도이고 도3은 도2의 반도체 발광소자의 평면도이다. 이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 제1도전형 반도체층(111), 활성층(112), 제2도전형 반도체층(113), 제2전극층(120), 제1절연층(130), 제1전극층(140) 및 도전성 기판(150)이 순차 적층되어 형성된다. 이 때, 제2전극층(120)은 제2도전형 반도체층(113)의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고, 제1전극층(140)은, 제1도전형 반도체층(111)에 전기적으로 접속되고 제2도전 형 반도체층(113) 및 활성층(112)과는 전기적으로 절연되어 제1전극층(140)의 일면으로부터 제1도전형 반도체층(113)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀(141)을 포함한다.
반도체 발광소자(100)의 발광은 제1도전형 반도체층(111), 활성층(112), 및 제2도전형 반도체층(113)에서 수행되므로, 이들을 이하, 발광적층체(110)라 한다. 즉, 반도체 발광소자(100)는 발광적층체(110) 및 제1도전형 반도체층(111)과 전기적으로 접속되는 제1전극층(140), 제2도전형 반도체층(113)과 전기적으로 접속되는 제2전극층(120), 및 전극층들(120, 140)을 전기적으로 절연시키기 위한 제1절연층(130)을 포함한다. 또한, 반도체 발광소자(100)의 성장 또는 지지를 위한 기판으로서, 도전성 기판(150)을 포함한다.
반도체층들(111, 113)은, 예를 들면, GaN계반도체, ZnO계반도체, GaAs계반도체, GaP계반도체, 및 GaAsP계반도체와 같은 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층의 형성은 예를 들면, 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE)방법을 이용하여 수행될 수 있다. 이외에도, 반도체층들은 III-V 족 반도체, II-VI 족 반도체, 및 Si로 구성된 군으로부터 적절히 선택되어 구현될 수 있다. 반도체층들(111, 113)은 전술한 반도체에 각각의 도전형을 고려하여 적절한 불순물로 도핑된다.
활성층(112)은 발광을 활성화시키는 층으로서, 제1도전형 반도체층(111) 및 제2도전형 반도체층(113)의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성한다. 예를 들어, 제1도전형 반도체층(111) 및 제2도전형 반도체층(113)이 GaN계 화합물 반도체인 경우, GaN의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖는 InAlGaN계 화합물 반도체를 이용하여 활성층(112)을 형성할 수 있다. 즉, 활성층(112)은 InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 포함할 수 있다.
이때, 활성층(112)의 특성상, 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 구성물질의 몰비를 조절하여 발광하는 빛의 파장을 조절할 수도 있다. 따라서, 반도체 발광소자(100)는 활성층(112)의 특성에 따라 적외선, 가시광선, 및 자외선 중 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다.
전극층들(120, 140)은 각각 동일한 도전형의 반도체층에 전압을 인가하기 위한 층들이므로 전기전도성을 고려하여 금속을 포함할 수 있다. 즉, 전극층들(120, 140)은 반도체층들(111, 113)을 외부전원(미도시)과 전기적으로 연결하는 전극이다. 전극층들(120, 140)은 예를 들면, n형 전극으로는 Ti를, p형 전극으로는 Pd 또는 Au를 포함할 수 있다.
제1전극층(140)은 제1도전형 반도체층(111)에, 제2전극층(120)은 제2도전형 반도체층(113)에 각각 접속되므로 서로 다른 도전형에 접속되는 특성상, 제1절연 층(130)을 통하여 서로 전기적으로 분리된다. 제1절연층(130)은 전기전도성이 낮은 물질로 구성되는 것이 바람직하므로 예를 들어, SiO2와 같은 산화물을 포함할 수 있다.
제2전극층(120)은 활성층(112)으로부터 발생한 빛을 반사시키는 것이 바람직하다. 제2전극층(120)은 활성층(112)의 하측에 위치하므로 활성층(112)을 기준으로 하여 반도체 발광소자(100)의 발광방향과 반대면에 위치한다. 활성층(112)으로부터 제2전극층(120)로 진행하는 반도체 발광소자(100)의 발광방향과 반대방향이고, 제2전극층(120)을 향하여 진행하는 빛은 반사되어야 발광효율이 증가된다. 따라서, 제2전극층(120)이 광반사성을 나타낸다면 반사된 빛은 발광면으로 향하게 되고, 반도체 발광소자(100)의 발광효율이 증가된다.
활성층(112)으로부터 발생한 빛을 반사시키기 위하여 제2전극층(120)은 가시광선영역에서 백색계열인 금속인 것이 바람직한데, 예를 들면, Ag, Al, 및 Pt 중 어느 하나일 수 있다.
제2전극층(120)은 제2도전형 반도체층(113)과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함한다. 제1전극층(140)의 경우, 하면에 도전성 기판(150)과 접촉되어 있고, 도전성 기판(150)을 통하여 외부전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 그러나, 제2 전극층(120)은 외부전원(미도시)과 연결되기 위하여 별도의 연결영역이 필요하다. 따라서, 제2전극층(120)은 발광적층체(110) 중 일부가 에칭등이 되어 노출된 영역을 갖는다.
도 2에서는 제2전극층(120)의 노출 영역을 위하여 발광적층체(110)의 중앙이 에칭되어 형성된 비아홀(114)의 실시예가 도시되어 있다. 제2전극층(120)의 노출된 영역상에는 전극패드부(160)가 더 형성될 수 있다. 제2전극층(120)은 노출된 영역을 통하여 외부전원(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있는데, 이 때 전극패드부(160)를 이용하여 연결된다. 외부전원(미도시)과의 연결은 예를 들면 와이어를 이용할 수 있으므로 연결의 편의 상 비아홀의 직경은 제2전극층에서 제1도전형 반도체층 방향으로 증가하는 것이 바람직하다.
비아홀(114)은 반도체를 포함하는 발광적층체(110)만을 에칭하고, 통상 금속을 포함하는 제2전극층(120)은 에칭하지 않도록 선택적 에칭을 통하여 수행한다. 비아홀(114)의 직경은 발광면적, 전기적 연결효율 및 제2전극층(120)에서의 전류분산을 고려하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 적절히 선택될 수 있다.
제1전극층(140)은, 제1도전형 반도체층(111)에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)과는 전기적으로 절연되어 제1도전형 반도체 층(111)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀(141)을 포함한다. 제1전극층(140)은 제1도전형 반도체층(111)의 외부전원(미도시)과의 연결을 위하여, 제1전극층(140) 및 제2도전형 반도체층(113) 사이의 제2전극층(120), 제2도전형 반도체층(113), 및 활성층(112)을 관통하여 제1도전형 반도체층(111)까지 연장되고 전극물질을 포함하는 콘택홀(141)을 적어도 하나 이상 포함하는 것이다.
콘택홀(141)이 단지 전기적 연결만을 위한 것이라면, 제1전극층(140)은 콘택홀(141)을 하나만 포함하는 것이 가능하다. 다만, 제1도전형 반도체층(111)에 전달되는 전류의 균일한 분산을 위하여 제1전극층(140)은 콘택홀(141)을 소정위치에 복수개 구비할 수 있다.
도전성 기판(150)은 제2전극층(120)과 접촉하여 형성되어 전기적으로 연결된다. 도전성 기판(150)은 금속성 기판이거나 반도체 기판일 수 있다. 도전성 기판(150)이 금속인 경우, Au, Ni, Cu, 및 W 중 어느 하나의 금속으로 구성될 수 있다. 또한, 도전성 기판(150)이 반도체 기판인 경우, Si, Ge, 및 GaAs 중 어느 하나의 반도체 기판일 수 있다. 이들 도전성 기판(150)은 성장기판일 수 있고, 또는 격자부정합이 비교적 낮은 사파이어 기판같은 부도전성 기판을 성장기판으로 사용한 후, 부도전성 기판을 제거하고 접합된 지지기판일 수 있다.
도전성 기판(150)이 지지기판일 때, 도금법 또는 기판접합법을 이용하여 형 성될 수 있다. 상술하면, 도전성 기판(150)을 반도체 발광소자(200)에 형성하는 방법으로는 도금씨드층을 형성하여 기판을 형성하는 도금법이나, 도전성 기판(150)을 별도로 준비하여 Au, Au-Sn, 또는 Pb-Sr과 같은 도전성 접착제를 이용하여 접합시키는 기판접합법이 이용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 반도체 발광소자(100)의 평면도가 도시되어 있다. 반도체 발광소자(100)의 상면에는 비아홀(114)이 형성되고, 제2전극층(120)에 형성된 노출된 영역에는 전극패드부(160)가 위치한다. 이외에도, 실제 반도체 발광소자(100)의 상면에는 나타나지 않지만 콘택홀(141)의 위치를 표시하기 위하여 콘택홀(141)을 점선으로 도시하였다. 콘택홀(141)은 제2전극층(120), 제2도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)과 전기적으로 분리되기 위하여 그 둘레에 제1절연층(130)이 연장될 수 있다. 이에 대하여는 이하, 도4b 및 도4c를 참조하여 더 설명하기로 한다.
도4a 내지 도4c는 각각 도3에 도시된 반도체 발광소자의 A-A', B-B' 및 C-C'선에서의 단면도이다. A-A'는 반도체 발광소자(100)의 단면을, B-B'는 콘택홀(141) 및 비아홀(114)을 포함하는 단면을, C-C'는 콘택홀(141)만을 포함하는 단면을 취하기 위하여 선택되었다. 이하, 도2 내지 4c를 참조하여 설명하기로 한다.
도4a를 참조하면, 콘택홀(141) 또는 비아홀(114)이 나타나지 않는다. 콘택홀(141)은 별도의 연결선을 통하여 연결되어 있는 것이 아니라 제1전극층(140)을 통하여 전기적으로 연결되므로 도3에서 A-A 단면에는 도시되지 않는다.
도4b 및 도4c를 참조하면, 콘택홀(141)은 제1전극층(140) 및 제2전극층(120)의 계면에서부터 제1도전형 반도체층(111) 내부까지 연장된다. 콘택홀(141)은 제2도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)을 통과하여 제1도전형 반도체층(111)까지 연장되고, 적어도 활성층(112) 및 제1도전형 반도체층(111)의 계면까지는 연장된다. 바람직하게는 제1도전형 반도체층(111)의 일부까지 연장된다. 다만, 콘택홀(130)은 전기적 연결 및 전류분산을 위한 것이므로 제1도전형 반도체층(111)과 접촉하면 목적을 달성하므로 제1도전형 반도체층(111)의 외부표면까지 연장될 필요는 없다.
콘택홀(141)은 제1도전형 반도체층(111)에 전류를 분산시키기 위한 것이므로 소정면적을 가져야 한다. 콘택홀(130)은 제1도전형 반도체층(111)상에 전류가 균일하게 분포될 수 있는 가능한 작은 면적으로 소정개수 형성되는 것이 바람직하다. 콘택홀(141)이 너무 적은 개수로 형성되면 전류분산이 어려워져 전기적 특성이 악화될 수 있고, 너무 많은 개수로 형성되면 형성을 위한 공정의 어려움 및 활성층의 감소로 인한 발광면적의 감소가 초래되므로 이러한 조건을 고려하여 그 개수는 적절히 선택될 수 있다. 따라서, 콘택홀(141)은 가능한 한 적은 면적을 차지하면서 전류분산이 효과적인 형상으로 구현된다.
콘택홀(141)은 제2전극층(120)으로부터 제1도전형 반도체층(111) 내부까지 형성되는데, 제1도전형 반도체층의 전류분산을 위한 것이므로 제2도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)과는 전기적으로 분리될 필요가 있다. 따라서, 제2전극층(120), 제2도전형 반도체층(113) 및 활성층(112)과 전기적으로 분리되는 것이 바람직하다. 따라서, 제1절연층(130)은 콘택홀(130)의 둘레를 감싸면서 연장될 수 있다. 전기적 분리는 유전체와 같은 절연물질을 이용하여 수행할 수 있다.
도4b에서, 제2전극층(120)의 노출된 영역은 제2전극층(120)의 외부전원(미도시)과의 전기적 연결을 위한 영역이다. 노출영역에는 전극패드부(160)가 위치할 수 있다. 이 때, 비아홀(114) 내측면에는 제2절연층(170)이 형성되어 발광적층체(110) 및 전극패드부(160)를 전기적으로 분리할 수 있다.
도4a에서 제1전극층(140) 및 제2전극층(120)은 같은 평면상에 위치하므로 반도체 발광소자(100)는 수평형 반도체 발광소자(100)의 특성을 나타내고, 도4b에서 전극패드부(160)가 제1도전형 반도체층(111)의 표면에 위치하므로, 반도체 발광소자(100)는 수직형 반도체 발광소자의 특성을 나타낼 수 있다. 따라서 반도체 발광소자(100)는 수평형 및 수직형을 통합한 형태의 구조를 나타내게 된다.
도4a내지 도4c에서, 제1도전형 반도체층(111)은 n형 반도체층이고, 제1전극층(140)는 n형 전극일 수 있다. 이 경우, 제2도전형 반도체층(113)은 p형 반도체층이고, 제2전극층(120)는 p형 전극일 수 있다. 따라서, n형 전극인 제1전극층(140) 및 p형 전극인 제2전극층(120)은 제1절연층(130)을 그 사이에 구비하여 전기적으로 절연될 수 있다.
도5는 본 발명의 일실시예에 따라 표면에 요철패턴이 형성된 반도체 발광소자에서의 발광을 도시하는 도면이다. 이미 설명한 동일한 구성요소에 대하여는 설명을 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체 발광소자(100)는 발광된 빛의 진행방향의 최외곽 표면이 제1도전형 반도체층(111)으로 구성되어 있다. 따라서, 포토리소그래피 방법과 같은 공지의 방법을 이용하여 표면에 요철 패턴(180)을 형성하는 것이 용이하다. 이 경우, 활성층(112)으로부터 발광된 빛은 제1도전형 반도체층(111)의 표면에 형성된 요철패턴(180)을 통과하여 추출되고 요철패턴(180)에 의해 광추출효율이 증가된다.
요철패턴(180)은 광결정(photonic crystal) 구조일 수 있다. 광결정은 굴절률이 서로 다른 매질이 결정처럼 규칙적으로 배열된 것을 나타내는데, 이러한 광결정은 빛의 파장의 배수의 길이 단위의 빛 조절이 가능하여 광추출효과를 더욱 높일 수 있다.
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자에서, 모서리에 제2전극층 이 노출된 것을 나타낸 도면이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1도전형 반도체층(211), 활성층(212), 제2도전형 반도체층(213), 제2전극층(220), 절연층(230), 제1전극층(240) 및 도전성 기판(250)을 순차 적층하는 단계; 제2전극층(220)의 제2도전형 반도체층(213)과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 형성하는 단계; 및 제1전극층(240)이 제1도전형 반도체층(211)에 전기적으로 접속되고, 제2도전형 반도체층(213) 및 활성층(212)과는 전기적으로 절연되어 제1전극층(240)의 일면으로부터 제1도전형 반도체층(211)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀(241)을 포함하도록 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법이 제공된다.
이 때, 제2전극층(220)의 노출된 영역은 발광적층체(110)에 비아홀(214)을 형성하여 마련하거나(도2참조), 도6에서와 같이, 발광적층체(210)를 메사식각하여 형성할 수 있다. 본 실시예에서 도2를 참조하여 설명한 실시예와 동일한 구성요소에 대하여는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 반도체 발광소자(200)의 일모서리가 메사식각되어 있다. 식각은 발광적층체(210)에 수행되어 제2전극층(220)이 제2도전형 반도체층(213)와의 계면측에서 노출되어 있다. 따라서, 제2전극층(220)의 노출된 영역은, 반도체 발광소자(200)의 모서리에 형성된다. 모서리에 형성되는 경우는 전술한 실시예에서 와 같이 비아홀을 형성하는 경우보다 간단한 공정이면서, 추후 전기적 연결공정 또한 용이하게 수행될 수 있다.
도7은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지(300)의 단면도이다. 본 반도체 발광소자 패키지(300)는 상면에 홈부(360c)가 형성된 반도체 발광소자 패키지 본체(360a, 360b, 360c); 반도체 발광소자 패키지 본체(360a, 360b, 360c)에 장착되고, 홈부(360c)의 저면에 노출되고 서로 소정거리 이격되어 있는 제1리드프레임(370a) 및 제2리드프레임(370b); 및 제1리드프레임(370a) 상에 실장되는 반도체 발광소자(310, 320);를 포함한다. 반도체 발광소자(310, 320)는 도2를 참조하여 설명한 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자이고, 중심부에 비아홀이 형성되어 있다. 이하, 기설명한 동일 구성요소에 대하여는 설명을 생략하기로 한다.
반도체 발광소자(310, 320)는 제1 및 제2반도체층, 활성층, 및 각각의 전극층을 포함하는 발광부(310) 및 도전성 기판(320)을 포함한다. 반도체 발광소자(310, 320)는 발광부(310)상에 비아홀이 형성되어 있어, 노출된 영역상에 전극패드부(330)를 더 포함하고 있다. 도전성 기판(320)은 제1리드프레임(370a)과 전기적으로 연결되고, 전극패드부(330)는 와이어 등을 통하여 제2리드프레임(370b)과 전기적으로 연결된다.
반도체 발광소자(310, 320)는 실장되지 않은 다른 리드프레임인 제2리드프레임(370b)과 와이어 본딩(340)방식으로 전기적으로 연결되므로, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 발광효율을 최대한 보장할 수 있으면서도 수직형 구조를 가져 도7에서와 같이 다이본딩 형식 및 와이어 본딩 형식을 혼용하여 실장될 수 있다. 따라서, 비교적 저비용으로 공정수행이 가능하다.
도8은 발광면의 전류밀도와 발광효율의 관계를 도시하는 그래프를 나타내는 도면이다. 그래프에서 전류밀도가 약 10A/cm2이상인 경우, 전류밀도가 작은 경우에는 발광효율이 높고, 전류밀도가 큰 경우에는 발광효율이 낮은 경향을 나타낸다.
발광면적과 함께 이러한 경향을 표1에 수치로 나타내었다.
발광면적(cm2) 전류밀도(A/cm2) 발광효율(lm/W) 향상율(%)
0.0056 62.5 46.9 100
0.0070 50.0 51.5 110
0.0075 46.7 52.9 113
0.0080 43.8 54.1 115
도8 및 표1을 참조하면, 발광면적이 높을수록 발광효율이 높아지나, 발광면적을 확보하기 위하여는 분포된 전극의 면적이 감소되어야 하므로 발광면의 전류밀도는 감소하는 경향을 나타낸다. 이러한 발광면에서의 전류밀도의 감소는 반도체 발광소자의 전기적 특성을 해칠 수 있다는 문제점이 있다.
그러나, 이러한 문제점은 본 발명에서의 콘택홀을 이용한 전류분산의 확보를 통하여 해소가 가능하다. 따라서, 전류밀도가 감소하여 발생할 수 있는 전기적 특성상의 문제점은 발광표면까지 형성되지 않고 그 내부에 형성되어 전류분산을 담당하는 콘택홀을 형성하는 방법을 통하여 극복될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 원하는 전류분산정도를 획득하면서 최대의 발광면적을 확보하여 바람직한 발광효율을 얻을 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도1a 및 1b는 수평형 반도체 발광소자이고, 도1c는 수직형 반도체 발광소자의 단면도이다.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 사시도이고, 도3은 도2의 반도체 발광소자의 평면도이며, 도4a 내지 도4c는 각각 도3에 도시된 반도체 발광소자의 A-A', B-B' 및 C-C'선에서의 단면도이다.
도5는 본 발명의 일실시예에 따라 표면에 요철패턴이 형성된 반도체 발광소자에서의 발광을 도시하는 도면이다.
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자에서, 모서리에 제2전극층이 노출된 것을 나타낸 도면이다.
도7은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지의 단면도이다.
도8은 발광면의 전류밀도와 발광효율의 관계를 도시하는 그래프를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 반도체 발광소자 111 제1도전형 반도체층
112 활성층 113 제2도전형 반도체층
114 비아홀 120 제2전극층
130 절연층 140 제1전극층
150 도전성 기판 160 전극패드부

Claims (18)

  1. 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판이 순차 적층된 반도체 발광소자로서,
    상기 제2전극층은, 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고,
    상기 제1전극층은, 상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 상기 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 제1전극층의 일면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층의 노출된 영역 상에 형성된 전극패드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층의 노출된 영역은, 상기 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 관통하여 형성된 비아홀에 의하여 노출된 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 비아홀의 직경은, 상기 제2전극층에서 제1도전형 반도체층 방향으로 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 비아홀은, 내측면에 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층의 노출된 영역은, 상기 반도체 발광소자의 모서리에 형성되는 것을 특징으로 하는 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층은 상기 활성층으로부터 발생한 빛을 반사시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2전극층은 Ag, Al, 및 Pt 중 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 활성층과 계면을 형성하는 상기 제1도전형 반도체층의 면의 반대쪽 표면에는, 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 요철패턴은, 광결정(photonic crystal) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 Au, Ni, Cu, 및 W 중 어느 하나의 금속을 포함하는 금속성 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 Si, Ge, 및 GaAs 중 어느 하나를 포함하는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  13. 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판을 순차 적층하는 단계;
    상기 제2전극층의 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 제1전극층은, 상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 상기 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 제1전극층의 일면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함하도록 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2전극층의 노출된 영역을 형성하는 단계는, 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2도전형 반도체층을 메사식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 도금법을 이용하여 형성되어 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 기판접합법을 이용하여 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 상면에 홈부가 형성된 반도체 발광소자 패키지 본체;
    상기 패키지 본체에 장착되고, 상기 홈부의 저면에 노출되고 서로 소정거리 이격되어 있는 제1리드프레임 및 제2리드프레임; 및
    상기 제1리드프레임 상에 실장되는 반도체 발광소자;를 포함하고,
    상기 반도체 발광소자는, 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층, 제2전극층, 절연층, 제1전극층 및 도전성 기판이 순차 적층된 반도체 발광소자로서,
    상기 제2전극층은, 제2도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고,
    상기 제1전극층은, 상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 접속되고, 상기 제2도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 제1전극층의 일면으로부터 제1도전형 반도체층의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 또는 그 이상의 콘택홀을 포함하는 것인 반도체 발광소자 패키지.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자는 제2전극층의 노출된 영역 상에 형성된 전극패드부를 더 포함하고,
    상기 전극패드부는 상기 제2리드프레임과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
KR1020070105365A 2007-10-19 2007-10-19 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 KR100891761B1 (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070105365A KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2007-10-19 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP2008204291A JP4510120B2 (ja) 2007-10-19 2008-08-07 半導体発光素子、その製造方法及びこれを用いた半導体発光素子パッケージ
US12/189,428 US7964881B2 (en) 2007-10-19 2008-08-11 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same
JP2010061569A JP5347200B2 (ja) 2007-10-19 2010-03-17 半導体発光素子
US12/757,557 US7985976B2 (en) 2007-10-19 2010-04-09 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same
US13/163,107 US8263987B2 (en) 2007-10-19 2011-06-17 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same
US13/568,553 US8624276B2 (en) 2007-10-19 2012-08-07 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same
US14/101,242 US8981395B2 (en) 2007-10-19 2013-12-09 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same
US14/615,116 US9379288B2 (en) 2007-10-19 2015-02-05 Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting device package using the same
US14/835,327 USRE47417E1 (en) 2007-10-19 2015-08-25 Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070105365A KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2007-10-19 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100891761B1 true KR100891761B1 (ko) 2009-04-07

Family

ID=40562570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070105365A KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2007-10-19 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지

Country Status (3)

Country Link
US (7) US7964881B2 (ko)
JP (2) JP4510120B2 (ko)
KR (1) KR100891761B1 (ko)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010047553A3 (ko) * 2008-10-22 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
KR101039610B1 (ko) 2010-10-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101064064B1 (ko) 2010-07-02 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20120010437A (ko) * 2010-07-26 2012-02-03 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR20120018637A (ko) * 2010-08-23 2012-03-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120019116A (ko) * 2010-08-25 2012-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101246733B1 (ko) 2009-12-18 2013-03-25 한국광기술원 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
KR20130054416A (ko) * 2010-09-17 2013-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 반도체 칩
US8643040B2 (en) 2010-10-12 2014-02-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package thereof
US8723206B2 (en) 2011-09-09 2014-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with contact hole passing through active layer
US8735932B2 (en) 2010-11-15 2014-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including a connection layer formed on a side surface thereof
KR101760977B1 (ko) 2010-08-03 2017-07-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 칩
KR101860973B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
US11888091B2 (en) 2020-05-20 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and light emitting device package

Families Citing this family (436)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
EP3223313B1 (en) 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
DE102007022947B4 (de) * 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US7905618B2 (en) 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
JP5139005B2 (ja) * 2007-08-22 2013-02-06 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
TWI499076B (zh) 2008-07-03 2015-09-01 Samsung Electronics Co Ltd 波長轉換之發光二極體晶片及包含該發光二極體晶片之發光裝置
US9022632B2 (en) 2008-07-03 2015-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. LED package and a backlight unit unit comprising said LED package
JP2010087403A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Elpida Memory Inc 半導体装置
EP2357679B1 (en) 2008-11-14 2018-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical/horizontal light-emitting diode for semiconductor
JP2010219377A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
DE102010013494A1 (de) * 2010-03-31 2011-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010014667A1 (de) * 2010-04-12 2011-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht
KR20110132136A (ko) * 2010-06-01 2011-12-07 삼성전자주식회사 연결 구조를 이용한 발광소자 및 그 제조 방법
JP4657374B1 (ja) * 2010-06-16 2011-03-23 有限会社ナプラ 発光ダイオード、発光装置、照明装置及びディスプレイ
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120006410A (ko) * 2010-07-12 2012-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TWI495156B (zh) * 2010-07-30 2015-08-01 Epistar Corp 半導體發光元件及其製造方法
US8795817B2 (en) 2010-08-25 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR101114191B1 (ko) * 2010-09-17 2012-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101720304B1 (ko) * 2010-09-24 2017-03-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
DE102010046792A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20120042500A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
CN102054913B (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法、发光装置
CN102054914B (zh) 2010-11-09 2013-09-04 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法、发光装置
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2012129281A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Hitachi Cable Ltd 発光素子
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
US8476649B2 (en) 2010-12-16 2013-07-02 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with accessible electrodes and methods of manufacturing
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
JP5050109B2 (ja) * 2011-03-14 2012-10-17 株式会社東芝 半導体発光素子
EP3664167B1 (en) 2011-03-25 2021-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
US8878215B2 (en) 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
US9653643B2 (en) 2012-04-09 2017-05-16 Cree, Inc. Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
US9299742B2 (en) 2011-08-15 2016-03-29 Micron Technology, Inc. High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods
US9070613B2 (en) * 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
WO2013089521A1 (ko) 2011-12-16 2013-06-20 삼성전자주식회사 조명 장치의 방열 구조 및 조명장치
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101887942B1 (ko) 2012-05-07 2018-08-14 삼성전자주식회사 발광소자
KR101926361B1 (ko) * 2012-06-13 2018-12-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 발광장치 및 반도체 발광소자 제조방법
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
JP6052962B2 (ja) * 2012-08-03 2016-12-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
US9196807B2 (en) 2012-10-24 2015-11-24 Nichia Corporation Light emitting element
JP6011244B2 (ja) * 2012-10-24 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5924231B2 (ja) * 2012-10-24 2016-05-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR101976459B1 (ko) 2012-11-02 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
JP6055316B2 (ja) * 2013-01-15 2016-12-27 日本放送協会 発光素子
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR20140098564A (ko) * 2013-01-31 2014-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102037865B1 (ko) 2013-02-01 2019-10-30 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102056618B1 (ko) 2013-02-01 2019-12-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US20140217355A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Rensselaer Polytechnic Institute Semiconductor light emitting device
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
US9580648B2 (en) 2013-03-15 2017-02-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
KR102038885B1 (ko) 2013-05-27 2019-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102122366B1 (ko) 2013-06-14 2020-06-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
TWI661578B (zh) 2013-06-20 2019-06-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置及發光陣列
KR20150002361A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
KR101466833B1 (ko) * 2013-07-08 2014-11-28 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102061563B1 (ko) 2013-08-06 2020-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150021814A (ko) 2013-08-21 2015-03-03 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
JP2015043753A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 シャープ株式会社 イオン照射装置およびそれを冷蔵による保管を必要とする食品に適用した方法
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
EP2860769A1 (en) 2013-10-11 2015-04-15 Azzurro Semiconductors AG Layer structure for surface-emitting thin-film p-side-up light-emitting diode
KR102075985B1 (ko) 2013-10-14 2020-02-11 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102122360B1 (ko) 2013-10-16 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광모듈 테스트 장치
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102086360B1 (ko) 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
KR102122359B1 (ko) 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR102070092B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20150084311A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성전자주식회사 발광모듈
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) * 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102075986B1 (ko) 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102175723B1 (ko) 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
US10230022B2 (en) * 2014-03-13 2019-03-12 General Electric Company Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
JP2016018836A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
US9773889B2 (en) 2014-07-18 2017-09-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method of semiconductor arrangement formation
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR20160017849A (ko) * 2014-08-06 2016-02-17 서울바이오시스 주식회사 고출력 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
CN105489733A (zh) * 2014-09-16 2016-04-13 比亚迪股份有限公司 Led芯片及其形成方法
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102223037B1 (ko) 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
JP6371725B2 (ja) * 2015-03-13 2018-08-08 株式会社東芝 半導体モジュール
JP6010169B2 (ja) * 2015-03-31 2016-10-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6160726B2 (ja) * 2015-04-27 2017-07-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
JP6260640B2 (ja) * 2015-05-22 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 発光素子
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20170018201A (ko) * 2015-08-06 2017-02-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 제조방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
US10230021B2 (en) 2015-09-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
US20170125650A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-04 Nanoco Technologies Ltd. Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102443694B1 (ko) 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
TWI588985B (zh) * 2016-04-22 2017-06-21 友達光電股份有限公司 微型發光二極體結構及其畫素單元與發光二極體顯示面板
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
US20180102464A1 (en) 2016-10-06 2018-04-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Advanced Solder Alloys For Electronic Interconnects
EP3539102B1 (en) 2016-11-11 2020-11-04 Carrier Corporation High sensitivity fiber optic based detection
KR20180065700A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20180070149A (ko) 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR20180089117A (ko) 2017-01-31 2018-08-08 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR20180095397A (ko) 2017-02-17 2018-08-27 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR20180098904A (ko) 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
US10560187B2 (en) 2017-03-09 2020-02-11 Cisco Technology, Inc. Visible light communications network wavelength filter for security at transparent structures
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
US10739638B2 (en) 2017-05-03 2020-08-11 Apple Inc. Backlight units with support posts and cavity height monitoring
EP3978994B1 (en) 2017-05-03 2023-10-25 Apple Inc. Backlight units with support posts and cavity height monitoring
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
JP7290001B2 (ja) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド 高密度ピクセル化ｌｅｄチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR20190070533A (ko) 2017-12-13 2019-06-21 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20190108216A (ko) * 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
KR20200111323A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20200112369A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20200118333A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20210000351A (ko) 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210006538A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR20210006567A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210031085A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210034726A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20210048621A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
KR20210052626A (ko) 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20210063518A (ko) 2019-11-22 2021-06-02 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR20210064855A (ko) 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
KR20210097855A (ko) 2020-01-30 2021-08-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102741A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210141036A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR20210145553A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR20210145590A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR20210158254A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20220034972A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20220068558A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220107485A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230079869A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
EP4293732A1 (en) 2022-01-20 2023-12-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device, lighting device, image display device, and indicator lamp for vehicles
KR102599819B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347653A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光デバイス
KR20060010527A (ko) * 2004-07-28 2006-02-02 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH10270802A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sharp Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6455343B1 (en) * 2000-03-28 2002-09-24 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing light emitting diode with current blocking structure
DE10026255A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6255129B1 (en) * 2000-09-07 2001-07-03 Highlink Technology Corporation Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
WO2003019678A1 (fr) 2001-08-22 2003-03-06 Sony Corporation Element semiconducteur au nitrure et procede de production de cet element
US7276742B2 (en) * 2001-11-19 2007-10-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7714345B2 (en) * 2003-04-30 2010-05-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
WO2005043631A2 (en) * 2003-11-04 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2005150675A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Itswell Co Ltd 半導体発光ダイオードとその製造方法
US20050127374A1 (en) * 2003-12-16 2005-06-16 Chao-Huang Lin Light-emitting device and forming method thereof
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI347022B (en) 2004-02-20 2011-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
EP1733439B1 (en) * 2004-03-18 2013-05-15 Panasonic Corporation Nitride based led with a p-type injection region
JP2005322722A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光ダイオード
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US7754507B2 (en) 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP4758712B2 (ja) * 2005-08-29 2011-08-31 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100721150B1 (ko) * 2005-11-24 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP4777757B2 (ja) * 2005-12-01 2011-09-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP5244614B2 (ja) * 2005-12-27 2013-07-24 三星ディスプレイ株式會社 Ｉｉｉ族窒化物系発光素子
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007287757A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN101361203B (zh) * 2006-10-13 2012-05-02 三洋电机株式会社 半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP2008211164A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
KR100849826B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-31 삼성전기주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 패키지
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
DE102007022947B4 (de) * 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US8026527B2 (en) * 2007-12-06 2011-09-27 Bridgelux, Inc. LED structure
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347653A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光デバイス
KR20060010527A (ko) * 2004-07-28 2006-02-02 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997663B2 (en) 2008-10-22 2018-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US10333023B2 (en) 2008-10-22 2019-06-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor light emitting device
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8975653B2 (en) 2008-10-22 2015-03-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2010047553A3 (ko) * 2008-10-22 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
US9680050B2 (en) 2008-10-22 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8686454B2 (en) 2008-10-22 2014-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101246733B1 (ko) 2009-12-18 2013-03-25 한국광기술원 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101064064B1 (ko) 2010-07-02 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120010437A (ko) * 2010-07-26 2012-02-03 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101760977B1 (ko) 2010-08-03 2017-07-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 칩
KR101657631B1 (ko) * 2010-08-23 2016-09-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120018637A (ko) * 2010-08-23 2012-03-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120019116A (ko) * 2010-08-25 2012-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101675583B1 (ko) 2010-08-25 2016-11-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8866175B2 (en) 2010-09-17 2014-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
KR101590235B1 (ko) * 2010-09-17 2016-01-29 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 반도체 칩
KR20130054416A (ko) * 2010-09-17 2013-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 반도체 칩
US9640726B2 (en) 2010-10-12 2017-05-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package thereof
US8643040B2 (en) 2010-10-12 2014-02-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package thereof
KR101039610B1 (ko) 2010-10-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
US8877562B2 (en) 2010-11-15 2014-11-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device
US8735932B2 (en) 2010-11-15 2014-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including a connection layer formed on a side surface thereof
KR101860973B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
KR20180055922A (ko) * 2011-05-25 2018-05-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
US10115867B2 (en) 2011-05-25 2018-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
US8723206B2 (en) 2011-09-09 2014-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with contact hole passing through active layer
US11888091B2 (en) 2020-05-20 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and light emitting device package

Also Published As

Publication number Publication date
US7964881B2 (en) 2011-06-21
JP2010171443A (ja) 2010-08-05
US20140097458A1 (en) 2014-04-10
US7985976B2 (en) 2011-07-26
US20120299042A1 (en) 2012-11-29
US20110241066A1 (en) 2011-10-06
USRE47417E1 (en) 2019-06-04
JP4510120B2 (ja) 2010-07-21
US20090101923A1 (en) 2009-04-23
US8624276B2 (en) 2014-01-07
US20150221843A1 (en) 2015-08-06
JP5347200B2 (ja) 2013-11-20
JP2009105376A (ja) 2009-05-14
US9379288B2 (en) 2016-06-28
US20100193829A1 (en) 2010-08-05
US8263987B2 (en) 2012-09-11
US8981395B2 (en) 2015-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100891761B1 (ko) 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR100818466B1 (ko) 반도체 발광소자
KR100849826B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 패키지
US9236525B2 (en) Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
KR101978968B1 (ko) 반도체 발광소자 및 발광장치
US8314414B2 (en) Light emitting device and light emitting device package for improving a light emission efficency
KR101047720B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN109997234B (zh) 半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装
US20130015465A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting device
JP2016092414A (ja) 発光素子及び照明システム
US8525215B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system
KR101411256B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그의 제조방법
KR100887072B1 (ko) 반도체 발광소자, 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20110135103A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102371327B1 (ko) 발광 소자
KR100972980B1 (ko) 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101158077B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120073396A (ko) 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR20120033294A (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J121 Written withdrawal of request for trial
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150302

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180228

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190228

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200228

Year of fee payment: 12